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surface processの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 9599件
Titanium oxide is compounded with pulp to be stirred along with pulp by a mixer 8 to obtain a photocatalytic pulp composition wherein titanium oxide is fixed to the surface of pulp fibers (photocatalytic pulp composition manufacturing process).例文帳に追加
パルプに酸化チタンを配合してミキサ80により攪拌して、パルプ繊維の表面に酸化チタンが固定された光触媒パルプ組成物を得る(光触媒パルプ組成物の製造工程)。 - 特許庁
If the bottom surface of the pallet supported by the fork 2 contacts with a body 72 in the process of lowering the hoisting and lowering carriage 4, the lowering of the hoisting and lowering carriage 4 is forcibly interrupted.例文帳に追加
また、昇降キャリッジ4が下降する途中で、フォーク2に支持されたパレットの底面が本体部72に接触すると、昇降キャリッジ4の下降が強制的に中断される。 - 特許庁
To provide a CMC article (18) and a process for producing the article to have a layer (22) on its surface that protects a reinforcement material (15) within the article from damage.例文帳に追加
その表面上に物品(18)内の強化材料(15)を損傷から保護する層(22)を有するCMC物品(18)及び該CMC物品(18)を製造する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method of forming a thin film having a thickness of several nm and exhibiting barrier properties for oxygen diffusion, along the inner wall surface of a trench in silicon in STI process.例文帳に追加
STIプロセスにおけるシリコンのトレンチの内壁面に沿って、酸素の拡散に対するバリア性を有する数nm程度の厚みの薄膜を形成する方法を提供する。 - 特許庁
A first gate insulating film 10 comprising a silicon oxide film 11 or a silicon oxide nitride film is formed on the surface of a semiconductor substrate 1, and then the first gate insulating film 10 is subjected to a plasma nitriding process.例文帳に追加
半導体基板1表面に、シリコン酸化膜11又はシリコン酸窒化膜からなる第1ゲート絶縁膜10を形成した後、第1ゲート絶縁膜10をプラズマ窒化処理する。 - 特許庁
To provide a lubricant applying apparatus uniformly and stably coating with lubricant on a moving surface to be coated with the lubricant, a process cartridge provided with it and an image forming apparatus.例文帳に追加
表面移動する潤滑剤被塗布面に、潤滑剤を均一に安定して塗布することができる潤滑剤塗布装置、これを備えたプロセスカートリッジ、及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁
By blending the aforesaid filler the filler sediment in a drying process after varnish coating of a resin 11, thus, the ≥2 μm unevenness is formed on the film surface.例文帳に追加
この充填剤を配合させることにより、樹脂11ワニス塗工後の乾燥工程で充填剤が沈降し、その結果、フィルム表面に2μm以上の凹凸が形成される。 - 特許庁
Normal process treatment is conducted to a bulk wafer 300 of FZ which contains phosphorus, is n-type, and has high specific resistance to form a p-anode layer 301 and an anode electrode 302 on one surface.例文帳に追加
リンを含むn型で高比抵抗のFZのバルクウェハ300にて通常のプロセス処理を行い、一方の表面にpアノード層301、アノード電極302を形成する。 - 特許庁
To form a thin oxide film on the surface, and to prevent contaminants from adhering to a silicon film by carrying out annealing in oxidation atmosphere in a hydrogenation process after amorphous silicon is deposited.例文帳に追加
非晶質シリコン堆積後の脱水素工程において、酸化雰囲気中でアニールすることにより、表面に薄い酸化膜を形成し、汚染物質がシリコン膜に付着するのを防止する。 - 特許庁
The convex spherical pattern of each resist layer is transferred to the surface of the substrate 10 by a reactive ion etching process using CF_4, as an etching gas, for forming a lens.例文帳に追加
このような状態でCF_4をエッチングガスとする反応性イオンエッチング処理により各レジスト層の凸球面状パターンを基板10の表面に転写してレンズを形成する。 - 特許庁
The rustproof sheet is formed by impregnating or coating the surface of the synthetic paper of a composite sheet obtained by laminating a polyethylene film to the synthetic paper manufactured from polyethylenic synthetic pulp by a papermaking process, with a vapor phase inhibitor.例文帳に追加
ポリエチレン系合成パルプを用いて抄造した合成紙にポリエチレンフィルムを積層して得た複合シートの合成紙面に、気化性防錆剤を含浸または塗工してなる防錆シート。 - 特許庁
The semiconductor wafer is formed so as to remove a polyimide film used as a protection film from among various thin films formed on the surface of the chip invalid region in a semiconductor manufacturing process.例文帳に追加
半導体製造工程においてチップ無効領域の表面に形成される各種薄膜の内、保護膜として用いられるポリイミド膜を除去する様に形成してある半導体ウエハ。 - 特許庁
A silicon nitride oxide film 3a and a silicon nitride film 2 after the reduction process are used as a mask to etch the silicon substrate 1, thereby forming the trench on a principal surface of the silicon substrate 1.例文帳に追加
還元処理後のシリコン窒化酸化膜3aとシリコン窒化膜2とをマスクとしてシリコン基板1をエッチングすることにより、シリコン基板1の主表面にトレンチを形成する。 - 特許庁
In the pre-process unit 3, the wafer W is irradiated with ultraviolet rays for decomposition and modification of the least adhesive layer on the surface of resist pattern, enhancing the affinity to adhesive agent of the adhesive tape.例文帳に追加
前処理ユニット3では、ウエハWに紫外線を照射して、レジストパターンの表面の難粘着層を改質・分解して、粘着テープの粘着剤との親和性を高める。 - 特許庁
To provide a developing type antenna reflecting mirror surface structure allowing large improvement in the gain of an antenna and facilitating assembly and adjustability in a matching process.例文帳に追加
アンテナの利得を大きく向上させることができるとともに、整合工程での組立・調整性を容易にすることが可能な展開型アンテナ反射鏡面構造物の提供。 - 特許庁
In addition, the manufacturing process of the capacitor can be simplified by forming the grooves 4a and element separating grooves 4 formed on the surface of a semiconductor substrate 1 in the same step.例文帳に追加
また、前記キャパシタ形成溝4aと半導体基板1の表面に形成された素子分離溝4とを同一の工程で形成することで製造工程を簡略化することができる。 - 特許庁
Thus the substrate G is left under a compressed high pressure gas atmosphere in the process space AS, thereby applying the pressure of the high pressure gas to the surface of a resist liquid film on the substrate G.例文帳に追加
このようにして基板Gが処理空間AS内で圧縮による高圧気体の雰囲気下に置かれることで、基板G上のレジスト液膜の表面に高圧気体の圧力が加わる。 - 特許庁
In a first process, the plating film 3 comprising nickel and phosphor by electroless plating and the plating film 4 comprising nickel by electroplating are formed on the surface of the resistant substrate 1.例文帳に追加
第1の工程は抵抗基体1の表面に無電解めっきによるニッケル及びリンからなるめっき皮膜3と電気めっきによるニッケルからなるめっき皮膜4を形成する。 - 特許庁
To manufacture a laser-engraved printing original plate and a laser-engraved printing plate which can highly accurately control engraving depth of a minute pattern near its surface in a laser engraving process.例文帳に追加
レーザー彫刻工程において表面近傍の微細パターンの彫刻深さを高い精度でコントロール可能なレーザー彫刻印刷原版、及びレーザー彫刻印刷版を製造する。 - 特許庁
A thick insulator region, which is formed by an oxygen-ion injection process, is formed on a surface of a semiconductor substrate under a winding-shaped strip of conductive film configuring an inductance element.例文帳に追加
インダクタンス素子を構成する巻き線状の帯状導電膜の下の半導体基板表面に、酸素のイオン注入法により形成される厚い絶縁領域を形成する。 - 特許庁
The defect-free layer 16 is formed by diffusing oxygen and the oxygen precipitated nucleus to the outside from the surface layer of the wafer 10 through the reduction process of the ion-implanted hydrogen.例文帳に追加
無欠陥層16は、イオン注入された水素の還元作用によりウエハ10の表面層から酸素及び酸素析出核が外方拡散されることによって形成される。 - 特許庁
On the surface of a silicon substrate 100, a silicon oxide film 110 is formed by thermal oxidation process and silver is implanted in the silicon oxide film 110 by negative ion implantation.例文帳に追加
シリコン基板100の表面に、熱酸化工程により、シリコン酸化膜110を形成し、このシリコン酸化膜110中に、負イオン注入法によって銀を注入する。 - 特許庁
To provide a method of rapidly and inexpensively forming porous ceramics formed with a dense ceramic film of high quality having desired film thickness on its surface by using a migration electrodeposition process.例文帳に追加
泳動電着法を用いて、所望の膜厚を有する高品質の緻密なセラミックス膜を表面に製膜させた多孔質セラミックスを迅速かつ安価に作成する方法を提供する。 - 特許庁
To provide a surface mount electrostatic discharge device simple to manufacture and easy to mount on a printed-circuit board manufactured by a laminating ceramic process, and provide its manufacturing method.例文帳に追加
積層セラミック工程により製造することで、製造が容易で印刷回路基板に簡単に実装できる表面実装型静電気放電装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
In the case of the aluminum alloy, the aluminum alloy is subjected to the surface treatment with an acid solution containing metal, ions, such as tervalent iron ions, capable of removing copper (a pretreatment process step).例文帳に追加
アルミニウム合金の場合は、化成処理に先立ち、3価の鉄イオン等の銅を除去可能な金属イオンを含む酸溶液によりアルミニウム合金を表面処理する(前処理工程)。 - 特許庁
Next, the surface of the poly-crystalline silicon thin film is re-crystallized in the sequentially solidifying process using a mask capable of controlling the energy of the laser beam as the slit comprises a diffusion shell.例文帳に追加
次いで、スリットが半透過膜からなってレーザービームのエネルギーを調節することができるマスクを利用した順次的凝固工程で多結晶シリコン薄膜の表面を再結晶化する。 - 特許庁
Prior to the heat treatment process, titanium comprising the titanium film 14 has already been nitrided and changed into titanium nitride, and titanium silicide form will not be formed on the surface of the polysilicon film 12.例文帳に追加
熱処理工程の前に、チタン膜14を構成するチタンは既に窒化されて窒化チタンに変化していると共に、ポリシリコン膜12の表面にはチタンシリサイド層が形成されていない。 - 特許庁
When manufacturing the organic EL device, after forming a pixel electrode 4 comprising an ITO film on an element substrate 2, a surface reforming process applied to the pixel electrode 4 is performed.例文帳に追加
有機EL装置を製造するにあたっては、素子基板2にITO膜からなる画素電極4を形成した後、画素電極4に対する表面改質工程を行う。 - 特許庁
The field plate electrode 44 is not extended onto the gate electrode 30, and in the silicide process, the metal silicide film 64 is formed on the whole of the top surface of the gate electrode 30.例文帳に追加
フィールドプレート電極44はゲート電極30上に延在しておらず、サリサイド工程ではゲート電極30の上面の全面に金属シリサイド膜64が形成される。 - 特許庁
To provide a recording paper conveying roller with a fluororesin tube integrally formed on the outer surface of a core member formed of a thermoplastic resin, without providing a press-in process.例文帳に追加
圧入工程を設けることなく、熱可塑性樹脂からなる芯部材の外周表面にフッ素樹脂製チューブを一体的に形成した記録紙搬送用ローラを提供する。 - 特許庁
The silicon member used for the semiconductor manufacturing process device is provided with a main body made of silicon and a high-purity silicon nitride covering the surface of the main body.例文帳に追加
半導体製造プロセス装置に用いられるシリコン部材であって,シリコン製の本体と、この本体の表面を覆う高純度の珪素窒化物とを備えていることを特徴とする。 - 特許庁
The hardness of the raceway face is made 400 Hv or higher and it is treated with oxidation process and a titanium oxide layer as thick as 20 nm or thicker is formed on the surface.例文帳に追加
β型または(α+β)型のチタン合金製とし、軌道面の硬さをHv400以上とし、酸化処理を行って表面に20nm以上のチタン酸化物層を形成する。 - 特許庁
Moreover, in the method for cleaning the ceramics susceptor 2 having the semiconductor setting surface 2a, a complexing agent to form a complex with the metal atom is used for the cleaning process.例文帳に追加
また、半導体設置面2aを有するセラミック製サセプター2を洗浄する方法であって、金属原子と錯体を形成する錯化剤を用いて洗浄することを特徴とする。 - 特許庁
This metal contamination prevention agent is configured to prevent metal contamination in the neighborhood of the surface of a semiconductor wafer, by making nearly insoluble metal ion contained in the polishing process of a semiconductor wafer.例文帳に追加
本発明に係る金属汚染防止剤は、半導体ウエーハの研磨工程に含まれる金属イオンを難溶性化して半導体ウエーハ表面近傍への金属汚染を防止する。 - 特許庁
In a third process, a semiconductor substrate side surface 23 of the semiconductor apparatus 3a is ground, and the conductive member 15a is exposed from the semiconductor apparatus 3a.例文帳に追加
第3工程では、形成すべき半導体装置3aの半導体基板側表面部23を研削して、形成すべき半導体装置3aから導電部材15aを露出させる。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of an antireflection film in which the surface of an oxide nitride silicon film is irradiated with N2O plasma, and improve throughput of an antireflection film forming process.例文帳に追加
本発明は、N_2Oプラズマを酸化窒化シリコン膜表面に照射する反射防止膜の製造方法を提供し、反射防止膜成膜工程のスループットの向上を目的とする。 - 特許庁
The multilayer overlay is fixed to the polymer structure layer of the multilayer tank by applying pressure and heat in the process of forming the tank, or forming a overlay on the surface of the tank.例文帳に追加
該多層上張りは、タンクの成形中に、そこに圧力と熱を加えることにより、又は、タンク表面にその上張りを成形することにより、多層タンクのポリマー構造層に固定される。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a microlens array having a flat surface using a simple process and to provide a microlens array manufactured by the method and an optical device.例文帳に追加
簡単な工程で平らな表面を有するマイクロレンズアレイを製造する方法及びその方法により製造されるマイクロレンズアレイ並びに光学装置を提供することにある。 - 特許庁
To provide a body surface average added electrocardiogram device capable of automatically analyzing abnormality of a T a wave for expressing a repolarization process being an index of serious illness arrhythmia on an electrocardiogram.例文帳に追加
心電図上の重症不整脈の指標である再分極過程を表現するT波の異常を自動解析することができる体表面平均加算心電図装置を提供する。 - 特許庁
To provide a leg type mobile robot capable of properly moving and controlling the robot while reducing a computing process to recognize the shape of a floor surface by a picked-up image of a camera.例文帳に追加
カメラの撮像画像による床面の形状を認識するための演算処理を軽減しつつ、ロボットの適切な移動制御を行なうことを可能とする脚式移動ロボットを提供する。 - 特許庁
To reduce a degree of modification for a production process to a relatively small level, and to detect a surface of a steel pipe even when a position of the steel pipe is fluctuated.例文帳に追加
製造工程を改造が比較的少なくて済み、鋼管の位置が変動した場合であっても、鋼管表面の検出が可能な表面検査方法及び表面検査装置の提供。 - 特許庁
A masking tape MT is winded around an outer peripheral surface of a region sandwiched by the two reduced-diameter parts 401 including the part to be the central supporting part 413 of the shaft body 40 (b: masking process).例文帳に追加
軸体40の中央支持部413となる部分を含む2つの縮径部401に挟まれた領域の外周面にマスキングテープMTを巻き付ける(b:マスキング工程)。 - 特許庁
To provide a component embedding multi-layer wiring board in which electronic components to be mounted on the surface and the rear face of the wiring board can be manufactured in a one-time connection process, and a manufacturing method therefor.例文帳に追加
配線板の表面および裏面に実装される電子部品を1回の接続工程で製造可能とした部品内蔵多層配線板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
Accordingly, the fixed contact 4 with the protrusion 12 has a narrow contact area with a high surface pressure, thereby contact reliability is enhanced just as roughening by a shot blast process in the prior art.例文帳に追加
因って、突出部12を備えた固定接点12は、接触面積が狭く面圧が高いので、従来からのショットブラスト加工による粗面化と同様に接触信頼性を高くしている。 - 特許庁
A punching plate 130 is provided by being bent as to have a predetermined curvature radius for forming a convex shape from a plasma chamber 2 to a process chamber 3, using a holder 35 and a curved surface holder 131.例文帳に追加
パンチングプレート130をホルダ35及び曲面ホルダ131によりプラズマチャンバ2からプロセスチャンバ3へ向かって凸形状となる所定の曲率半径に湾曲して設けた。 - 特許庁
The uneven structure of the light emission surface is protected by the protection film 7 so as not to be easily damaged in a process for removing the contaminated object CM which is formed in forming the scribe groove ST.例文帳に追加
スクライブ溝STの形成時に形成された汚染物CMを除去する工程では、出射面の凹凸構造は保護膜7により保護されるから損傷されにくい。 - 特許庁
To provide a liquid crystal display device using a diffuse reflection structure which can form a reflecting film which an uneven surface formed through a simple process, and its manufacturing method.例文帳に追加
簡単な工程で凹凸形状の表面を有する反射膜を形成することのできる拡散反射構造体を用いた液晶表示装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a semiconductor which can improve a uniformity of a plated film surface when applied to a film forming process for a substrate with a large diameter, and to provide an equipment for manufacturing a semiconductor.例文帳に追加
大口径基板のメッキ形成工程に適用して面内メッキ均一性を向上することが可能な半導体製造方法および半導体製造装置を提供すること。 - 特許庁
Surface treatment of a formed product 3 in an after-treatment process is accelerated by utilizing accumulated heat of the formed product 3 just after molten light metal is supplied into a mold 2 to form the product.例文帳に追加
溶融した軽金属を金型2内に供給して得られた成形直後の成形品3の蓄熱を利用して、後処理工程である成形品3の表面処理を加速する。 - 特許庁
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