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surface elementの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 18429



例文

By two-dimensionally arranging metal structures (metal particles 2) minuter than wavelength of incident light on a flat surface of a transparent glass substrate 1 at a distance smaller than the wavelength of incident light, the polarization control element 10 which has high light transmittance, can afford a sufficient retardation, is high in the latitude of design and is excellent in heat resistance and light resistance can be obtained.例文帳に追加

透明なガラス基板1の平坦な面に、入射する光の波長よりも微小な金属構造(金属粒子2)を、入射する光の波長よりも小さい距離で2次元に配置することにより、光の透過率が高く、十分な位相差を与えることの可能な、設計自由度が高く、耐熱性や耐光性に優れた偏光制御素子10とする。 - 特許庁

A microstrip circuit 31 circled with a dotted line in the figure has a pair of conductive square elements 32, a pair of impedance transformers 33 connected to one side of the conductive square element 32, a pair of phase shifters 34 connected to the impedance transformers 33, and a conduction pin 36 for connecting the circuit to the phase shifter 34 on the rear surface.例文帳に追加

図中点線で囲んだマイクロストリップ回路31は、一対の導電性方形素子32と、導電性方形素子32の一辺に接続された一対のインピーダンス変成器33と、インピーダンス変成器33と接続された一対の移相器34と、裏面の移相器34と接続するための導通ピン36を有している。 - 特許庁

A second electrode plate 20 is connected with the other electrode of the film capacitor element, and a portion thereof is led out from an opening on the side of the other sidewall 4 of the case 1 opposing the one sidewall 3 and bent in the direction parallel with the case opening surface 2 to be superimposed on the first electrode plate 10 through an insulating layer 5.例文帳に追加

また、第2電極板20は、フィルムコンデンサ素子の他方の電極部に接続され、一部がケース1の一方の側壁3とは相対向する他方の側壁4側の開口部から外部に導出され、かつケース開口面2に平行な方向で第1電極板10と絶縁層5を介して重なるように折曲されている。 - 特許庁

In the thermal infrared detecting element thus obtained, the heat resistance variation film 3 and the conductive protection film 4 which covers the connection part of the heat resistance variation film 3 for a wiring metal film 5 and has at least its surface made of metal are arranged at the connection part of the wiring metal film 5 connected to the heat resistance variation film 3.例文帳に追加

このようにして得られた熱型赤外線検出素子は、熱抵抗変化膜3と、該熱抵抗変化膜3に接続される配線金属膜5との接続部に、上記熱抵抗変化膜3における上記配線金属膜5との接続部を覆う、少なくとも表面が金属からなる導電性の保護膜4が配されている。 - 特許庁

例文

A semi-transparent film 69 is disposed on the lower side of a transparent electrode 61 of this organic EL element; and the distance from the upper surface of the semi-transparent film 69 to the undersurface of an opposite electrode 66 functioning as a reflecting layer is set at a value by which a space between them acts as the minute resonator for selecting light having a specific wavelength.例文帳に追加

有機EL素子の透明電極61の下側には、半透過膜69が配置されており、この半透過膜69の上面から反射層として機能する対向電極66の下面までの距離は、この間の空間が特定波長の光を選択する微小共振器として作用する距離に設定されている。 - 特許庁


例文

To provide a heating member with a heat generating member with an insulating layer and an exothermic layer made of a resistance heating element laminated, in which a local peeling between members composing the heat generating member is prevented from occurring and a local degradation in the efficiency of heat conductivity is prevented from occurring and there is no unevenness of surface temperature distributions against an established temperature.例文帳に追加

絶縁層および抵抗発熱体からなる発熱層が積層された発熱部材を有する加熱部材であって、加熱部材を構成する部材間で局部的な剥離が発生するのが防止されて、局部的な伝熱効率の低下が発生するのが防止され、表面の温度分布が設定温度に対してばらつきのない加熱部材を提供する。 - 特許庁

This electron emitting element can be manufactured by a method including a coating process for coating a substrate 1 with a mixture of a conductive paste and the fibrous objects 2, and a removing process for selectively removing the conductive paste included in a surface part of the coating mixture in order to partially expose the fibrous objects 2.例文帳に追加

この電子放出素子は、例えば、基板上に、導電性ペーストと繊維状物体との混合物を塗布する塗布工程と、該塗布した混合物の表面部に含まれる該導電性ペーストを選択的に除去して、該繊維状物体の一部を露出させる、除去工程と、を包含する製造方法によって、製造することができる。 - 特許庁

The cathode active material is provided with composite oxide particles, a coating layer fitted at least to part of the composite oxide particles and made of an oxide containing at least one coating element from among lithium (Li), nickel (Ni), and manganese (Mn), and a surface layer fitted at least at a part of the coating layer and made of oxide containing magnesium (Mg).例文帳に追加

正極活物質は、複合酸化物粒子と、複合酸化物粒子の少なくとも一部に設けられ、リチウム(Li)と、ニッケル(Ni)およびマンガン(Mn)のうちの少なくとも一方の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層と、この被覆層の少なくとも一部に設けられ、マグネシウム(Mg)を含む酸化物よりなる表面層とを備えるものである。 - 特許庁

A surface acoustic wave element 14 has n electrode fingers for ground between electrode fingers for a signal at both ends of a central IDT electrode 3 and electrode fingers for a signal at the ends on the IDT electrode 3 sides of the IDT electrodes 2 and 4, wherein polarities of adjacent electrode fingers between the IDT electrodes are symmetrical with respect to the IDT electrode 3.例文帳に追加

弾性表面波素子14は、中央のIDT電極3の両端の信号用電極指と、IDT電極2,4のIDT電極3側の端の信号用電極指との間の接地用電極指がn本であり、IDT電極間で隣接する電極指の極性がIDT電極3を中心に対称である。 - 特許庁

例文

As the trackball 22 is rotated, detection light emitted from the light emitting element is reflected on the mirror surface of the polygons 2202, its reflected light is moved accompanied by the rotation of the trackball 22, namely, the movement of the polygons 2202, and every time the reflected light passes through the portion of the two light receiving elements, light receiving signals are outputted from the two light receiving elements.例文帳に追加

トラックボール22が回転されると、発光素子から出射された検知光は多角形22の鏡面で反射されその反射光がトラックボール22の回転、すなわち多角形2202の移動に伴って移動され、反射光が2つの受光素子の部分を通過する毎に2つの受光素子からは受光信号が出力される。 - 特許庁

例文

The semiconductor has a semiconductor substrate 11, including an element, an interlayer insulating film (silicon oxide film 20, BPSG film 30) formed on the semiconductor substrate 11, a contract hole formed in the interlayer insulating film, the barrier layer 33 formed on the interlayer insulating film and the surface of the contact hole, and a wiring layer 40 formed on the barrier layer 33.例文帳に追加

半導体装置は、素子を含む半導体基板11、半導体基板11の上に形成された層間絶縁膜(シリコン酸化膜20,BPSG膜30)、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール、層間絶縁膜およびコンタクトホールの表面に形成されたバリア層33、およびバリア層33の上に形成された配線層40を有する。 - 特許庁

A first insulated separation film 5a which partitions an active region and a second insulation isolating film 5b which is thinner than the first insulation isolating film 5a and separates the active region into a first active region 6 and a second active region 7 as element isolation layers made of LOCOS are formed on the major surface S of a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

P型シリコン基板1の主表面SにLOCOSからなる素子分離層として、活性領域を区画する第1の絶縁分離膜5aと、この第1の絶縁分離膜5aよりも厚さが薄く、且つ、活性領域を第1の活性領域6と第2の活性領域7とに分離する第2の絶縁分離膜5bを形成する。 - 特許庁

The surface acoustic wave (SAW) immunosensor for diagnosing allergy disease includes one or more SAW elements on each of which allergens derived from one allergy-causing substance are fixed and an allergen derived from another allergy-causing substance is not included, that is, allergens derived from different allergy-causing substances being fixed on different SAW elements; and a signal detector which detects an output signal from the SAW element.例文帳に追加

アレルギー疾患診断用SAWセンサーは、一つのアレルギー原因物質から由来したアレルゲンが固定されており、他のアレルギー原因物質から由来したアレルゲンは含まず、それぞれ別のアレルギー原因物質から由来したアレルゲンが固定された一つ以上のSAW素子、及び該素子からの出力信号を検出する信号検出器を含む。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a contact hole 47, inside which a boundary between diffusion layers 41 and 42 and an element isolation region 12 is exposed, and a high melting-point metal layer (a titanium film 48) for covering the surface of a silicon substrate 11 exposed inside the contact hole 47 is formed into a thickness of 5 nm-11 nm.例文帳に追加

拡散層41,42と素子分離領域12との境界が内部に露出する接続孔(コンタクトホール47)を備えた半導体装置において、コンタクトホール47の内面に露出するシリコン基板11表面を被覆する高融点金属層(チタン膜48)が5nm以上11nm以下の膜厚に形成されているものである。 - 特許庁

The method of manufacturing a surface heat source includes: a step of providing a carbon nanotube structure; a step in which a first electrode and a second electrode are installed with an interval, and are electrically connected to a carbon nanotube structure; and a step in which a precursor of a substrate is provided, and the precursor of the substrate and the carbon nanotube structure are combined to form a heating element.例文帳に追加

本発明の面熱源の製造方法は、カーボンナノチューブ構造体を提供するステップと、第一電極及び第二電極を、間隔を置いて設置し、カーボンナノチューブ構造体と電気的に接続させるステップと、基体の前駆体を提供し、該基体の前駆体と前記カーボンナノチューブ構造体とを複合し、加熱素子を形成するステップと、を含む。 - 特許庁

For instance, when an element isolation insulating film is formed, a silicon nitride film (CMP stopper film) 8 is formed on the recessed face of a silicon oxide layer (insulating layer with a rugged surface) 7, and then a process where a silicon oxide layer (insulating layer with a rugged layer) 7 in a disused region is polished is provided.例文帳に追加

例えば、素子分離用絶縁膜を形成する際に、酸化シリコン層(絶縁層であり、凹凸面を備えている層)7の特定の凹面に窒化ケイ素膜(CMP用ストッパ膜)8を形成した後に、CMP法を使用して、不要な領域の酸化シリコン層(絶縁層であり、凹凸面を備えている層)7を研磨する工程を有するものである。 - 特許庁

There is provided a ceramic package using the improved lid 31 for improving the structure of the lid 31 covering the upper surface of a package substrate and transferring the heat via the lid 31 in place of realizing transfer of heat by forming a via hole to radiate the heat generated during operation of a chip type element such as a SAW filter.例文帳に追加

本発明はSAWフィルターのようなチップ型素子の動作時に発生する熱を放出するためにバイアホールを形成して熱伝導を図る代わりに、パッケージ基板の上部面に被せるリード31の構造を改善させ、リード31を通して熱伝導を行う改善されたリード31を用いるセラミックパッケージを提供する。 - 特許庁

This pattern forming method includes a process wherein an electron beam emission element 10 having at least one pyramid part 18 whose surface is made of diamond is prepared; a process wherein an electron beam 19 is emitted from the pyramid part 18 to expose an electron beam sensitive resist layer 22 by applying a voltage; and a process wherein a portion of the resist layer 22 is removed to execute patterning.例文帳に追加

表面がダイヤモンドからなる少なくとも一つの錐体部18を有する電子線放出素子10を用意する工程と、電圧を印加して錐体部18から電子線19を放出させて、電子線感応性のレジスト層22を暴露する工程と、レジスト層22の一部を除去してパターニングする工程と、を含む。 - 特許庁

A method for forming the barrier film by subjecting the Si surface to passivation by the atom-like hydrogen can perform a barrier effect by an extremely thin film for enabling space-saving, as compared with a method for forming the barrier film according to a conventional metal film or the like, and can provide an effect of reducing cost in association with no use of a metal element.例文帳に追加

本発明のSi表面を原子状水素により不動態化することによるバリア膜の形成法は,従来の金属膜などによるバリア膜の形成法と比較して,省スペース化を可能にする極めて薄い膜によりバリア効果を発揮でき,且つ金属元素を使用しないことに伴うコストの低減化をもたらす効果がある。 - 特許庁

In this semiconductor light emitting element formed by successively laminating a carrier injection layer presenting one conduction type, an active layer presenting an opposite conduction type and a clad layer on a semiconductor substrate presenting one conduction type and provided with an electrode on the back surface side of the semiconductor substrate and on the clad layer, a light absorbing layer is interposed on the lower side of the carrier injection layer.例文帳に追加

一導電型を呈する半導体基板上に、一導電型を呈するキャリア注入層、逆導電型を呈する活性層、およびクラッド層とを順次積層して形成し、この半導体基板の裏面側とクラッド層上に電極を設けた半導体発光素子において、前記キャリア注入層の下側に光吸収層を介在させた。 - 特許庁

In the evaluation method for the optical characteristics of the optical compensation element using a liquid crystal molecular material, the surface of an optical compensation layer is observed by a polarization microscope, the dimension of each granular domain formed by differences between the axial orientations of liquid crystal molecules are evaluated, and the dimension of the domains has a diameter of 5 μm or less.例文帳に追加

液晶性分子材料を用いた光学補償素子の光学特性の評価方法において、偏光顕微鏡により光学補償層の表面を観察し、液晶性分子の軸方位の違いにより形成された粒状のドメインの大きさを評価し、該ドメインの大きさが直径5μm以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The cathode of the organic electroluminescent element has a two-layered structure constituting of a cathode lower layer 13-1 and a cathode upper layer 13-2, and in order that the cathode lower layer 13-1 is not exposed to the surface, the cathode upper layer 13-2 is film-formed so that the whole including its upper face and peripheral face is covered.例文帳に追加

本発明の有機電界発光素子の陰極は、陰極下層13−1及び陰極上層13−2から成る2層積層構造を有しており、陰極上層13−2は陰極下層13−1が表面に露出しないように、その上面及び周縁面を含む全体を被覆するように成膜されている。 - 特許庁

The manufacturing method has an exhaust process of placing a to-be-treated material in a reaction tube to exhaust and a reduction process of introducing vapor of an organometallic compound and vapor of a reducing agent into the reaction tube and causing particulates containing the metal element from the organometallic compound to be supported on the surface of the to-be-treated material.例文帳に追加

反応管内に被処理材を設置し、前記反応管内を排気する排気工程と、前記反応管内に有機金属化合物の蒸気及び還元剤の蒸気を導入し、前記被処理材の表面に前記有機金属化合物に含まれる金属元素を含む微粒子を担持させる還元工程とを備えた微粒子担持材料の製造方法。 - 特許庁

To provide a positive resist composition which improves performance in microfabrication of a semiconductor element using an electron beam, X-ray or EUV light and simultaneously satisfies high sensitivity, high resolution, a good pattern shape, good line edge roughness, high contrast, prevention of conversion to a negative resist composition, and surface roughness, and to provide a pattern forming method using the same.例文帳に追加

電子線、X線、あるいはEUV光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なパターン形状、良好なラインエッジラフネス、高コントラスト、ネガ化防止、表面ラフネスを同時に満足するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

Furthermore, the element 4 and circuit electrode 31 are arranged on the intermediate layer 3aM or on reverse surface 3a2 in a region F of the wiring board 3 directly below the leads 2a to integrate the integrated circuit device to high density and also easily detected the foreign matters, etc., which can possibly short-circuits by optically seeing through between the leads 2a.例文帳に追加

また、リード2aの直下となる配線基板3の領域F内の中間層3aMまたは裏面3a2に、素子4、回路電極31を配置すれば、集積回路装置を1高密度高集積化することと、リード2a間を光学的に透視による短絡しうる異物等の検出が容易になることが両立可能となる。 - 特許庁

The radiograph detector consists of a radiation detection layer 2 formed by dispersing radiation detecting grains capable of generating charge by the irradiation of recording radioactive rays into a polymer and an electric signal detection layer 3 obtained by forming a detection element 35 for detecting the charge generated on the radiation detection layer 2 as an electric signal on the surface of a plastic substrate 34 in each pixel.例文帳に追加

記録用の放射線の照射により電荷を発生する放射線検出粒子がポリマーに分散されてなる放射線検出層2と、放射線検出層2において発生した電荷を電気信号として検出する検出素子35がプラスチック基板34の表面に画素毎に形成された電気信号検出層3とから形成する。 - 特許庁

By using a developing and transfer process analyzing model by the distinct element method, a developed toner image on the surface of a photoreceptor obtained when changing electrified amount of toner, a gap between the photoreceptor and a developing roller and the rotational speeds of the developing roller and the photoreceptor is calculated to calculate the developing amount of toner obtained when changing the potential of a latent image on the photoreceptor.例文帳に追加

個別要素法による現像及び転写プロセス解析モデルを用いて、トナー帯電量、感光体と現像ローラ間の空隙、現像ローラと感光体の回転速度を変化させたときの感光体表面上の現像トナー像を算出し、感光体の潜像電位を変化させたときの現像トナー量を算出する。 - 特許庁

This optical sheet 40 includes: a body part 42; a plurality of unit shape elements 45 disposed side by side at the light emission side of the body part and respectively extended linearly in the direction intersecting the array direction; and a reflection layer 50 provided on a first area including the apex most separated from the body part in the light emission surface of the unit shape element.例文帳に追加

光学シート40は、本体部42と、本体部の出光側に並べて配置され、各々が配列方向と交差する方向に線状に延びる、複数の単位形状要素45と、単位形状要素の出光面のうちの本体部から最も離間した頂部を含む第1領域上に設けられた反射層50と、を有する。 - 特許庁

The method for growing the group III nitride crystal comprises steps of: preparing a first group III nitride crystal 10 having an alkali metal element concentration of <1.0×10^18 cm^-3; and growing a second group III nitride crystal 20 on a major surface 10 m of the first group III nitride crystal 10 by the HVPE method at an atmospheric temperature higher than 1,100°C.例文帳に追加

アルカリ金属元素の濃度が1.0×10^18cm^-3未満の第1のIII族窒化物結晶10を準備する工程と、HVPE法により、1100℃より高い雰囲気温度で、第1のIII族窒結晶10の主面10m上に、第2のIII族窒化物結晶20を成長させる工程と、を備える。 - 特許庁

A second clad layer having a refractive index smaller than that of a core is formed between the core and a first clad layer, and an optical waveguide element 51 is manufactured by forming a parallel optical waveguide 47 wherein a diffraction grating 52 is provided in the light incident end surface side of the second clad layer, a tapered optical waveguide 48 connected to it and a parallel optical waveguide 49 connected to it.例文帳に追加

コアと第一クラッド層の間にコアより屈折率が小さい第2クラッド層を形成し、第2クラッド層の光入射端面側に回折格子52を設けた平行光導波路47と、これに連続してテーパ状の光導波路48と、これに連続した平行光導波路49とを形成して光導波路素子51を作製する。 - 特許庁

The diffraction optical element is characterized by producing the first illumination light S1 which illuminates the object area S to be illuminated on a predetermined surface to be illuminated 11 and the second illumination light S2 for positioning which illuminates an area except the object area S to be illuminated and performs relative positioning between the first illumination light S1 and the object area to be illuminated S.例文帳に追加

所定の被照射面11における対象照明領域Sを照明する第1照明光S1と、対象照明領域S以外の領域を照明し対象照明領域Sと第1照明光S1との相対的な位置合わせを行う位置合わせ用の第2照明光S2とを生成することを特徴とする。 - 特許庁

A protection film is formed so as to cover the whole surface of a panel substrate after forming the organic EL element, and a laser beam absorbed in the layer composed of the organic insulation material is irradiated on the terminal covered by the protection film to generate abrasion in those layers, and the layer composed of the organic insulation material and the protection layer formed thereon are simultaneously removed and the terminal is exposed.例文帳に追加

有機EL素子の形成後パネル基板全面を覆うように保護膜を形成し、保護膜で覆われた端子上の有機絶縁材料ならなる層に吸収されるレーザを照射し、この層にアブレーションを発生させて、この有機絶縁材料からなる層とその上の保護膜を同時に除去し、端子を露出させる。 - 特許庁

In this DMD(digital micromirror device), an SRAM(static random access memory) 12 is monolithically formed on the principal surface of a silicon substrate 10 as an address circuit for one cell, and a reflection type digital optical switch or an optical modulation element 16 for one cell made of a metal with three layers such as aluminum is monolithically formed on the SRAM12 through an oxide film 14.例文帳に追加

このDMDにおいては、シリコン基板10の主面に1セル分のアドレス回路としてSRAM12がモノシリックに形成されるとともに、このSRAM12の上に酸化膜14を介して三層の金属たとえばアルミニウムからなる1セル分の反射型ディジタル光スイッチまたは光変調素子16がモノシリックに形成されている。 - 特許庁

In constitution where a toner image on a belt type image carrier is transferred by making a transfer roller abut on the toner surface side of the belt and forming transfer electric field between the transfer roller and a transfer inside roller disposed at a position opposed to the transfer roller, a pre-transfer inside roller is provided on the upstream side of the transfer inside roller and grounded through a current regulating element.例文帳に追加

ベルト状像担持体上のトナー像を、転写ローラをベルトのトナー面側に当接させ、転写ローラに対向する位置に配設した転写内ローラとの間に転写電界を作って転写させる構成において、転写内ローラの上流側に転写前内ローラを有し、該転写前内ローラには電流規制素子を介して接地する。 - 特許庁

Consequently, since liquid injected outward from the outlet edge 34 of the nozzle space 22 is injected more inward than the direction of the tangential line 5 to the outer wall of the valve element 12, spread of the liquid is prevented, adhesion of the liquid to the wall surface of the gas passage is eliminated and a trouble of variation of mix ratio liquid and gas can be prevented.例文帳に追加

これによって、ノズル空間22の出口縁34から外部に向けて噴射される液体は、弁体12の外壁接線5の方向より内側に向けて噴射されるので、液体が拡散することを防止して、気体通路の壁面への液体の付着を無くし、液体と気体との混合比が変動するという不具合を防止することができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an oxygen separation membrane element constituted so that a catalyst body is formed on the surface of a porous base material side of an oxygen separation membrane in a high carrying amount for keeping high catalyst activity over a long period, without deteriorating the porous base material and oxygen separation membrane.例文帳に追加

高い触媒活性を長期にわたって維持し得る高い担持量で触媒体を酸素分離膜の多孔質基材側の表面に形成してなる酸素分離膜エレメント製造する方法であって、多孔質基材や酸素分離膜を劣化させることなく触媒体を形成して酸素分離膜エレメントを製造する方法を提供すること。 - 特許庁

The corrosionproof magnesium alloy member is composed of an Mg-based, alloy-element-containing alloy and has an easily corrodible corrosion part and a hardly corrodible corrosionproof part, both formed on the surface by partially changing the corrosionproofness of the member.例文帳に追加

本発明の防蝕マグネシウム合金部材は、Mgを主成分とし合金元素を含有したマグネシウム合金からなるマグネシウム合金部材であって、前記マグネシウム合金部材の耐蝕性を部分的に変化させることによってマグネシウム合金部材の表面に形成された、腐蝕の生じ易い腐蝕部と腐蝕の生じ難い耐蝕部とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The nonvolatile memory device includes: a semiconductor substrate; columnar gate electrodes formed on the semiconductor substrate; source/drain diffusion layers formed nearby a surface of the semiconductor substrate; nitride films for charge storage, formed on side surfaces of the gate electrodes; and element isolation regions formed in the semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性メモリ装置は、半導体基板と;前記半導体基板上に形成された柱状のゲート電極と;前記半導体基板の表面付近に形成されたソース/ドレイン拡散層と;前記ゲート電極の側面に形成された電荷蓄積用の窒化膜と;前記半導体基板に形成された素子分離領域とを備える。 - 特許庁

Composite particles containing an active material 1 containing an element capable of alloying with lithium and carbon nano-fibers 3 grown from its surface are bound together by a binder 4 comprising at least one kind selected from a group comprising polyimide, polyamideimide, poly amide, aramid, polyarylate, polyether ether ketone, polyether-imide, polyether sulfone, polysulfone, polyphenylene sulfide and polytetrafluoroethylene.例文帳に追加

リチウムと合金化可能な元素を含む活物質と、その表面から成長させたカーボンナノファイバとを含む複合粒子を、ポリイミド、ポリアミドイミド、ポリアミド、アラミド、ポリアリレート、ポリエーテルエーテルケトン、ポリエーテルイミド、ポリエーテルスルホン、ポリスルホン、ポリフェニレンスルフィドおよびポリテトラフルオロエチレンからなる群から選択される少なくとも1種からなるバインダーで結着させる。 - 特許庁

This inhibits an oxidizing reaction or carbon film formation at the surface of the optical element 50 even if it is radiated with UV-rays in the projection aligner.例文帳に追加

ニオブ、ルテニウム、ロジウム、白金、金、銀、パラジウム、オスミウム及びイリジウムのうち少なくともいずれか1つとニッケル、パラジウム、白金、銀、ロジウム及びルテニウムのうち少なくともいずれか1つを含有する保護層30を最表層に備えることで、投影露光装置内において極端紫外線が照射されても光学素子50表面での酸化反応・カーボン膜生成を抑制することができる。 - 特許庁

The optical element 20 on a surface of which minute rugged part 21a below a visible ray wavelength is formed is molded integrally with the frame by supplying a resin material 23 into a molding die in a state where a frame 10 manufactured in advance is arranged in a cavity C of the molding die 3 to constitute the frame incorporated type optical part 1.例文帳に追加

本発明に係るフレーム一体型光学部品1は、あらかじめ製造したフレーム10を成形型3のキャビティC内に配置した状態で樹脂材料23を供給することにより、表面に可視光線の波長以下の微細凹凸部21aを形成した光学素子20を、前記フレームと一体的に成形した構成としてある。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor element includes the steps of dissolving silver to an electrolyte containing hydrogen fluoride; and contacting an n-type single crystal silicon substrate 1 with the electrolyte, into which silver is dissolved to form a rugged shape 1a onto the surface of the n-type single crystal silicon substrate 1 without the need for power application.例文帳に追加

この半導体素子の製造方法は、フッ化水素を含有する電解液に、銀を溶解させる工程と、銀が溶解された電解液に、n型単結晶シリコン基板1を接触させることにより、通電を行うことなく、n型単結晶シリコン基板1の表面に凹凸形状1aを形成する工程とを備えている。 - 特許庁

In a method for manufacturing a solar cell module having such a structure, the solar cell module is formed by a roll lamination method, that is, by thermally press-fitting the uppermost surface member, the lowermost rear member and the sealing material to the photovoltaic element aggregate.例文帳に追加

周縁部に角部を有していない光起電力素子集合体が最表面部材と最裏面部材の間に封止材を介してなる太陽電池モジュールの製造方法においては、太陽電池モジュールがロールラミネーション方式により、光起電力素子に最表面部材、最裏面部材及び封止材を熱圧着することで太陽電池モジュールを形成する。 - 特許庁

A solid electrolytic capacitor in a preferred embodiment has a capacitor element 10 including an anode body 1 out of which an anode lead 1a extends, a dielectric layer 2 formed on a surface of the anode body 1, a conductive polymer layer 3 formed on the dielectric layer 2, and a cathode layer 5 formed on the conductive polymer layer 3.例文帳に追加

固体電解コンデンサの場合、陽極リード線1aが導出された陽極体1と、この陽極体1の表面に形成された誘電体層2と、誘電体層2の上に形成された導電性高分子層3と、この導電性高分子層3の上に形成された陰極層5と、を有するコンデンサ素子10を備える。 - 特許庁

A light emitting part of the organic electroluminescence element is not formed in an opposed surface part of the reverse sucking part.例文帳に追加

基板1の裏面の一部を吸引することにより基板1をスピンコート台に固定し、基板1の表面にポリビニルカルバゾール溶液を滴下しスピンコートすることにより前記表面上にポリビニルカルバゾール薄膜3を形成する工程を有する有機電界発光素子の製造方法であって、有機電界発光素子の発光部を、前記裏面の吸引部の対向表面部分に形成しないようにした。 - 特許庁

In manufacturing an organic EL element by a roll-to-roll process, a mask formed of a sheet-like flexible film having an adhesive surface and a predetermined opening pattern is stuck to a sheet-like substrate, and a second electrode is formed over the mask, and thereafter the mask is peeled off to form a second electrode having a predetermined pattern.例文帳に追加

ロールトゥロールにより有機EL素子を製造するのに際し、粘着面および所定の開口パターンを有するシート状のフレキシブルフィルムからなるマスクを、シート状の基板に対して貼り合せ、上記マスクの上から上記第2電極を形成した後、上記マスクを剥離して所定パターンを有する第2電極を形成するようにした。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, along with a manufacturing method and assembling method thereof, capable of preventing the breakage of a semiconductor chip element surface, especially that of a low dielectric constant insulating film arranged directly above a solder material, by minimizing a thermal stress from reflow of the solder material used for connecting a semiconductor chip to a substrate.例文帳に追加

半導体チップと基板との接続に用いられる半田材料のリフローによる熱応力を最小限にし、半導体チップ素子面の破壊、特に半田材料の直上に配置された低誘電率絶縁膜の破壊を防止することができる半導体装置、半導体装置の製造方法及び組立方法を提供する。 - 特許庁

The electrode for electrochemical element includes a collector and an active material layer containing an electrode active material and a binder, wherein the active material layer is formed on at least one surface of the collector and an anti-acid material layer containing an anti-acid material is provided between the collector and the active material layer.例文帳に追加

集電体と、電極活物質及び結着剤を含有する活物質層とを有する電気化学素子用電極であって、前記集電体の少なくとも一方の面に前記活物質層が形成され、かつ前記集電体と前記活物質層との間に制酸材を含有する制酸材層を有することを特徴とする電気化学素子用電極。 - 特許庁

The NiPRe alloy, which has excellent chemical resistance, keeps good non-magnetic state even when heated with high temperature, and can suppress element diffusion on a boundary surface to the magnetic layer, can be formed with plating, by setting a composition ratio of the NiPRe alloy used as the gap layer within a range surrounded by boundary lines A to E on a ternary diagram.例文帳に追加

ギャップ層として使用されるNiPRe合金の組成比を三元図上の境界線AないしEで囲まれた範囲内にすることで、耐薬品性に優れるとともに、高い温度の加熱によっても良好に非磁性状態を保ち、さらに磁極層との界面での元素拡散を抑制することができるNiPRe合金をメッキ形成できる。 - 特許庁

例文

At the suction drying position, the vibrator 753 of a surface elastic wave element 75 is driven while sucking the cleaning liquid remaining in the reaction container 70 by a suction drying nozzle 354a to perform suction drying and the heating and drying of the inside of the reaction container 70 is performed by produced ultrasonic vibration and the heat generated by accompanying the production of ultrasonic vibration.例文帳に追加

吸引乾燥位置では、吸引乾燥ノズル354aが反応容器70内に残存する洗浄液を吸引して吸引乾燥を行いつつ、同時に表面弾性波素子75の振動子753を駆動し、発生した超音波振動およびこの超音波振動の発生に伴う発熱によって反応容器70内の加熱乾燥を行う。 - 特許庁




  
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