「surface element」に関連した英語例文の一覧と使い方(361ページ目) - Weblio英語例文検索

Two panels 110 and 120 are disposed with a step difference so that pixel boundaries overlap, and at least one of the two panels includes a thin film encapsulation layer covering a display element with a laminate of an organic substance layer and an inorganic substance layer, the thin film encapsulation layer being disposed on an adjacent surface between the two panels where there is the step difference.例文帳に追加

二つのパネル１１０、１２０の画素境界面同士が重なるように互いに段付けられて配置され、二つのパネルのうち少なくとも一つは、有機物層と無機物層との積層体でディスプレイ素子を覆う薄膜封止層を備え、その薄膜封止層が段付けられた二つのパネル間の隣接面に配置されることを特徴とする - 特許庁

The gallium oxide single-crystal substrate containing at least the one element selected from Si, Ge, Sn, Al is nitrided at 850-1000°C, with an ammonia (NH_3) flow rate of 80-120 sccm, and for 50-100 minutes to form the gallium nitride crystal on the gallium oxide single-crystal substrate surface.例文帳に追加

Ｓｉ、Ｇｅ、ＳｎおよびＡｌから選択された少なくとも一種の元素を含有する酸化ガリウム単結晶基板を、温度８５０〜１０００℃、アンモニア（ＮＨ_3）流量８０〜１２０ｓｃｃｍ、時間５０分〜１００分の条件で窒化処理し、該酸化ガリウム単結晶基板表面に窒化ガリウム結晶を形成することを特徴とする発光素子の製造方法。 - 特許庁

This manufacturing method of an organic electroluminescent element is characterized by comprising: a step for providing a substrate with pixel electrodes formed; a step for laminating the donor substrate attached to a frame on the entire surface of the substrate; and a step for forming an organic film layer pattern on the pixel electrodes by radiating laser in a predetermined area of the donor substrate.例文帳に追加

本発明による有機電界発光素子の製造方法は、画素電極が形成された基板を提供する段階と、前記基板全面にフレームに付着されたドナー基板をラミネーションする段階と、前記ドナー基板の所定領域にレーザーを照射して前記画素電極上に有機膜層パターンを形成する段階と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

The hot plate unit includes the ceramic board with the resistance heating element formed on a surface or inside of the ceramic board and a support container for supporting the ceramic board, and is characterized by that the support container includes an intake nozzle and an intake means for sucking gas in the supporting container via the intake nozzle.例文帳に追加

その表面または内部に抵抗発熱体が形成されたセラミック基板と、上記セラミック基板を支持する支持容器とを含んだホットプレートユニットであって、上記支持容器には、吸気ノズルが設けられるとともに、上記吸気ノズルを介して、上記支持容器内の気体を吸引する吸気手段が設けられていることを特徴とするホットプレートユニット。 - 特許庁

In a semiconductor manufacturing method that comprises forming an inorganic film on the surface of a semiconductor element, applying a heat resistant polymer protection film on the inorganic film, patterning the protection film, and then performing the dry-etching of the exposed inorganic film; the dry-etching is performed by mixed gas consisting of fluorinated methane and oxygen or hydrogen.例文帳に追加

半導体素子上に無機膜が施され、該無機膜上に耐熱性高分子保護膜が施され、該耐熱性高分子保護膜がパターン加工された後露出された該無機膜をドライエッチングする製造方法において、フッ素化メタンと酸素もしくは水素とからなる混合ガスによりドライエッチング処理を行う半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

A photosensor 1 according to the present invention is provided with a photo diode 12 as a photoelectric conversion element for outputting current according to incidence light to a light reception surface 12a and an optical filter 11 for absorbing a light constituent at a near infrared region out of the constituents of incidence light and at the same time transmitting the light constituent of a visible region.例文帳に追加

本発明の受光センサ１は、受光面１２ａへの入射光に応じた電流を出力する光電変換素子としてのフォトダイオード１２、受光面１２ａ上に配置され、入射光の成分のうち近赤外領域の光成分を吸収すると共に可視領域の光成分を透過させる光学フィルタ１１とを具備する。 - 特許庁

An electron discharge element 14 arranged oppositely to the object 10 to be charged has a semiconductor layer 16 having an energy band gap of ≥3.60 eV or ≤1.30 eV, a thin film insulation layer 18, a thin film electrode 20 formed on the surface side of the layer 18, and a substrate electrode 22 formed on the rear side of the layer 16.例文帳に追加

被帯電物１０に対向して設置されている電子放出素子１４は、３．６０ｅＶ以上か１．３０ｅＶ以下のエネルギーバンドギャップの半導体層１６及び薄膜絶縁層１８と、薄膜絶縁層１８表面側に形成された薄膜電極２０と、半導体層１６裏面側に形成された基板電極２２とを有している。 - 特許庁

The side emission semiconductor element comprises an AlGaN layer of which Mg is doped down to 5×10^19 cm^-3 or less in concentration, a stripe ridge formed at the upper part of the lamination structure including the AlGaN layer and an active layer, and a Schottky barrier formed on the upper surface of the lamination structure other than the ridge where the AlGaN layer is exposed.例文帳に追加

本発明に係る側面発光半導体素子は、Ｍｇの濃度が、５×１０^19ｃｍ^-3以下にドープされたＡｌＧａＮ層と、ＡｌＧａＮ層及び活性層を含む積層構造の上部に形成されるストライプ状のリッジと、ＡｌＧａＮ層が露出するリッジ以外の積層構造の上面に形成されるショットキーバリアとを備える。 - 特許庁

To provide an optical pickup apparatus provided with a shape variable mirror with suppressed number of piezoelectric elements and capable of reducing the difference of voltages applied to respective piezoelectric elements in wavefront aberration in the optical pickup apparatus capable of compensating wavefront aberration using the shape variable mirror wherein a mirror surface is deformed by utilizing displacement in the longitudinal direction of the piezoelectric element.例文帳に追加

圧電素子の縦方向の変位を利用して鏡面を変形させる形状可変ミラーを用いて波面収差の補正を行える光ピックアップ装置において、圧電素子の数を少なく抑え、且つ、波面収差を行う際に各圧電素子に印加する電圧の差を小さくできる形状可変ミラーを備える光ピックアップ装置を提供する - 特許庁

To provide a plasma cleaning apparatus which can reduce the charge-up damage added to a semiconductor element and which does not damage a material to be treated by arc discharge without generating the arc discharge to the material to be treated exposing a metal portion on the surface, in the course of plasma cleaning.例文帳に追加

プラズマ洗浄時の半導体素子に加わるチャージアップダメージを低減することができ、しかも、表面に金属部分が露出している被処理物に対してアーク放電が発生することがなく、被処理物にアーク放電による損傷を与えないようにすることができるプラズマ洗浄装置を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

A noncrystalline semiconductor film is formed on an insulated surface, it is crystallized by heating after the metal element to promote the crystallization is added to the noncrystalline semiconductor film, a laser light of a continuous wave oscillation is irradiated to the crystallized semiconductor film , and an upper portion of the crystalline semiconductor film irradiated by the laser is removed.例文帳に追加

本発明は、絶縁表面上に非晶質半導体膜を形成し、前記非晶質半導体膜に結晶化を促進する金属元素を添加した後加熱により結晶化し、前記結晶化した半導体膜に連続発振のレーザ光を照射し、前記レーザを照射した結晶性半導体膜の上部を除去することを特徴とする。 - 特許庁

Thereafter, a thin film resistance element where the heat sink 2 for heat dissipation is formed just under a resistance film 6 is attained by forming a pattern of insulation film 5 on the flat surface of the heat sink 2 and insulation layer 4, forming a pattern of resistance film 6 from above the insulation film 5 and then connecting the end faces of both patterns respectively on the electrodes 3.例文帳に追加

しかる後、ヒートシンク部２と絶縁体層４の平坦な上面に絶縁膜５をパターン形成し、この絶縁膜５の上から抵抗膜６をパターン形成してその両端部をそれぞれ電極部３上に接続することにより、抵抗膜６の真下に放熱用のヒートシンク部２が存在する薄膜抵抗素子を得る。 - 特許庁

The head suspension assembly is provided with a loaded slider having a head including a reproducing element floated oppositely to the medium surface of a disk medium to reproduce information from a recording medium, and a driving IC chip for driving the head loaded on the suspension, and a part around the driving IC chip is chamfered.例文帳に追加

ディスク媒体の媒体面に対向して浮上し、記録媒体から情報を再生可能とする再生素子を含むヘッドを搭載したスライダと、スライダを支持するサスペンションと、サスペンション上に装着されたヘッドを駆動するための駆動用ＩＣチップとを備えたヘッドサスペンションアッセンブリであって、駆動用ＩＣチップの周囲が面取り加工されている。 - 特許庁

To efficiency manufacture an epitaxial ferroelectric thin film element provided with excellent characteristics by solving such problems as film surface roughness in the case of using a vapor epitaxial growth method, restriction of film thickness formed each time in the case of using a sol-gel method, complexity of a process in forming a laminated structure film consisting of layers with different refractive indexes and so on.例文帳に追加

気相エピタキシャル成長法による場合の膜表面粗さの問題、ゾルゲル法による場合の一回当たりの膜形成厚みの制限、異なる屈折率の層からなる積層構造膜を形成する際の工程の複雑化などの問題を解決し、良好な特性を備えたエピタキシャル強誘電体薄膜素子を効率よく製造する。 - 特許庁

Since rare earth oxide particles and a tungsten carbide are finely dispersed into a tungsten cathode material used as the discharge cathode material in TIG, plasma spray coating, plasma cutting, discharge processing, an electric discharge lamp, and the like, reduction and diffusion of the rare earth oxide are accelerated, and discharge characteristics are enhanced by ensuring supply of the rare earth element to the cathode surface.例文帳に追加

ＴＩＧ、プラズマ溶射、プラズマ切断、放電加工、放電灯等に使用される放電陰極材料として用いられるタングステン陰極材料に希土類酸化物粒子とタングステン炭化物を微細分散させることで、希土類酸化物の還元と拡散を促進し、陰極表面への希土類元素の供給を確保し放電特性を向上させる。 - 特許庁

The semiconductor device 50 comprises: a retainer 58 that is arranged so that it is adjacent to each of four sides of a semiconductor substrate 54 in which a semiconductor element is formed and is provided on a packaging substrate 52 slidably, and a fixing tool 60 that is packaged on the surface of the packaging substrate 52 and fixes one portion of the retainer 58 for support.例文帳に追加

半導体装置５０において、半導体素子が形成された半導体基板５４の４つの側面とそれぞれ隣り合うように配置され、実装基板５２に対して摺動可能に設けられた押さえ具５８と、実装基板５２の表面上に実装され、押さえ具５８の一部を固定して支持する固定具６０とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor substrate has stages: (a) forming a 1st SiGe film on the substrate whose surface is made of silicon; (b) implanting ions of a group IV element into the obtained substrate; (c) forming a 2nd SiGe film on the 1st SiGe film; and (d) forming a cap semiconductor film on the 2nd SiGe film.例文帳に追加

（ａ）表面がシリコンからなる基板上に第１のＳｉＧｅ膜を形成する工程と、（ｂ）得られた基板に、ＩＶ族元素をイオン注入し、アニールする工程と、（ｃ）第１のＳｉＧｅ膜上に第２のＳｉＧｅ膜を形成する工程と、（ｄ）第２のＳｉＧｅ膜上にキャップ半導体膜を形成する工程とを有する半導体基板の製造方法。 - 特許庁

A load charged to the rack 4 from a road surface side is received by a rack supporting member for supporting the rack 4 at a meshing position with the pinion and a second rotating cylinder 53 that is screwed to the screw shaft 11 via a second rolling element 52 and rotatably supported by the rack housing 30, thereby suppressing deflection of the screw shaft 11.例文帳に追加

ラック４をピニオンとの噛み合い位置において支持するラック支持部材と、スクリューシャフト１１に第２転動体５２を介してねじ合わされると共にラックハウジング３０により回転可能に支持される第２回転筒５３とにより、ラック４に路面側から作用する負荷を受けることで、スクリューシャフト１１の撓みが抑制される。 - 特許庁

The diffused laser beam P is emitted to a measuring target from laser beam sources 11 and 13a, a light detection element array DA comprising a plurality of light detection elements is arranged in the irradiation surface of the laser beam P and the absorbance of the laser beam P in the measuring target is measured, on the basis of the intensity signals outputted from the respective light detection elements.例文帳に追加

レーザ源１１、１３ａから測定対象物に向けて拡散させたレーザ光Ｐを出射し、当該レーザ光の照射面内に複数の光検出素子からなる光検出素子アレイＤＡを配置し、各光検出素子から出力される強度信号に基づいて測定対象物におけるレーザ光Ｐの吸光度を計測する。 - 特許庁

An anion of an element of high negativity in an acidic solution containing a substance for carrying out nuclide conversion is removed preliminarily using an ion exchange resin, and the substance for carrying out the nuclide conversion is deposited on a palladium surface of a structure by electrodeposition, using the acidic solution containing the substance for carrying out the nuclide conversion and containing no anion, as an electrolytic bath.例文帳に追加

核種変換を施す物質を含む酸性溶液中の陰性度の高い元素の陰イオンを、イオン交換樹脂を使用してあらかじめ除去しておき、この核種変換を施す物質を含み、かつ陰イオンを含まない酸性溶液を電解浴として、電着により構造体のパラジウム表面に核種変換を施す物質を沈着させておく。 - 特許庁

In the organic EL display device, organic EL elements 171, 172 are provided for every pixel, the respective light emission periods are controlled by TFTs 1641, 1642 for light emission period control, and electric charges are erased which are charged in a retention volume 15 as a gradation display signal of the previous frame via an erasing TFT 163 and the organic EL element 172 having low front surface brightness.例文帳に追加

画素毎に有機ＥＬ素子１７１，１７２を設け、それぞれ発光期間制御用ＴＦＴ１６４１，１６４２で発光期間を制御し、消去用ＴＦＴ１６３及び正面輝度の低い有機ＥＬ素子１７２を介して、前フレームの階調表示信号として保持容量１５に充電された電荷を消去する。 - 特許庁

A method of manufacturing a semiconductor element in which a second layer laminated on a surface of a first layer is horizontally etched includes a step of vertical anisotropic etching 10 from the side of the second layer to the side of the first layer and a step of horizontal isotropic etching 11 of the first layer.例文帳に追加

第１の層の表面に第２の層を積層したものに、前記第１の層を横方向にエッチングする半導体素子の製造方法において、前記第２の層側から前記第１の層側に向かって縦方向に異方性エッチングを行うステップと前記第１の層を横方向に等方性エッチングを行うステップとを有することを特徴とする。 - 特許庁

The photocatalyst composite material is a composite material of a photocatalytic oxide and a metal having smaller affinity for an oxygen than a metal element constituting the oxide, wherein the photocatalytic oxide is produced/dispersed in at least a part of a surface and the inside of the metal in at least one form of granular shape and plate-like shape.例文帳に追加

光触媒性酸化物とこの酸化物を構成する金属元素よりも酸素との親和力が小さい金属との複合材料であって、光触媒性酸化物が金属の表面および内部の少くとも一部に粒状および板状の少くとも一種の形態で生成分散されている光触媒複合材料とする。 - 特許庁

This method for manufacturing an NAND flash memory element includes a step for providing a semiconductor substrate where a drain select transistor DSL, a source select transistor SSL, and memory cell transistors connected in series between them are formed; and a step for forming an oxide film in the surface of the semiconductor substrate at both sides of the gate of the source select transistor.例文帳に追加

ドレイン選択トランジスタＤＳＬ、ソース選択トランジスタＳＳＬおよびこれらの間に直列に連結されたメモリセルトランジスタが形成された半導体基板を提供する段階と、前記ソース選択トランジスタのゲート両側の半導体基板の表面内に酸化膜を形成する段階とを含む、ＮＡＮＤフラッシュメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The actuator element is provided where at least two electrode layers 2 composed of a gel composition of a carbon nanofiber, ionic liquid and polymer is formed in a state isolated from each other, on a surface of an ionic conduction layer 1 composed of the gel composition of ionic liquid and polymer, and forms a curve or deformation by giving a potential difference to the electrode layer.例文帳に追加

イオン性液体とポリマーとのゲル状組成物からなるイオン伝導層１の表面に、カーボンナノファイバーとイオン性液体とポリマーとのゲル状組成物からなる電極層２が相互に絶縁状態で少なくとも２個形成され、該電極層に電位差を与えることにより湾曲および変形を生じさせ得るアクチュエータ素子。 - 特許庁

To enable probe terminals to break the surface oxide film of an external electrode securely even if the number of the probe terminals increases when inspecting the electrical characteristics of a semiconductor integrated circuit element collectively at a wafer level, by connecting the probe terminals of an inspection substrate to the external electrode of a plurality of semiconductor integrated circuit elements that are formed on a semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハ上に形成されている複数の半導体集積回路素子の外部電極に検査用基板のプローブ端子を接続して、半導体集積回路素子の電気的特性をウエハレベルで一括して検査する際に、プローブ端子の数が増加しても、プローブ端子が外部電極の表面酸化膜を確実に破ることができるようにする。 - 特許庁

In the method for producing the polarizing plate in which a protective film comprising a triacetyl cellulose-based resin is stuck on at least one surface of a polarizing element comprising a polyvinyl alcohol-based resin film through an adhesive layer, the adhesive layer is formed from an adhesive composed of a polyvinyl alcohol-based resin, a crosslinking agent and maleic acid.例文帳に追加

ポリビニルアルコール系樹脂フィルムからなる偏光素子の少なくとも一方の面に接着剤層を介してトリアセチルセルロース系樹脂からなる保護フィルムが貼り合わされている偏光板の製造方法において、前記接着剤層が、ポリビニルアルコール系樹脂、架橋剤、及び、マレイン酸から構成される接着剤により形成されている。 - 特許庁

A polarizing plate 52 formed by sticking a protective film 54 or 55 consisting of a resin having ≥130°C glass transition temperature and ≤50×10^-13 cm^2/dyne photoelastic modulus to at least one surface of a polarizing film 53 consisting of a poly(vinyl alcohol) based resin film is laminated on a transparent glass substrate 51 to form a polarization converting element 50.例文帳に追加

ポリビニルアルコール系樹脂フィルムからなる偏光フィルム５５の少なくとも片面に、１３０℃以上のガラス転移温度と５０×１０^-13cm^2／dyne以下の光弾性係数を有する樹脂からなる保護フィルム５４又は５５が貼合された偏光板５２が、透明ガラス基板５１に積層されてなる偏光変換素子５０が提供される。 - 特許庁

A presence ratio of the aluminum element on the surface of the titanium oxide to all the elements is 1.0-2.5% by measurement based on the energy dispersive X-ray spectroscopy.例文帳に追加

本発明のプラスチックフィルム用活性エネルギー線硬化性樹脂組成物は、オキセタン化合物、エポキシ化合物、及び、アルミナで表面処理された酸化チタンを含む樹脂組成物であって、エネルギー分散型Ｘ線分光法により測定される、酸化チタンの表面における、全元素に対するアルミニウム元素の存在比率が１．０〜２．５％であることを特徴としている。 - 特許庁

To provide an embolic element including a wire with a given length containing at least one flat portion which is twisted to define a generally helical shape, and additionally having a surface area to generate a more turbulent flow in a blood flow and induce coagulation when it is compared with a circular wire.例文帳に追加

所与の長さのワイヤを含む塞栓要素であって、ある長さのワイヤは、少なくとも一つの平坦な部分を含み、その平坦な部分は、ほぼ螺旋形を画定するようにねじられていて、円形のワイヤと比較した場合、血流にさらに乱流をもたらし、かつ、凝固を誘発するためのさらなる表面積を有する、塞栓要素を提供する。 - 特許庁

In the SAW device that is formed by joining and fixing a rear side of a SAW device element with an IDT electrode on a major side of a piezoelectric substrate along the propagation direction of a surface acoustic wave and a ground electrode provided to an inner bottom side of a package with a conductive adhesive, the hardness of the conductive adhesive is selected to be 3B or below in the pencil hardness.例文帳に追加

圧電基板の主表面上に表面波の伝搬方向に沿ってＩＤＴ電極を備えたＳＡＷデバイス素子の裏面とパッケージの内底面に設けたグランド電極とを導電性接着剤で接着固定したＳＡＷデバイスであって、前記導電性接着剤の硬度を鉛筆硬度で３Ｂ以下とする。 - 特許庁

A deflection mirror surface 651 of the deflector 65, that is manufactured using micro-machining technology, is driven by rocking driving force such as electrostatic attracting force or the like, so that heat generated from the deflector 65 is greatly reduced compared with the case in which a mechanical driving element such as a motor or the like is used and fluctuation of air is suppressed.例文帳に追加

このようにマイクロマシニング技術を利用して製造した偏向器６５の偏向ミラー面６５１を静電吸着力などの揺動駆動力によって駆動しているので、モータなどの機械駆動要素を用いた場合に比べて偏向器６５から発生する熱を大幅に低減させることができ、空気のゆらぎが抑制される。 - 特許庁

Ammonium hydrogencarbonate is added in a process for forming a precipitate by adding an alkali to an aq. soln. of a salt of a rare earth element and the resultant cake is separated by solid-liquid separation and fired at 300-900°C to produce the objective rare earth oxide having ≤0.5 μm Fischer diameter, ≥30 m2/g specific surface area and ≤250 Å crystallite size.例文帳に追加

フィッシャー径が０．５μｍ以下、比表面積が３０ｍ^2 ／ｇ以上、且つ結晶子サイズが２５０Å以下の希土類酸化物、および希土類元素の塩の水溶液に、アルカリを添加して沈殿を生成する過程で重炭酸アンモニウムを添加して得られるケーキを固液分離し、３００℃以上９００℃以下で焼成する希土類酸化物の製造方法。 - 特許庁

In an optical element 1 having optical function surfaces 7, 8 including optically effective regions 10, 11, there are provided comparison standard parts 12, 14 for the visual inspection, that become comparison references when performing the visual inspection of surface defect of the optically effective regions 10, 11 based on their appearances, outside the optically effective regions 10, 11.例文帳に追加

光学有効領域１０、１１を含む光学機能面７、８を有する光学素子１において、前記光学有効領域１０、１１の外側に、前記光学有効領域１０、１１の表面欠陥を外観に基づいて検査する外観検査を行う際の比較基準となる外観検査用比較基準部１２、１４を有すること。 - 特許庁

The optical element is formed by aligning a refractive lens face 4 and a lens unit 10 having a nonaxisymmetric total reflection lens face 5 with a focus F in the vicinity of the lens surface center of the refractive lens face, wherein in the alignment, a plurality of kinds of lens units with mutually different main light beam directions 32 of the diffusion pencil of light beams 7 are mixed with one another.例文帳に追加

屈折型レンズ面４と該屈折型レンズ面のレンズ表面中心付近に焦点Ｆをもつ非軸全反射型レンズ面５を有するレンズユニット10を基板２の主面に配列してなる光学素子であって、前記配列を、拡散光線束７の主光線方向32の相異なる複数の種類のレンズユニットが混在する配列とした。 - 特許庁

In the working method of a semiconductor chip, a film-like adhesive of the semiconductor chip is heated before die-bonding the semiconductor chip in a working method of the semiconductor chip forming a semiconductor element on the surface and adhering die bonding film-like adhesive on the rear face.例文帳に追加

表面に半導体素子が形成され，裏面にダイボンディング用のフィルム状接着剤が接着された半導体ウェハをダイシングして形成された半導体チップの加工方法であって，半導体チップをダイボンディングする前に，半導体チップのフィルム状接着剤を加熱処理することを特徴とする，半導体チップの加工方法が提供される。 - 特許庁

In this liquid crystal display device 10, a liquid crystal layer 40 is inserted between a pair of substrates 20, 30 which are opposed to each other, a reflection layer 22 composed of a hologram reflection layer and cholesteric reflection layer, etc., is formed on the counter substrate 20 and a light scattering layer comprising a forward scattering film 50 is disposed on the upper surface of an element substrate 30.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置１０は、互いに対向する一対の基板２０，３０間に液晶層４０が挟持されており、対向基板２０上にホログラム反射層、コレステリック反射層等からなる反射層２２が形成され、素子基板３０の上面には前方散乱フィルム５０からなる光散乱層が設けられている。 - 特許庁

In the manufactured of a thermoelectric element, consisting of a laminated structure compound, such as bismuth tellurium, system the stack 14 of laminar powder 12 obtained by quenching roll method is formed, and a laminate is pressed from a direction in parallel with the laminating direction (vertical pressing P1), and also the laminate is pressed from a direction orthogonal to the laminating direction (side surface pressing P2).例文帳に追加

ビスマス−テルル系の様な層状構造化合物からなる熱電素子の製造において、急冷ロール法で得られた薄状粉１２の積層体１４を形成し、積層方向と平行な方向から積層体を押圧するとともに（垂直押圧Ｐ１）、積層方向と直交する方向から積層体を押圧する（側面押圧Ｐ２）。 - 特許庁

The coil element is characterized in that it comprises a first thin film coil 1 spirally formed in the plane of a surface, a second thin film coil 2 spirally formed along and adjacent to the first thin film coil in the same plane where the first thin film 1 is formed, and an insulating layer 3 provided between the first thin film coil 1 and the second thin film coil 2.例文帳に追加

面内にスパイラル状に形成された第１の薄膜コイル１と、第１の薄膜コイル１と同一面内において第１の薄膜コイル１に沿い隣接してスパイラル状に形成される第２の薄膜コイル２と、第１の薄膜コイル１と第２の薄膜コイル２の間に設けられた絶縁層３とを備えることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a film comprising an organic-inorganic composite material having excellent surface smoothness, excellent heat resistance, excellent solvent resistance and low thermal expansivity and useful as a flat panel display element substrate or the like, to provide a transparent conductive film obtained by laminating a transparent conductive layer to the film or the like, and to provide a flat panel display having the transparent conductive film and the like as constituting elements.例文帳に追加

表面平滑性、耐溶剤性、低熱膨張性及び耐熱性に優れ、フラットパネルディスプレイ素子基板等として有用な有機・無機複合体からなるフィルム等、該フィルム等上に透明導電層が積層された透明導電性フィルム等、及びこの透明導電性のフィルム等を構成要素とするフラットパネルディスプレイを提供する。 - 特許庁

The dial 6 gets surface-luminescent because light emitted from the luminescent element 9 is diffused and reflected by the fine uneven part 23 of the dial 6 while guided into an inside of the dial 6 to outgo from an upper face of the dial 6, and the whole dial 6 and the whole pointer 14 are thereby illuminated brightly even in a dark site.例文帳に追加

また、発光素子９で発光した光が文字板６の内部に導かれながら文字板６の微細な凹凸部２３で拡散、反射されて文字板６の上面から出射されるので、文字板６を面発光させることができ、これにより暗い所でも文字板６および指針１４の全体を明るく照明することができる。 - 特許庁

The surface light-emitting device 1 is equipped with a plurality of reflecting dots 13 which is formed on a reflecting face 9 and which reflect the irradiated light in the irradiated face direction, a light-emitting element 7 to irradiate light on the reflecting dots 13, and a reflecting member 11 to reflect light to the reflecting face 9 by having a prescribed distance from the reflecting face 9.例文帳に追加

面発光装置１は、反射面９上に形成され、照射された光を照射面方向に反射する複数の反射ドット１３と、反射ドット１３に光を照射する発光素子７と、反射面９から所定の距離をもって当該反射面９に対して光を反射する反射部材１１とを備える。 - 特許庁

In this organic electroluminescence display device, the organic electroluminescent element having at least a transparent positive electrode layer, an emission medium layer and a negative electrode layer is formed on a transparent base material, and it is sealed after forming a film of an inorganic compound having barrier property from an end face of the negative electrode layer to a surface including over the negative electrode layer in the shape of a frame.例文帳に追加

透明基材上に、少なくとも透明陽極層、発光媒体層、陰極層を有する有機エレクトロルミネッセンス素子を形成し、その陰極層の端面から陰極層上を含む面を枠状にバリア性をを有する無機化合物を成膜した後に封止を行うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置である。 - 特許庁

The cathode active material is provided with composite oxide particles, a coating layer fitted at least to part of the composite oxide particles and made of an oxide containing at least one coating element from among lithium (Li), nickel (Ni), and manganese (Mn), and a surface layer fitted at least at a part of the coating layer and containing tin (Sn).例文帳に追加

正極活物質は、複合酸化物粒子と、複合酸化物粒子の少なくとも一部に設けられ、リチウム（Ｌｉ）と、ニッケル（Ｎｉ）およびマンガン（Ｍｎ）のうちの少なくとも一方の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層と、この被覆層の少なくとも一部に設けられ、スズ（Ｓｎ）を含む表面層とを備えるものである。 - 特許庁

The nitride semiconductor laser element having a nitride semiconductor layer that is laminated on a substrate and has a ridge on its surface and an electrode, wherein a first protective film is formed so as to have air gaps in at least a part of regions over surfaces of the nitride semiconductor layers on both sides of the ridge from sides of the ridge.例文帳に追加

基板上に積層され、その表面にリッジを有する窒化物半導体層と、電極とを備えた窒化物半導体レーザ素子であって、前記リッジの側面から、該リッジの両側の窒化物半導体層の表面にわたる領域の少なくとも一部にエアギャップを有するように第１の保護膜が形成されてなる窒化物半導体レーザ素子。 - 特許庁