「write time」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

At the time of rewriting data, a security release key in the memory region 12 also is erased by block erasure, the security release key is written again in the memory region 12 after write-in of update data to release restriction for read-out.例文帳に追加

データ書き換え時にブロック消去によりメモリ領域１２のセキュリティ解除鍵も消去され、読み出し制限を解除するためには更新データを書き込み後、セキュリティ解除鍵を再びメモリ領域１２に書き込む。 - 特許庁

The registration unit 15 permits a control unit 13 to write a terminal station ID into a storage unit 14 by setting a registration mode just for a prescribed time, e.g., one minute after a power source unit 16 is activated or after a registration button 15a is operated.例文帳に追加

登録部１５は電源部１６の起動後、或いは登録釦１５ａの操作後、所定時間、たとえば１分だけ登録モードとして、制御部１３に記憶部１４への端末局ＩＤの書込みを許可する。 - 特許庁

To prevent occurrence of a writing fault by writing by considering the change of a floating of a potential of a common source line of a memory cell at the time of write verify reading even in the case of existence of the cell having a fast writing speed.例文帳に追加

書込み速度の速いメモリセルが存在しても、書込みベリファイ読出し時におけるメモリセルの共通ソース線の電位の浮き上がりの変動を考慮して書込みを行い、書込み不良の発生を防止する。 - 特許庁

When a command provided to an IC card is to write into the nonvolatile memory inside the card at the time of issuing process, the command is not directly written into the nonvolatile memory but temporarily into a RAM inside the card.例文帳に追加

この発明は、発行処理を行う場合、ＩＣカードに与えられた命令がカード内部の不揮発性メモリへの書き込み処理である場合、直接不揮発性メモリには書き込まずに一旦カード内のＲＡＭに書き込む。 - 特許庁

That is, a word line activation signal is generated, based on a pulse generated by the generating section 30 at the time of read operation, and based on a pulse generated by the pulse generating section 40, when write operation is carried out.例文帳に追加

すなわち、読み出し動作時にはパルス生成部３０によって生成されたパルスに基づき、また書き込み動作時にはパルス生成部４０によって生成されたパルスに基づき、ワード線活性化信号が生成される。 - 特許庁

When the writing retry is not successfully performed within the predetermined times, a predetermined erase pattern is written onto the particular portion on the magnetic tape by the write head 2c, and the data is again written onto the magnetic tape, but this time in the succeeding region on the tape.例文帳に追加

ここで、所定回数以内に書き込みリトライが成功しなければ、磁気テープのその箇所をライトヘッド２ｃにより所定のイレーズパターンを書き込むとともに、次の領域から再度データの書き込みを行う。 - 特許庁

To prevent liquid crystal elements from decreasing in contrast by preventing an optical memory by irradiation with light from remaining at the time of rewriting the following information, and preventing the liquid crystal from being reversed in unirradiated part by write pulses.例文帳に追加

光の照射による光メモリを次の情報書換え時に残留させず、かつ光未照射部分も書込みパルスによって液晶が反転しないようにしてコントラストの低下を防止させるようにする。 - 特許庁

This processor is provided with a circuit 13 which refers to decoded results or issued results when a write operation is performed to a register 11 including a bit showing the current mode and outputs a purge signal at the time when it is a mode switching signal.例文帳に追加

現在のモードを示すビットを含むレジスタ１１にライト動作したとき、デコードした結果又はイシューした結果を参照し、モード切り替え信号であったときに、パージ信号を出力する回路１３を設ける。 - 特許庁

To provide a data writing method that enables the write of the data pattern for function evaluation at high speed and shorten the evaluation time in a non-volatile semiconductor memory device having a cross point memory cell array.例文帳に追加

クロスポイント型のメモリセルアレイを有する不揮発性半導体記憶装置において、機能評価用のデータパターンの書き込みを高速化して評価時間の短縮化を可能とするデータ書き込み方法を提供する。 - 特許庁

To provide an image processing device that carries out real-time histogram processing where write access to a histogram RAM in generating a histogram and readout access to a histogram in referring to a histogram do not conflict.例文帳に追加

ヒストグラム生成時におけるヒストグラムＲＡＭへの書き込みアクセスと、ヒストグラム参照時におけるヒストグラムの読み出しアクセスとが衝突することがない、リアルタイムのヒストグラム処理が可能な画像処理装置を提供する。 - 特許庁

Specifying a write recovery time as a function of clock that can be specified dynamically makes it possible to use the clocked memory device at its highest performing capability over a wide range of operating frequency.例文帳に追加

動的に設定することができるクロックの関数として書込み回復時間を指定することにより、広い範囲の動作周波数にわたってクロック式メモリ・デバイスをその最高のパフォーマンス能力で使用することができる。 - 特許庁

Ryugyohoin, in Ninna-ji Temple, mourned the countless people who died of starvation, and every time he encountered the dead he would write a letter of '阿' on their foreheads for Kechien (making a connection with Buddha for the repose of the spirit), and it is said that the number of the dead exceeded 42,300. 例文帳に追加

仁和寺の隆暁法印という人が無数の餓死者が出たことを悲しみ、行き交うごとに死者の額に「阿」の字を書いて結縁し、その数を数えたところ、四万二千三百余に達したという。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

After writing in "Shosetsu shinzui" (The essence of the novel), about a literary criticism that refused to accept didacticism and advocated realism, he began to write "Ichidoku santan Tosei shosei katagi" (literally, "the character of modern students that makes you sigh three times every time you read it") in April 1885 and published the first volume in June. 例文帳に追加

勧善懲悪を否定し、写実主義を主張した文学論『小説神髄』の執筆に続いて、明治18年4月に書き始め、6月に『一読三歎　当世書生気質』第1巻を刊行。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An erasing command after second times is inputted in a step SP101, the last voltage values of batch write pulses in data erasing operation of the previous time are read from a storage section 2a in a step SP102.例文帳に追加

ステップＳＰ１０１において２回目以降の消去コマンドが入力されると、ステップＳＰ１０２において、前回のデータ消去動作における一括書き込みパルスの最終電圧値が、記憶部２ａから読み出される。 - 特許庁

To make it possible to write a signal at a high-speed scanning permitting time-shared display without increasing mobility of transistors and decreasing numerical aperture although a conventional design technique of transistors is used.例文帳に追加

トランジスタの移動度能力向上や開口率の低下等を引き起こさず、従来のトランジスタの設計手法を用いながら、時間分割表示が可能となる高速走査にて信号が書き込めるようにする。 - 特許庁

When the 1st operation is for a write-in operation and the 2nd operation is for an erasing operation, the threshold voltage is lowered after the light writing operation is carried out beforehand from a viewpoint of voltage or voltage applying time in the erasing operation.例文帳に追加

第１動作を書込み動作、第２動作を消去動作とすると、消去動作では予め電圧もしくは電圧印加時間の観点で軽い書込み動作を行なってから閾値電圧を下げる動作を行なう。 - 特許庁

At that time, such parameters in the device affecting a lifetime such as write frequency or erasure frequency to the device and power consumption which are not used to be managed in a conventional manner are managed, and the migration of the storage hierarchies is suitably controlled.例文帳に追加

その際に、これまで、管理されなかった、デバイスへの書込み回数や消去回数などの寿命に影響あるパラメータと装置内の消費電力を管理し、記憶階層の移行を好適に制御する。 - 特許庁

A nonvolatile memory access part 109 stores a logical address range number that is an instruction object and time information associated thereto into the read/write memory 113 at an early stage of the series of writing instructions from a host.例文帳に追加

不揮発性メモリアクセス部１０９はホストからの一連の書き込み指示の初期に、その指示対象となる論理アドレス範囲ナンバーとそれに対応づけられた時刻情報を読み書きメモリ１１３に記憶させる。 - 特許庁

To provide each of a plurality of users who use ticket IC cards whose read/write processing is performed only for extremely small time with quick information corresponding to the use history of the ticket IC card of each user.例文帳に追加

ごく短時間しか読み書き処理されない乗車券ＩＣカードを利用する多数の利用客に対し、利用客個々の乗車券ＩＣカードの利用履歴に応じた迅速な情報提供を可能とする。 - 特許庁

Therefore, when the pair of selecting transistor WTP11 for write-in is turned on, at the almost same time, the transistors MT1, MT2 for memory are switched to an ON/OFF state in accordance with voltage of the pair of bit line BLP1.例文帳に追加

したがって、書込み用セレクトトランジスタ対ＷＴＰ１１がＯＮになると、ほとんど同時に、記憶用トランジスタＭＴ１，ＭＴ２は、ビットライン対ＢＬＰ１の電圧に応じたＯＮ／ＯＦＦ状態に切換わる。 - 特許庁

At this time, the index of the file is formed by the index management program installed to a personal computer 5 and the instruction to write the index into an index data base 7 through a Web server 45 on the Internet 41 is performed.例文帳に追加

このとき、パソコン５にインストールされたインデックス管理プログラムにより上記ファイルのインデックスが作成され、このインデックスをインターネット４１上のＷｅｂサーバ４５経由でインデックスデータベース７に書込む命令がされる。 - 特許庁

At the time, a state monitoring means 105 judges whether write-in is performed for the accumulation medium 107 or not in a drive unit 109, when write-in is being performed, two-colors light emitting diode of the compound display means 100 near the power source switch emits a color light different from the color light emitted when the drive unit is not operated.例文帳に追加

その際、状態監視手段１０５がドライブユニット１０９にて蓄積メディア１０７に対して書き込み中であるかどうかを判断し、書き込み中である場合には、電源スイッチ近傍にある複合表示手段１００の２色発光ダイオードを、ドライブユニット１０９が動作していない際とは異なる色で発光させる。 - 特許庁

An imaging apparatus, wherein a plurality of recording media can be loaded, is configured to shorten the time required for writing image data, by measuring/comparing (#603) write speeds of recording media, beforehand, and determining (#609 or #610) a recording medium for storing image data thereon, in matching with the requirement of the write speed inferred from imaging settings.例文帳に追加

複数の記録媒体を挿入できる撮像装置において、予め記録媒体の書き込み速度を計測・比較（＃６０３）しておき、撮影設定から推測される書き込み速度の需要にあわせて保存先の記録媒体を決定（＃６０９または＃６１０）することで画像データの書き込みに要する時間を短縮できる構成を有する撮像装置。 - 特許庁

When the random access memory has an empty area available for storing write data, the device for control storage device stores the write data in the random access memory; copies data in the random access memory into the first storage device in the order of time from the last access; and releases an area in which the data copied in the random access memory has been stored.例文帳に追加

記憶装置管理装置は、ランダムアクセスメモリが書き込みデータを格納できる空き領域を有している場合、書き込みデータをランダムアクセスメモリにおいて格納し、ランダムアクセスメモリ内のデータを最後にアクセスされてからの時間順に第１記憶装置内にコピーし、ランダムアクセスメモリ内のコピーされたデータを格納していた領域を開放する。 - 特許庁

A control unit 7 writes data with a write voltage by adding the step-up voltage to the write voltage until the number of writing times reaches the first number of writing times is when data are written to all the memory cells connected to the selected word lines, and controls, when the first number of writing times is exceeded, whether to add the step-up voltage every time the data is written.例文帳に追加

制御部７は、選択されたワード線に接続された全メモリセルにデータを書き込むとき、書き込み回数が第１の書き込み回数に達するまで、書き込み電圧にステップアップ電圧を付加した書き込み電圧により書き込み動作を行い、第１の書き込み回数を超えた場合、書き込み動作毎に、ステップアップ電圧の付加の有無を制御する。 - 特許庁

This nonvolatile memory includes: a phase-change memory cell array which includes a plurality of normal phase-change memory cells and a plurality of pseudo one time programmable (OTP) phase-change memory cells; a write driver which writes data into the normal and pseudo OTP phase-change memory cells of the phase-change memory cell array; and an OTP controller which selectively disables the write driver.例文帳に追加

本発明において、不揮発性メモリは複数のノーマル相変化メモリセルと複数の擬似ワンタイムプログラマブル（ＯＴＰ）相変化メモリセルとを含む相変化メモリセルアレイ、前記相変化メモリセルアレイの前記ノーマルと擬似ＯＴＰ相変化メモリセルにデータを書き込む書き込みドライバ、及び前記書き込みドライバを選択的にディセーブルするＯＴＰ制御器を含む。 - 特許庁

When the power save mode where the power consumption is reduced or the migration mode where the time when currents in magnetic heads 1131 to 113m, flow is shortened is switched to the normal mode, for example, a dummy write/dummy read command is executed to execute a normal write command/read command with magnetic heads 1131 to 113m in the completely ontrack state.例文帳に追加

消費電力を低減化するパワーセーブモードまたは磁気ヘッド１１３_1 〜１１３_m における電流が流れる時間を短縮化するマイグレーションモードから通常モードへの移行時において、たとえば、ダミーライト／ダミーリードコマンドを実行することで、磁気ヘッド１１３_1 〜１１３_m を完全にオントラックさせた状態で、正規のライトコマンド／リードコマンドを実行する。 - 特許庁

At the time of displaying still pictures with scrolling, after the display control means determines the write-in position of the still pictures on the simplex logical memory space which is constituted by the combination of the two memories, the display control part performs the writing and the reading of the picture data to an area in the picture memory corresponding to the write-in position.例文帳に追加

表示制御手段は、静止画をスクロール表示するときには、前記２つの画像メモリの組み合わせにより構成される単一の論理メモリ空間上において前記静止画の書き込み位置を決定した後、当該書き込み位置に対応する前記画像メモリ上の領域に前記画像データの書き込み及び読み出しを行う。 - 特許庁

The semiconductor storage device is equipped with control circuits (116, 118 and 121) which at test time and in the 1st mode, always generates refresh just before the read/write operation and sets always the latency as a 1st fixed value, and in the 2nd mode, always generates refresh just after the read/write operation and sets always the latency as a 2nd fixed value.例文帳に追加

半導体記憶装置は、テスト時に、第１のモードでは、リフレッシュを決まってリード／ライト動作の直前に発生させ、レイテンシーを常に第１の固定値に設定し、第２のモードでは、リフレッシュを決まってリード／ライト動作の直後に発生させ、レイテンシーを常に第２の固定値に設定する制御回路（１１６、１１８、１２１）を備えている。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor storage device includes a memory cell array having a plurality of blocks respectively including a plurality of memory cells to store normal data in normal blocks among the plurality of blocks and store a time code set in each of the normal blocks and for including time data corresponding to a time when the last write operation of the normal block is executed in time code blocks among the plurality of blocks.例文帳に追加

不揮発性半導体記憶装置は、複数のメモリセルをそれぞれ含む複数のブロックを有し、前記複数のブロックのうちの通常ブロックに、通常のデータが記憶され、前記複数のブロックのうちのタイムコードブロックに、前記通常ブロック毎に設定され且つ前記通常ブロックの最後の書き込み動作を実行した時間に対応する時間データを含むタイムコードが記憶されたメモリセルアレイを備える。 - 特許庁

Since the points A, C are selected with a margin to absorb phase jitter in a clock or the like with respect to the write address respectively, that is, to provide a hysteresis, the slip takes place only once and production of a long time slip is prevented.例文帳に追加

Ａ点およびＣ点はそれぞれ書込位置に対しクロックの位相ジッタなどを吸収できる分、即ちヒステリヒスを与えるために離して設定されているので、スリップは１回限りで長時間スリップの発生が防止できる。 - 特許庁

Consequently, since reset interrupt processing is not carried out during the execution of a write command, the value of an initial value counter can be maintained to the value within the original update range even if repeatedly updating the value of the initial value counter during the residual time of reset interrupt processing.例文帳に追加

従って、ライト命令の実行中にリセット割込処理は実行されないので、リセット割込処理の残余時間の間に初期値カウンタの値を繰り返し更新しても、その値を本来の更新範囲内の値に維持できる。 - 特許庁

After a sector S103 is read or written, it is certified the read or write instruction of a sector S014 can be executed by completing switching from a track #1 to a track #0 within rotation waiting time t1 from S103 to S014.例文帳に追加

セクタＳ１０３をリードあるいはライトした後に、Ｓ１０３からＳ０１４までの回転待ち時間ｔ１以内に、トラック＃１からトラック＃０へ切り替えが完了し、セクタＳ０１４のリードあるいはライト命令が実行できることを検証する（１）。 - 特許庁

After a fixed time, a reset signal ST1 outputted from a delay circuit 50 becomes 'H', the output signal of a data write-in circuit 40 is made ground potential GND, and the discharge of electric charges on a source line SL is started.例文帳に追加

一定時間後、遅延回路５０から出力されるリセット信号ＲＳＴ１が“Ｈ”になり、データ書込み回路４０の出力信号が接地電圧ＧＮＤとなってソース線ＳＬ上の電荷の放電が開始される。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory which permits high speed write-in cycle for a memory cell without requiring a standby time for shift decoding operation in accordance with a defective address is decided even if a data line shift system is used for relieving defect.例文帳に追加

不良救済にデータ線シフト方式を用いたとしても、不良アドレスに応じたシフトデコード動作が確定するまでの待ち時間を要することなく、メモリセルへの高速書き込みサイクルを可能にした半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

Each time a spiral servo pattern to be used as a base pattern is switched, a correction value corresponding to the spiral servo pattern to be newly used as a base pattern is acquired from the correction table, and a phase of a servo write clock is adjusted.例文帳に追加

そしてベースパターンとして使用すべきスパイラルサーボパターンが切り替えられる度、新たにベースパターンとして使用すべきスパイラルサーボパターンに対応する補正値が補正テーブルから取得されてサーボライトクロックの位相が調整される。 - 特許庁

Accordingly, reset interrupt processing is not carried out during the execution of a write instruction, so that even if the value of an initial value counter is repeatedly updated during the remaining time of the reset interrupt processing, the value can be kept to the value within the original updating range.例文帳に追加

従って、ライト命令の実行中にリセット割込処理は実行されないので、リセット割込処理の残余時間の間に初期値カウンタの値を繰り返し更新しても、その値を本来の更新範囲内の値に維持できる。 - 特許庁

To provide an optical recording and reproducing device that emits a laser beam to a phase change optical recording medium to write/read information to/from the recording medium, prevents a recording layer of the phase change optical recording medium from being destroyed and reduces the time required for the erasure of information.例文帳に追加

光記録媒体にレーザ光を照射して情報の書き込みと読み出しとを行う光記録再生装置において、相変化光記録媒体の記録層の破壊を防ぎ、かつ消去に要する時間を短縮する。 - 特許庁

To provide a multi-beam image forming device by which the deviation of the write-in position of plural light beams in a main scanning direction is highly accurately maintained even though the delay time of a delay picture element clock signal is fluctuated and whose image quality is improved.例文帳に追加

遅延画素クロック信号の遅延時間が変動しても、複数の光ビームの書込位置の主走査方向へのずれを高い精度で維持することができ、画質を向上させたマルチビーム画像形成装置を提供する。 - 特許庁

An I/O memory control circuit 4 recognizes an I/O cycle or not, based on a signal from a CPU 1, and at the time of recognizing the I/O memory, generates three write timing in an I/O log storing memory 7 during the I/O cycle.例文帳に追加

Ｉ／Ｏ・メモリ制御回路４はＣＰＵ１からの信号を基にＩ／Ｏサイクルか否かを認識し、Ｉ／Ｏサイクルであることを認識するとそのサイクル中にＩ／Ｏログ格納メモリ７に対して３回の書込みタイミングを生成する。 - 特許庁

In the present invention, a host controls real time data writing by providing a signal requesting for information on a defective area to the device for recording/playback of data to/from an optical disk before providing a write command.例文帳に追加

本発明では、ホストは、書き込みコマンドを提供する前に、光ディスクに／からデータを記録／再生するデバイスに欠陥領域に関する情報を要求する信号を提供することによって、リアルタイム・データの書き込みを制御する。 - 特許庁

The write time of the signal line can be shortened, since the signal line is precharged on the basis of the reference voltage selected according to the bit string of the higher 3 bits of the digital pixel data before the signal line is written on the substrate.例文帳に追加

信号線の書き込みを行う前に、デジタル画素データの上位３ビットのビット列に応じて選択された基準電圧に基づいて信号線のプリチャージを行うため、信号線の書き込み時間を短縮することができる。 - 特許庁

A write inhibit section 50 inhibits writing in a medium by a head for time corresponding to vibration disappearance when a detection signal is obtained from a shock sensor 46 for detecting and outputting shocks applied to the device.例文帳に追加

書込み禁止部５０は、装置に加わる衝撃を検出して出力する衝撃センサ４６の検出信号が得られた際に、振動収束に対応した所定時間に亘りヘッドによる媒体への書込みを禁止する。 - 特許庁

At the time of discriminating that they are different, a write control circuit 26 makes a cell resident number detection circuit 23 perform control so as not to count the pertinent cell as a resident cell and makes a buffer 22 perform the control so as not to store the pertinent cell.例文帳に追加

異なると判別されたとき、書込制御回路２５は、セル滞留数検出回路２３に、該当するセルを滞留セルとしてカウントしないように、また、バッファ２２に、該当するセルを記憶させないように制御させる。 - 特許庁

When the spin wait request is received from the CPU 21, the cache memory 25 temporarily stops outputting an acknowledge response to a read request from the CPU until a predetermined condition (snoop write hit, interrupt request, or lapse of predetermined time) is satisfied.例文帳に追加

また、キャッシュメモリ２５は、ＣＰＵ２１からスピン待ち要求を受けると、所定の条件（スヌープ・ライト・ヒット、割り込み要求、一定時間の経過）を満たすまでＣＰＵからのリード・リクエストに対するアクノリッジ応答の出力を一時停止する。 - 特許庁