「surface element」に関連した英語例文の一覧と使い方(358ページ目) - Weblio英語例文検索

The surface of a powdered hydrogen-absorbing alloy containing at least one element selected from the group consisting of rare-earth metal elements and Ti is coated with nickel oxide or nickel hydroxide (e.g. by ballmill mixing with fine powder of nickel oxide or nickel hydroxide or by deposition of nickel hydroxide from an aqueous solution of an acidic nickel salt) and then heat-treated at 400-1,000°C.例文帳に追加

希土類金属元素およびTiから選ばれた少なくとも１種の元素を含む粉末状の水素吸蔵合金の表面に、酸化ニッケルまたは水酸化ニッケルを被覆し (例、酸化ニッケルまたは水酸化ニッケル微粉末とのボールミル混合、または酸性ニッケル塩水溶液からの水酸化ニッケルの析出により) 、次いで 400〜1000℃で熱処理する。 - 特許庁

The semiconductor acceleration sensor comprises the sensor chip 1 consisting of a thin beam 12 having a piezoresistive element 15 projecting inward of a frame consisting of a semiconductor substrate and a plummet 14 supported by hanging with the beam 12, and an upper and a lower stoppers 2 and 3 fixed to the frame 11 with a specific gap to the surface of the sensor chip 1 by way of a support 4.例文帳に追加

半導体基板からなるフレーム１１の内方に突設してピエゾ抵抗素子１５を有する薄肉状の梁部１２と、梁部１２により吊り下げ支持された錘部１４とからなるセンサチップ１と、支持部４を介してセンサチップ１の表面と所定の間隔を有してフレーム１１に固着された上下ストッパ２，３とを備えた半導体加速度センサ。 - 特許庁

On the circumferential surface of a disk element 2 with a rotary shaft hole 2a, a diamond tool 3 has a plurality of grinding chips 1, where abrasive grains of diamond are fixed, so interspaced as to have an overlap 4 of a width T of 0.5 mm or greater between one and the next when viewed in the rotary shaft direction.例文帳に追加

回転軸孔２ａを有する円板状体２の外周面に、ダイヤモンド砥粒を固着した複数の研削用チップ１を、回転軸方向から投影した時に、隣接する研削用チップ１間に重なり部４を有するように、所定の間隔を隔てて配設するとともに、重なり部４の幅Ｔを０．５ｍｍ以上としてダイヤモンド工具３を構成する。 - 特許庁

The field electron emitting element is manufactured by forming a cathode electrode 5, an insulation layer 6 and a gate electrode 7 on a substrate 4, forming the carbon film 8 on whole surface, forming a resist film 24, exposing and developing the resist film 24 in a prescribed pattern by using a mask, etching the carbon film 8 by using the resist film 24, and by removing the resist film 24.例文帳に追加

基板４上にカソード電極５、絶縁層６およびゲート電極７を形成し、炭素膜８を全面に形成し、レジスト膜２４を形成し、マスク２５を用いてレジスト膜２４を所定のパターンに露光、現像し、現像後のレジスト膜２４をマスクとして炭素膜８をエッチングし、レジスト膜２４を除去して電界電子放出素子を製造している。 - 特許庁

A semi-transparent film 69 is disposed on the lower side of a transparent electrode 61 of each organic EL element of a specific color; and the distance from the upper surface of the semi-transparent film 69 to the undersurface of an opposite electrode 66 functioning as a reflecting layer is set at a value by which a space between them acts as a minute resonator for selecting light having a specific wavelength.例文帳に追加

特定色の有機ＥＬ素子の透明電極６１の下側には、半透過膜６９が配置されており、この半透過膜６９の上面から反射層として機能する対向電極６６の下面までの距離は、この間の空間が特定波長の光を選択する微小共振器として作用する距離に設定されている。 - 特許庁

To provide a method for forming a photovoltaic element which can solve such a problem that a semiconductor layer formed on a metallic layer functioning as a photoelectric conversion layer can not cover the metallic layer sufficiently well and a defective part is produced because a projection projecting partly from the uneven area formed on the surface of the metallic layer or a part having a large difference in height in the uneven area exists.例文帳に追加

本発明は、金属層表面に形成した凹凸の一部に突出した部分や凹凸差が大きな部分が存在するため、その上に形成される光電変換層として機能する半導体層が金属層を十分に被覆できず、欠陥部位が生じてしまう問題、を解消できる光起電力素子の形成方法を提供する。 - 特許庁

The electrophoretic display device has an electrophoretic layer 30 held between an element substrate 10 and a counter substrate 50 and uses the side of counter substrate 50 as a display screen, wherein the electrophoretic display device includes a transparent impact relaxing layer 70, a transparent support layer 80 and a transparent surface layer 90, in this order on the upper side of the counter substrate 50.例文帳に追加

本発明の電気泳動表示装置は、素子基板１０と対向基板５０との間に挟持された電気泳動層３０を有し、対向基板５０側を表示面とする電気泳動表示装置であって、対向基板５０の上層側に、透明な衝撃緩和層７０と、透明な支持層８０と、透明な表層９０と、をこの順番に備えている。 - 特許庁

To provide a gas barrier substrate constituted so as to eliminate the trouble wherein the occurrence of unevenness or a pinhole in a gas barrier layer caused by the projection on the surface of a plastic substrate though the plastic substrate is used as a support substrate and having high gas barrier capacity imparted thereto, especially a substrate having high gas barrier properties optimum for use in a display element.例文帳に追加

支持基板としてプラスチック基板を用いながらも、プラスチック基板の表面の突起が、ガスバリア層の凹凸やピンホールの発生の原因となる不都合を解消した、高いガスバリア性能が付与されたガスバリア性の基板を提供し、特に、ディスプレイ素子に用いるのに最適な高いガスバリア性を有する基板を提供することを課題とする。 - 特許庁

This liquid crystal display element includes a liquid crystal layer comprising a liquid crystal material composition dispersed with ≥0.001 pt.mass and <1 pt.mass of surface hydrophobicity-imparted magnesium oxide particle having ≤500 nm of average primary particle size, per 100 pts.mass of nematic liquid crystal material, in the nematic liquid crystal material.例文帳に追加

ネマティック液晶材料中に、表面を疎水化処理した、平均一次粒子径が５００ｎｍ以下の酸化マグネシウム粒子が、ネマティック液晶材料１００質量部に対して０．００１質量部以上で、かつ１質量部未満となるように分散されてなる液晶材料組成物からなる液晶層を含む液晶表示素子。 - 特許庁

The surface light emitting element has a semiconductor layer comprising an n-type nitride semiconductor layer, an emission layer and a p-type nitride semiconductor layer wherein the semiconductor layer has a cavity extending from the emission layer to the n-type nitride semiconductor layer and the outer wall of the cavity is tapered reversely.例文帳に追加

少なくともｎ型窒化物半導体層、発光層およびｐ型窒化物半導体層からなる半導体層を有する面発光型発光素子であって、前記半導体層は少なくとも前記発光層から前記ｎ型窒化物半導体層にかけて貫通された空洞部を有し、且つ前記空洞部の外壁は逆テーパー形状とする。 - 特許庁

On the surface 7a of an electronic component, i.e. a multilayer piezoelectric element, a lead wire is soldered to a second electrode layer 23 on the other end side in the longitudinal direction for one of adjacent terminal electrodes 17 and soldered to a second electrode layer 23 on one end side in the longitudinal direction for the other terminal electrode 17.例文帳に追加

電子部品である積層型圧電素子の表面７ａでは、隣り合う端子電極のうち一方の端子電極１７に対しては、その長手方向における他端側の第２の電極層２３に、他方の端子電極１７に対しては、その長手方向における一端側の第２の電極層２３にリード線が半田付けされる。 - 特許庁

A semiconductor device includes a substrate which is mainly composed of silicon, a groove which is formed in the substrate and divides an element region, the SiGe film formed on the substrate and a silicon flow preventing layer which is formed in a sidewall from a surface in at least an upper part of the sidewall of the groove and includes at least nitrogen or carbon.例文帳に追加

シリコンを主成分とする基板と、前記基板に形成され、素子領域を区画する溝と、前記基板上に形成されたＳｉＧｅ膜と、前記溝の側壁の少なくとも上部において前記側壁の表面から内部に形成された、窒素および炭素のうち少なくともいずれかを含む、シリコン流動防止層と、を備える。 - 特許庁

The photoelectric conversion element comprises a metal fine particle is selected from gold, silver, or platinum that is deposited in a thin-film shape on a conductive substrate, and a sulfur compound having an electron- donating coloring matter molecule and/or an electron-accepting coloring matter molecule that are fixed on the surface of the metal fine particle via metal-sulfur coupling.例文帳に追加

導電性基板；導電性基板上に薄膜状に堆積した金、銀または白金から選ばれる金属の微粒子；ならびに、金属微粒子の表面に金属−イオウ結合を介して固定された、電子供与性色素分子および／または電子受容性色素分子を有するイオウ化合物から成る光電変換素子。 - 特許庁

Double refraction organic substance thin film 1 whose retardation value is adjusted so as to generate a prescribed phase difference to exited light which is emitted from a semiconductor laser 11 and transmits a diffraction element 14 is formed on at least one side of surface of two surfaces of a collimator lens 2 or an objective lens 15 composing the optical head device.例文帳に追加

光ヘッド装置を構成する、コリメートレンズ２または対物レンズ１５の２つの表面の少なくとも一方の表面に、半導体レーザ１１から出射し回折素子１４を透過した出射光に対して所定の位相差を発生させるようにリタデーション値を調整した複屈折性の有機物薄膜１を形成する。 - 特許庁

This element is composed of a transparent electrode 14 formed out of a transparent electrode material such as ITO or SnO2 on a flexible transparent substrate surface 10, a luminescent layer 20 comprising an organic EL material laminated on the electrode 14, and a back plate 22 layered on the luminescent layer 20 and formed to be opposed to the transparent electrode 14.例文帳に追加

可撓性を有した透明基板表面１０にＩＴＯやＳｎＯ_２等の透明な電極材料により形成された透明電極１４と、透明電極１４に積層された有機ＥＬ材料からなる発光層２０と、この発光層２０に積層され、透明電極１４に対向して形成された背面電極２２とからなる。 - 特許庁

In the solid electrolytic capacitor impregnating a polymeric monomer and an oxidizer on a capacitor element winding an anode foil and a cathode foil through a separator and forming a solid electrolytic layer consisting of a conductive polymer, a planar foil consisting of a conductive material is used as the cathode foil, and a membrane consisting of a metal nitride or metal is formed on the surface.例文帳に追加

陽極箔と陰極箔とをセパレータを介して巻回したコンデンサ素子に、重合性モノマーと酸化剤とを含浸して導電性ポリマーからなる固体電解質層を形成する固体電解コンデンサにおいて、陰極箔として導体材料からなるプレーン箔を用い、その表面に金属窒化物又は金属からなる皮膜を形成する。 - 特許庁

To provide a polymer composition for an electret material which shows excellent surface charge density retainability under a high temperature environment when an electret electrode is formed therefrom, and which is suitably usable as a resin composition for forming a material for a power generation element for electrostatic induction type oscillation power generation, and to provide an electret material obtained from the composition.例文帳に追加

エレクトレット電極としたときに高温環境下での表面電荷密度保持性が良く、静電誘導型振動発電のための発電素子用材料を形成する樹脂組成物として好適に用いることができるエレクトレット材料用重合体組成物、及び、該組成物によって得られるエレクトレット材料を提供することを目的とする - 特許庁

The cathode active material is provided with composite oxide particles, a coating layer fitted at least to part of the composite oxide particles and made of an oxide containing at least one coating element from among lithium (Li), nickel (Ni), and manganese (Mn), and a surface layer fitted at least at a part of the coating layer and containing silicon (Si).例文帳に追加

正極活物質は、複合酸化物粒子と、複合酸化物粒子の少なくとも一部に設けられ、リチウム（Ｌｉ）と、ニッケル（Ｎｉ）およびマンガン（Ｍｎ）のうちの少なくとも一方の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層と、この被覆層の少なくとも一部に設けられ、ケイ素（Ｓｉ）を含む表面層とを備えるものである。 - 特許庁

The electrolytic capacitor element 1 comprises an aluminium substrate 4 having an anode terminal 5 and an oxide film 13 formed on the surface of an aluminium part 3, and a cathode part 7 having an electrolyte layer 8 formed around the aluminium substrate 4 excepting the anode terminal 5 and a conductor layer 10 formed around the electrolyte layer 8.例文帳に追加

電解コンデンサ素子１は、陽極端子５を有すると共にアルミニウム部３の表面に酸化皮膜１３が形成されてなるアルミニウム基体４と、陽極端子５を除くようにアルミニウム基体４の周囲に形成された電解質層８、及び、電解質層８の周囲に形成された導電体層１０を有する陰極部７と、を備える。 - 特許庁

A solid-state image pickup device 2 comprises a plurality of photoelectric transducer elements 106 which are arranged in proximity to each other on a silicon semiconductor substrate 104, with each photoelectric transducer element 106 comprising a p-type region 115 and an n-type region 116 which are locally deposited in layers on the surface of the semiconductor substrate 104.例文帳に追加

固体撮像素子２は、シリコンから成る半導体基板１０４上に相互に近接して配列された複数の光電変換素子１０６を備え、各光電変換素子１０６は半導体基板１０４の表面部に局所的に積層されたｐ型領域１１５およびｎ型領域１１６を含んで構成されている。 - 特許庁

A near-field optical irradiation element 100a deflects an electromagnetic wave which is propagated through a core 122a largely to the direction of a base part 110a with deflection structure 132a and which irradiates near-field light from a light-emitting opening part by receiving the electromagnetic wave in a surface propagation structure 131a formed to face the base part 110a.例文帳に追加

近接場光照射素子１００ａは、コア１２２ａを伝搬してきた電磁波を偏向構造１３２ａによって電磁波を基底部１１０ａの方向に大きく偏向させ、基底部１１０ａに面して形成された表面伝搬構造１３１ａにおいてその電磁波を受けて出射開口部から近接場光を照射する。 - 特許庁

This optical pickup device is the finite system in which a dispersed light or a converged light is made incident on a condensing optical system, and provided with a plurality of bracelet-shaped optical function surfaces formed on the optical surface of an optical element, and a shared area for emitting the luminous fluxes of first and second wavelengths λ1 and λ2 as refracted lights.例文帳に追加

本発明に係る光ピックアップ装置は、集光光学系に発散光又は収束光が入射する有限系であって、光学素子の光学面に、輪帯状光学機能面が複数形成され、第１の波長λ１の光束と第２の波長λ２の光束を共に屈折光として出射する共用領域を備える。 - 特許庁

The polyester film is a film obtained by melt extrusion of a polyester containing substantially no antimony element and has ≤0.7 wt.% oligomer amount in the film based on the film weight and ≤5.0 mg/m^2 oligomer amount on the surface of the film measured by coating the film with methyl ethyl ketone, drying it and heat-treating the film at 180°C for 10 minutes.例文帳に追加

アンチモン元素を実質的に含まないポリエステルを溶融押し出しして得られるフィルムであり、当該フィルム中のオリゴマー量がフィルム重量に対して０．７重量％以下であり、フィルムにメチルエチルケトンを塗布、乾燥し、１８０℃で１０分間熱処理した後、フィルム表面のオリゴマー量が５．０ｍｇ／ｍ^２以下であることを特徴とするポリエステルフィルム。 - 特許庁

An input protective element 1 has a p-type semiconductor substrate 2, a P-well area 4 formed on the surface of the substrate 2, p- and n-type contact areas 5 and 6 formed in the area 4, and a deep N-well area 3 which surrounds the area 4 and is maintained in an electrically floating state.例文帳に追加

ｐ型半導体基板２と、前記ｐ型半導体基板２の表面に形成されたＰウェル領域４と、前記Ｐウェル領域４内に形成されたｐ型コンタクト領域５及びｎ型コンタクト領域６と、前記Ｐウェル領域４を取り囲むと共に、電気的にフローティングな状態に保持された深いＮウェル領域３とを有する - 特許庁

To provide a substrate of high thermal conductivity excellent in heat radiation property capable of using stably and moreover a diamond film is hardly broken when machining it such as cutting, where the ceramic substrate as an insulator, on the upper surface of which the diamond film is formed on which an element is provided, is constituted as the substrate of high thermal conductivity usable for a heat sink.例文帳に追加

基体として絶縁体であるセラミックからなる基体を用い、その上面に素子を載置するためのダイヤモンド膜が形成されたヒートシンクとして使用できる高熱伝導性基板であって、放熱特性に優れ、安定に使用でき、更に切断等の加工を行なった場合にダイヤモンド膜が破損し難い高熱伝導性基板を提供する。 - 特許庁

This electron emitting element can be manufactured by a method including a coating process for coating a substrate 1 with a mixture of a conductive paste and the fibrous objects 2, and a removing process for selectively removing the conductive paste included in a surface part of the coating mixture in order to partially expose the fibrous objects 2.例文帳に追加

この電子放出素子は、例えば、基板上に、導電性ペーストと繊維状物体との混合物を塗布する塗布工程と、該塗布した混合物の表面部に含まれる該導電性ペーストを選択的に除去して、該繊維状物体の一部を露出させる、除去工程と、を包含する製造方法によって、製造することができる。 - 特許庁

The cathode active material is provided with composite oxide particles, a coating layer fitted at least to part of the composite oxide particles and made of an oxide containing at least one coating element from among lithium (Li), nickel (Ni), and manganese (Mn), and a surface layer fitted at least at a part of the coating layer and made of oxide containing magnesium (Mg).例文帳に追加

正極活物質は、複合酸化物粒子と、複合酸化物粒子の少なくとも一部に設けられ、リチウム（Ｌｉ）と、ニッケル（Ｎｉ）およびマンガン（Ｍｎ）のうちの少なくとも一方の被覆元素とを含む酸化物よりなる被覆層と、この被覆層の少なくとも一部に設けられ、マグネシウム（Ｍｇ）を含む酸化物よりなる表面層とを備えるものである。 - 特許庁

A surface acoustic wave element 14 has n electrode fingers for ground between electrode fingers for a signal at both ends of a central IDT electrode 3 and electrode fingers for a signal at the ends on the IDT electrode 3 sides of the IDT electrodes 2 and 4, wherein polarities of adjacent electrode fingers between the IDT electrodes are symmetrical with respect to the IDT electrode 3.例文帳に追加

弾性表面波素子１４は、中央のＩＤＴ電極３の両端の信号用電極指と、ＩＤＴ電極２，４のＩＤＴ電極３側の端の信号用電極指との間の接地用電極指がｎ本であり、ＩＤＴ電極間で隣接する電極指の極性がＩＤＴ電極３を中心に対称である。 - 特許庁

In the reflection type scanning optical system with the plane tilt error correction function, an area for reflecting a laser beam going toward a light receiving element 6, out of a reflecting surface of an fθ mirror 5 for scanning speed correction is so formed that the sectional shape in a main scanning direction may be approximately fixed against change of the height in a sub-scanning direction.例文帳に追加

面倒れ誤差補正機能付きの反射型走査光学系において、走査速度補正用のｆθミラー５の反射面のうち、受光素子６へ向かうレーザービームを反射させる領域が、主走査方向の断面形状が副走査方向の高さの変化に対してほぼ一定である形状に、形成されるように、構成する。 - 特許庁

When the casing 110 is made to come close to clothes 10 from which the attached odor is to be removed, the casing 110, the support part 111 and the ion delivery tube 112 form a passage for circulating the gas delivered by the air-sending fan 120 along the surface of the clothes 10 together with the positive ion and the negative ion generated in the ion generation element 130.例文帳に追加

筐体１１０と支持部１１１とイオン送出管１１２は、付着臭が除去されるべき衣類１０に筐体１１０を接近させたときに、イオン発生素子１３０から発生した正イオンと負イオンとともに、送風ファン１２０によって送出された気体を衣類の表面に沿って流通させる通路を形成する。 - 特許庁

On the surface of an antenna substrate 11, a first element consisting of a pattern of an antenna body formed upward from a feeding part on the bottom side to touch the oblique side, a pattern of a folded portion formed in reverse U-shape, and a pattern of a coupling part formed to connect the upper end of the antenna body to the folded portion is formed.例文帳に追加

アンテナ基板１１の表面には、下辺の給電部から上方に向かって斜辺に接するよう形成されたアンテナ本体部のパターンと、逆Ｕ字状に形成された折り返し部のパターンと、アンテナ本体部の上端を折り返し部に接続するよう形成された連結部のパターンとからなる第１エレメントが形成されている。 - 特許庁

When the laser light of a specified wavelength emitted from one light source 3 is made incident from the transparent substrate 17 of an optical element 10 for an optical pickup on a solid immersion lens 11, light refraction occurs, a laser light is converged to the bottom surface of the solid immersion lens 11, and it is projected as a very small spot on an optical information recording medium D.例文帳に追加

一の光源３から出射された所定の波長のレーザ光を光ピックアップ用光学素子１０の透明基板１７からソリッドイマージョンレンズ１１へと入射させた場合には、光の屈折を生じることになり、レーザ光をソリッドイマージョンレンズ１１の底面に収束させ、光情報記録媒体Ｄ上に微小な光スポットとして照射させる。 - 特許庁

The solid-state electrolytic capacitor is provided with a capacitor element 10 including: an anode body 1 composed of a sintered body of metallic particles having valve action; a dielectric layer 2 formed on the surface of the anode body 1; a conductive high molecular layer 3 formed on the dielectric layer 2; and a cathode layer 5 formed on the conductive high molecular layer 3.例文帳に追加

固体電解コンデンサは、弁作用を有する金属粒子の焼結体からなる陽極体１と、この陽極体１の表面に形成された誘電体層２と、誘電体層２の上に形成された導電性高分子層３と、この導電性高分子層３の上に形成された陰極層５と、を有するコンデンサ素子１０を備える。 - 特許庁

The resistance change layer 23 is made of metal oxide having the same metal base as that of a metal thin-film layer 22 formed on the surface of the lower electrode layer 20, and a storage element 27 is composed of the resistance change layer 23, a lower electrode layer 20a in an area connecting with the resistance change layer 23 and the upper electrode layer 25.例文帳に追加

この抵抗変化層２３は下部電極層２０の表面に形成された金属薄膜層２２と同じ金属母体を有する金属酸化物からなり、この抵抗変化層２３と、抵抗変化層２３に接続する領域の下部電極層２０ａおよび上部電極層２５とにより記憶素子２７を構成している。 - 特許庁

By two-dimensionally arranging metal structures (metal particles 2) minuter than wavelength of incident light on a flat surface of a transparent glass substrate 1 at a distance smaller than the wavelength of incident light, the polarization control element 10 which has high light transmittance, can afford a sufficient retardation, is high in the latitude of design and is excellent in heat resistance and light resistance can be obtained.例文帳に追加

透明なガラス基板１の平坦な面に、入射する光の波長よりも微小な金属構造（金属粒子２）を、入射する光の波長よりも小さい距離で２次元に配置することにより、光の透過率が高く、十分な位相差を与えることの可能な、設計自由度が高く、耐熱性や耐光性に優れた偏光制御素子１０とする。 - 特許庁

A microstrip circuit 31 circled with a dotted line in the figure has a pair of conductive square elements 32, a pair of impedance transformers 33 connected to one side of the conductive square element 32, a pair of phase shifters 34 connected to the impedance transformers 33, and a conduction pin 36 for connecting the circuit to the phase shifter 34 on the rear surface.例文帳に追加

図中点線で囲んだマイクロストリップ回路３１は、一対の導電性方形素子３２と、導電性方形素子３２の一辺に接続された一対のインピーダンス変成器３３と、インピーダンス変成器３３と接続された一対の移相器３４と、裏面の移相器３４と接続するための導通ピン３６を有している。 - 特許庁

A second electrode plate 20 is connected with the other electrode of the film capacitor element, and a portion thereof is led out from an opening on the side of the other sidewall 4 of the case 1 opposing the one sidewall 3 and bent in the direction parallel with the case opening surface 2 to be superimposed on the first electrode plate 10 through an insulating layer 5.例文帳に追加

また、第２電極板２０は、フィルムコンデンサ素子の他方の電極部に接続され、一部がケース１の一方の側壁３とは相対向する他方の側壁４側の開口部から外部に導出され、かつケース開口面２に平行な方向で第１電極板１０と絶縁層５を介して重なるように折曲されている。 - 特許庁

In the thermal infrared detecting element thus obtained, the heat resistance variation film 3 and the conductive protection film 4 which covers the connection part of the heat resistance variation film 3 for a wiring metal film 5 and has at least its surface made of metal are arranged at the connection part of the wiring metal film 5 connected to the heat resistance variation film 3.例文帳に追加

このようにして得られた熱型赤外線検出素子は、熱抵抗変化膜３と、該熱抵抗変化膜３に接続される配線金属膜５との接続部に、上記熱抵抗変化膜３における上記配線金属膜５との接続部を覆う、少なくとも表面が金属からなる導電性の保護膜４が配されている。 - 特許庁

A semi-transparent film 69 is disposed on the lower side of a transparent electrode 61 of this organic EL element; and the distance from the upper surface of the semi-transparent film 69 to the undersurface of an opposite electrode 66 functioning as a reflecting layer is set at a value by which a space between them acts as the minute resonator for selecting light having a specific wavelength.例文帳に追加

有機ＥＬ素子の透明電極６１の下側には、半透過膜６９が配置されており、この半透過膜６９の上面から反射層として機能する対向電極６６の下面までの距離は、この間の空間が特定波長の光を選択する微小共振器として作用する距離に設定されている。 - 特許庁

To provide a heating member with a heat generating member with an insulating layer and an exothermic layer made of a resistance heating element laminated, in which a local peeling between members composing the heat generating member is prevented from occurring and a local degradation in the efficiency of heat conductivity is prevented from occurring and there is no unevenness of surface temperature distributions against an established temperature.例文帳に追加

絶縁層および抵抗発熱体からなる発熱層が積層された発熱部材を有する加熱部材であって、加熱部材を構成する部材間で局部的な剥離が発生するのが防止されて、局部的な伝熱効率の低下が発生するのが防止され、表面の温度分布が設定温度に対してばらつきのない加熱部材を提供する。 - 特許庁

As the trackball 22 is rotated, detection light emitted from the light emitting element is reflected on the mirror surface of the polygons 2202, its reflected light is moved accompanied by the rotation of the trackball 22, namely, the movement of the polygons 2202, and every time the reflected light passes through the portion of the two light receiving elements, light receiving signals are outputted from the two light receiving elements.例文帳に追加

トラックボール２２が回転されると、発光素子から出射された検知光は多角形２２の鏡面で反射されその反射光がトラックボール２２の回転、すなわち多角形２２０２の移動に伴って移動され、反射光が２つの受光素子の部分を通過する毎に２つの受光素子からは受光信号が出力される。 - 特許庁

The semiconductor has a semiconductor substrate 11, including an element, an interlayer insulating film (silicon oxide film 20, BPSG film 30) formed on the semiconductor substrate 11, a contract hole formed in the interlayer insulating film, the barrier layer 33 formed on the interlayer insulating film and the surface of the contact hole, and a wiring layer 40 formed on the barrier layer 33.例文帳に追加

半導体装置は、素子を含む半導体基板１１、半導体基板１１の上に形成された層間絶縁膜（シリコン酸化膜２０，ＢＰＳＧ膜３０）、層間絶縁膜に形成されたコンタクトホール、層間絶縁膜およびコンタクトホールの表面に形成されたバリア層３３、およびバリア層３３の上に形成された配線層４０を有する。 - 特許庁

A first insulated separation film 5a which partitions an active region and a second insulation isolating film 5b which is thinner than the first insulation isolating film 5a and separates the active region into a first active region 6 and a second active region 7 as element isolation layers made of LOCOS are formed on the major surface S of a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の主表面ＳにＬＯＣＯＳからなる素子分離層として、活性領域を区画する第１の絶縁分離膜５ａと、この第１の絶縁分離膜５ａよりも厚さが薄く、且つ、活性領域を第１の活性領域６と第２の活性領域７とに分離する第２の絶縁分離膜５ｂを形成する。 - 特許庁

The surface acoustic wave (SAW) immunosensor for diagnosing allergy disease includes one or more SAW elements on each of which allergens derived from one allergy-causing substance are fixed and an allergen derived from another allergy-causing substance is not included, that is, allergens derived from different allergy-causing substances being fixed on different SAW elements; and a signal detector which detects an output signal from the SAW element.例文帳に追加

アレルギー疾患診断用ＳＡＷセンサーは、一つのアレルギー原因物質から由来したアレルゲンが固定されており、他のアレルギー原因物質から由来したアレルゲンは含まず、それぞれ別のアレルギー原因物質から由来したアレルゲンが固定された一つ以上のＳＡＷ素子、及び該素子からの出力信号を検出する信号検出器を含む。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a contact hole 47, inside which a boundary between diffusion layers 41 and 42 and an element isolation region 12 is exposed, and a high melting-point metal layer (a titanium film 48) for covering the surface of a silicon substrate 11 exposed inside the contact hole 47 is formed into a thickness of 5 nm-11 nm.例文帳に追加

拡散層４１，４２と素子分離領域１２との境界が内部に露出する接続孔（コンタクトホール４７）を備えた半導体装置において、コンタクトホール４７の内面に露出するシリコン基板１１表面を被覆する高融点金属層（チタン膜４８）が５ｎｍ以上１１ｎｍ以下の膜厚に形成されているものである。 - 特許庁