「thin-layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(145ページ目) - Weblio英語例文検索

An antireflection film comprises plural layers, at least one layer of which is an optical thin film composed of a structure having plural fine tubular spaces, and all tubular spaces of the optical thin film are arranged in parallel in tangential plane vertical direction of a substrate.例文帳に追加

複数の層からなる反射防止膜であって、該複数層のうち少なくとも一層が、複数の微細な管状空間を有する構造体からなる光学薄膜であって、前記光学薄膜が有する全ての管状空間が基板の接平面垂直方向において平行に配列されていることを特徴とする構成とした。 - 特許庁

In the polysiloxane thin film transfer sheet having a construction which laminates a polysiloxane thin film layer on a plastic sheet having a releasing surface or on a glass sheet having a releasing surface, the ten-point average roughness Rz on the releasing surface of the plastic sheet or the glass sheet is set to 0.5 μm or less.例文帳に追加

離型性表面を備えたプラスチックシート或いは離型性表面を備えたガラスシート上に、ポリシロキサン薄膜層を積層してなる構成を備えたポリシロキサン薄膜転写用シートにおいて、プラスチックシート又はガラスシートの離型性表面の１０点平均粗さＲｚを０．５μｍ以下とする。 - 特許庁

To obtain a polycrystalline thin film B excellent in crystal orientational property, particularly a stable polycrystalline thin film B increased in chemical reaction stability and free from disturbances in crystal orientational property even in heating treatment at a high temperature, etc., and to obtain an oxide superconductor having an excellent oxide superconducting layer with high critical current density.例文帳に追加

結晶配向性に優れた多結晶薄膜Ｂ、特に、化学反応安定性が高く、高温等の加熱処理においても、結晶配向性が乱れることのない安定な多結晶薄膜Ｂを得、優れた臨界電流密度の高い酸化物超電導層を備えた酸化物超電導導体を得る。 - 特許庁

This thin-film electric part is provided with a thin-film element 3 having an insulator layer 5 and electrode layers 6 and 7 which are formed on supporting members 1 and 21, and the supporting members 1 and 21 is formed of a silicon nitride film transmitting a visible light or a silicon nitride film 25 transmitting a visible light in a visible light transmitting base 23.例文帳に追加

支持部材１、２１上に、絶縁体層５と電極層６、７とを有する薄膜素子３が形成された薄膜電子部品であって、支持部材１、２１が、可視光を透過する窒化珪素膜、もしくは可視光透過基体２３に可視光を透過する窒化珪素膜２５を形成してなるものである。 - 特許庁

A frequency output from an oscillator 31 constituted of an nMOS type thin film transistor and pMOS type thin film transistor provided with detection capacitance having a layer structure similar to that of an auxiliary capacitance 21 is detected, and the potential amplitude of a power supply line Y connected to the auxiliary capacitance 21 is adjusted based on the detected frequency.例文帳に追加

補助容量２１と同様の層構造の検出用容量を備えたｎＭＯＳ型薄膜トランジスタ及びｐＭＯＳ型薄膜トランジスタで構成された発振機３１から出力される周波数を検出し、この周波数に基づいて補助容量２１に接続された電源配線Ｙの電位振幅を調整する。 - 特許庁

To thin a light-shielding layer (i.e., to thin a light-shielding film and a transfer pattern) necessary for generations of DRAM half-pitch (hp) 45 nm and after in a semiconductor design rule, especially for a generation of hp 32-22 nm, as to a photomask blank to be used for manufacturing a photomask for ArF eximer laser exposure.例文帳に追加

ＡｒＦエキシマレーザー露光用フォトマスクを作製するために用いられるフォトマスクブランクに関し、半導体デザインルールにおけるＤＲＡＭハーフピッチ（ｈｐ）４５ｎｍ以降の世代、特にｈｐ３２−２２ｎｍ世代に必要な遮光層の薄膜化（ひいては遮光膜、転写パターンの薄膜化）を目的とする。 - 特許庁

The thin-film transistor having LDD/offset regions to be provided is constituted such that a "primary" grain boundary of the polysilicon base layer is not positioned in the LDD/offset regions, thereby a thin-film transistor having excellent electrical characteristics such as leakage current characteristics is provided.例文帳に追加

ＬＤＤ/オフセト領域を具備している薄膜トランジスターに関するもので、前記ＬＤＤ/オフセット領域ではポリシリコン基板の“プライマリー”結晶粒境界が位置してないことを特徴とする薄膜トランジスターを提供することによって、漏洩電流特性等の電気的特性が優れる薄膜トランジスターを提供することができる。 - 特許庁

A thin-film magnetic head is provided with first and second magnetic layers 8 and 14, a connection 12 for magnetically connecting the magnetic layers 8 and 14 at a position apart from a medium opposite surface ABS, a gap layer 9 placed between the magnetic layers 8 and 14, and a thin-film coil 10 partially placed between the magnetic layers 8 and 14.例文帳に追加

薄膜磁気ヘッドは、第１および第２の磁性層８，１４と、媒体対向面ＡＢＳから離れた位置において磁性層８，１４を磁気的に連結する連結部１２と、磁性層８，１４の間に設けられたギャップ層９と、一部が磁性層８，１４の間に設けられた薄膜コイル１０を備えている。 - 特許庁

In the gas-barrier film, at least one thin mixed layer containing a mixture including ZnS and an inorganic oxide or a metal oxide as a main component is formed on at least one side of a polymer film base material, and at least one resin layer is laminated on the thin mixed film layer.例文帳に追加

高分子フィルム基材の片面または両面に、ZnSおよび、無機酸化物または金属酸化物からなる混合物を主成分とした混合薄膜層が少なくとも１層形成されてなり、さらに前記混合薄膜層上に樹脂層が少なくとも１層積層されたガスバリア性フィルムであって、前記ZnSをM、前記酸化物をＬとして表記する場合、前記混合薄膜層の組成比は（式１）の範囲であり、かつ混合薄膜層の膜厚が５nm以上、５００nm以下の範囲で形成されたことを特徴とするガスバリア性フィルム。 - 特許庁

The organic thin-film solar cell comprises: a substrate; the mesh electrode disposed so as to be buried in grooves formed in the substrate; a conductive polymer layer, formed at least in an aperture area of the mesh electrode, capable of transporting holes; a photoelectric conversion layer formed on the conductive polymer layer; and a counter electrode formed on the photoelectric conversion layer.例文帳に追加

本発明は、基板と、上記基板に形成された溝部に埋め込まれるように配置されたメッシュ電極と、少なくとも上記メッシュ電極の開口部に形成され、正孔を輸送しうる導電性高分子層と、上記導電性高分子層の上に形成された光電変換層と、上記光電変換層上に形成された対向電極とを有することを特徴とする有機薄膜太陽電池を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

In a p-type GaN semiconductor thin-film electrode for ohmic contact including a first electrode layer and a second electrode layer laminated in order on a p-type GaN semiconductor layer, the first electrode layer may include a Ni, Cu or Co-based alloy or solid solution which can form p-type thermoelectric oxide, or Ni oxide in which at least any one component selected from Al, Ga and In is doped.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ半導体層上に順次に積層された第１電極層および第２電極層を含むｐ型ＧａＮ半導体のオーム接触用薄膜電極の、前記第１電極層は、ｐ型熱電酸化物を形成できるＮｉ、ＣｕもしくはＣｏ系の合金または固溶体を含むか、またはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうち選択された少なくとも何れか一つの成分がドーピングされたＮｉ酸化物を含みうる。 - 特許庁

To enhance photoelectric conversion efficiency and reliability by making an electrolyte layer thin and uniform, enhancing conversion efficiency and reliability, and further, by enlarging a volume of electrolyte, since a thickness of the electrolyte layer hitherto decided by gaps between two substrates is decided by a thickness of a permeating layer retaining electrolyte solution independent of the gaps, by integrally laminating each layer on a sheet of conductive first substrate.例文帳に追加

１枚の導電性の第１の基板上に各層を一体的に積層することにより、従来２枚の基板間の隙間で決定されていた電解質層の厚みが、その隙間に依存せずに電解質の溶液を保持した浸透層の厚みで決まるので、電解質層を薄くかつ均一化して、変換効率及び信頼性を高め、さらに電解質の体積を大きくするによって、光電変換効率及び信頼性を高めること。 - 特許庁

To enhance photoelectric conversion efficiency and reliability by making an electrolyte layer thin and uniform, enhancing conversion efficiency and reliability, and further, by enlarging a volume of electrolyte, since a thickness of the electrolyte layer hitherto decided by gaps between two substrates is decided by a thickness of a permeating layer retaining electrolyte solution independent of the gaps, by integrally laminating each layer on a sheet of insulating first substrate.例文帳に追加

１枚の絶縁性の第１の基板上に各層を一体的に積層することにより、従来２枚の基板間の隙間で決定されていた電解質層の厚みが、その隙間に依存せずに電解質の溶液を保持した浸透層の厚みで決まるので、電解質層を薄くかつ均一化して、変換効率及び信頼性を高め、さらに電解質の体積を大きくするによって、光電変換効率及び信頼性を高めること。 - 特許庁

When a GaN crystal is grown on an AlN layer after sequentially forming an SiC layer and the AlN layer on an Si substrate 12 by a chemical vapor deposition method, the Si substrate 12 having a nitride semiconductor thin film is manufactured by generating nitrogen-based radical by blowing ammonia gas onto a heated mesh-shaped tungsten catalyst 14 and growing the GaN crystal by reacting the generated radical and an organic gallium compound on the AlN layer.例文帳に追加

化学気相成長法によりＳｉ基板１２上にＳｉＣ層及びＡｌＮ層を順次形成した後に、ＡｌＮ層上にＧａＮ結晶を成長させる際に、加熱したメッシュ状タングステン触媒１４にアンモニアガスを吹付けて窒素系ラジカルを生成させ、ＡｌＮ層上で有機ガリウム化合物と反応させてＧａＮ結晶を成長させることにより窒化物半導体薄膜を有するＳｉ基板１２を製造する。 - 特許庁

The magnetic recording medium 10 is successively formed with a magnetic layer 2 consisting of a thin ferromagnetic metallic film and a carbon protective film 3 on a nonmagnetic support 1, in which a prescribed lubricant is formed on the carbon protective layer 3 by treating the surface of the protective layer 3 by any of aromatic amine, aromatic alcohol or irradiation with UV rays.例文帳に追加

非磁性支持体１上に、強磁性金属薄膜よりなる磁性層２、カーボン保護膜３が順次形成されて成る磁気記録媒体１０において、カーボン保護層３表面を芳香族アミン、芳香族アルコール、あるいは紫外線照射のいずれかにより処理を施し、保護層３上に所定の潤滑剤が保持されて成る磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

Relating to the antireflection film or sheet obtained by laminating a hard coat layer and an antireflection thin film layer consisting essentially of a metal alkoxide and its hydrolyzate on at least one face of a substrate, the elastic modulus of the hard coat layer under its breaking strain or below is set in the range of 0.7-5.5 GPa.例文帳に追加

基材の少なくとも一方の面に、ハードコート被膜層と金属アルコキシドおよびその加水分解物を主成分とする反射防止薄膜層を積層してなる反射防止フィルム若しくはシートに於いて、上記ハードコート層の破壊歪み以下での弾性率が０．７ＧＰａから５．５ＧＰａの範囲で設定されていることを特徴とする反射防止フィルムもしくはシートを提供する。 - 特許庁

In the strong adhesive gas barrier transparent film in which at least a transparent inorganic thin film layer is laminated via a transparent primer layer onto at least one side of a thermoplastic polymer film, the transparent primer layer is characterized in that existence of C, N, O, and Si is confirmed by ESCA analysis (analysis conditions: X-ray source monochrome AlKα, X-ray output 30 W).例文帳に追加

熱可塑性高分子フィルムの少なくとも片面に、透明プライマー層を介して透明無機薄膜層が少なくとも積層されている強密着ガスバリア透明フィルムであって、透明プライマー層は、ＥＳＣＡ分析（分析条件：Ｘ線源モノクロＡｌＫα、Ｘ線出力３０Ｗ）により、Ｃ、Ｎ、Ｏ、Ｓｉの存在が確認されるものであることを特徴とする。 - 特許庁

A ferromagnetic metallic thin film is formed as a magnetic layer 2 on a nonmagnetic base 1 and a protective film 3 is formed as the outermost layer on this magnetic layer.例文帳に追加

非磁性支持体１上に少なくとも磁性層２を形成し、最外層となる保護膜３に、末端にカルボキシル基を有する二官能パーフルオロポリエーテルとアミンの化合物、或いは末端にカルボキシル基を有するパーフルオロポリエーテルとアミンの化合物、或いは末端にカルボキシル基を有するパーフルオロポリエーテルとジアミンの化合物の３種類の化合物のうちの１種類と、パーフルオロカルボン酸エステルを含有する潤滑剤を保持させる。 - 特許庁

To provide a flexible photoelectric conversion element thin film solar cell that secures a sufficient supply amount of alkali metal to a photoelectric conversion layer, enhances conversion efficiency, is lightweight, superior in insulation and adhesion between an insulating layer and a layer formed thereupon, and has an excellent breakdown voltage; and to provide a method of manufacturing the photoelectric conversion element.例文帳に追加

光電変換層へのアルカリ金属の供給量を十分に確保することができ、光電変換効率を高めることができ軽量で絶縁性に優れかつ絶縁層とその上に形成される層との密着性に優れ好適な耐電圧特性を持つフレキシブルな光電変換素子薄膜太陽電池および光電変換素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

The external connection electrode 20 is formed on the wiring layer 14, which has an increased area in contact with a protective film 18 covering the wiring layer 14 since the thickness of a part of the wiring layer 14 between the projection electrode 16 and external connection electrode 20, where the external connection electrode 20 is formed, is thin, thereby preventing the protective film 18 from peeling.例文帳に追加

その配線層１４には外部接続電極２０が形成されており、配線層１４は、その外部接続電極２０を形成した箇所の厚みが、突起電極１６と外部接続電極２０との間の配線層１４の厚みが薄いことにより、配線層１４を覆う保護膜１８との接触面積が増大するため、保護膜１８の剥離を防止できる。 - 特許庁

The component mounting part is configured so that a thin-layer part formed by pressing the interior base member in a thickness direction is bent to the side of the second skin layer 12 and is in contact with a surface on the second skin layer 12 side (preferably, the laminated surface is fused).例文帳に追加

）と、この内装基材に設けられた部品取付部に取り付けられた部品５と、を備える車両用部品取付構造であり、部品取付部は、内装基材が厚さ方向に押圧されて形成された薄層部が、第２スキン層１２の側に折り曲げられて、第２スキン層１２の側の表面と接するようにして設けられ（積層面は融着されていることが好ましい。 - 特許庁

In the magnetic recording medium in which a long polymer film substrate or a polymer flexible substrate is formed, an underlayer having <10 nm film thickness is formed on the substrate, and a magnetic layer which comprises the spinel iron oxide thin film composed essentially of maghemite is formed on the under layer, the magnetic recording layer has ≥159 kA/m (2,000 Oe) coercive force.例文帳に追加

長尺状の高分子フィルム基体又は高分子フレキシブル基体と、該基体上に膜厚が１０ｎｍ未満の下地層を形成し、該下地層上に形成されたマグヘマイトを主成分とするスピネル酸化鉄薄膜からなる磁気記録層を用いた磁気記録媒体において、前記磁気記録層の保磁力が１５９ｋＡ／ｍ（２０００Ｏｅ）以上である磁気記録媒体である。 - 特許庁

The method for manufacturing the organic thin film transistor element comprises steps of forming a gate electrode and a gate insulating film on a surface of a substrate, forming on the gate insulating film a layer comprising a precursor of acenes which has at least one radial that can be separated by protonation, and converting the precursor of acenes to acenes by heating the layer to obtain the organic semiconductor layer.例文帳に追加

基板の表面に、ゲート電極及びゲート絶縁膜を形成した後、該ゲート絶縁膜の上に、プロトネートにより脱離し得る基を少なくとも一つ有するアセン類前駆体を含有する層を形成した後、該層を加熱することにより該アセン類前駆体をアセン類に変換し有機半導体層とすることを特徴とする有機薄膜トランジスタ素子の製造方法。 - 特許庁

To provide a developing device capable of preventing toner from being melted on a layer thickness regulating roller and a developing roller even in the case of using the toner whose melting point and glass transition temperature are low and capable of performing excellent development with little secular change as a developing device for forming a specified toner thin layer by bringing the layer thickness regulating roller into contact with the developing roller.例文帳に追加

現像ローラに対して層厚規制ローラを接触させて所定のトナー薄層を形成する現像装置において、融点やガラス転移温度の低いトナーを使用した場合においても層厚規制ローラや現像ローラへのトナーの融着を防止することができ、また、経時変化の少ない良好な現像を行うことができる現像装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

The device achieves high bandwidth by utilizing a buried insulating layer to isolate carriers generated in the underlying substrate, high quantum efficiency over a broad spectrum by utilizing the Ge absorbing layer, low voltage operation by utilizing a thin absorbing layer and narrow electrode spacings, and compatibility with CMOS devices by virtue of its planar structure and use of the group IV absorbing material.例文帳に追加

本デバイスは、下の基板で生成されたキャリアを分離するために埋込み絶縁物を利用して高帯域幅を、Ｇｅ吸収層を利用して広いスペクトルにわたった高量子効率を、薄い吸収層および狭い電極間隔を利用して低電圧動作を、さらに平面構造およびIV族吸収材料の使用によってＣＭＯＳデバイスとの共存性を、達成する。 - 特許庁

A fluoro-elastomer is used as a material for a sealing layer, in a thin-filmlike organic EL structure having two electrode layers of which at least one is transparent, and having an organic EL layer sandwiched by the electrode layers, and in an organic EL element having the sealing layer for coating one face or both faces of an outer surface of the organic EL structure.例文帳に追加

少なくとも一方が透明な２つの電極層とそれらの電極層で狭持された有機ＥＬ層とを有する薄膜状の有機ＥＬ構造体、および有機ＥＬ構造体の外表面の片面または両面を覆う封止層とを有する有機ＥＬ素子において、封止層の材料が含フッ素エラストマーからなることを特徴とする有機ＥＬ素子。 - 特許庁

An organic thin film transistor comprises a substrate, a gate electrode that is positioned above the substrate, a p-type organic semiconductor layer that is insulated from the gate electrode, a source electrode and a drain electrode that are separated from each other and are insulated from the gate electrode, and a hole injection layer that is interposed between the source and drain electrodes and the p-type organic semiconductor layer.例文帳に追加

基板と、基板の上部に配置されたゲート電極と、ゲート電極と絶縁されたｐ型有機半導体層と、ゲート電極と絶縁されて相互離隔されて配置されたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極とｐ型有機半導体層との間に介在された正孔注入層と、を備えることを特徴とする有機薄膜トランジスタである。 - 特許庁

In the magnetic recording medium 10 wherein a magnetic layer 2 consisting of a ferromagnetic metal thin film and a carbon protective film 3 are successively formed on a non-magnetic substrate 1, the surface of the carbon protective layer 3 is subjected to treatment by either of an aromatic amine, an aromatic carboxylic acid, an aromatic alcohol or UV irradiation and a prescribed lubricant is retained on the protective layer 3.例文帳に追加

非磁性支持体１上に、強磁性金属薄膜よりなる磁性層２、カーボン保護膜３が順次形成されて成る磁気記録媒体１０において、カーボン保護層３表面を芳香族アミン、芳香族カルボン酸、芳香族アルコール、あるいは紫外線照射のいずれかによる処理を施し、保護層３上に所定の潤滑剤が保持されて成る磁気記録媒体を提供する。 - 特許庁

This floating surface protective film having excellent corrosion resistance, electric insulation and mechanical wear resistance in an ultrathin film is realized by arranging a silicon nitride thin film having high density, high electric resistance, chemical stability and high adherence to a substrate at the lowest layer of the floating surface protective layer and arranging a film composed of tetrahedral amorphous carbon and nitrogen at the highest layer of the floating surface protective film.例文帳に追加

高密度、高電気抵抗、化学的安定性、基板との高密着性を有する窒化珪素薄膜を浮上面保護膜最下層に配置し、テトラヘドラルアモルファスカーボンと窒素からなる膜を浮上面保護膜最上層に配置することによって、極薄膜において、良好な腐食耐性、電気的絶縁性、機械的耐摩耗性を有する浮上面保護膜が実現される。 - 特許庁

The decorative body includes: a reflection increasing film layer comprising a dielectric thin film of metal oxide provided on a surface being a front side of a substrate having translucency; a gradational coloring layer having a color density gradient provided on one side surface of the substrate; and an underlayer for shading formed on the substrate surface opposite to the side on which the reflection increasing film layer is formed.例文帳に追加

本発明の加飾体は、透光性を有する基材の表側となる面の上に設けられる金属酸化物の誘電体薄膜からなる反射増加膜層と、前記基材の一方の面に設けられる色濃度勾配を有するグラデーション状の着色層と、反射増加膜層が形成される側と反対の基材面上には遮光用の下地層とが形成されてなる。 - 特許庁

The member 13 for layer identification is formed by sealing, for example, cholesteric liquid crystal with a thin plate-shaped transparent hollow member and arranged adjacently to or at a fixed distance from the optical recording and reproducing layers 12 to detect the member 13 for layer identification, thereby being able to identify the optical recording and reproducing layer 12 and to focus a focused luminous flux.例文帳に追加

層識別用部材１３は例えばコレステリック液晶が薄板形状の透明中空部材に封止されて形成されており、光学的記録再生層１２と隣接もしくは一定の距離で離間して配置することで層識別用部材１３を検知することで光学的記録再生層１２の識別と層上での収束光束の焦点合わせを可能にしている。 - 特許庁

The transparent conductive film comprises: a transparent conductive layer 12 provided on a glass substrate 10 and made of a metal oxide or a metal nitride; and a plurality of metal thin films 11 that are in contact with the transparent conductive layer 12, made of a metal having a lower specific resistance than the transparent conductive layer 12, electrically connected to each other and arranged at established intervals.例文帳に追加

ガラス基板１０上に設けた金属酸化物または金属窒化物よりなる透明導電層１２と、透明導電層１２に接触して設けられ、透明導電層１２よりも比抵抗が低い金属よりなり、互いに電気的に接続されていて、かつ、所定の間隙を有するように複数配列された金属薄膜１１と、を有することを特徴とする透明導電膜。 - 特許庁

A laminated layer body has a conductive multilayer film composed by laminating a hard coat layer, a metallic thin film and a metal oxide film on at least a triacetylcellulose film base material, wherein only the opposite side face of the side on which the hard coat layer of the triacetylcellulose film base material is provided receives a saponification processing.例文帳に追加

少なくともトリアセチルセルロースフィルム基材上に、ハードコート層、金属薄膜層及び金属酸化物層を積層してなる導電性多層膜を有する積層体であって、前記トリアセチルセルロースフィルム基材のハードコート層を設ける側の反対側の面のみがケン化処理されていることを特徴とする反射防止フィルムとその製造方法、およびその反射防止フィルムを備えたディスプレイである。 - 特許庁

To improve smoothness and durability of a resin release layer by making its crystallinity uniformly low by uniformly quenching the entire surface of a heat fixing roller through a device and a method for the heat fixing roller that smooth a resin release layer formed on the thin surface of a mandrel by quenching the resin release layer after heating it up to fusion temperature.例文帳に追加

薄肉の芯金表面に形成された樹脂離型層の平滑化を、樹脂離型層を溶融温度まで加熱してから急冷することによって実施する加熱定着ローラの加工装置、及び方法において、ローラの全表面に対して均一に急冷を行うことによって、樹脂離型層の結晶化度を均一に低くし、平滑性及び耐久性を高めることができる。 - 特許庁

An oxide cathode comprises a cathode base metal 1 containing nickel as a main component and reducing metal, an electron emission material layer 2 provided on the surface thereof and formed of alkali earth metal oxide containing barium and a metal thin layer 3 provided between the electron emission material layer 2 and the cathode base metal 1 and formed of metal belonging to a IIIa group and metal belonging to Va-VIII groups.例文帳に追加

ニッケルを主成分としこれに還元性金属を含む陰極基体金属１と、その表面に設けられたバリウムを含むアルカリ土類金属酸化物からなる電子放射物質層２と、この電子放射物質層２と前記陰極基体金属１との間にIII ａ族に属する金属とＶａ族〜VIII族に属する金属からなる金属薄膜層３を設けた。 - 特許庁

A transparent hard coat layer 2 made of at least an ionizing radiation-curing resin, a transparent conductive layer 3 made of at least a transparent resin binder and conductive particles, and an anti-reflection layer 4 made of an inorganic thin film are laminated in this order on one face of a transparent resin substrate 1, and the transparent resin binder contains an epoxy resin.例文帳に追加

透明樹脂基材１の一方の面に、少なくとも電離放射線硬化型樹脂から形成されてなる透明ハードコート層２、少なくとも透明樹脂バインダー、及び導電性粒子から形成されてなる透明導電層３、無機薄膜から形成されてなる反射防止層４がこの順に積層され、かつ透明樹脂バインダーはエポキシ樹脂を含むものである。 - 特許庁

The positive electrode has a black mix layer formed on at least one surface of its positive electrode collector, and the black mix containing nickel sulfide expressed by NiSy, a conductive substance and a binder is shaped in a thin film so that the black mix layer is formed, wherein the thickness of the positive electrode black mix layer should preferably be 5-200 μm.例文帳に追加

上記正極は正極集電体の少なくとも一方の面に正極合剤層を形成したものであって、上記正極合剤層は一般式ＮｉＳ_y で示されるニッケル硫化物と導電体とバインダーを含む正極合剤を薄膜状に形成したものであることが好ましく、また、その正極合剤層の厚みは５〜２００μｍであることが好ましい。 - 特許庁

The reproduced glass substrate for color filter which is so reproduced that only a light blocking layer formed of a metal or metal compound thin film is left by peeling a transparent electrode and/or a colored layer off a defective color filter, is characterized in that differences in thickness between the part of the glass substrate where the light blocking layer is left and other parts are ≤500Å.例文帳に追加

不良カラーフィルターから、透明電極及び／又は着色層を剥離し、金属ないし金属化合物薄膜よりなる遮光層のみが残存するように再生したカラーフィルター用再生ガラス基板において、前記遮光層が残存している部分のガラス基板の厚さと、それ以外の部分のガラス基板の厚さとの差が５００Å以下であることを特徴とする。 - 特許庁

The distance from each light emitting point to a surface of a protection layer for protecting the recording surface is stabilized irrespective of kinds of the optical information recording medium, and the condensing spot is formed by using a light flux of a long wavelength for the optical information recording medium with a thick protection layer while using a light flux of a short wavelength for the optical information recording medium with a thin protection layer.例文帳に追加

そして、各発光点から記録面を保護する保護層の表面までの距離を光情報記録媒体の種類によらず一定に保つと共に、保護層の厚い光情報記録媒体に対しては波長の長い光束を用い、保護層の薄い光情報記録媒体に対しては波長の短い光束を用いて集光スポットを形成する。 - 特許庁

In the magnetic recording medium 10 constructed by successively forming a magnetic layer 2 composed of a ferromagnetic metal thin film and a carbon protective film 3 on a nonmagnetic supporting body 1, the surface of the carbon protective layer 3 is plasma treated and the protective layer 3 retains a lubricant formed by combining an ester compound of perfluoropolyether having a terminal hydroxyl group with a long chain carboxylic acid and an alkyl ester of a partially fluorinated carboxylic acid.例文帳に追加

非磁性支持体１上に、強磁性金属薄膜よりなる磁性層２、カーボン保護膜３が順次形成されて成る磁気記録媒体１０において、カーボン保護層３表面をプラズマ処理し、保護層３に、末端に水酸基を有するパーフルオロポリエーテルと長鎖カルボン酸とのエステル化合物、および部分フッ化カルボン酸アルキルエステルを組み合わせた潤滑剤を保持させる。 - 特許庁

A method for manufacturing a thin-film transistor at least includes a process for irradiating a semiconductor layer (103) on a substrate (101) with light (104) for crystallizing the semiconductor layer (103); and a process for performing a composite treatment of oxygen plasma treatment (107), hydrogen plasma treatment (108), and high-pressure vapor heat treatment (109) to the crystallized semiconductor layer (103).例文帳に追加

薄膜トランジスタの製造方法であって、基板（１０１）上の半導体層（１０３）に光照射（１０４）をおこない当該半導体層（１０３）の結晶化をおこなう工程と、結晶化後の半導体層（１０３）に酸素プラズマ処理（１０７）、水素プラズマ処理（１０８）および高圧水蒸気熱処理（１０９）の複合処理をおこなう工程を少なくとも有することを特徴とする。 - 特許庁

The method includes a step of decomposing a desired pattern to be printed on a substrate into at least two constituent sub-patterns that are capable of being optically resolved by the lithography system, and a step of coating the substrate with a first positive tone resist layer and a relatively thin second positive tone resist layer on top of a target layer of the substrate which is to be patterned with a desired dense line pattern.例文帳に追加

本発明は、基板上に印刷される所望のパターンを、リソグラフィシステムによって光学的に分解することができる少なくとも二つの成分サブパターンに分解する工程、所望の高密度ラインパターンでパターンを形成させる基板のターゲット層の上に、第一のポジ型レジスト層と比較的薄い第二のポジ型レジスト層とを塗布する工程を含む。 - 特許庁

Moreover, an n+ source region 6 is formed in the layer 3, in such a way that the region 6 is involed in the region 5 and is exposed to the surface of the layer 3 and an insulating gate 8 is formed on the region 5, which is interposed between the regions 4 and 6 on the surface of the layer 3 via a gate oxide film 7 of a thin film thickness.例文帳に追加

また、ｐ型ウェル領域５に内包され、半導体層３の表面に露出するように半導体層３内にｎ＋型ソース領域６が形成されており、半導体層３表面における、ｎ＋型ドレイン領域４とｎ＋型ソース領域６との間に介在するｐ型ウェル領域５上には、薄い膜厚のゲート酸化膜７を介して絶縁ゲート８が形成されている。 - 特許庁

To provide a liquid development electrophotographic device which uses a non-volatile, high-viscosity liquid toner as a liquid developing solution and can form a thin layer of the liquid toner of a specified layer thickness without being affected by use environmental temperatures in a developing process relating to the formation of a liquid toner layer on a developing roller.例文帳に追加

この発明の課題は、不揮発性で高粘度な液体トナーを液体現像液として使用する液体現像電子写真装置において、現像プロセスで、現像ローラー上に液体トナー層を形成することに関し、使用環境温度に左右されることなく、一定の層厚の液体トナーの薄層を形成することができる液体現像電子写真装置を提供することにある。 - 特許庁

In the magnetic recording medium 10 constructed by successively forming a magnetic layer 2 composed of a ferromagnetic metal thin film and a carbon protective film 3 on a nonmagnetic supporting body 1, the surface of the carbon protective layer 3 is plasma treated and the protective layer 3 retains a lubricant formed by combining a compound of perfluoropolyether having a terminal carboxyl group with an amine and an alkyl ester of a partially fluorinated carboxylic acid.例文帳に追加

非磁性支持体１上に、強磁性金属薄膜よりなる磁性層２、カーボン保護膜３が順次形成されて成る磁気記録媒体１０において、カーボン保護層３表面をプラズマ処理し、保護層３に、末端にカルボキシル基を有するパーフルオロポリエーテルとアミンとの化合物と、部分フッ化カルボン酸アルキルエステルとを組み合わせた潤滑剤を保持させる。 - 特許庁