m・iの英語

A parameter Age showing an accumulated stress amount with respect to the MOS transistor is reliability-simulated by a simulation model formula of hot carrier deterioration, which has the feature of Age ∝∫[I_p^m.I_d^2-m]dt.例文帳に追加

また、tを時間として、MOSトランジスタに対する累積ストレス量を表すパラメータAgeを、Age ∝∫[I_p^m・I_d^2-m]dtの特徴を持ったホットキャリア劣化のシミュレーションモデル式により、信頼性シミュレーションを行う。 - 特許庁

Also when deterioration of its hot carriers is simulated, a parameter Age for representing the cumulative stress quality to it is calculated, based on the model equation characterized by Age ∝∫[Isubm.Id2-m]dt, with t as the time.例文帳に追加

また、ＭＯＳトランジスタのホットキャリア劣化をシミュレーションする際に、tを時間として、ＭＯＳトランジスタに対する累積ストレス量を表すパラメータAgeを、Age ∝∫[I_sub^m・I_d^2-m]dt の特徴を持ったモデル式により計算する。 - 特許庁

If the life time of the hot carrier of an MOS transistor are respectively represented by τ, its substrate current by Isub, its drain current by Id, and a fitting parameter by m, the life time of its hot carriers is estimated, based on the life time model with equation τ∝Isub-m.Idm-2.例文帳に追加

τを寿命、I_subを基板電流、I_dをドレイン電流、mをフィッティングパラメータとして、τ ∝ I_sub^-m・I_d^m-2 の特徴を持ったホットキャリア寿命モデルにより、ＭＯＳトランジスタのホットキャリア寿命を推定する。 - 特許庁

A hot carrier life is estimated by a hot carrier life model having a feature of τ∝I_p^-m.I_d^m-2 by setting τ as the life, I_p as light quantity of light emission of the MOS transistor, I_d as a drain current and (m) as a fitting parameter.例文帳に追加

τを寿命、I_pをMOSトランジスタの発光の光量強度、I_dをドレイン電流、mをフィッティングパラメータとして、τ∝ I_p^-m・I_d^m-2の特徴を持ったホットキャリア寿命モデルにより、ホットキャリア寿命を推定する。 - 特許庁