「surface element」に関連した英語例文の一覧と使い方(359ページ目) - Weblio英語例文検索

A MONOS element 71 comprises a first gate insulating film 111 so formed on a main surface 1f as to be positioned above an n-type well region 2n, a first gate electrode 51 provided on the first gate insulating film 111, and a pair of p-type impurity regions 33 and 36 constituted of a p-type impurity region.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ素子７１は、ｎ型ウェル領域２ｎ上に位置するように主表面１ｆ上に形成された第１のゲート絶縁膜１１１と、第１のゲート絶縁膜１１１上に設けられた第１のゲート電極５１と、ｐ型不純物領域により構成される１対のｐ型不純物領域３３および３６とを含む。 - 特許庁

To provide with a relatively simple process a semiconductor device that ensures airtightness of a semiconductor chip, avoids the adhesion of a resin to an element formation surface, and avoids the increase in manufacturing cost, and its manufacturing method in a junction reinforcement method that can be applied to the semiconductor device for handling a high-frequency signal ranging from a microwave band to a millimeter wave band.例文帳に追加

マイクロ波帯からミリ波帯までの高周波信号を取り扱う半導体装置に適用することができる接合部補強方法であって、半導体チップの気密性が確保され、素子形成面への樹脂の付着を回避でき、かつ比較的簡単な工程で製造コストの上昇を回避できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a semiconductor element 12 formed on a semiconductor substrate, a plurality of insulating films 107, 112, 117, and 122 laminated on the semiconductor substrate, a plurality of wiring layers 108, 113, 118, and 123 respectively formed within a plurality of insulating films, and a barrier metal continuously covering the upper surface and both side surfaces of each wiring layer.例文帳に追加

半導体基板上に形成された半導体素子１２と、前記半導体基板上に積層された複数の絶縁膜１０７，１１２，１１７，１２２と、前記複数の絶縁膜内にそれぞれ形成された複数の配線層１０８，１１３，１１８，１２３と、前記各配線層の上面及び両側面を連続的に覆うバリアメタルとを具備する半導体装置。 - 特許庁

In a COF tape carrier being employed in a semiconductor device of COF structure, a dummy interconnect line 16 of metallization material is provided on the surface in a resist opening 4 for mounting a semiconductor element thus forming a structure of irregularities extending, respectively, in the directions oblique to the side of the resist opening 4.例文帳に追加

ＣＯＦ構造の半導体装置に用いられるＣＯＦテープキャリアにおいて、半導体素子搭載のためのレジスト開口部４内の表面に、金属配線材からなるダミー配線１６を設けることによって、レジスト開口部４の辺の方向に対してそれぞれ斜め方向に延びた凹部および凸部からなる凹凸構造を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate production method, a method for producing a photonic crystal element and a method for producing a photonic crystal structure, excellent in productivity, material selectivity, latitude of designing a rugged surface, cost and wavelength selectivity, and to improve optical characteristics of a photonic crystal structure and to minimize the size.例文帳に追加

生産性、材料選択性、凹凸面の設計の自由度、コストおよび波長選択性に優れた基板生成方法、フォトニック結晶素子の生成方法、フォトニック結晶構造の生成方法を提供することを課題とし、さらには、フォトニック結晶構造の光学特性の向上および形状の小型化を図ることを課題とする。 - 特許庁

In the light emitting diode element comprising the light emitting diode chip and the cover layer formed on the surface, the cover layer is provided with an antireflection function to light emitted from the light emitting diode chip, the thickness is ≤50 μm and the absolute value of the temperature coefficient of a refractive index is ≤15×10^-6/°C.例文帳に追加

本発明の発光ダイオード素子は、発光ダイオードチップと、その表面に形成された被覆層とを備えた発光ダイオード素子において、被覆層は、発光ダイオードチップから出射された光に対する反射防止機能を備え、厚さが５０μｍ以下であり、かつ、屈折率の温度係数の絶対値が１５×１０^-6／℃以下であることを特徴とする。 - 特許庁

Among laser light beams emitted from the junction surface 6A by a semiconductor laser 6 in this optical pickup device, an unnecessary light component 8 having a larger radiation angle but smaller light intensity than a signal light 17 incident on the signal diffraction grating 5 of a hologram element 13 is converged on two focuses P1, P2 by stray light prevention hologram pattern sections 11, 12.例文帳に追加

この光ピックアップ装置によれば、半導体レーザ６がその接合面６Ａから出射するレーザ光のうち、ホログラム素子１３の信号用回折格子５に入射する信号光１７よりも放射角が大きく光強度が小さな不要光８を、迷光防止用ホログラムパターン部１１，１２でもって２つの焦点Ｐ１，Ｐ２に集光させる。 - 特許庁

The method comprises: condensing and irradiating pulse laser beams from beneath of a solution with an objective lens 5 of a microscope, thereby generating plasma emission at the upper portion of the solution surface; and condensing the emission spectrum with an objective lens 9 at the upper portion of the solution and measuring it with a spectrometer 12, thereby analyzing a metallic element contained in the solution.例文帳に追加

顕微鏡を使用して溶液の下からパルスレーザー光線を対物レンズ５で集光して照射ことより、溶液表面上部でプラズマ発光が発生する、その発光スペクトルを溶液上部の対物レンズ９で集光して分光装置１２で測定して、溶液に含まれる金属元素を分析することを特徴とする。 - 特許庁

The projection optical system K projects a luminous flux from the picture display element P displaying an original picture to the projection surface S inclined to the central principal ray A which is the principal ray of the luminous flux reaching the center of the final image forming picture from the center of the original picture.例文帳に追加

原画を表示する画像表示素子Ｐからの光束を、原画の中心から最終結像画像の中心に至る光束の主光線である中心主光線Ａに対して傾斜した被投射面Ｓに投射する投射光学系Ｋにおいて、曲率を有する複数の反射面Ｒ１〜Ｒ６を設け、かつ以下の条件式を満たすようにする。 - 特許庁

In this integrated type photovoltaic element, that divides a plurality of photovoltaic elements formed on the same substrate 101, and is connected in series for integration, the division grooves 104, 106, and 108 for dividing the plurality of photovoltaic elements are formed along the direction of a pull mark, generated by rolling on the surface of the substrate.例文帳に追加

同一の基板１０１上に形成された複数の光起電力素子を分割し、直列接続して集積化される集積型光起電力素子において、複数の光起電力素子を分割するための分割溝１０４、１０６、１０８が、基板表面に圧延により生じる引き目の方向に沿って形成されている。 - 特許庁

In a semiconductor chip 21 provided with an element substrate 22, an integrated circuit 23 formed on the top surface of the substrate 22, and electrode terminals 24 for outside connection extended toward the ends of the substrate 22 from the integrated circuit 23, the electrode terminals 24 are formed at narrow pitches in a plane on the surfaces of the ends of the substrate 22.例文帳に追加

素子基板２２と、この素子基板２２の上面に形成される集積回路部２３と、この集積回路部２３から前記素子基板２２の端部に向けて延びる外部接続用の電極端子２４とを備えた半導体チップ２１において、前記電極端子２４を素子基板２２の端部の表面に狭いピッチ幅で平面形成した。 - 特許庁

The method of manufacturing the element 15 having a transition metal or a thin film 11 made of the alloy thereof formed on a resin substrate 12, has a step (corresponding to a third step in Fig.2) wherein a precursor of the resin substrate 12 is heated and pressurized by a molding mold including a first molding mold 10 having the thin film 11 formed on a molded surface.例文帳に追加

樹脂基材１２上に遷移金属又はその合金からなる薄膜１１が形成された素子１５の製造方法において、樹脂基材１２の前駆体を、成型面に薄膜１１が形成された第１成型型１０を含む成型型で加熱及び加圧する工程（図２では第３工程に相当）を有するものとする。 - 特許庁

The gas sensor element 1 comprises: oxygen ion conductive solid electrolytic body 11; the electrode 12 of objective gas side provided on either surface of the solid electrolytic body 11; the electrode of reference gas side 13 formed on the other side of the solid electrolytic body 11; and the porous layer 2 for covering the electrode of objective gas side 12, and also making permeate the measurement gas.例文帳に追加

酸素イオン伝導性の固体電解質体１１と、固体電解質体１１の一方の面に設けた被測定ガス側電極１２と、固体電解質体１１の他方の面に形成した基準ガス側電極１３と、被測定ガス側電極１２を覆うと共に被測定ガスを透過させる多孔質層２とを有するガスセンサ素子１。 - 特許庁

The insulative films 40, 42 having thermal conductivity lower than thermal conductivity of a combustion chamber base material and a heat capacity per unit volume lower than the heat capacity per unit volume of the combustion chamber base material, wherein each element forming the combustion chamber 26 is set as a combustion chamber base material, are formed on a wall surface facing to a combustion chamber 26 of the internal combustion engine 10.例文帳に追加

内燃機関１０は、燃焼室２６を構成する各要素を燃焼室母材として、燃焼室母材の熱伝導率よりも低い熱伝導率と、燃焼室母材の単位体積当り熱容量よりも低い単位体積当り熱容量とを有する断熱膜４０，４２が燃焼室２６に面する壁面に形成される。 - 特許庁

An overcoat ink mainly comprising an optical-curing acryl monomer 80-100% for the monomer solid part ratio is plotted and filled in the thickness step part (recess part) on the ink forming layer and the partition part surface by a piezo element inkjet head, coating flattening on the transparent insulation substrate is readily performed, and the color filter with an overcoat can be manufactured.例文帳に追加

インク形成層と仕切部表面での厚み段差部（凹部）に、モノマー固形分比率８０〜１００％の光硬化タイプのアクリルモノマーを主成分としたオーバーコートインクを、ピエゾ素子インクジェットヘッドにより、選択的に描画充填し、容易に透明絶縁基板上の被膜平坦化をおこない、オーバーコート付きカラーフィルタを作製できる工法にした。 - 特許庁

A conductive polymer layer 15, composed of polypyrrole, a carbon layer and a conductor layer 16 composed of silver coating material layer are laminated in order and is formed on a dielectric oxide coating film 14 which is formed on the surface of a capacitor element part 11 of a roughened aluminum foil, separated from an anode extraction part 13 by a forbidden band 12 formed of silicon.例文帳に追加

シリコンにより形成された禁止帯１２により陽極引き出し部１３と区分された粗面化されたアルミ箔のコンデンサ素子部１１の表面に形成された誘電体酸化皮膜１４の上に、ポリピロールよりなる導電性高分子層１５、カーボン層および銀塗料層よりなる導電体層１６を順次積層形成するようにしたものである。 - 特許庁

This optical pickup device converges luminous flux from a light source 11 on an information recording surface 17a through an objective lens 16, wherein an optical element 20 constituted of a resin sheet 21 having a light transmission property is arranged curving in an optical path between a light source and the objective lens as an adjusting means for astigmatic correction.例文帳に追加

この光ピックアップ装置は、光源１１からの光束を対物レンズ１６を介して情報記録面１７ａに集光するものであり、光透過性の樹脂シート２１から構成された光学素子２０が非点収差補正の調整手段として光源から対物レンズとの間の光路中に湾曲して配置されている。 - 特許庁

The depolarization element is composed by arranging a plurality of structural bodies 12 which shows structural double refraction in a plane so that the optical axes are directed to different directions on one and the same plane by providing two kinds of media having different refractive indices alternately in a stripe at a period shorter than light wavelength on the outer surface layer part of a transparent substrate.例文帳に追加

透明性の基板の表層部に光の波長よりも短い周期で屈折率の異なる２種類の媒質を交互にストライプ状に設けることにより構造性複屈折を呈するようにした複数の構造物１２をその光学軸が同一面内の異なる方向に向くように平面状に配置して構成する。 - 特許庁

Also, in the case of constitution for the purpose of band widening for instance, by turning the substrate of the dielectric to the same size as the power feeding patch and making the dielectric forming a non power feeding patch individual for each antenna element, the generation of the surface wave mode which is the problem in a conventional technique is suppressed and the structure forming the excellent radiation pattern is attained.例文帳に追加

また、例えば広帯域化を目的とした構成の場合では、誘電体の基板を給電パッチと同じ大きさとし、無給電パッチを形成する誘電体を各アンテナ素子毎に個別にすることで、従来の技術で課題となっていた表面波モードの発生をおさえ、良好な放射パターンを形成する構造としている。 - 特許庁

To provide a temperature detection device having high performance, that stably, accurately, and quickly detects the surface temperature of a measured object for temperature such as a fixed roller for a long term use, without deteriorating due to from friction and wear between a temperature element and the fixed roller, deterioration in image quality, and deterioration of release property with the fixed roller.例文帳に追加

長期的な使用においても、温度検出素子と定着ローラとの摩擦摩耗に起因する、画質の劣化、定着ローラの離型性の劣化等を生ずることなく、定着ローラ等の被温度測定物の表面温度を安定にかつ正確に、しかも迅速に検知することができる高性能な温度検知装置を提供する。 - 特許庁

Respective maker light beams M split symmetrically with respect to the light emission axis (optical axis L) by a diffractive optical element 36 are reflected toward a reading port 14a by respective plane mirrors 37a and 37b in a reflection member 37 arranged symmetrically with respect to the light emission axis, and displayed as a pattern serving as a mark for a reading position on an article R surface.例文帳に追加

そして、回折光学素子３６により発光軸（光軸Ｌ）に対して対称に分光される各マーカ光Ｍは、当該発光軸に対して対称に配置される反射部材３７の各平面鏡３７ａ，３７ｂにより読取口１４ａに向けて反射されて物品Ｒ表面において読取位置の目印となるパターンとして表示される。 - 特許庁

A voltage is applied to a piezoelectric element 48 installed on the wall surface of a pressure chamber 46 of the fluid ejecting module 12 including a feeding way 44, the pressure chamber 46 and an ejecting nozzle 40, and then a voltage-current phase difference is measured, and a frequency-phase difference characteristic is obtained from the frequency of the applied voltage and measured phase difference (300).例文帳に追加

供給路４４、圧力室４６、及び吐出ノズル４０の各部分からなる流体吐出モジュール１２の圧力室４６の壁面に設けられた圧電素子４８に電圧を印加して、電圧−電流位相差を測定し、印加電圧の周波数と測定した位相差とから周波数−位相差特性を得る（３００）。 - 特許庁

To provide a lid heat radiating ceramic package for radiating and removing unwanted heat generated during operation of an element and more specifically to provide a ceramic package which radiates heat through the lid which can easily radiate the heat by providing a heat radiating pin in which a groove is formed by cutting away an upper part of the lid as the cover surface of the package.例文帳に追加

本発明は素子の動作時に発生する不要な熱を空気中に放出除去するリード放熱セラミックパッケージに関するものであり、より詳しくはパッケージのカバー面であるリード(lid)上部を削り取りグルーブ(groove)を生成したり放熱ピンを設けて放熱を容易にしたリードを通して放熱を行うセラミックパッケージに関するものである。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element having a plurality of semiconductor layers including an active layer 6 and a light take-out layer 4, and a reflective metal film layer 11, the light take-out layer 4 is composed of a plurality of layers 23 and 24 having different composition ratios and protrusions and recesses 22 for roughening a major surface S are formed only over the plurality of layers 23 and 24.例文帳に追加

活性層６と光取り出し層４とを含む複数の半導体層を有し、反射金属膜層１１を有する半導体発光素子において、上記光取り出し層４が組成比の異なる複数の層２３，２４からなり、これら複数の層２３，２４にわたり主面Ｓを粗面とするための凹凸２２が形成された。 - 特許庁

Moreover, this element has a structure such that a first groove structure, which reaches the second conductivity-type of semiconductor layer 106 from the first conductivity-type of semiconductor layer 104 is formed, and that a second groove structure, which reaches the first conductivity-type semiconductor layer 104 from the surface of the second conductivity-type semiconductor layer 106, is made in the direction crossing the first groove structure.例文帳に追加

また、第一の導電型の半導体層104の表面から第二の導電型の半導体層106まで達する第1の溝構造が形成され、更に第1の溝構造と交差する方向に第二の導電型の半導体層106の表面から第一の導電型の半導体層104まで達する第2の溝構造が形成された構造を持つ。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor light-emitting element 1 absorbs in advance Si atoms 41 obtained by thermal decomposition of SiH_4, thereby forming a diffusion protection layer 31 composed of Si-doped InP with high impurity concentration on one surface of a semiconductor substrate 11 and side surfaces of a semiconductor mesa part 12 in the initial growth of a buried layer 13.例文帳に追加

半導体レーザ素子１の製造方法では、ＳｉＨ_４を熱分解して得られるＳｉ原子４１を予め吸着させることにより、埋込層１３の初期成長において、半導体基板１１の一面及び半導体メサ部１２の側面に、高不純物濃度のＳｉドープＩｎＰによる拡散防止層３１を形成する。 - 特許庁

The semiconductor acceleration sensor comprises the sensor chip 1 consisting of a thin beam 12 having a piezoresistive element 15 projecting inward of a frame consisting of a semiconductor substrate and a plummet 14 supported by hanging with the beam 12, and an upper and a lower stoppers 2 and 3 fixed to the frame 11 with a specific gap to the surface of the sensor chip 1 by way of a support 4.例文帳に追加

半導体基板からなるフレーム１１の内方に突設してピエゾ抵抗素子１５を有する薄肉状の梁部１２と、梁部１２により吊り下げ支持された錘部１４とからなるセンサチップ１と、支持部４を介してセンサチップ１の表面と所定の間隔を有してフレーム１１に固着された上下ストッパ２，３とを備えた半導体加速度センサ。 - 特許庁

On the circumferential surface of a disk element 2 with a rotary shaft hole 2a, a diamond tool 3 has a plurality of grinding chips 1, where abrasive grains of diamond are fixed, so interspaced as to have an overlap 4 of a width T of 0.5 mm or greater between one and the next when viewed in the rotary shaft direction.例文帳に追加

回転軸孔２ａを有する円板状体２の外周面に、ダイヤモンド砥粒を固着した複数の研削用チップ１を、回転軸方向から投影した時に、隣接する研削用チップ１間に重なり部４を有するように、所定の間隔を隔てて配設するとともに、重なり部４の幅Ｔを０．５ｍｍ以上としてダイヤモンド工具３を構成する。 - 特許庁

The field electron emitting element is manufactured by forming a cathode electrode 5, an insulation layer 6 and a gate electrode 7 on a substrate 4, forming the carbon film 8 on whole surface, forming a resist film 24, exposing and developing the resist film 24 in a prescribed pattern by using a mask, etching the carbon film 8 by using the resist film 24, and by removing the resist film 24.例文帳に追加

基板４上にカソード電極５、絶縁層６およびゲート電極７を形成し、炭素膜８を全面に形成し、レジスト膜２４を形成し、マスク２５を用いてレジスト膜２４を所定のパターンに露光、現像し、現像後のレジスト膜２４をマスクとして炭素膜８をエッチングし、レジスト膜２４を除去して電界電子放出素子を製造している。 - 特許庁

A semi-transparent film 69 is disposed on the lower side of a transparent electrode 61 of each organic EL element of a specific color; and the distance from the upper surface of the semi-transparent film 69 to the undersurface of an opposite electrode 66 functioning as a reflecting layer is set at a value by which a space between them acts as a minute resonator for selecting light having a specific wavelength.例文帳に追加

特定色の有機ＥＬ素子の透明電極６１の下側には、半透過膜６９が配置されており、この半透過膜６９の上面から反射層として機能する対向電極６６の下面までの距離は、この間の空間が特定波長の光を選択する微小共振器として作用する距離に設定されている。 - 特許庁

To provide a method for forming a photovoltaic element which can solve such a problem that a semiconductor layer formed on a metallic layer functioning as a photoelectric conversion layer can not cover the metallic layer sufficiently well and a defective part is produced because a projection projecting partly from the uneven area formed on the surface of the metallic layer or a part having a large difference in height in the uneven area exists.例文帳に追加

本発明は、金属層表面に形成した凹凸の一部に突出した部分や凹凸差が大きな部分が存在するため、その上に形成される光電変換層として機能する半導体層が金属層を十分に被覆できず、欠陥部位が生じてしまう問題、を解消できる光起電力素子の形成方法を提供する。 - 特許庁

The electrophoretic display device has an electrophoretic layer 30 held between an element substrate 10 and a counter substrate 50 and uses the side of counter substrate 50 as a display screen, wherein the electrophoretic display device includes a transparent impact relaxing layer 70, a transparent support layer 80 and a transparent surface layer 90, in this order on the upper side of the counter substrate 50.例文帳に追加

本発明の電気泳動表示装置は、素子基板１０と対向基板５０との間に挟持された電気泳動層３０を有し、対向基板５０側を表示面とする電気泳動表示装置であって、対向基板５０の上層側に、透明な衝撃緩和層７０と、透明な支持層８０と、透明な表層９０と、をこの順番に備えている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first wafer where the inductor containing a via hole plug through a first semiconductor substrate is formed; and a second wafer where a logical element is formed on a second semiconductor substrate, an inductor connecting wiring is formed on its top surface, and where the via contact plug and the inductor connecting wiring are electrically connected by joining the first wafer on the second wafer.例文帳に追加

第１半導体基板に貫通するビアホールプラグを含むインダクタが形成された第１ウェーハと、第２半導体基板に論理素子が形成され、上面にインダクタ連結配線が形成された第２ウェーハとを含んでなり、第１ウェーハを第２ウェーハ上に接合させてビアコンタクトプラグとインダクタ連結配線とが電気的に連結された構成を有する。 - 特許庁

In the flip-chip type light-emitting element, an n-type contact electrode 14 is formed on an n-layer 11 that is exposed like comb-tooth, a light transmitting electrode 15 formed of ITO is formed on the entire surface of a p-layer 13, and 20 pad electrodes 16 are formed keeping the predetermined interval on the light transmitting electrode 15.例文帳に追加

本発明のフリップチップ型発光素子は、櫛歯状に露出したｎ層１１上にｎ型コンタクト電極１４が形成され、ｐ層１３上面の全面にわたってＩＴＯからなる透光性電極１５が形成され、透光性電極１５上には所定の間隔で２０個のパッド電極１６が形成されている。 - 特許庁

The element forming layer 22 creates electrons and positive holes responding to irradiation of light and in accordance with the control of the voltages applied to the surface electrode 25 and control electrode 26, operates to select the state of storing electrons in the electron holding region 32 and holding positive holes in the positive-hole holding region 33 and the state of recombining the electrons and positive holes.例文帳に追加

素子形成層２２は光の照射により電子および正孔を生成し、表面電極２５および制御電極２６に印加する電圧の制御により、電子保持領域３２に電子を集積し正孔保持領域３３に正孔を保持する状態と、電子と正孔とを再結合させる状態とが選択される。 - 特許庁

The circuit part energizes the electromechanical sensing element part 4 to bring about mechanical displacement, generates fractional force between the outer shell of the leg part 5 and the surface of the guiding shaft 1 by further energizing the leg part 5 in accordance with the mechanical displacement to change the viscosity of the electroviscous fluid and thereby drives the lens frame 2 along the guiding shafts 1.例文帳に追加

回路部は、電気機械変換素子部４に通電して機械的変位を起し、さらに機械的変位に対応して脚部５に通電し電気粘性流体の粘性を変化させることで脚部５の外皮殻と案内軸１の表面との間に摩擦力を発生させ、もってレンズ枠２を案内軸１に沿って駆動する。 - 特許庁

In the waste treatment apparatus for decomposing a waste in the treatment tank chemically with microorganisms, the distance between the rows of the heating element of a heating means for heating the tank is made smaller in the bottom part of the tank and larger toward the upper surface of the thank so that the temperature distribution in the tank is uniform.例文帳に追加

処理槽内の廃棄物を微生物により化学的に分解処理する廃棄物処理装置において、前記処理槽内を加熱する加熱手段の発熱体の距離を、該処理槽の底部において密になり、該廃棄物処理槽の上面に向かって発熱体の距離を疎になるようにして、該処理槽内の温度分布が均一となるように構成する。 - 特許庁

A substrate is isolated by a trench 2, a source region 3 and a drain region 4 are formed at the surface part of the substrate in the isolated element forming region, a gate oxide film is formed on a channel region between the source region 3 and the drain region 4 of the substrate, and a gate electrode 6 is formed on the gate oxide film.例文帳に追加

基板がトレンチ２により絶縁分離され、この絶縁分離された素子形成領域において基板の表層部にソース領域３とドレイン領域４が形成され、基板におけるソース領域３とドレイン領域４の間をチャネル領域として、チャネル領域上にゲート酸化膜が形成され、ゲート酸化膜上にゲート電極６が形成されている。 - 特許庁

An electric power conversion apparatus 1 includes: multiple semiconductor modules 2, each of which incorporates a semiconductor element; a cooler 3 having a module coolant passage 30 in which a coolant cooling the semiconductor modules 2 circulates; an electronic component (reactor) 4 other than the semiconductor modules 2; and a placement part 5 having a placement surface 51 on which the electronic component 4 is placed.例文帳に追加

電力変換装置１は、半導体素子を内蔵してなる複数の半導体モジュール２と、半導体モジュール２を冷却する冷媒を流通させるモジュール冷媒流路３０を有する冷却器３と、半導体モジュール２以外の電子部品（リアクトル）４と、電子部品４を載置する載置面５１を有する載置部５とを備えている。 - 特許庁

The desired optical spot is obtained on an image carrier by disposing a diaphragm shape corresponding to a screen angle for forming CMLK colors on a rotatable circular board 12 as a means for sequentially changing the shape to an output image pattern, rotating the shape when the respective color images are exposed, and disposing the diaphragm on the front surface of a light emitting element.例文帳に追加

絞り形状を出力画像パターンに対して逐次変化させる手段として、回転可能な円形基盤１２にＣＭＬＫ各色を形成するスクリーン角に対応した絞り形状を配置させ、これを各色の像露光時に回転させ、絞りを発光素子の前面に配置することにより所望の光学スポットを像担持体上で得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor light emitting element for which the emission of light in a direction other than a light extraction direction is reduced while sufficiently securing a light emitting region, light output on a light extraction surface side is improved, and light extraction efficiency is excellent, and which can be manufactured inexpensively without a problem in terms of safety since a cost requiring process is not needed.例文帳に追加

発光領域を十分確保しつつ、光取り出し方向以外の方向への光の出射が低減され、光取り出し面側での光出力が向上し、光取り出し効率に優れるとともに、コストが掛かる工程を必要としないため、安全面で問題なく、低コストで作製することができる半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

The atomization head 50 is constituted of a reflection body 72 formed with liquid storage parts 71 for storing the chemical liquid 53 in response to the atomization parts 50a, a piezoelectric element part 73 arranged on the bottom surface of the reflection body 72 and a nozzle plate 75 formed with a nozzle hole 74 at the opening side of the liquid storage parts 71 in the reflection body 72.例文帳に追加

前記噴霧ヘッド５０は、前記複数の噴霧部５０ａに応じて前記薬液５３を貯液するための貯液部７１を形成した反射体７２と、この反射体７２の底面に設けた圧電素子部７３と、前記反射体７２の貯液部７１開口側にノズル孔７４が形成されるノズルプレート７５とから構成される。 - 特許庁

This is composed of a polycrystalline body in which ceria based crystal particles containing a rare earth element RE (except Ce) are aggregated, and as for the valence of Ce in the ceria based crystal particles, 4-valent Ce becomes main in the center part and 3-valent Ce becomes main on the surface, and by this, the volume expansion in the reducing atmosphere can be suppressed.例文帳に追加

希土類元素ＲＥ（Ｃｅを除く）を含むセリア系結晶粒子が集合した多結晶体からなり、前記セリア系結晶粒子におけるＣｅの価数が中央部では４価が主となるとともに、表面では３価のＣｅが主となることを特徴とするもので、これにより還元雰囲気における体積膨張を抑制できる。 - 特許庁

This sliding member with a hard carbon film used in a lubricating oil is prepared by forming a hard carbon film 12 on a backing 11, wherein at least the surface layer of the film 12 contains 5-70 atm.% of at least one metal element selected from the group consisting of group IIb, III, IV, Va, VIa, VIIa and VIII elements in the periodic table.例文帳に追加

基材１１の上に硬質炭素皮膜１２を形成しかつ潤滑油中で使用される硬質炭素皮膜摺動部材において、少なくとも表面層に元素周期律表の第ＩＩｂ，ＩＩＩ，ＩＶ，Ｖａ，ＶＩａ，ＶＩＩａおよびＶＩＩＩ族のうちから選ばれる少なくとも１種の金属元素を５〜７０ａｔ％含むものとした硬質炭素皮膜摺動部材。 - 特許庁

In the optical recording medium wherein recording and reproduction are performed by energy beam irradiation, the film deposited on the optical recording medium is formed so as to have fine divisions and a low melting point thin film 2 and a thin film 3 consisting principally of a semimetal element are film-deposited in this order on the surface of a light transmissive information substrate 1 when the films are film-deposited.例文帳に追加

エネルギービームの照射により記録・再生を行う光記録媒体に関し、該光記録媒体上に製膜された膜の形態を微小な区画を形成させるようにし、その製膜に際しては、透光性の情報基板１表面に低融点薄膜２、主に半金属元素からなる薄膜３の順に製膜する。 - 特許庁