「surface element」に関連した英語例文の一覧と使い方(366ページ目) - Weblio英語例文検索

Moreover, the dielectric layer 2 includes a first buried oxide film 10 formed on the surface of the silicon substrate 1, a shield layer 11 formed under the first buried oxide film 10 oppositely to the element region, a second buried oxide film 12 formed in the periphery of the shield layer 11, and a third buried oxide film 13 formed below the shield layer 11 and the second buried oxide film 12.例文帳に追加

誘電体層２は、シリコン基板１の表面に形成された第１の埋込酸化膜１０と、素子領域に対向して第１の埋込酸化膜１０の下に形成されたシールド層１１と、シールド層１１の周りに形成された第２の埋込酸化膜１２と、シールド層１１および第２の埋込酸化膜１２の下に形成された第３の埋込酸化膜１３とを含む。 - 特許庁

To solve a problem that attraction force of the electromagnet 4 gets weak and a motor safety valve 1 gets not to easily open when dust is caught on a magnetic pole 4a of the electromagnet 4 and an upper surface 33a of the armature 33 in the motor safety valve 1 opening a valve port 23 by attracting an armature 33 by an electromagnet 4 and pulling up a valve element 3 connected to the armature 33.例文帳に追加

電磁石４でアーマチュア３３を吸着し、アーマチュア３３に連結している弁体３を引き上げることにより弁口２３を開弁させるモータ安全弁１では、電磁石４の磁極４ａとアーマチュア３３の上面３３ａとに塵埃が挟まると、電磁石４がアーマチュア３３を吸着する吸着力が弱くなり、開弁しづらくなる。 - 特許庁

The optical device is provided with first and second semiconductor laser chips 1, 2 placed side by side on a main substrate 10 and a reflective element 3 which is placed on the above main substrate 10 and furnished with a tiltable reflection surface 3a for reflecting laser beams emitted from any of the first and second semiconductor laser chips 1, 2, upward from the main substrate 10 so as to align optical axes.例文帳に追加

光デバイスは、主基板１０上に並置された第１及び第２の半導体レーザチップ１，２と、前記主基板１０上に載置され、前記第１又は第２の半導体レーザチップ１，２のいずれから出射されたレーザ光も光軸を一致するようにして前記主基板１０の上方に反射する傾動可能な反射面３ａを有する反射素子３と、を有する。 - 特許庁

On the roof and the outer wall member laminating a transparent conductive film, a photoelectric conversion element and a rear face electrode in the order on the side on which a beam is incident and one main surface of the transparent board of the contrary side, the roof and the outer wall member forming a transparent intermediate film comprising at least two layers between the transparent board and the transparent conductive film are manufactured.例文帳に追加

光線が入射する側と反対側の透明基板の一方の主表面上に、透明導電膜、光電変換素子および裏面電極が順に積層された屋根および外壁部材において、前記透明基板と透明導電膜との間に少なくとも２層よりなる透明中間膜が形成されている屋根および外壁部材を作る。 - 特許庁

In the photoelectric conversion element which has the electrode, which a semiconductor layer is attached on one side surface of it, an opposite electrode which stands face to face against the above semiconductor layer of this electrode, and an electrolyte layer arranged between the above semiconductor layer of this electrode and the opposite electrode, particles which have a hydro-extracting action and insulation nature are compounded into the electrolysis liquid which constitutes the above electrolyte layer.例文帳に追加

少なくとも、一方の面上に半導体層が被着された電極と、この電極の前記半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記半導体層と対電極との間に配置された電解質層を有する光電変換素子において、前記電解質層を構成する電解液中に脱水作用及び絶縁性を有する粒子を配合する。 - 特許庁

In the solid-state imaging apparatus having a light receiving sensor section 1 of silicon semiconductor, a metal silicide layer 20 having a band gap smaller than that of silicon such as β-FeSi_2 and exhibiting high absorptivity in infrared region is provided on the light receiving surface side of a first conductivity type well region 13 constituting a depletion region which constitutes a photoelectric conversion element in the light receiving sensor section 1.例文帳に追加

シリコン半導体による受光センサ部１を有する固体撮像装置であって、受光センサ部１の光電変換素子を構成する空乏化領域を構成する第１導電型のウエル領域１３の受光面側にβ−ＦｅＳｉ_２等のシリコンに比しバンドギャップが小さく赤外領域に高い吸収性を有する金属シリサイド層２０を設ける。 - 特許庁

In the semiconductor device, there is prepared a semiconductor substrate 1 in which a gate electrode 3a is formed on a top face of an element formation region 150 through a gate insulating film 2a, a first source-drain region 5 is formed, and an impurity region 5p is formed having the same impurity concentration as the first source-drain region 5 in a front surface of a scribing region 160.例文帳に追加

本発明に係わる半導体装置では、素子形成領域１５０の上面にゲート絶縁膜２ａを介してゲート電極３ａが形成され、また第一のソース・ドレイン領域５が形成され、またスクライブ領域１６０表面内に第一のソース・ドレイン領域５と同等の不純物濃度を有する不純物領域５ｐが形成された、半導体基板１を用意する。 - 特許庁

At least during operation, the metal fuel 2 contacts the outer surface of the cooling tube 10 and the inside surface of the fuel element vessel 9 so that cooling is attained, from the inside and the outside of the fuel elements 3 by core cooling water 34 and two-phase flow of water and steam 33.例文帳に追加

燃料要素容器９内に金属燃料２を密封した燃料要素３を水又は水と水蒸気との２相流３３中に設置すると共に、燃料要素３内に炉心冷却水例えば水蒸気又は水蒸気と水との２相流３４を循環させる冷却管１０を設け、少なくとも運転時には金属燃料２は冷却管１０の外周面及び燃料要素容器９の内側面に接触しており、炉心冷却水３４と水又は水と水蒸気３３との２相流により燃料要素３の内と外から冷却を行うようにしている。 - 特許庁

To prevent deterioration of an electrolyte membrane caused by cross-leak of hydrogen, enhance durability, and effectively utilize carried electrode catalyst to electrode reaction in a cell module for a fuel cell having a hollow electrolyte membrane and catalyst layers which are electrodes installed on the inner surface and the outer surface of the electrolyte membrane as a fundamental constitution element and in the fuel cell having the cell module.例文帳に追加

第１の目的は、中空形状の電解質膜であってその内面及び外面に電極である触媒層を設けたものを基本構成要素とする燃料電池用セルモジュール及び当該セルモジュールを有する燃料電池において、水素のクロスリークによる電解質膜の劣化を防止し、セルモジュール及び燃料電池の耐久性を向上させることであり、第２の目的は、前記中空セルモジュール及び当該セルモジュールを有する燃料電池において、担持された電極触媒の電極反応への有効利用を可能とすることにある。 - 特許庁

The contrast of brightness caused in each position of the incident surface according to the change is determined in reference to the output of the receiving element, and the data area on which the interference light is incident is discriminated from the non-data area where no interference light is incident on the basis of the distribution in the incident surface of the contrast.例文帳に追加

被検面からの被検光と参照面からの参照光とが成す干渉光の入射面に配置されその干渉光の輝度分布を検出する受光素子と、被検光と参照光との位相差を変化させる走査手段とを備えた干渉測定装置において、受光素子の出力を参照し、前記変化に応じて入射面の各位置に生じる明暗のコントラストを求め、そのコントラストの入射面における分布に基づいて干渉光が入射するデータ領域と干渉光が入射しない非データ領域とを峻別する。 - 特許庁

The method for manufacturing the surface-treated aluminum material comprises treating the surface of the aluminum material made of aluminum or the aluminum alloy with the liquid including one or more oxo acids containing any element selected from phosphor, silicon and chromium; and heating the aluminum material treated with the liquid, at 80 to 400°C.例文帳に追加

アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム材の表面にリン、ケイ素、及びクロムから選ばれたいずれかの元素を含んだ１種又は２種以上のオキソ酸からなるオキソ酸処理液による処理で形成された皮膜を有する表面処理アルミニウム材であり、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム材の表面をリン、ケイ素、及びクロムから選ばれたいずれかの元素を含んだ１種又は２種以上のオキソ酸からなるオキソ酸処理液で処理し、このオキソ酸処理液で処理したアルミニウム材を８０〜４００℃の加熱温度で加熱処理する表面処理アルミニウム材の製造方法である。 - 特許庁

The reflection member is provided on the outside of a passing area on the second surface of the light beam which is made incident on the imaging lens and with which the image is formed on the image surface out of the light beams emitted from the light emitting element group.例文帳に追加

第１面とこれに対向する第２面とを有する基板と、発光素子グループ毎にグループ化して基板の第１面に設けられた複数の発光素子と、基板の第２面側で発光素子グループに対向して光ビームを像面に結像する結像レンズを、発光素子グループ毎に有するレンズアレイと、基板に設けられた光センサと、基板の第２面に設けられた反射部材とを備え、発光素子グループから射出された光ビームのうち結像レンズに入射して像面に結像される光ビームの第２面における通過領域の外側に、反射部材は設けられている。 - 特許庁

A granular cathode active substance is composed of a compound metal oxide which can dope and dedope an M^1 ion (M^1 is an alkaline metal element) and an M_3 containing compound (M^3 is a third B group element) which is mounted on a surface of the oxide as particles or in a layer.例文帳に追加

Ｍ^1（Ｍ^1はアルカリ金属元素）イオンをドープ・脱ドープできる複合金属酸化物および該酸化物の表面に粒子として、または層状に載置されるＭ^3含有化合物（Ｍ^3は第３Ｂ族元素）からなる粒状の正極活物質であり、該正極活物質は、その表面に、Ｍ^1（Ｍ^1は前記）、Ｍ^2（Ｍ^2はＭｎ、Ｆｅ、ＣｏおよびＮｉから選ばれる）、Ｍ^3（Ｍ^3は前記）およびＯを有し、該表面におけるＭ^3原子数（モル）とＭ^2原子数（モル）のモル比（Ｍ^3／Ｍ^2）をＡとし、該正極活物質のＢＥＴ比表面積をＳ（ｍ^2／ｇ）としたとき、ＡおよびＳが以下の式（１）を満たす正極活物質を含有する正極と、 負極と、 セパレータと、 非水電解液と、を有する非水電解液二次電池。 - 特許庁

This belt magnet material (quench thin belt 8) is formed by a method, in which the melt 6 of alloy containing rare earth element, transition metal, and B is jetted out from a nozzle 3 to impinge against the circumferential surface 53 of a cooling roll 5, so as to be quenched.例文帳に追加

本発明の薄帯状磁石材料（急冷薄帯８）は、希土類元素と遷移金属とＢとを含む合金の溶湯６をノズル３から噴出させ、冷却ロール５の周面５３に衝突させて急冷することにより得られ、その構成組織は、Ｒ_2ＴＭ_14Ｂ型相（ただし、Ｒは少なくとも１種の希土類元素、ＴＭはＦｅを主とする遷移金属）とｂｃｃ構造のα−Ｆｅ型相とを有する複合組織となっている。 - 特許庁

In the solid electrolyte type carbon dioxide sensor element wherein an acting electrode layer 1 containing an electron conductive substance and an auxiliary electrode substance and a reference electrode layer 3 containing an electron conductive substance are formed on the surface of a solid electrolyte layer, the reference electrode layer 3 contains composite oxide including lithium as oxide, for example, LiCoO2 or Li2MnO3.例文帳に追加

固体電解質層表面に電子伝導物質と補助電極物質とを含む作用電極層及び電子伝導物質を含む参照電極層が形成されてなる固体電解質型炭酸ガスセンサ素子において、該参照電極層がリチウムを酸化物として含む複合酸化物、例えば、ＬｉＣｏＯ_2、Ｌｉ_2ＭｎＯ_3を含むことを特徴とする固体電解質型炭酸ガスセンサ素子である。 - 特許庁

In the EL element provided with a translucent substrate, and a light-emitting layer fitted on one face of the translucent substrate and pinched by an anode and a cathode, a lens group is fitted to the surface of the translucent substrate, to be structured by pasting an optical sheet having a structure with a plurality of unit lenses arranged in two dimensions to the other face of the translucent substrate through the pasting layer.例文帳に追加

透光性基板と、前記透光性基板の一方の面に設けられ、陽極と陰極に挟まれた発光層とを備えたＥＬ素子において、前記透光性基板の表面にレンズ群を設け、当該レンズ群を、複数の単位レンズを二次元的に配列した構造を備えた光学シートを、貼合層を介して、前記透光性基板における他方の面に貼り合わせることによって構成する。 - 特許庁

In the nitride semiconductor light emitting element and its manufacturing method, a low defect region having a defect density of 10^6 cm^-2 or less and a trench region with a recess formed in the surface of a nitride semiconductor substrate and the etching angle θ between the side face of the recess and its bottom side extension line ranges as 75° ≤ θ≤ 140° in a sectional view of the recess.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体発光素子及びその製造方法は、窒化物半導体基板の表面に、欠陥密度が１０^6ｃｍ^-2以下の低欠陥領域と、凹部が形成された掘り込み領域とが設けられ、前記凹部の断面形状において、前記凹部の側面部と前記凹部の底面部延長線との間の角度であるエッチング角度θが、７５度≦θ≦１４０度であることを特徴とする。 - 特許庁

In the optical glass element shaping mold having the coating layer on the optical glass shaping surface of an optical glass shaping mold base material 1, 2 having high heat resistance, denseness and thermal conductivity, the coating layer 3 comprises 10-35 mass% molybdenum, 15-40 mass% rhenium, 10-70 mass% in total of platinum and iridium and 1-15 mass% palladium.例文帳に追加

耐熱性があり緻密で熱伝導性の高い光学ガラス成形型基材１，２の光学ガラス成形面にコーティング層３を有する光学ガラス素子成形型において、コーティング層３が、モリブデンを１０〜３５質量％、レニウムを１５〜４０質量％、白金及びイリジウムを合計で１０〜７０質量％、パラジウムを１〜１５質量％含むことを特徴とする光学ガラス素子成形型とする。 - 特許庁

To accurately identify line laser light in the horizontal direction and in the vertical direction on a wall surface to be marked, by defining and maintaining the horizontal and vertical state of a light-receiving element in a light receiver, and to thereby execute a marking work accurately, in a laser device for marking for receiving the line laser light irradiated horizontally or vertically, and detecting an irradiation position of the laser light.例文帳に追加

水平又は鉛直に照射されるラインレーザ光を受光し、前記レーザ光の照射位置を検出する墨出し用レーザ装置において、受光器における受光素子の水平及び鉛直状態を簡易に画定及び保持して、前記ラインレーザ光を、墨出しを行う壁面上で水平方向及び鉛直方向において正確に同定し、墨出し作業を正確に実行できるようにする。 - 特許庁

The semiconductor device has: a lead frame 70 formed by using materials including at least one atom from those with atomic numbers 1 through 13; a silicon substrate 11 that is provided on this lead frame 70 and has a film thickness thinner than the largest range of a particle 30 caused by a nuclear reaction between the fast neutron 20 and silicon; and a semiconductor element 14 formed on the surface of the silicon substrate 11.例文帳に追加

半導体装置は、原子番号が１から１３までの原子のうち少なくとも１つの原子を含む材料で形成されたリードフレーム７０と、このリードフレーム７０上に設けられ、高速中性子２０とシリコンとの核反応により発生する粒子３０の最大飛程よりも薄い膜厚を有するシリコン基板１１と、このシリコン基板１１の表面に形成された半導体素子１４とを具備する。 - 特許庁

This organic EL display includes: a substrate 12; the plurality of organic EL elements 16 arranged on the substrate 12; insulation members 14 disposed between the adjacent organic EL elements 16; and a first protection layer 18 which is sequentially formed from a region between the lower layer electrode 24 and the function layer 26 of the organic EL element 16 to the surface of the insulation member 14 and composed by containing fluorine.例文帳に追加

基板１２と、基板１２上に配列される複数の有機ＥＬ素子１６と、隣接する有機ＥＬ素子１６間に配置される絶縁部材１４と、有機ＥＬ素子１６が有する下層電極２４と機能層２６との間の領域から絶縁部材１４の表面にかけて連続的に形成され、フッ素を含んで構成される第１保護層１８と、を備えている有機ＥＬディスプレイ。 - 特許庁

The gaseous hydrogen detecting apparatus detects concentration of the gaseous hydrogen in both an oxygen-free environment and an oxygen- present environment, and is provided with an insulating substrate 310, sensing membranes 30 and 31 having Pd as a main component and provided on one surface of the insulating substrate, and oxidation-resistive membranes 90 and 91 having a metal element as a main component hardly oxidizable in the atmosphere and provided on the sensing membranes.例文帳に追加

無酸素環境下および有酸素環境下のいずれにおいても水素ガスの濃度を検出する水素ガス検出装置であって、絶縁性基板310と、この絶縁性基板の一方側の面上に設けられたＰｄを主成分とする感知薄膜30,31と、この感知薄膜の上に設けられた大気中で酸化され難い金属元素を主成分とする酸化抵抗薄膜90,91とを具備する。 - 特許庁

The solid display element having much advantages has a solid material 2 wherein electronic orbits of constituent electrons of a solid exhibit an alignment state, electrodes 3 and 4 between which voltage for controlling phase transition of the alignment state of the electronic orbits is applied and a light controlling means generating rotation of a polarization surface of light made incident from an external part of the solid material 2 and transmitted or reflected.例文帳に追加

多くの優位性を持っている固体表示素子を実現するにあたって、固体を構成する電子の電子軌道が整列状態を示す固体材料２と、前記電子軌道の整列状態の相転移を制御するための電圧が印加される電極３，４と、前記固体材料２の外部から入射して、透過もしくは反射した光の偏光面の回転を生じさせる光制御手段とを有する。 - 特許庁

Each monitor element device is constituted by field oxide films 39, 40 formed on the semiconductor substrate; a thin oxide film 41 formed in a surface region of the semiconductor substrate 11 enclosed by the field oxide films 39, 40, a resist island 15 formed island-like on this thin oxide film 41, and a resist film 13 formed on the field oxide films 39, 40.例文帳に追加

各モニタ要素デバイスは、半導体基板上に形成されたフィールド酸化膜３９、４０と、このフィールド酸化膜３９、４０に周囲を囲まれた前記半導体基板１１の表面領域に形成された薄い酸化膜４１と、この薄い酸化膜４１上に島状に形成されたレジストアイランド１５と、前記フィールド酸化膜３９、４０上に形成されたレジスト膜１３とから構成されている。 - 特許庁

A second metal cathode layer 13 containing thin and long metal particles has low specific resistance in the direction of layers, and its surface in contact with the first metal cathode layer 12 has also low contact resistance, and the resistance of the metal cathode layer, which becomes a problem when charge is extracted from the whole capacitor element and made to pass through a cathode lead-out terminal 6, can be reduced.例文帳に追加

また外層側の金属微粒子よりも大きく、細長い形状である金属粒子を含有している第２金属陰極層１３は、層に平行な方向の固有抵抗が低く、第１金属陰極層１２との接触抵抗も低いため、コンデンサ素子全体から容量を引き出して陰極引き出し端子６に電荷を通過させる際に問題となる金属陰極層の抵抗を低減させる。 - 特許庁

The device is provided with interlayer insulating films for rewiring 13 on a surface of an element forming face side of the semiconductor chip 10 where PD 13 is formed, EBP 21 corresponding to PD13 formed on the film, DBP 23 where corresponding PD does not exist on the chip 10, the wiring 41 connecting EBP 21 corresponding to PD13, and DB rewiring 43 connecting DBP23 with prescribed EBP 21.例文帳に追加

ＰＤ１３が形成された半導体チップ１０の素子形成面側の表面に更に再配線用層間絶縁膜１３と、この上に形成された各ＰＤ１３とそれぞれ対応するＥＢＰ２１と、チップ１０上に対応するＰＤのないＤＢＰ２３と、ＰＤ１３と対応するＥＢＰ２１を接続する４１と、ＤＢＰ２３と所定のＥＢＰ２１とを接続するＤＢ再配線４３を備える。 - 特許庁

A dielectric oxide film 2, a solid electrolytic layer 4, a carbon layer 5, and a silver paste layer 6 are provided sequentially on the surface of a valve action metal 1 to obtain a capacitor element 7 which is then coated with coating resin 12 to produce a solid electrolytic capacitor wherein the solid electrolytic layer 4 is composed of at least conductive polymer which is incompressible at temperatures of its glass transition point or above.例文帳に追加

この目的を達成するために、本発明は、弁作用金属１の表面に、誘電体酸化被膜２、固体電解質層４、カーボン層５、銀ペースト層６を順次設けたコンデンサ素子７を外装樹脂１２にて被覆した固体電解コンデンサにおいて、前記固体電解質層４は、少なくとも導電性高分子からなり、この導電性高分子は、そのガラス転移点以上の温度で非収縮としたものである。 - 特許庁

The color display apparatus for forming, on a display surface, a color image of superimposed color images has a first color modulation channel for forming a first color two-dimensional image using a laser light source for providing a first color source beam, a linear spatial light modulator for modulating the first color source beam, and a scanning element for scanning the modulated light beam to form a first color two-dimensional image.例文帳に追加

ディスプレイ面上に、重畳カラー画像のカラー画像を形成する、ディスプレイ装置は、第１のカラーソース光線を供給するためのレーザー光源を用いて、第１カラーの二次元画像を形成する第１のカラー変調チャンネル、第１のカラーソース光線を変調する線形空間光変調器、および、第１カラーの二次元画像を形成するために変調された光線をスキャンするスキャン要素を有している。 - 特許庁

Using a side wall of the element, a mirror plane 7 with a flat bottom surface 1, or a funny mirror plane 8, the same post-incidence light which was incoming once is reflected regularly and irregularly many times to pass the light from P-type layer to I-type layer and from N-type layer to I-type layer.例文帳に追加

一度入射した入射後の光を高効率良く起電力への変換を行うために、光発電素子のＰＮ型層２，４、若しくは、ＰＩＮ型層半導体２，３，４に透明半導体を使用し、一度入射した光を素子の壁面、底面１の平らな鏡面７、若しくは、凹凸鏡面８で同じ光を何度も反射、乱反射させＰ型層からＩ型層、Ｎ型層からＩ型層へ光を横切らせる。 - 特許庁

To provide a method of cleaning a used jig, capable of efficiently removing only deposits while suppressing corrosion of the surface of a base material, applicable to cleaning of a jig made of a member such as ceramics and not using hydrofluoric acid extremely harmful to a human body and superior in cost benefit and safety in the jig to be used in a semiconductor element manufacturing process and is made of a quartz member.例文帳に追加

半導体素子製造工程で用いられる石英部材からなる治具において、基材表面の腐食を抑えつつ付着物のみを効率的に除去可能であり、且つセラミックス等の部材からなる治具の洗浄にも適用可能な、人体に非常に有害なフッ化水素酸そのものを使用しない、経済的且つ安全性に優れる、使用済み治具の洗浄方法を提供する。 - 特許庁

A manufacturing method of an electron emitting element having a cathode substrate and an anode substrate disposed in a vacuum via a spacer and an electron emitting source formed on the cathode substrate includes the steps of applying active treatment to a surface of the electron emitting source and burning the electron emitting source in a temperature range of 400 to 500°C after the activation treatment.例文帳に追加

真空中でスペーサーを介して配置されたカソード基板とアノード基板、前記カソード基板に形成された電子放出源とを備える電子放出素子において、前記電子放出源の表面を活性化処理する工程と、前記活性化処理の後に前記電子放出源を４００〜５００℃の温度範囲で焼成する工程を含むことを特徴とする電子放出素子の製造方法。 - 特許庁

The surface emission semiconductor laser element has a mesa post of multilayer structure comprising a multilayer reflector 22 of compound semiconductor layer and an Al oxide layer 44 for forming a current constriction region in the multilayer reflector, wherein the Al oxide layer is provided annularly at the outer circumferential part of the mesa post to surround a current injection region in the center of the mesa post.例文帳に追加

本面発光型半導体レーザ素子は、化合物半導体層の多層膜からなる多層膜反射鏡２２と、多層膜反射鏡内に設けられ、電流狭窄領域を形成するＡｌ酸化層４４とを有する積層構造をメサポストとして備え、Ａｌ酸化層が、メサポストの中央部の電流注入領域４２を取り囲むようにしてメサポストの外周部に環状に設けられている。 - 特許庁

In the surface emitting laser element, at least one of a pair of distributed Bragg reflectors includes a second resonance region 114 that is different from a resonance region 107 made up of an active layer 105 and resonator spacer layers 104, 106, and the second resonance region 114 is provided in the region exclusive of the range from a center of the current injection region to a predetermined distance.例文帳に追加

一対の分布ブラッグ反射器のうちの少なくとも一方の分布ブラッグ反射器は、活性層１０５と共振器スペーサー層１０４，１０６とから構成される共振領域１０７とは別の第２の共振領域１１４を含み、該第２の共振領域１１４は、電流注入領域の中心から所定の距離の範囲を除く領域に設けられている事を特徴としている。 - 特許庁

An insulator 9 having high adhesion to the conductive adhesive 8 is increased in area by being exposed in an anode pattern 51 or cathode pattern 41 on a capacitive element connection terminal surface of the conversion substrate 2, and when the conductive adhesive 8 and exterior resin 3 are connected, fixation reliabilities of the conversion substrate 2 and exterior resin 3, and the conversion substrate 2 and conductive adhesive 8 are improved.例文帳に追加

変換基板２のコンデンサ素子接続端子面の陽極パターン５１または陰極パターン４１の中に絶縁体９を露出させることにより、導電性接着剤８と密着性の高い絶縁体９の面積を拡大させ、導電性接着剤８、及び外装樹脂３を接続した際、変換基板２と外装樹脂３、及び変換基板２と導電性接着剤８の固着信頼性を向上させる。 - 特許庁

In the liquid crystal display element comprising two alignment substrates each having a substrate, an electrode layer and an alignment film disposed so as to make the alignment films opposite to each other and having the ferroelectric liquid crystal interposed between the alignment substrates, a reactive liquid crystal layer formed by immobilizing a reactive liquid crystal is disposed on an opposing surface of at least one out of the two alignment films.例文帳に追加

本発明は、基板と電極層と配向膜とを有する２枚の配向基板を、上記配向膜が対向するよう配置し、上記配向基板間に強誘電性液晶を狭持してなる液晶表示素子において、上記２枚の配向膜のうち少なくとも一方の対向面上に反応性液晶を固定化してなる反応性液晶層を設けることにより、上記目的を達成するものである。 - 特許庁

This photoelectric conversion element comprises a polycrystalline semiconductor substrate 13 having a region of one type of conductivities and a region of the opposite type of conductivity, an insulating layer 16 formed on at least a part of the main surface of the polycrystalline semiconductor substrate 13 on the former region side and containing hydrogen, and a film layer of one type of conductivities 18 formed on the polycrystalline semiconductor substrate 13 via the insulating layer 16.例文帳に追加

一導電型領域と逆導電型領域とを有する多結晶半導体基板１３と、多結晶半導体基板１３の一導電型領域側の主面の少なくとも一部に形成され、且つ、水素を含有する絶縁層１６と、絶縁層１６を介して多結晶半導体基板１３上に形成された一導電型を示す薄膜層１８とを有する光電変換素子とする。 - 特許庁

The optical element 10 comprises: a light scattering reflection layer 12, a liquid crystal layer 14 which faces at least part of one main face of the reflection layer 12 and is made of the solidified liquid crystal material, and a colored pattern layer 16 which faces part of the main surface across part of the liquid crystal layer 14 without interposing the liquid crystal layer 14 therebetween.例文帳に追加

本発明の光学素子１０は、光散乱性の反射層１２と、前記反射層１２の一方の主面の少なくとも一部と向き合い、固化した液晶材料からなる液晶層１４と、前記液晶層１４の一部を間に挟んで又は前記液晶層１４を間に挟むことなしに前記主面の一部と向き合った有色パターン層１６とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

The image forming element includes an image forming layer and a base, the base includes a closed-cell foam core sheet and upper and lower flange sheets bonded to the core sheet, the upper flange sheet contains an oriented polystyrene or polypropylene polymer, the modulus of the upper flange sheet is 1,000-3,500 MPa and the roughness of the upper surface of the base is <0.4 μm Ra.例文帳に追加

画像形成層とベースとを含んで成る画像形成要素であって、前記ベースが、独立気泡フォームコアシートとそれに接着された上部および下部フランジシートとを含んで成り、前記上部フランジシートが配向ポリスチレンまたはポリプロピレンポリマーを含んで成り、前記上部フランジシートのモジュラスが１０００〜３５００ＭＰａの間であり、前記ベースの上部表面の粗さが０．４μｍＲａ未満である画像形成要素。 - 特許庁

This method for producing a transition metal catalyst with carrier comprises gradually adding a solution of a transition metal complex based on group VIIIB, IB or IIB element (optionally its mixture with a cocatalyst) to a particulate organic or inorganic carrier material in such a manner that the volume of the solution to be used is double or less the porosity of the carrier material to effect entirely renewing the surface of the carrier material.例文帳に追加

元素周期表のＶＩＩＩＢ、ＩＢ、ＩＩＢ族の元素に基づく遷移金属錯体溶液を、必要に応じて助触媒と混合して、微粒子状の有機または無機担体材料に、前記溶液の使用容積を前記担体材料の空隙率の二倍以下として、ゆっくりと添加し担体材料の表面を一新させる、担体を有する遷移金属触媒の製造法が提供される。 - 特許庁

The light distribution control element (100) comprises a transparent base material (104), a plurality of microlens arrays (transparent beads 105) densely arranged on the surface of the transparent base material and a light absorption layer having microapertures in the approximate focal positions of the microlenses, in which the transparent base material is composed of an approximately optically isotropic transparent body or uniaxially optically anisotropic transparent body.例文帳に追加

透明基材（１０４）と、前記透明基材面上に密に配置された複数の微小レンズアレイ（透明ビーズ１０５）と、前記微小レンズの略焦点位置に微小開口部を有する光吸収層とから構成される配光制御素子（１００）において、前記透明基材が光学的に略等方な透明体、もしくは、一軸性光学異方性の透明体で構成された配光制御素子。 - 特許庁

This photoelectric conversion element has an electrode whose at least one surface is covered with a semiconductor layer; a counter electrode facing the semiconductor layer of the electrode; and an electrolyte layer arranged between the semiconductor layer of the electrode and the counter electrode, and the electrolyte layer is composed of a porous support layer having a porosity of 30-80% and the electrolyte filled in the porous support body.例文帳に追加

少なくとも、一方の面上に半導体層が被着された電極と、この電極の前記半導体層と対峙する対電極と、該電極の前記半導体層と対電極との間に配置された電解質層を有する光電変換素子において、前記電解質層を、ポロシティーが３０％〜８０％の多孔質支持体と、該多孔質支持体内に充満された電解液とから構成する。 - 特許庁

The humidification element is formed using a carbon coagulation formed by sequentially laminating graphite particles having different sizes and sequentially forming small air holes at a lower position and large air holes at an upper position, and is a structure which has a thin film of substance that exhibits hydrophilicity on a surface of the graphite particles forming the air holes to thereby enable water absorption, and has a configuration which enables dielectric heating.例文帳に追加

この発明に係る加湿エレメントは、大きさの異なる黒鉛粒子を順次に積層し、下部位置の小さな気孔から上部位置の大きな気孔を順次に形成して成るカーボン凝結体から成る加湿エレメントであって、気孔を成す黒鉛粒子面に親水性を発現する物質の薄膜を備えて吸水を可能とする構造体であり、誘電加熱が可能な構成とするものである。 - 特許庁

With the photoelectric transducer element with comprises an electrode with a sensitizing-dye carrying semiconductor layer on its one surface, a counter electrode facing the semiconductor layer and an electrolyte layer between the above semiconductor layer and the counter electrode, the semiconductor layer and the sensitizing dyes of the above sensitizing-dye carrying semiconductor layer are combined through ether bonding.例文帳に追加

少なくとも、一方の面上に、増感色素担持半導体層が被着された電極と、この電極の前記増感色素担持半導体層と対峙する対電極と、前記電極の増感色素担持半導体層と対電極との間に配設された電解質層とを有する光電変換素子において、前記増感色素担持半導体層における半導体層と増感色素とをエーテル結合を介して結合させる。 - 特許庁

In this production method for a piezoelectric element, when cooling and dicing a wafer 1, with which an electrode 3 composed of Al alloy is formed on a piezoelectric substrate 2 composed of piezoelectric materials, formed by using a halogen containing gas by cooling water, cooling water containing a compound for forming anticorrosion coating on the surface of the electrode composed of Al alloy by reacting with Al is used as cooling water.例文帳に追加

圧電材料よりなる圧電基板２上にＡｌ合金よりなる電極３が形成されており、かつハロゲン元素含有ガスを用いて形成されているウェハー１を、冷却水により冷却しつつダイシングするにあたり、冷却水としてＡｌと反応してＡｌ合金からなる電極表面に防食被膜を形成する化合物が含有されている冷却水を用いる、圧電素子の製造方法。 - 特許庁

The surface acoustic wave element is provided with a silicon substrate 1, a buffer layer 3 formed by epitaxial growth of at least one layer of oxide containing a metal on the silicon substrate 1, a piezoelectric layer 4 consisting of potassium niobate and formed on the buffer layer 3, a silicon oxide layer 5 formed on the piezoelectric layer 4, and an electrode layer 6 formed on the silicon oxide layer 5.例文帳に追加

本発明の表面弾性波素子は、シリコン基板１と、該シリコン基板１上に、金属を含む酸化物を少なくとも一層以上エピタキシャル成長させて形成されたバッファ層３と、該バッファ層３上に形成されたニオブ酸カリウムからなる圧電体層４と、該圧電体層４上に形成された酸化シリコン層５と、該酸化シリコン層５上に形成された電極層６とを備えた構成とされている。 - 特許庁