「surface spin」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

On the peripheral edge part of the upper surface of a wafer W held by a spin chuck 4, a first guide plate 23 and a second guide plate 33 are disposed facing each other.例文帳に追加

スピンチャック４に保持されたウエハＷの上面の周縁部上に、第１案内プレート２３および第２案内プレート３３が対向配置される。 - 特許庁

A recording layer is formed by applying a solvent soln. of a phthalocyanine dye by spin coating on the surface of a polycarbonate substrate having a projected and recessed pattern of guide grooves.例文帳に追加

案内溝凸凹パターンを有するポリカーボネート基板の表面に、フタロシアニン色素の溶媒溶液をスピンコートすることにより記録層を設けた。 - 特許庁

The intensity of the scattered ions from a sample is measured by the spin of an incident ion species and the surface magnetic structure of the sample is analyzed on the basis of the measuring data.例文帳に追加

試料から散乱した散乱イオン強度を入射イオン種のスピン別に計測し、その計測データにより試料表面の磁気構造を解析する。 - 特許庁

An overall surface of a top including a surface contacted with a semiconductor wafer of the spin chuck 1 made of the resin is covered with a DLC thin film having a hardness smaller than that of the wafer.例文帳に追加

樹脂製スピンチャック１の半導体ウエハと接触する面を含んだトップ面全面に、ウエハの硬度より小さい硬度を有するＤＬＣ薄膜のコーティングを施したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a spin treatment apparatus in which the occurrence of stain on the back surface of a substrate caused by a treatment liquid stuck and remaining on the head in the drying of the back surface of substrate is prevented.例文帳に追加

この発明は、基板の下面を乾燥処理する際に、ヘッドに付着残留する処理液によって基板の下面にしみが生じるのを防止できるスピン処理装置を提供することにある。 - 特許庁

Therefore, the opposed surface of the spin base 5 can be washed and the contamination of the under surface of the substrate W can be prevented without performing drying treatment in a contaminated atmosphere of the chemical soln. contained in the washing soln.例文帳に追加

したがって、スピンベース５の対向面を洗浄でき、洗浄液に含まれる薬液の汚染雰囲気中で乾燥処理を行うことなく、基板Ｗの下面が汚染されることを防止できる - 特許庁

This substrate treatment apparatus has an SPM nozzle 12 for supplying SPM as a resist peel-off liquid to the surface of a wafer W held with a spin chuck 11 and a two-fluid nozzle 13 for supplying a mixture fluid obtained by mixing the organic solvent and nitrogen gas to the surface of the wafer W held with the spin chuck 11.例文帳に追加

スピンチャック１１に保持されたウエハＷの表面にレジスト剥離液としてのＳＰＭを供給するためのＳＰＭノズル１２と、スピンチャック１１に保持されたウエハＷの表面に有機溶剤と窒素ガスとを混合して得られる混合流体を供給するための二流体ノズル１３とが備えられている。 - 特許庁

According to this manufacturing method, in the spin coating step (C) of spreading an ultraviolet curing resin (44) on a disk substrate (41) by rotating a spin table (2) at a high speed, the ultraviolet curing resin spread to the peripheral edge of the disk substrate is coated up to the peripheral end surface of the disk substrate by an end surface coating means.例文帳に追加

本発明の製造方法では、スピンテーブル（２）を高速回転させてディスク基板（４１）上に紫外線硬化樹脂（４４）を拡がらせるスピンコーティング工程（Ｃ）の際に、ディスク基板の周縁部にまで拡がってきた紫外線硬化樹脂を端面塗布手段によってディスク基板の周端面にまで塗布する。 - 特許庁

This resist peeling apparatus is equipped with a spin chuck 1 which rotates while holding a substrate S nearly horizontally, a nozzle 2 for supplying sulfuric acid to the surface of the substrate S, and a soft spray nozzle 3 for supplying a jet of droplets of oxygenated water to the surface of the substrate S held by the spin chuck 1.例文帳に追加

このレジスト剥離装置は、基板Ｓをほぼ水平に保持して回転するスピンチャック１と、このスピンチャック１に保持された基板Ｓの表面に硫酸を供給するためのノズル２と、スピンチャック１に保持された基板Ｓの表面に過酸化水素水の液滴の噴流を供給するためのソフトスプレーノズル３とを備えている。 - 特許庁

In the sheet one-surface etching stage, a spin etching device 30 is used to discharge gas (air) 31 toward the reverse surface 21b of the diffused wafer, and the gas (air) 31 is so controlled that the etchant 32 dripped on the surface 21a of the diffused wafer penetrates a beveled part 23 of the reverse surface 21b.例文帳に追加

枚葉片面エッチング工程では、スピンエッチング装置３０を用いて、拡散ウェーハの裏面２１ｂ側に向けて、ガス（エア）３１が吐出され、拡散ウェーハの表面２１ａに向けて滴下されたエッチング液３２が裏面２１ｂの面取り部２３に浸透するように、ガス（エア）３１が制御される。 - 特許庁

This substrate treatment equipment includes a cylindrical chamber 1, a spin base 2 which is arranged in the chamber 1, has an upper surface 2a and is rotated while holding a wafer W almost horizontally, and a collection cup 3 which is arranged so as to surround the spin base 2 in a plan view.例文帳に追加

この基板処理装置は、筒状のチャンバ１と、その内部に配され上面２ａを有してウエハＷをほぼ水平に保持して回転するスピンベース２と、平面視においてスピンベース２を取り囲むように配された回収カップ３とを含んでいる。 - 特許庁

The substrate processing apparatus is provided with a spin chuck 1 for rotating a wafer W by holding it almost in the horizontal state, a first chemical liquid as the processing liquid for the front surface of the wafer W held with this spin chuck 1, and a moving nozzle 2 for supplying a second chemical liquid and the pure water.例文帳に追加

ウエハＷをほぼ水平に保持して回転させるためのスピンチャック１と、このスピンチャック１に保持されたウエハＷの表面に処理液としての第１薬液、第２薬液および純水を供給するための移動ノズル２とが備えられている。 - 特許庁

To realize a method for manufacturing an inexpensive high quality single crystal insulating iron oxide film which has a flat and smooth surface and is free from the deterioration in the characteristics caused by N_2 or the like, and with which high efficiency spin injection is possible even in a coherent tunnel mechanism of a spin filter-type tunnel magnetoresistance element.例文帳に追加

平滑面を有し、Ｎ_２等により特性が劣化されていない、スピンフィルタ型トンネル磁気抵抗素子のコヒーレントトンネル機構でも高効率なスピン注入が可能な、安価で高品質の単結晶絶縁酸化鉄膜の作製方法を実現する。 - 特許庁

A first development liquid 5 is dropped onto a resist film 2, that is formed on the surface of a semiconductor substrate 1 which is mounted to a spin chuck 3, and is retained on the surface of resist utilizing surface tension, thus performing the development of the resist film 2.例文帳に追加

スピンチャック３に搭載した半導体基板１の表面に形成されたレジスト膜２に第１の現像液５を滴下し、表面張力を利用して第１の現像液５をレジスト膜の表面に保持して、レジスト膜２の現像を行う。 - 特許庁

The high-temperature SPM flowing through the flow passage 411 for SPM is discharged toward the bottom surface of a wafer W held by a spin chuck 1 from a discharge port 421 provided in the vicinity of the center of the bottom surface of the wafer W.例文帳に追加

ＳＰＭ流路４１１を流れる高温のＳＰＭは、スピンチャック１に保持されているウエハＷの下面中央に近接した位置に設けられた吐出口４２１からウエハＷの下面に向けて吐出される。 - 特許庁

Consequently, the rinse liquid on the substrate surface Wf is replaced with the high-temperature IPA liquid with high replacement efficiency to suppress the amount of a rinse liquid remaining on the substrate surface Wf small before spin drying processing.例文帳に追加

このため、基板表面Ｗｆ上のリンス液が高い置換効率で高温ＩＰＡ液に置換されてスピン乾燥処理前に基板表面Ｗｆ上に残存するリンス液の量を抑制することができる。 - 特許庁

To process a substrate without allowing dust to be stuck thereon in equipment in which a processing liquid is applied to the surface of the substrate held by a mechanical spin chuck while rotating the substrate.例文帳に追加

メカ式スピンチャックで保持した基板表面へ処理液を供給し回転させて処理する装置において、基板に粉塵が付着しないように処理できる。 - 特許庁

The rotary shaft 5 of the spin table 4 is supported so that the inner circumferential surface is rotatable around a supporting shaft 3 provided on a main body frame 2 through a pair of the bearings 6, 7.例文帳に追加

スピンテーブル４の円筒状の回転軸５は、その内周面が本体フレーム２に設けた支持軸３に一対の軸受６,７を介して回転可能に支持されている。 - 特許庁

To conduct spin detection without generating magnetic interaction between a sample and a probe, and to prevent the probe from being damaged even in the sample having a surface of sharp uneveness.例文帳に追加

試料と探針との磁気的相互作用なしにスピン検出を行うことができ、且つ表面凹凸が激しい試料に対しても探針の破損を防止できる。 - 特許庁

The lipophilic solution for forming the luminescent layer is not repelled because of the lipophilic function of the water repellent lipophilic layer 31, and is applied to the surface by the spin coat method, inclusive of the top side of the barrier rib 7.例文帳に追加

油性の発光層の溶液は、撥水親油層３１の親油機能によりはじかれることなく、スピンコート法により、隔壁７の上面も含めて塗布される。 - 特許庁

The positive electrode buffer layer is formed by using an organic polymer (as a suitable example, PEDOT is used) and only by spin-coating the organic polymer on the surface of a positive electrode.例文帳に追加

陽極バッファー層として、有機高分子、好適例としてはＰＥＤＯＴを用いることにより、陽極表面にスピンコートするだけで陽極バッファー層を形成する。 - 特許庁

To uniformly apply a coating liquid on the surface of a substrate while decreasing the quantity of the coating liquid to be applied in the application of the coating liquid on the substrate using a spin coating method.例文帳に追加

スピン塗布法を用いて塗布液を基板に塗布する場合において、塗布液の塗布量を少量にしつつ、塗布液を基板面内に均一に塗布する。 - 特許庁

The spin cup 12 is provided with a rotation plate 14 integrally and rotatably fixed to an upper end of a rotation shaft 13 and a chuck part 14a is formed at a center of an upper surface of the rotation plate 14.例文帳に追加

スピンカップ12は、回転軸13の上端に一体回転可能に固定された回転板14を備え、回転板14の上面中央にチャック部14ａが形成されている。 - 特許庁

The obtained coating film is extremely flat over the whole surface, and such an annular protruding part of the outer circumference that is formed by the spin coating method is not formed.例文帳に追加

得られた塗膜は全面に渡って極めて平坦であり、スピン塗布法により形成したときに形成されるような外周部の環状の突出部は形成されない。 - 特許庁

And, the substrate W is horizontally supported in the separated state for a predetermined interval from the spin base 5 facing a lower surface of the substrate W by means of the plural supporting sections 7.例文帳に追加

そして、複数個の支持部７によって基板Ｗの下面と対向するスピンベース５から所定の間隔離間させた状態で基板Ｗが水平に支持されている。 - 特許庁

(β) When hitting a ball spinning clockwise, i.e., curving to the right, hit the ball at the left side by the part near the corner of the face surface of the head section on the opposite side to provide a clockwise spin to the ball.例文帳に追加

（イ）右回転・右カーブするボールを打つ場合は、ヘッド部フェイス面の向かい側の角に近い部分で、ボールの左側部分を打ち、ボールに右回転をあたえる。 - 特許庁

A projection-shaped support 62a is provided radially on the upper surface of the spin chuck 61, and the other parts form a suction 62b leading to the main suction port 63.例文帳に追加

スピンチャック６１の上面には，突状の支持部６２ａが放射状に設けられており，それ以外の部分は主吸引口６３に通じる吸引部６２ｂをなしている。 - 特許庁

Consequently, the substrate W is pressed against the support pins 310 with the gas supplied to its upper surface side at the predetermined angle to be reliably held over the spin base 30.例文帳に追加

これにより、基板Ｗはその上面側に所定の角度で供給されるガスによって、支持ピン３１０に押圧されて確実にスピンベース３０に保持される。 - 特許庁

The cleaning process is performed by supplying a cleaning solution from a cleaning solution supply nozzle 63 to the surface of a semiconductor wafer W which is held to rotate with a spin chuck 62.例文帳に追加

スピンチャック６２によって回転可能に保持される半導体ウエハＷの表面に洗浄液供給ノズル６３から洗浄液を供給して洗浄処理を施す。 - 特許庁

A shielding plate 2 is located while facing an upper surface of a wafer W held by a spin chuck 1 and further, a splash guard 6 is located to surround the wafer W.例文帳に追加

スピンチャック１に保持されたウエハＷの上面に対向して、遮断板２が配置され、さらにウエハＷを取り囲むようにスプラッシュガード６が配置されている。 - 特許庁

To prevent a coating liquid from sneaking to the rear surface of a substrate with a simple structure while maintaining an atmospheric concentration so as not to change with a spin coating system for deposition on both sides.例文帳に追加

両面成膜用スピンコート装置に関し、簡易的な構造でかつ雰囲気濃度を変えないようにしながら、基板裏面への塗布液の回り込みを防止する。 - 特許庁

(α) When hitting a ball spinning counterclockwise, i.e., curving to the left, hit the ball at the right side by the part near the corner of the face surface of the head section nearer to the body to provide a counterclockwise spin to the ball.例文帳に追加

（ア）左回転・左カーブするボールを打つ場合は、ヘッド部フェイス面の手前側の角に近い部分で、ボールの右側部分を打ち、ボールに左回転をあたえる。 - 特許庁

The washing/spin drying tub 4 in which the wash is housed is freely rotatably included in a water receiving tub 22 and to the bottom surface of the water receiving tub 22 a ring 23 made of copper is attached.例文帳に追加

洗濯物を収容する洗濯兼脱水槽４を水受け槽２２内に回転自在に内包し、水受け槽２２の底面に銅製のリング２３を取り付ける。 - 特許庁

As a result, the spin table 4 is rotated with a substrate 8, a coating liquid applied on the substrate 8 is spread by the centrifugal force to be applied on the whole upper surface of the substrate 8.例文帳に追加

これにより、スピンテーブル４が基板８とともに回転し、基板８上に塗布されたコーティング液が遠心力で拡がり、基板８の上面全体に塗布される。 - 特許庁

The splash guard 6 includes an annular upper wall portion 45 covering the entire edge of the expansion surface 61 from above outside the substrate W held by the spin chuck 3.例文帳に追加

また、スプラッシュガード６は、スピンチャック３に保持された基板Ｗの外方において、拡張面６１の全周縁部を上方から覆う環状の上壁部４５を有している。 - 特許庁

Then a liquid of dissolving poly(3-hexylthiophene) into chloroform is spin-coated to the surface of the substrate 11, which is thereafter dried to form a material layer (organic semiconductor layer) 17.例文帳に追加

次に、基板１１の表面に、ポリ３ヘキシルチオフェンをクロロホルムに溶解した液体をスピンコートし、その後、乾燥することで材料層（有機半導体層）１７を形成する。 - 特許庁

The treating liquid S flowing along the undersurface 30 of the spin chuck 1 drops from the lower edge 6c of the edge 6 and is discharged along the inner surface of the cup 5 for preventing scattering.例文帳に追加

スピンチャック１の下面３０に沿って流れてきた処理液Ｓは縁６の下縁６ｃで落下して、そのまま飛散防止カップ５の内面に沿って排出される。 - 特許庁

Secondly, the coating agent is applied on the surface of a substrate 3 by a spin-coating method, dried and heated at a temperature of 400-600°C to form the photocatalyst coating film 1.例文帳に追加

次に、そのコーティング剤を基材３の表面にスピンコート法により塗布、乾燥し、４００〜６００℃の温度に加熱することで、光触媒塗膜１を形成する。 - 特許庁

A wafer W is held horizontally by a spin chuck 1, and an SPM (sulfuric acid/hydrogen peroxide mixture) liquid is supplied onto the surface of the wafer W from a nozzle 2.例文帳に追加

スピンチャック１によってウエハＷを水平に保持し、そのウエハＷを回転させながら、ノズル２からウエハＷの表面にＳＰＭ（sulfuric acid／hydrogen peroxide mixture）液を供給する。 - 特許庁

The nozzle 3 supplies the treatment liquid along a treatment liquid supplying direction that is inclined with respect to a normal on the upper surface of the wafer W held by the spin chuck 2.例文帳に追加

ノズル３は、スピンチャック２に保持されたウエハＷの上面に対して、その法線に対して傾斜した処理液供給方向に沿って処理液を供給する。 - 特許庁

In wash-treatment sections 5a-5d, ozone water is supplied onto the surface of the substrate W being held and rotated by a spin chuck 21 from a nozzle 50 for oxidation treatment.例文帳に追加

洗浄処理部５ａ〜５ｄにおいて、スピンチャック２１に保持された状態で回転する基板Ｗ表面に酸化処理用ノズル５０からオゾン水が供給される。 - 特許庁

Since the photoresist does not have to be spin coated onto the substrate, very thick photoresist layers can be used while the thickness uniformity is determined by the substrate surface.例文帳に追加

フォトレジストが基板上にスピンコートされる必要はないので、非常に薄いフォトレジスト層が用いられることができ、他方厚さの均一性が基板表面によって決定される。 - 特許庁

To provide a spin washing device eliminating loss of treating liquid to the rear face of a substrate, and lowering possibility of having adverse affect on treatment of a front surface of the substrate.例文帳に追加

基板裏面に対する処理液の無駄をはぶき、かつ、基板表面の処理に悪影響をおよぼす恐れを低減するスピン洗浄装置の提供を目的とする。 - 特許庁

The surface of a substrate is spin coated with an organic metal decomposition (MOD) solution raw material by using, for example, an MOD process and the coating is dried, by which the dry film is formed.例文帳に追加

例えば、有機金属分解（ＭＯＤ）法を用いて、基板上にＰＬＺＴを得られるＭＯＤ溶液原料をスピンコートし、乾燥させて乾燥膜とする。 - 特許庁

To provide an organic transistor having an organic semiconductor layer formed by a coating method, such as a spin coating method and a printing method, on a water-repellent surface, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

疎水性表面へスピンコート法や印刷法といった塗布法によって有機半導体層を形成した有機トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁