A method is constituted by which an attraction phenomenon is caused, even if magnetic poles of the magnet are the same (N pole and N pole), reversal cycle of the magnetic force is generated through heating phenomenon, and the magnetic force is converted into dynamic energy and electrical energy.例文帳に追加

磁石の磁極が同極（Ｎ極とＮ極）においても吸引現象を起こす方法を構成し、磁力の反転サイクルを熱現象を通して起こし、磁力を力学的エネルギー、また電気エネルギー化する。 - 特許庁

A creep phenomenon occurs when the shift lever 31 is positioned at the R- or D-position, and the creep phenomenon does not occur when the lever is positioned at the N-position.例文帳に追加

シフトレバー３１がＲ又はＤポジションに位置するときクリープ現象が発生し、Ｎポジションに位置するときクリープ現象が発生しない。 - 特許庁

To provide an electrostatic discharge protective circuit which protects a protection object circuit formed with an N-channel MOS transistor from an electrostatic discharge phenomenon.例文帳に追加

ＮチャネルＭＯＳトランジスタで構成される被保護回路を静電気放電現象から保護する静電気放電保護回路を提供する。 - 特許庁

To ensure effective stabilization control of an N-wave step-out phenomenon in a system stabilization control system for stabilization of a power system.例文帳に追加

電力系統の安定化を図る系統安定化制御システムにおいて、Ｎ波脱調現象に対する効果的な安定化制御を可能とすること。 - 特許庁

To provide a PMR head capable of improving overwrite performance and an S/N ratio while suppressing an erasing phenomenon after a recording operation.例文帳に追加

記録動作後の消去現象を抑制しつつ、オーバーライト性能とＳ／Ｎ比とを向上し得るＰＭＲヘッドを得る。 - 特許庁

To suppress a phenomenon inherent to perpendicular magnetic recording by ensuring a stable signal C/N ratio over the entire surface of a transfer medium.例文帳に追加

転写媒体の全面で安定した信号Ｃ／Ｎ比が確保でき、垂直磁気記録に特有な現象を抑制供する。 - 特許庁

Thereby, a vertical flicker phenomenon and a vertical crosstalk phenomenon are not caused and the problem of signal delay of the data lines is solved since n×1-dot inversion of a polarity state of the actual pixel is realized even though the polarity of the data voltage applied to the data lines is determined by the column inversion system.例文帳に追加

これにより、データ線に印加されるデータ電圧の極性が列反転方式で決められるが、実際画素の極性状態はｎ×１ドット反転を実現するので、垂直フリッカー現象と垂直クロストーク現象が生じず、かつデータ線の信号遅延問題が解決する。 - 特許庁

To provide a melt extrusion method for a polycarbonate resin sheet N having fine protrusions on the surface useful for a sheet for a projection television or the like or for a decorative display panel etc. utilizing a moire phenomenon.例文帳に追加

プロジェクションテレビ等のシート用やモアレ現象を利用した装飾表示板等に有用な表面に微細な凸形状を有するポリカーボネート樹脂シートNの溶融押出方法を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal display device relates to an N-line inversion driving liquid crystal display device in which N odd horizontal lines and N even horizontal lines are alternately driven, more specifically relates to a liquid crystal display device in which the phenomenon to generate the dim regions of line forms between specific lines is reduced and a driving system for the same.例文帳に追加

本発明は液晶表示装置に係り、さらに詳細には奇数／偶数番目水平ラインをＮ個ずつ交番駆動するＮライン反転方式液晶表示装置で、特定ライン間にライン形態の薄い領域が発生する現象を改善した液晶表示装置及びこれの駆動方法に関する。 - 特許庁

To efficiently emit electrons from a semiconductor to the outside (vacuum) without their losing energy by generating hot electrons, while generating avalanche breakdown phenomenon without a P-N junction.例文帳に追加

ＰＮ接合なしで雪崩降伏現象を起こして熱い電子を生じせしめてエネルギーを失うことなく半導体から外部（真空）への電子の放出を効率よく行う。 - 特許庁

To prevent an accidental creep phenomenon by restraining movement of a shift lever by accidental misoperation of the shift lever positioned at an N-position during parking.例文帳に追加

駐停車中にＮポジションに位置するシフトレバーへの不意の誤操作によるシフトレバーの移動を抑制し、クリープ現象の不用意な発生を防止する。 - 特許庁

A p-type semiconductor layer and n-type semiconductor layer are mutually joined while sandwiching a depletion layer of a thickness which an electron and positive hole can transmit by a direct tunnel phenomenon.例文帳に追加

電子及び正孔が、ダイレクトトンネル現象により透過可能な厚さの空乏層を挟んでｐ型半導体層及びｎ型半導体層が相互に接合されている。 - 特許庁

To prevent reduction in carrier (electron) mobility, due to diffusion of In atoms in an i-InGaAs channel layer into n-AlGaAs carrier source layers, in a field effect transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタにおけるｉ−ＩｎＧａＡｓチャネル層中のＩｎ原子がｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層側へ拡散することによるキャリア（電子）移動度低下の現象を防止する。 - 特許庁

To provide an image processing apparatus that can suppress moire caused when N-value processing is applied (decreasing the gradation) to image data at a dot area.例文帳に追加

網点領域における画像データをＮ値化した（階調数を下げた）際に生じるモアレ現象を抑制することができる画像処理装置を提供すること。 - 特許庁

By applying the calculated substrate bias voltage to an n type semiconductor substrate 11, the fluctuation of a saturation electric charge amount accompanied by temperature fluctuation is prevented so that a blooming phenomenon that easily occurs at a high temperature can be prevented.例文帳に追加

求めた基板バイアス電圧をｎ型半導体基板１１に印加することにより、温度変動に伴う飽和電荷量の変動を防止し、高温時に発生しやすいブルーミング現象を防止することができる。 - 特許庁

The P-type semiconductor film functions as a oxygen barrier layer, and thus occurrence of a phenomenon that the electrical resistance of the interconnector (N-type semiconductor) increases can be suppressed even under a condition that the interconnector is exposed to air.例文帳に追加

Ｐ型半導体膜が酸素バリア層として機能することで、インターコネクタが空気に曝される状況下でも、インターコネクタ（Ｎ型半導体）の電気抵抗が増大する現象の発生が抑制され得る。 - 特許庁

To reduce the phenomenon to generate the dim region of a line form by a difference in a data signal charging amount between specific lines in a liquid crystal display device driven by an N-line inversion system.例文帳に追加

本発明は、Ｎ−ライン反転方式で駆動される液晶表示装置で特定ライン間のデータ信号充電量の差によってライン形態の薄い領域が発生する現象を改善する。 - 特許庁

While, if the magnitude of the noise is appropriate, the S/N ratio is greatly improved as the probability resonance phenomenon occurs efficiently by a nonlinear threshold characteristic.例文帳に追加

一方、ノイズの大きさが適切であれば非線形な閾値特性により確率共鳴現象が効率的に生じることでＳ／Ｎ比が大きく改善される。 - 特許庁

To prevent the generation of a carrier (electron) movement reduction phenomenon, which is generated due to the diffusion of In atoms, contained in an i-InGaAs channel layer, to the sides of n-AlGaAs carrier supply layers in a field effect transistor (FET).例文帳に追加

電界効果トランジスタにおけるｉ−ＩｎＧａＡｓチャネル層中のＩｎ原子がｎ−ＡｌＧａＡｓキャリア供給層側へ拡散することによるキャリア（電子）移動度低下の現象を防止する。 - 特許庁

To obtain a high reception level, even when receiving the fading phenomenon, improve C/N ratio, cope with multi-paths of a long delay time, and small-scale a circuit required for diversity composition.例文帳に追加

フェージング現象を受けても大きい受信レベルを得ると共にＣ／Ｎ比を改善し、かつ遅延時間の長いマルチパスにも対応し、ダイバーシティ合成に必要な回路を小規模にする。 - 特許庁

Since the P contact 11 and N contact 12 are exposed through the washing process, exhaust heat property is good, a service life still becomes longer, the gold line is not disconnected, and the occurrence of halation is also prevented.例文帳に追加

水洗過程によってＰコンタクト１１とＮコンタクト１２とは露出するので、排熱性がよく、使用寿命も更に長くなり、金線は破断することなく、光暈け現象の発生も避けられる。 - 特許庁

The pulse laser light input to the highly nonlinear optical fiber 40A has the band widened by a nonlinear optical phenomenon appearing in the highly nonlinear optical fiber 40A, whereby a wide-band optical comb of high S/N ratio is obtained.例文帳に追加

高非線形性光ファイバ４０Ａにおいて発現する非線形光学現象により、高非線形性光ファイバ４０Ａに入力されたパルスレーザ光が広帯域化されて、Ｓ／Ｎ比がよい広帯域光コムが得られる。 - 特許庁

'Charging' and 'discharging' of ferroelectric capacitors 2, 3 and 4 are used in relation to a p-n junctions of two transistors 6, 7, 8 and 8, 12, 10.例文帳に追加

強誘電体キャパシタ２、３、４の「充電」と「放電」現象が、二つのトランジスタ６、７、８及び８、１２、１０のｐ−ｎ接合と連関して用いられるように構成する。 - 特許庁

To provide a photodiode chip which has a structure, which can restrict tailing phenomenon due to optical current by light incident on a periphery of a p-n junction as a light-receiving region, and enhances optical response speed.例文帳に追加

受光領域であるｐｎ接合の周囲に入射した光による光電流に起因する裾引き現象を抑制できる構造を有し、光応答速度が向上されたフォトダイオードチップを提供する。 - 特許庁

Whether or not any locking phenomenon occurs in a compressor 1 is determined based on at least the temperature difference between the internal vapor temperature TR and the post-evaporation temperature TE and the control current value I(n).例文帳に追加

少なくとも内気温度ＴＲとエバ後温度ＴＥとの温度差及び制御電流値Ｉ（ｎ）に基づいて圧縮機１にロック現象が発生したか否かを判定する。 - 特許庁

An electric field generated between the light receiving section 13 and a p+ layer 11 or an n+ layer 12 is released compared with the case where such the opposite region is not provided, and breakdown phenomenon hardly occurs.例文帳に追加

このような対向領域が設けられていない場合と比べ、受光部１３とｐ＋層１１またはｎ＋層１２との間に生ずる電界が緩和され、ブレークダウン現象が発生しにくくなる。 - 特許庁

According to the embodiment, in the N-line inversion driving liquid crystal display device, the charging order of the horizontal line pixels in a previous frame and the charging order of the horizontal line pixels in a post frame are alternated so as to reduce the dim phenomenon arising during the N-line inversion.例文帳に追加

本発明の実施形態によれば、Ｎ−ライン反転駆動液晶表示装置で、先フレームで水平ライン画素の充電順序と、後フレームで水平ライン画素の充電順序を交番させることによって、Ｎ−ライン反転時発生する水平ディム現象を改善することができる。 - 特許庁

Then, after a side wall 6 is formed, the arsenic of dose amount 4E15 cm-2 is ion- implanted into the semiconductor substrate 2 with the energy 50 keV at an angle which does not cause a channeling phenomenon to form n+ layers 3 and 4.例文帳に追加

その後、サイドウォール６を形成した上で、ドーズ量４Ｅ１５ｃｍ^-2の砒素をチャネリング現象を起し得ない角度で且つ５０ｋｅＶのエネルギーで半導体基板２の内部に向けてイオン注入しｎ^+層３，４を形成する。 - 特許庁

In an S/N characteristics improving device 1 which acquires an input signal V_in mixed with noise, and acquires an output signal V_out by input of the input signal into a nonlinear function device and making a probability resonance phenomenon to occur, a logistic function, a sigmoid function, or a hyperbolic tangent function is used as the nonlinear function.例文帳に追加

ノイズが混入した入力信号Ｖ_inと、入力信号を非線形関数へ入力して確率共鳴現象を生じさせ出力信号Ｖ_outを得るＳ／Ｎ特性改善器１において、前記非線形関数をロジスティック関数、シグモイド関数またはハイパボリック・タンジェント関数とする。 - 特許庁

To form a fine memory cell, while securing an overlapping area of a floating gate and an impurity diffused layer, and to reduce irregularity on an F-N tunnel phenomenon between bits that is resulted from a fine memory cell.例文帳に追加

浮遊ゲートと不純物拡散層とのオーバーラップ面積を確保しながらメモリセルの微細化を図り、さらにメモリセルの微細化に伴って発生するビット間のＦ−Ｎトンネル現象のばらつきの低減を図ることを目的とする。 - 特許庁

An imaging unit 1 is driven at a frame rate which is N-times as large as a standard frame rate with predetermined different storage times for the respective color channels, and a frame addition circuit 3 performs frame addition to put the frame rate back to the standard frame rate, thereby reducing the phenomenon such that even the subject having the movement has its edge colored.例文帳に追加

撮像部１を標準のＮ倍のフレームレートで、かつ各色チャンネルを異なる所定の蓄積時間で駆動し、それをフレーム加算回路３でフレーム加算して標準のフレームレートに戻すことで、動きのある被写体でもエッジに色が付くという現象を軽減させる。 - 特許庁

To provide an optical recording medium capable of obtaining a C/N ratio (carrier/noise ratio) of a high level in the optical recording medium reading a pit having a size equal to or shorter than the diffraction limit of a laser beam utilizing a super resolution phenomenon to which near-field light is applied.例文帳に追加

近接場光を応用した超解像現象を利用してレーザ光の回折限界以下のサイズのピットを読み取る光記録媒体において、高いレベルのＣＮ比（キャリア・ノイズ比）を得ることのできる光記録媒体を提供する。 - 特許庁

To prevent current crowding in the overall LED and to improve light extraction efficiency by offsetting an effect due to a horizontally flowing current by making the effective length of a current flowing from an n-electrode pad to a p-electrode as uniform as possible.例文帳に追加

ｎ−電極パッドからｐ−電極の間に流れる電流の有効の長さをできるだけ均一にすることで、水平方向の電流による効果を相殺し、全体的なＬＥＤにおいて電流密集現象を改善し、光抽出効率を向上させる。 - 特許庁

A slide shaft 7 as a braking means for applying braking force so as to suppress the rotating speed increasing phenomenon, before the trailing end part Pe of the recording sheet passes through a fixation nip part N is provided to a fixation heat roll 40 in the fixing apparatus.例文帳に追加

定着装置における定着用の加熱ロール４０に、記録用紙の後端部Ｐｅが定着ニップ部Ｎを少なくとも抜け出る前の時期に回転の増速現象を抑制するための制動力を付与する制動手段としてのスベリ軸７を設けた。 - 特許庁

To suppress a phenomenon in which the conductivity of a p-type nitride semiconductor is inserted in a process for exposing one portion of the surface of a p-type nitride semiconductor, by containing an n-type impurity or etching an i-type nitride semiconductor partially while being formed on the surface of a p-type nitride semiconductor region.例文帳に追加

ｐ型窒化物半導体領域の表面に形成されており、ｎ型不純物を含むか又はｉ型の窒化物半導体の一部をエッチングしてｐ型の窒化物半導体の表面の一部を露出させる工程において、ｐ型窒化物半導体の導電型が反転する現象を抑制する。 - 特許庁

A heating roll for fixing 40 in the fixing device is provided with a sliding shaft 7 as a braking means to impart braking force by which the speed-increasing phenomenon of rotation is suppressed at a period at least before the rear end part Pe of the recording paper comes out a fixing nip part N.例文帳に追加

定着装置における定着用の加熱ロール４０に、記録用紙の後端部Ｐｅが定着ニップ部Ｎを少なくとも抜け出る前の時期に回転の増速現象を抑制するための制動力を付与する制動手段としてのスベリ軸７を設けた。 - 特許庁

The water-based urethane mortar composition obtained by blending a polyester polyol, an isocyanate compound and aggregate containing hydraulic mortar exhibits ≥30 N/mm^2 compressive strength and 3.0-10.0 N/mm^2 contraction stress and further improved material strength and surface strength after being hardened and forms the coating film having a hardly scratched surface and free from the warpage phenomenon or the induced crack.例文帳に追加

ポリエステルポリオール、イソシアネート化合物並びに水硬性モルタルを含む骨材を配合してなる水系ウレタンモルタル組成物において、圧縮強度が３０Ｎ／ｍｍ^２以上であり、かつ収縮応力が３．０〜１０．０Ｎ／ｍｍ^２である場合に、材料強度や表面強度が向上し、塗膜表面に傷がつきにくく、さらに、反り上がり現象や表層の亀裂誘発が無いことを見出した。 - 特許庁

In order to prevent a decrease of a backward withstand voltage between an emitter and a base, which is caused by the n-type impurities introduced too mush for reducing the influence of depletion phenomenon, the amount of the n-type impurities is quantitatively adjusted, thereby preventing the decrease of the current amplification factor in the low collector current, while maintaining the backward withstand voltage between the emitter and the base.例文帳に追加

さらに、この空乏化の現象の影響を低減するために導入したｎ型不純物の量が多すぎてエミッタ−ベース間の逆方向の耐圧が低下することがないよう、ｎ型不純物の量を定量的に調整し、エミッタ−ベース間の逆方向の耐圧をたもちつつ、低コレクタ電流での電流増幅率の低下を防止するようにした。 - 特許庁

In order to prevent decrease of a backward withstand voltage between an emitter and a base, which is caused by the amount of n-type impurities introduced for reducing influence of depletion phenomenon being too much, the amount of the n-type impurities is quantitatively adjusted, thereby preventing the decrease of the current amplification factor in the low collector current, while ensuring the backward withstand voltage between the emitter and the base.例文帳に追加

さらに、この空乏化の現象の影響を低減するために導入したｎ型不純物の量が多すぎてエミッタ−ベース間の逆方向の耐圧が低下することがないよう、ｎ型不純物の量を定量的に調整し、エミッタ−ベース間の逆方向の耐圧をたもちつつ、低コレクタ電流での電流増幅率の低下を防止するようにした。 - 特許庁

Thereby, no influence is exerted on an increase in resistance due to reduction of the thickness of the p-type semiconductor layer by forming the surface plasmon layer between the n-type semiconductor layer and the active layer or between the active layer and the p-type semiconductor layer, and optical characteristics can be improved by inducing a resonance phenomenon between the surface plasmon layer and the active layer.例文帳に追加

従って、ｎ型半導体層と活性層との間または活性層とｐ型半導体層との間に表面プラズモン層を形成することによってｐ型半導体層の厚さ減少による抵抗増加に影響を受けることなく、表面プラズモン層と活性層との間に共鳴現象を誘導することによって光特性を改善させることができる。 - 特許庁

Between an n-type InGaP layer acting as an emitter layer 7 of the HBT and a GaAs layer 8 formed on the layer 7, a highly doped charge compensation layer 11 is formed, thereby restraining increase of a base current due to depletion phenomenon of carrier in an interface, and preventing decrease of a current amplification factor in a low collector current of the HBT.例文帳に追加

ＨＢＴのエミッタ層として働くｎ型ＩｎＧａＰ層７とその上に形成されるＧａＡｓ層８の間に、高ドープ層である電荷補償層１１を形成することでその界面におけるキャリアの空乏化の現象によるベース電流の増加を抑制し、ＨＢＴの低コレクタ電流での電流増幅率の低下を防ぐようにした。 - 特許庁

On the basis of a relation between a direction of a normal N of the object 2 on each of the representative points 4 and a specific direction decided by the environment of the virtual three dimensional space 1, necessity of mapping in each of the representative points 4 of a texture 8 which expresses the phenomena of which the generation state changes in relation to the specific direction is determined.例文帳に追加

各代表点４におけるオブジェクト２の法線Ｎの方向と、仮想３次元空間１の環境によって定められる特定方向との関係に基づいて、その特定方向に関連して発生状態が変化すべき現象を表現したテクスチャ８の各代表点４におけるマッピングの要否を判定する。 - 特許庁

Into the thermal transfer recording fluid to be used in a printer which heats an ink held by capillarity in an ink transfer portion having a structure of irregularities by a heating means depending on the information to be recorded and spatters the ink over a material to be transferred to record information in the material to be transferred, N-methyl-2-pyrrolidone is incorporated.例文帳に追加

凹凸構造を有するインク転写部に毛管現象によって保持されたインクを、記録する情報に応じて加熱手段により加熱することによって上記インクを被転写体に向けて飛翔させて、上記被転写体に情報を記録するプリンタに用いる熱転写記録液に、Ｎ−メチル−２−ピロリドンを含有させる。 - 特許庁

While deforming a softened resist, the reflow treatment can suppress the fluidization of the softened resist on the surface-reformed treatment surface 205a of the n^+ Si film 205, and remarkably suppress a phenomenon that the deformed resist 212 after reflow overflows to the surrounding exceeding areas of source and drain electrodes 206a, 206b of a lower layer.例文帳に追加

このリフロー処理によって、軟化したレジストが変形するが、ｎ^＋Ｓｉ膜２０５の表面改質処理面２０５ａでは軟化したレジストの流動が抑えられ、リフロー後の変形レジスト２１２が下層のソース電極２０６ａとドレイン電極２０６ｂの面積を超えて周囲にはみ出す現象が大幅に抑制される。 - 特許庁