「surface element」に関連した英語例文の一覧と使い方(355ページ目) - Weblio英語例文検索

To materialize a protecting film which does not decompose an underlying organic layer by heat with improved adhesion property with the underlying organic layer, for an organic EL element having a structure composed of an organic layers including organic luminous materials arranged between opposing electrodes, and the protecting film covering the outer surface of the structure.例文帳に追加

互いに対向する一対の電極間に有機発光材料を含む有機層を配置してなる構造体と、この構造体の外表面を被覆する保護膜とを備える有機ＥＬ素子において、成膜時に下地の有機層を熱分解させることなく且つ下地の有機層との密着性を向上させた保護膜を実現する。 - 特許庁

This polyolefin foam comprises a resin composition layer, on at least one part of a surface thereof, that contains a polymeric compound hard to be charged with static electricity, a mineral containing a rate element and at least one of either tormarine or far-infrared radiating ceramic, and discharges the minus ion and at the same time radiates far-infrared.例文帳に追加

ポリオレフィン発泡体の表面の少なくとも1部に、静電気に帯電しにくい高分子化合物、並びに希有元素類を含む鉱物、及び少なくともトルマリン若しくは遠赤外線放射セラミックスのいずれか一方を含有し、マイナスイオンを放出すると同時に遠赤外線を放射する樹脂組成物の層を形成したことを特徴とする。 - 特許庁

In the electrochemical element having a first electrode 12 and a second electrode 13 laminated through an insulating layer 11, at least one of the first and second electrodes has a current collector sheet 15, 18 and a graphite layer 16, 17 formed on the surface thereof and the graphite layer contains a conductive material other than graphite.例文帳に追加

絶縁層１１を介して、第一の電極１２と、第二の電極１３が積層された電気化学素子であって、第一の電極および第二の電極の少なくとも一方が、集電体シート１５、１８と、その表面に形成された黒鉛層１６、１７を備え、黒鉛層が黒鉛以外の導電性材料を含んだことを特徴とする電気化学素子。 - 特許庁

The stock for the electric resistance element is produced by preparing a composition containing 20 to 60% nickel and <5% iron, and the balance cobalt, subjecting the ingot obtained by melting and casting the composition to hot working, removing its surface and subjecting the hot worked body to cold working and heat treatment.例文帳に追加

電気抵抗素子用素材は、ニッケルを２０質量％以上６０質量％以下、鉄を５質量％未満含み、残部がコバルトを含む組成物を準備し、この組成物を溶解、鋳造して得られた鋳塊を熱間加工して表面を除去し、この熱間加工体に冷間加工と熱処理を施すことによって製造される。 - 特許庁

The method for manufacturing the magnesium workpiece includes anodizing a magnesium substrate 1 made of magnesium or a magnesium alloy, in the electrolytic solution which is a sodium metasilicate solution containing an additive having a sulfonate group, to form a protective coating of the anodic oxide film containing at least one element of carbon and sulfur therein, on the surface of the magnesium substrate.例文帳に追加

マグネシウム製またはマグネシウム合金製からなるマグネシウム基材１をメタけい酸ナトリウム溶液にスルホン酸基を有する添加剤を加えた電解液中で陽極酸化を行い、このマグネシウム基材の表面に炭素および硫黄の少なくとも一方を皮膜中に含有する陽極酸化皮膜よりなる保護膜を形成する方法からなる。 - 特許庁

Signal wiring of a surface layer only which does not go through a via hole is realized by making spacing between conductors of bus wiring in adjacent two directional coupling elements and spacing between signaling terminals in connector equal, and using the directional coupling element with spacing of signalling terminal shorter than the spacing between signaling terminals of the connector.例文帳に追加

隣り合う２つの方向性結合素子におけるバス配線用の配線間間隔とコネクタにおける信号用端子間間隔を等しくし、かつコネクタの信号用端子間間隔よりも短い信号端子の間隔を持つ方向性結合素子を使用することにより、ビアホールを介さない表面層のみの信号配線が実現される。 - 特許庁

In the semiconductor laser element which has a substrate, a lower clad layer, an active layer, and an upper clad layer, in this order, the upper clad layer is a ridge stripe shape extending in the direction of a resonator, and a p-type electrode is formed in the upper surface of the ridge stripe.例文帳に追加

本発明では、基板と、下部クラッド層と、活性層と、上部クラッド層とをこの順に有する窒化ガリウム系半導体レーザ素子において、前記上部クラッド層が共振器方向に伸延したリッジストライプ形状であり、ｐ型電極が前記リッジストライプ上面に形成されていることを特徴とする窒化ガリウム系半導体レーザ素子を提供する。 - 特許庁

In the solid polyelectrolyte membrane-catalyst metal composite electrode, catalyst layers are formed, on both faces of the solid polyelectrolyte membrane, which contain the catalyst metal deposited by reduction of ions of the catalyst metal, and on the surface of the catalyst layer serving as the anode, element is carried which is equal to the catalyst metal or more likely to be oxidized than the catalyst metal.例文帳に追加

固体高分子電解質膜の両面に、触媒金属のイオンの還元により析出した触媒金属を含む触媒層が形成され、且つアノードとなる触媒層の表面に、触媒金属と同等であるか又はそれよりも酸化されやすい元素が担持されている固体高分子電解質膜・触媒金属複合電極である。 - 特許庁

The above problem is solved by a field effect transistor (1), using a SiN insulating film as an insulating film in particular, including a layer constituting a hetero interface including a channel layer (4) constituted of GaN or InGaN and a barrier layer (5) constituted of AlN and an insulating film (9) formed on a transistor element surface, or by a method for manufacturing such a field effect transistor.例文帳に追加

上記課題は、GaN又はInGaNからなるチャネル層(4)と、AlNからなる障壁層(5)と含むヘテロ界面を構成する層と、トランジスタ素子表面に形成された絶縁膜(9)を有する電界効果トランジスタ(1)、特に絶縁膜としてSiN絶縁膜を用いた電界効果トランジスタや、そのような電界効果トランジスタの製造方法によって解決される。 - 特許庁

The driving mechanism 100 has a moving member 80 which can move in a Y direction being in parallel to the light receiving surface of the imaging element and a cam member 90 provided at the moving member 80 and selectively positions and holds the prism unit 30 at a 1st position suitable for imaging within a 1st distance range and a 2nd position suitable for imaging within a 2nd distance range.例文帳に追加

駆動機構１００は、撮像素子の受光面と平行なＹ方向に移動可能な移動部材８０と、移動部材８０に設けられたカム部材９０を有し、プリズムユニット３０を、第１の距離範囲での撮像に適した第１の位置と、第２の距離範囲での撮像に適した第２の位置とに選択的に位置決め保持する。 - 特許庁

With a projection 106a, remaining at the upper end part of the boarder part between the insulation separation groove 104 and an active element 105 region, a second insulation film 108 formed by the bias ECR-CVD method is deposited by a film-thickness of equal almost to the height of the projection 106a, so that the projection 106a is eliminated for complete planarization over the entire wafer surface.例文帳に追加

この時絶縁分離溝１０４とアクティブ素子１０５領域の境界部に上端部に突起１０６ａが残留するが、さらにバイアスＥＣＲ−ＣＶＤ法で形成された第２の絶縁膜１０８を、突起１０６ａの高さと同程度の膜厚で堆積させることにより、突起１０６ａを無くしウェハー全面を完全平坦化する。 - 特許庁

The semiconductor light emitting element 10 has the columnar crystal structure 13 having an n-type layer 13a, a light emitting layer 13b, and a p-type layer 13c laminated in order on a substrate 11, and the columnar crystal structure 13 is smaller in diameter atop than nearby the substrate 11, and has an insulating film 14 covering a surface of the columnar crystal structure 13.例文帳に追加

半導体発光素子１０は、基板１１上にｎ型層１３ａ、発光層１３ｂ、ｐ型層１３ｃの順番で積層された柱状結晶構造体１３を有し、柱状結晶構造体１３は、基板１１近傍より先端の径が細く、かつ柱状結晶構造体１３の表面を覆う絶縁膜１４を有してなる。 - 特許庁

A surface acoustic wave device S is constituted, in such a way that exciting electrodes 12 and 13 formed of a material which transmits Reyleigh wave made to propagate through a substrate at a slower speed than the substrate 11 does are arranged on the substrate 11 composed of a single oxide crystal having a langasite type single crystal structure and containing at least lanthanum, gallium, and a VA-group element (for example, niobium or tantalum).例文帳に追加

ランガサイト型結晶構造を有し、少なくともランタン，ガリウム，及びＶＡ族元素（例えばニオブやタンタル）を含有する酸化物単結晶から成る基板１１上に、基板１１を伝搬させるレイリー波の速度より遅く伝搬する材料で形成した励振電極１２，１３を配設した弾性表面波装置Ｓとする。 - 特許庁

An external electrode 5 comprises: a lower layer external electrode 5a including glass having a content of an alkaline earth metal within a range of 37 to 45 mol%, which is formed on a surface of a ceramic element body; and an upper layer external electrode 5b including a glass having a content of SiO_2 within a range of 50 to 55 mol%, which is formed on the lower layer external electrode.例文帳に追加

外部電極５が、セラミック素体の表面に形成された、アルカリ土類金属の含有率が３７〜４５ｍｏｌ％の範囲にあるガラスを含む下層外部電極５ａと、下層外部電極上に形成された、ＳｉＯ_2の含有率が５０〜５５ｍｏｌ％の範囲にあるガラスを含む上層外部電極５ｂとを備えた構成とする。 - 特許庁

To provide a method of forming wirings of a semiconductor element which enables prevention of contamination by the aging of wiring materials resulting from ordinary high temperature surface reaction and thermal diffusion by reducing or substantially eliminating chemical reaction with the circumferential atmosphere and/or movement by thermal diffusion of atoms of wiring materials after formation of electronic circuit wirings.例文帳に追加

電気回路配線形成後の配線材料構成原子の周囲雰囲気との化学反応、及び又は、熱拡散による移動を低減又は、事実上阻止し、通常の高温表面反応や熱拡散に起因する配線材料の経時的な劣化を防止することを可能とする半導体素子の配線形成方法を提供する。 - 特許庁

Three N+ diffusion layers 4a, 4b, and 4c are formed on a surface of a region surrounded by an element isolating insulating film 3a.例文帳に追加

素子分離絶縁膜３ａに囲まれた領域の表面に、３個のＮ^+拡散層４ａ、４ｂ及び４ｃが形成されており、Ｎ^+拡散層４ａはＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１ａのソース拡散層となり、Ｎ^+拡散層４ｃはＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１ｂのソース拡散層となり、Ｎ^+拡散層４ｂはＮチャネルＭＯＳトランジスタ１１ａ及び１１ｂのドレイン拡散層となっている。 - 特許庁

Thereby, despite of forming the silicon oxide film at a low temperature, the silicon oxide film of a high quality is formed to make not larger than 30% the unevenness of its thickness in the surface of a silicon present in the sidewall portion of the recessed portion of an element isolation region.例文帳に追加

シリコン酸化膜中にＫｒを含有させることにより、シリコン酸化膜中および、シリコン／シリコン酸化膜界面でのストレスを緩和することにより、低温で形成したにもかかわらず高品質なシリコン酸化膜を形成し、素子分離領域凹部分の側壁部のシリコン表面においてシリコン酸化膜の厚さの均一性を３０％以内にする事を特徴とする。 - 特許庁

The optical element of light from 100 GHz to 10 THz is inputted to a plasma CVD device, gaseous starting material for CVD is successively switched and a plurality of laminated films including a film having a large refractive index and a film having a refractive index smaller than that are successively deposited on the surface to obtain an optical wave interference film.例文帳に追加

１００ＧＨｚから１０ＴＨｚまでの光の光学素子をプラズマＣＶＤ装置に入力し、ＣＶＤ用の原料ガスの切り換えを順次行なって、屈折率の大きい屈折率をもつ膜と、それよりも小さい屈折率をもつ膜とを含む複数の積層膜をその表面に順次形成して光波干渉膜とする。 - 特許庁

In the method for manufacturing the optical element by molding the resin composition containing a polymer having an alicyclic structure by using the mold, there is formed a layer of ≥3 nm and ≤20 nm of a fluorine containing compound on the contact surface between at least either of a first mold member and a second mold member which constitute the mold and a member molding space.例文帳に追加

脂環式構造を有する重合体を含有する樹脂組成物を成形型で成形する光学素子の製造方法において、成形型を構成する第１型部材及び第２型部材の少なくとも一方の部材成形空間との接触面に３ｎｍ以上２０ｎｍ以下のフッ素含有化合物層を設ける。 - 特許庁

An optical modulation element 10 is provided with a planar substrate 11, electrodes 12 and 13 which are provided on the planar substrate 11, an electrode 15 which is arranged on top of the electrodes 12 and 13 with a certain interval, an optical functional film 16 formed on the surface of the electrode 15 and hinge sections 17 and 18 which support the electrode 15 in a freely rotating manner.例文帳に追加

光変調素子１０は、平面基板１１と、平面基板１１上に設けられる電極１２，１３と、電極１２，１３の上方に一定の間隔を空けて配置される電極１５と、電極１５の表面に形成される光学機能膜１６と、電極１５を回動自在に支持するヒンジ部１７，１８とを備える。 - 特許庁

The cap type optical part 13 is equipped with an included angle light diffusion reflecting section 25 for reflecting included angle radiation light Pn emitted from a semiconductor light emitting element 3 in almost all directions from the central axis Ax with an included angle relative to the central axis Ax smaller than a preset angle θ1 so that the light goes out from the peripheral surface 24.例文帳に追加

キャップ型光学部品１３は、中心軸Ａｘとの間の挟角が所定角度θ１よりも小さい角度で半導体発光素子３から出射される挟角放射光Ｐｎを、中心軸Ａｘを中心に略放射状に反射して外周面２４から出射させる挟角光拡散反射部２５を有する。 - 特許庁

The film for semiconductor 10 has functions of: supporting a semiconductor wafer 7 when the semiconductor wafer 7 is laminated on an upper surface of an adhesion layer 3 and the semiconductor wafer 7 is cut into pieces by dicing; and selectively peeling a first viscous layer 1 from the adhesion layer 3 when a semiconductor element 71 obtained by cutting it into pieces is picked up.例文帳に追加

半導体用フィルム１０は、接着層３の上面に半導体ウエハー７を積層させ、半導体ウエハー７をダイシングにより個片化する際に半導体ウエハー７を支持するとともに、個片化されてなる半導体素子７１をピックアップする際に、第１粘着層１と接着層３との間が選択的に剥離する機能を有するものである。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor element with higher reliability that has excellent characteristics of adhesion, heat dissipation, light emission efficiency and/or ripple reduction etc., by securing an optimal material as a protective film to be arranged on the side surface of a nitride semiconductor layer and arranging it, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

窒化物半導体層の側面に配置される保護膜として最適な材料を確保して、配置することにより、密着性、放熱性、光出射効率及び／又はリップル低減等において良好な特性を与えることができる、より信頼性の高い窒化物半導体レーザ素子及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The light-emitting display element protective material includes porous silica particles where a specific surface area measured by a nitrogen absorption method is 300-1,500 m^2/g and an average pore diameter measured by the method is 0.5-4.0 nm and an average particle size is 10-100 nm, and a binder.例文帳に追加

窒素吸着法により測定した比表面積が３００ｍ^2／ｇ以上１５００ｍ^2／ｇ以下であり、前記方法により測定した平均細孔径が０．５ｎｍ以上４．０ｎｍ以下であり、かつ平均粒子径が１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である多孔質シリカ粒子と、バインダーとを含む発光表示素子保護材料である。 - 特許庁

A capacitor element of the surface mounting solid electrolytic capacitor has an anode body 11 made of valve action metal, an end of the anode body 11 is connected to an anode terminal 18 through an anode conductive piece 17 and a conductive adhesive 21, and a silver electrode layer 16 is connected to a cathode terminal 19 through the conductive adhesive 21.例文帳に追加

表面実装型固体電解コンデンサにおけるコンデンサ素子は弁作用金属からなる陽極体１１を有しており、その陽極体１１の端部は陽極導通片１７及び導電性接着剤２１を介して陽極端子１８に接続され、銀電極層１６は導電性接着剤２１介して陰極端子１９に接続されている。 - 特許庁

For every predetermined distance in the longitudinal direction, a marking 4 having different one for each optical fiber element 1 is applied to the surface thereof, and the optical fiber table core wire is covered with a translucent colored layer having the same color for discriminating the optical fiber tape core wire.例文帳に追加

複数本の光ファイバ素線１が並列されてテープ化された光ファイバテープ心線において、複数本の光ファイバ素線１は、長手方向の所定の距離ごとに、各光ファイバ素線１ごとに異なるマーキング４が表面に施されているとともに、光ファイバテープ心線を識別するための同一色の半透明の着色層で被覆されている。 - 特許庁

A photomask is provided in which a light-blocking film pattern 111 is formed on a translucent substrate 100, and by keeping the residue amount of sulfate ions and sulfate on at least a surface of the photomask on the side of which the light-blocking film pattern 111 is formed should be less than 0.30 ppb, a variation in element size can be suppressed.例文帳に追加

透光性基板１００上に遮光性膜パターン１１１が形成されたフォトマスクであって、少なくとも遮光性膜パターン１１１が形成された側のフォトマスク表面における硫酸イオンや硫酸塩の残渣量を０．３０ｐｐｂ未満とすることによって素子寸法変動を抑制させられることが確認できた。 - 特許庁

The light irradiation device is further provided with a second optical system 10 which leads the light scanned in the scanning part 8 to the beam splitting element 19, an object lens 42 which condenses the light split to a plurality of optical paths to a surface 45 to be irradiated, and a third optical system 40 which leads the light split to a plurality of optical paths to the object lens 42.例文帳に追加

そしてさらに、走査部８により走査された光を光束分割素子１９に導く第２の光学系１０と、複数に分割された光をそれぞれ被照射面４５に集光する対物レンズ４２と、複数に分割された光を対物レンズ４２に導く第３の光学系４０と、を含む光照射装置とする。 - 特許庁

A pair of lens surfaces L1 and L2 of a third optical element have aspherical surface shapes in a main scanning direction, vary in curvature in a sub-scanning direction continuously and symmetrically from on an optical axis outward in the main scanning direction, and shapes of the lens surfaces L1 and L2 are symmetrical in the main scanning direction with respect to a sub-scanning plane including the optical axis.例文帳に追加

第３の光学素子の一対のレンズ面Ｌ１，Ｌ２は、主走査方向に非球面形状で、副走査方向の曲率が、光軸の軸上から主走査方向の外側に向って連続的かつ対称に変化し、レンズ面Ｌ１，Ｌ２の形状が、主走査方向について光軸を含む副走査面に関し対称である。 - 特許庁

A semiconductor device 10 has a structure, where a semiconductor element (chip) 30 is mounted in a cavity 27 formed on a wiring substrate 20, with an adhesive material 33 disposed between the chip and the bottom surface of the cavity, and the electrode terminal 31 of the chip is connected with wiring portions 22a and 22b, formed in the periphery of the cavity on the substrate through a wire 32.例文帳に追加

半導体装置１０は、半導体素子（チップ）３０が配線基板２０に形成されたキャビティ２７内にその底面との間に接着材料３３を介在させて搭載され、チップの電極端子３１がキャビティ周囲の基板上に形成された配線部分２２ａ，２２ｂにワイヤ３２を介して接続された構造を有する。 - 特許庁

A discharging surface 2 of the ion generating element 1 is tilted and provided so that an upper stream side is closer to the installation board 3 and a lower stream is more away from the installation board 3 in relation to a flow path P of air, and so that an apex A of a tilt angle θ in relation to the flow path P of air is positioned on an upper stream side.例文帳に追加

空調装置において、イオン発生素子１の放電面２は、空気の流路Ｐに対して上流側が設置板３に近く、下流側が設置板３から遠ざかるように設置されており、空気の流路Ｐに対する傾斜角θの頂点Ａが上流側に位置するように、放電面２を傾けて設置されている。 - 特許庁

In an image projection device 100, a light modulated by a light modulation element 120 driven on the basis of an image signal is projected on a surface to be projected 300 by a projection optical system 210 so as to display a projection image, and one of a plurality of interchangeable optical units each of which has a projection optical system different from one another is selectively mounted.例文帳に追加

画像投射装置１００は、画像信号に基づいて駆動された光変調素子１２０により変調された光を投射光学系２１０により被投射面３００に投射して投射画像を表示し、互いに異なる投射光学系を有する複数の交換光学ユニットのうち１つが選択的に装着される。 - 特許庁

To prevent a silicide layer 12b of a wiring layer 12 comprising the silicide layer 12b as an uppermost layer formed on an element isolation insulating film 8a and a polysilicon layer 12a as a lower layer from being overetched to disappear when a contact hole 20a etc., are formed by dry etching in an inter-layer insulating film IL having its surface ground in a CMP step to be flattened.例文帳に追加

ＣＭＰ工程でその表面が研削され、平坦化された層間絶縁膜ＩＬ中にドライエッチングによりコンタクトホール２０ａ等を形成する時、素子分離絶縁膜８ａ上に形成された最上層がシリサイド層１２ｂ、下層がポリシリコン層１２ａからなる配線層１２の、該シリサイド層１２ｂがオーバーエッチングにより消失することを防止する。 - 特許庁

The adsorbing and decomposing material is a composite of a photocatalyst supporting a first promoter composed of a noble metal or a metal oxide, and composed of a tungsten oxide, and a porous body consisting mainly of a silicon oxide containing a second promoter having the same metal element as the first promoter, having a specific surface area of 300 m^2/g or more.例文帳に追加

吸着分解材料は、貴金属または金属酸化物からなる第１の助触媒が担持され、かつ、酸化タングステンからなる光触媒と、上記第１の助触媒と同じ金属元素を有する第２の助触媒を含有してなるケイ素酸化物を主成分とする多孔質体とが複合され、比表面積が、３００ｍ^２／ｇ以上である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having electric wiring wherein electric wiring for pads for electrically connecting a static protection element in the semiconductor device with the bumps formed on an active surface to electrode pads, and electric wiring for power electrically connected to a power source are arranged without increasing an area possessed by the semiconductor device nor causing a short circuit.例文帳に追加

能動面にバンプを形成した半導体装置における静電気保護素子と電極パッドとを電気的に接続するパッド用電気配線と、電源と電気的に接続する電源用電気配線とを、当該半導体装置が有する面積を極力増大させずに、かつ、短絡しないように配置した電気配線を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The thermoelectric powder includes a substantially spherical particle body consisting of an electrically insulating material and a film consisting of a thermoelectric material covering an outer surface of the particle body, and the thermoelectric conversion element is obtained by mixing the thermoelectric powder with a binder, forming the mixture into a columnar shape and pressing it, and then performing a heat treatment.例文帳に追加

熱電粉体は、電気的絶縁材料から成る略球形状の粒子体と粒子体の外表面を被覆する熱電材料から成る被膜とで構成されることを特徴とし、熱電変換素子は、上記熱電粉体をバインダーと混合し、柱状に形成しかつ圧着した後、熱処理して得られることを特徴とする。 - 特許庁

Alternatively, the photoelectric conversion element 1 includes the Mo electrode 20, an MoSe_2 layer 80 provided by selenizing the surface on the Mo electrode 20, and the photoelectric conversion semiconductor layer 30 containing Se provided on the MoSe_2 layer 80 after forming the MoSe_2 layer 80, wherein the layer thickness of the MoSe_2 layer 80 is 10-50 nm.例文帳に追加

あるいは、光電変換素子１を、Ｍｏ電極２０と、このＭｏ電極２０上の表面をセレン化して設けられたＭｏＳｅ_2層８０と、このＭｏＳｅ_2層８０上の形成後にＭｏＳｅ_2層８０上に設けられたＳｅを含む光電変換半導体層３０とを有し、ＭｏＳｅ_2層８０の層厚が１０ｎｍ以上５０ｎｍ未満とする。 - 特許庁

The organic electroluminescent element includes a substrate 10, an anode 1 formed on one surface of the substrate 10, an organic EL layer 8 formed on an opposite side to a substrate 10 side of the anode 1 and containing at least a light-emitting layer 5, and a cathode 2 formed on an opposite side to an anode 1 side of the organic EL layer 8.例文帳に追加

有機エレクトロルミネッセンス素子は、基板１０と、基板１０の一表面側に形成された陽極１と、陽極１における基板１０側とは反対側に形成され少なくとも発光層５を含む有機ＥＬ層８と、有機ＥＬ層８における陽極１側とは反対側に形成された陰極２とを有している。 - 特許庁

The method of manufacturing an optical semiconductor element includes a step of forming a protection layer 4 by applying the protection layer forming composition on the surface of semiconductor layers 2, 3 formed on a substrate 1, a step of forming an isolation groove 6 by irradiating laser from above the protection layer 4, and a step of removing attachments generated when the isolation groove 6 is formed.例文帳に追加

光半導体素子の製造方法は、基板１上に形成された半導体層２、３の表面に保護層形成用組成物を塗布して保護層４を形成する工程と、保護層４の上方からレーザーを照射して、分離溝６を形成する工程と、分離溝６の形成時に生じた付着物を除去する工程を含む。 - 特許庁

In the processing step, the shape of at least one surface of the at least one optical element is processed to reduce the wavefront aberration of the projection optical system based on the variation of the wavefront aberration of the projection optical system measured by the measurement step, and the wavefront aberration of the projection optical system estimated by the estimation step.例文帳に追加

前記加工工程において、前記計測工程で計測された投影光学系の波面収差と前記推定工程で推定された投影光学系の波面収差の変化量とに基づいて、投影光学系の波面収差を低減するように前記少なくとも一つの光学素子の少なくとも一つの表面の形状を加工する。 - 特許庁

The method of manufacturing the GaN-based LED element includes: a step of forming a first metal film containing a specified metal on a portion of an upper surface of the TCO film; and the step of partially increasing the resistance between the p-type contact layer and the TCO film in the region below the first metal film by thermally processing a semiconductor wafer.例文帳に追加

特定の金属を含有する第１金属膜をＴＣＯ膜の上面の一部に形成する工程と、半導体ウェハを熱処理することによって、ｐ型コンタクト層とＴＣＯ膜との間の抵抗を前記第１金属膜の下方の領域において部分的に増加させる工程と、を含むＧａＮ系ＬＥＤ素子の製造方法が提供される。 - 特許庁

The liquid lens element 140 has: a first substrate 141; a second substrate 142; a third substrate 143 arranged between the first and second substrates and forming a liquid chamber 148; and a plurality of lens surfaces 151 which are formed on a boundary surface between two liquids stored inside the liquid chamber 148 and having a different refractive index, and which are electrically deformable.例文帳に追加

液体レンズ素子１４０は、第１の基板１４１と、第２の基板１４２と、第１、第２の基板の間に配置され液室１４８を形成する第３の基板１４３と、液室１４８の内部に収容された屈折率の異なる２液の界面で形成され電気的に変形可能な複数のレンズ面１５１とを有する。 - 特許庁

The MEMS element is equipped with a stationary comb-shaped electrode and a movable comb-shaped electrode which are arranged with a prescribed space apart, wherein the movable comb-shaped electrode moves in a direction angled to a movable reference plane, and wherein an electrostatic attraction operating surface of the stationary and the movable comb-shaped electrodes has a circular arcuate shape in the movable reference plane.例文帳に追加

所定の間隔を有して配置された固定櫛歯電極と可動櫛歯電極とを備え、前記可動櫛歯電極が可動基準面に対して角度をなす方向に移動するＭＥＭＳ素子であって、前記固定櫛歯電極および前記可動櫛歯電極の静電引力作用面が、前記可動基準面内において円弧形状を有している。 - 特許庁

The lamb wave type acoustic wave element is configured such that at least one interdigital electrode 2 for generating lamb wave type acoustic waves or the electrode 2 and a reflector 3 are arranged on the crystal substrate 1, and the cut surface of the crystal substrate 1 and the propagation direction of the lamb wave type acoustic waves satisfy a predetermined relation in Euler angle display (λ, μ, θ).例文帳に追加

水晶基板１上に少なくとも一つのラム波型弾性波を発生させるすだれ状電極２又は該電極２と反射器３が配置され、該水晶基板１のカット面及びラム波型弾性波の伝搬方向がオイラー角表示（λ，μ，θ）で所定の関係を満たす様に構成されるラム波型弾性波素子。 - 特許庁

A surface of a metal is coated with a solution of the thiophene derivative to form a coating film, thereafter a solvent is evaporated from the coating film to generate a structure film having a two-dimensional crystalline arrangement by self-alignment action of the thiophene derivative, and thereby the film has an insulation property and can be used as a base layer of a molecule element or a gate insulating film.例文帳に追加

金属の表面にチオフェン誘導体の溶液を被着させ、塗膜を形成した後、塗膜から溶媒を蒸発させ、チオフェン誘導体の自己整列作用によって二次元結晶性配列を有する構造膜を生成させることにより、該膜は絶縁性であり、分子素子の下地層やゲート絶縁膜として用いることができる。 - 特許庁