「"紫外光"」に関連した英語例文の一覧と使い方(39ページ目) - Weblio英語例文検索

本発明は、太陽光の可視光および紫外光を吸収し、高効率に水素を生成させる手段として、ナノスケールのＧｅ粒子と主にマトリクスであるアナタース型Ｔｉ酸化物結晶相を同時に含む複合構造薄膜材料の製造方法を新規に提供することにある。例文帳に追加

To provide a new manufacturing method of a material of a thin film of a compound structure which absorbs visible light and ultraviolet ray of the sunlight, and simultaneously contains Ge particles of nano-scale, and an anatase-type Ti oxide crystalline phase mainly as a matrix as a means for generating hydrogen at high efficiency. - 特許庁

ドライエッチング耐性が高く、他層とのミキシングや溶解を起こさず、また紫外光吸収により定在波効果を防ぐことのできる多層レジスト中間層形成用塗布液及びこれを用いたパターン形成方法を提供する。例文帳に追加

To provide a coating liquid for forming an intermediate layer of a multilayer resist, the coating liquid having high dry etching durability, causing no mixing or dissolution with other layers, and capable of preventing a stationary wave effect by UV absorption, and to provide a method for forming a pattern using the coating liquid. - 特許庁

次に、加熱された層に、紫外光であって、レーザビームの幅が１００μｍ以下で、レーザビームの幅に対するレーザビームの長さの比が１対５００以上であり、レーザビームのプロファイルの半値幅が５０μｍ以下であるパルス発振のレーザビームを照射して、結晶性半導体膜を形成する。例文帳に追加

The heated layer is irradiated with a pulsated ultraviolet laser beam having a width of 100 μm or less, a ratio of width to length of 1:500 or more, and a half bandwidth of a laser beam profile of 50 μm or less, forming a crystalline semiconductor film. - 特許庁

ランプハウス２の第１のランプ１ａから２００ｎｍ以下の波長を有する紫外光を照射することにより、被エッチング膜表面に形成された有機物の被膜を除去して、被エッチング膜表面を親水化する。例文帳に追加

A coated film of an organic substance formed on the surface of the film to be etched is removed to make the surface of the film to be etched hydrophilic by irradiating the surface of the film with ultraviolet light having a wavelength of ≤200 nm from a first lamp 1a of a lamp house 2. - 特許庁

光電変換部を有する一対の支持体と、一対の支持体を接合する接合部と、接合部および光電変換部に入射する紫外光によって、接合部強度が低下することを防止する劣化防止手段を具備する光電変換素子。例文帳に追加

A photoelectric conversion element comprises a pair of supporters comprising a photoelectric conversion part, a jointing part for jointing a pair of supporters, and a degradation preventing means which prevents the strength of the jointing part from degrading under the ultraviolet ray entering the jointing part and the photoelectric conversion part. - 特許庁

プラズマＣＶＤによるＳｉ系有機膜（ＳｉＯＦ膜、ＳｉＯＣ膜）と同等以上の低誘電体膜質を持つ絶縁膜を、３５０℃以下の低温にて製造することができる真空紫外光ＣＶＤによる低誘電体膜の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for depositing a low dielectric film by vacuum ultraviolet CVD in which an insulation film having low dielectric film quality equivalent to or better than that of an Si based organic film (SiOF film, SiOC film) formed by plasma CVD can be deposited at a temperature not higher than 350°C. - 特許庁

水を一時的に溜めるシスターン１２を介して水を供給する飲料物供給装置であって、シスターン１２に、紫外光を含む閃光を照射するフラッシュランプ２５を設け、フラッシュランプ２５の閃光によりシスターン１２内の水を殺菌処理し得るよう構成する。例文帳に追加

In this beverage supplying device for supplying water via cistern 12 for storing the water temporarily, a flash lamp 25 for emitting flash light containing ultra-violet light is provided in the cistern 12, and the water in the cistern 12 is pasteurized by the flash light from the flash lamp 25. - 特許庁

また、検出装置１は、ガラス板３に並んで設けられた蛍光基準板９、および蛍光基準板９から発光される蛍光をバンドパスフィルタ６および結像レンズ７を介して受光して光源５からの紫外光の発光強度を検出する受光素子１０を有する。例文帳に追加

Further, the detector 1 has a reference fluorescent board 9 provided parallel with the glass pane 3 and a light receiving element 10 for detecting the light emitting intensity of the ultraviolet light from the light source 5 by receiving the fluorescent light emitted from the reference fluorescent board 9 through the band pass filter 6 and an image forming lens 7. - 特許庁

光源装置１０において、発光放電管１から放射された光は、金属製の反射ミラー２に反射され、当該反射光Ｂ１は、外面に赤外光及び紫外光を反射する反射膜が形成されたコーン型のフィルター板３に入射する。例文帳に追加

In a light source device 10, the light emitted from a light-emitting discharge tube 1 is reflected by a metallic reflection mirror 2, and then the reflected light B1 is led into a cone-type filter plate 3 with a reflection film formed on its outer surface for reflecting the infrared light and ultraviolet light. - 特許庁

誘電体層２を覆って、紫外光の入射によって所定の励起光を発生する、Ｓｃを添加した第１の保護膜３ａと，該第１の保護膜よりも放電空間側に配置され，前記励起光によって前記放電空間に電子を放出するＳｉを添加した第２の保護膜３ｂを有する。例文帳に追加

A first protective film 3a doped with Sc to generate predetermined excitation light by the incidence of ultraviolet light covers the dielectric layer 2, and a second protective film 3b doped with Si to emit electrons to the discharge space by the excitation light is disposed on the side closer to the discharge space than the first protective layer. - 特許庁

導光部材１７ｂは、キャビティ１４内に充填された紫外線硬化型樹脂を硬化させる為に必要な紫外光を効率よく伝播させる部材（例えば、石英ファイバー素線）が用いられ、これによりエジェクタピン１７それ自体が、ライトガイドとして機能するように構成されている。例文帳に追加

A member such as a quartz fiber element wire for efficiently propagating ultraviolet light required to cure an ultraviolet cured resin filled in the cavity 14 is used as the light guide member 17b, and the ejector pin 17 itself is constituted to function as a light guide. - 特許庁

顔全体に対して平均的に紫外光を照射することにより、顔面に存在する紫外線反応物質ないし可視光では見えにくい初期段階のシミを観察、撮像し、必要によりこれを解析して、被験者の顔の状態を診断する全顔状態撮像用装置を提供すること。例文帳に追加

To provide an apparatus for imaging an entire face for diagnosing a state of the face by evenly emitting an ultraviolet ray to the entire face, observing and imaging an ultraviolet ray reacting substances or liver spots in an initial stage hardly visible in a visual light existing on the face and analyzing them as required. - 特許庁

本発明は、ダイのサイズが紫外光照射手段の最大照射面積よりも大きくても、確実にダイをウェハから剥離できる信頼性の高いダイボンダ又は前記ダイボンダを用い信頼性の高い半導体製造方法を提供することである。例文帳に追加

To provide a highly-reliable die bonder capable of surely peeling a die from a wafer even if the die size is larger than a maximum irradiation area of ultraviolet light irradiation means, or to provide a highly-reliable semiconductor manufacturing method using the die bonder. - 特許庁

本発明によれば、観察対象の所定の位置に設けられたパターンの線幅が所定の制限値に達した場合に、観察対象への深紫外光の照射を停止するので、観察対象が制限値以上に損傷を受けることを防止することができる。例文帳に追加

Since the irradiation of the observation object with the deep ultraviolet light is stopped when the line width of the pattern provided at the prescribed position of the observation object attains the limiting value, the observation object is prevented from being damaged equal to or above the limiting value. - 特許庁

基板１０に紫外光及びオゾン含有ガスを供するプロセスの開始前にオゾン処理炉２はオゾン含有ガスを間欠的に導入し、この導入毎にオゾン濃度測定部３によって測定されたオゾン濃度に基づきプロセス開始前の基板１０の温度を検出する。例文帳に追加

Before start of a process for supplying the ultraviolet light and the ozone-containing gas to the substrate 10, the ozone-containing gas is introduced intermittently into the ozone processing furnace 2, and the temperature of the substrate 10 before start of the process is detected based on the ozone concentration measured by the ozone concentration measuring part 3 in each introduction. - 特許庁

またシート体１は内部に導光した紫外光を両側のシート面から出射できるように内部中央に拡散反射シートをシート面に並行するように設けたり、各シート面にエッジライト効果を得るための溝など形成してある。例文帳に追加

The sheet body 1 is provided with a diffusion reflection sheet in the inside center in parallel to the sheet face so as to emit the ultraviolet light guided to the inside from the sheet faces in the both sides, and the respective sheet faces are formed with grooves so as to provide edge light effects. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することで、短波長光源に対して、感度が優れ、更にパターンプロファイルが優れ、クラッキングの発生が防止できる遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To obtain a positive type photoresist compsn. for far UV exposure excellent in sensitivity to a short wavelength light source in microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light, excellent further in pattern profile and capable of preventing cracking. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決されたポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、具体的には、エッジラフネス、耐エッチング性及び露光のラチチュードの優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供することにある。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition for far UV exposure excellent in edge roughness, etching resistance and exposure latitude. - 特許庁

紫外光のみならず可視光領域も利用しうる光触媒を提供し、この触媒を用いて水等の分解に使用し、これによって、水素を生成、製造する手段を提供しようとするものであり、更にまた、有害化学物質の分解処理に使用し、これによって、有害物質無害化処理手段を提供しようとするものである。例文帳に追加

To provide a photocatalyst which can use visible light region as well as ultraviolet light region, a means for producing hydrogen by electrolyzing water using the catalyst, and further, to provide a means for decomposing them using the catalyst, thereby making harmful chemical substances harmless. - 特許庁

有機フィルム上にチャネル形成領域、ソース領域、およびドレイン領域を有する多結晶シリコンまたは微結晶シリコンからなる非単結晶半導体層を形成し、当該非単結晶半導体層のチャネル形成領域を除いた領域を紫外光によって結晶化を助長したソース領域およびドレイン領域を形成する。例文帳に追加

A non-monocrystal semiconductor layer made of polycrystalline or micronized crystal silicon having a channel-forming layer, a source region and a drain region on an organic film is constituted. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）を使用するミクロフォトファブリケ−ションにあって、十分な感度及び解像力を有し、露光した後の後加熱までに時間が相当経過しても優れた解像力及びパターンプロファイルが得られるポジ型レジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To obtain a positive type resist composition having satisfactory sensitivity and resolving power in microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light (193 nm wavelength) and ensuring superior resolving power and pattern profile even if plenty of time passes until post- heating after exposure. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上のための技術における課題を解決するポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、パターン倒れ性、ＬＥＲ（ラインエッジラフネス）が抑制できる遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition for improving the performance of essential micro-photofabrication using far UV light, in particular, ArF excimer laser light, and also to provide a positive photoresist composition for exposure to far UV rays which suppresses pattern collapse or LER (line edge roughness). - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決されたポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、具体的には、エッジラフネス、耐エッチング性及び密着性の優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供することにある。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition for far UV exposure excellent in edge roughness, etching resistance and adhesion. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術における課題を解決するポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、ＰＥＢ時間依存性が小さい遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供する。例文帳に追加

To provide a positive photoresist composition which solves problems in the techniques to improve the performance of microphotofabrication itself using far UV light, in particular, ArF excimer laser light, and to provide a positive photoresist composition for far UV exposure with low dependence on the PEB (post exposure bake) time. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決されたポジ型フォトレジスト組成物を提供することにあり、より具体的には、孤立ラインパターンのデフォーカスラチチュードが広い、優れた遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供することにある。例文帳に追加

To provide an excellent positive photoresist composition for exposure to far UV rays and having a wide defocus latitude of an isolated line pattern. - 特許庁

レジスト除去方法は、イオンが注入されているレジストに、当該イオンの注入によって形成されたレジストの硬化層にアルカリ可溶性を生じさせる程度の紫外光を照射する照射工程と、前記レジストをアルカリ溶液に接触させて当該レジストをシリコン基板から剥離させる除去工程と、を含む。例文帳に追加

A method for removing resist includes an irradiation step of irradiating ion-implanted resist with ultraviolet light to an extent such that the cured layer of the resist formed by implanting ions becomes alkali-soluble, and a removing step of bringing the resist into contact with an alkali solution to peel the resist from a silicon substrate. - 特許庁

臭化銀を含有する光触媒を製造する光触媒の製造方法であって、シリコンアルコキシドから誘導したシリカゾル及び／又はシリカゲル中に臭化銀を分散させる分散工程を有する光触媒の製造方法によれば、紫外光および可視光に対して高い活性を示す光触媒を提供することができる。例文帳に追加

The photo catalyst production method for producing a photocatalyst containing silver bromide, i.e., the photocatalyst production method comprising a dispersion step of dispersing silver bromide in silica sol and/or silica gel derived from silicon alkoxide and is capable of providing a photocatalyst showing a high activity to ultraviolet rays and visible light rays. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決することで、短波長光源に対して高い感度を有し、更に現像欠陥の発生が軽減され、優れたパターンプロファイルが得られる遠紫外線露光用ポジ型フォトレジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To ensure high sensitivity to a short wavelength light source, to suppress the occurrence of development defects and to obtain a superior pattern profile by using a compd. having a specified structure besides an acid decomposable resin and a photo-acid generating agent. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光を使用する上記ミクロフォトファブリケ−ションにおいて、感度及び解像力に優れ、露光した後の後加熱までに時間が相当経過しても優れた解像力及びパターンプロファイルが得られ、疎密依存性の少ないポジ型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive resist composition excellent in sensitivity and resolving power, ensuring excellent resolving power and pattern profile even if time passes considerably until after-heating after exposure and having small density dependency in microphotofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light. - 特許庁

そして、回転によって順次露出する粒子状物質の新鮮面に、レーザーアブレーション装置５によって真空紫外光が発生する条件下でレーザーアブレーション処理を施すことにより、粒子状物質の表面全体に亘って、ターゲット５ｃから飛散するアブレータを付着させてコーティングすることができる。例文帳に追加

Then, each new face of the granular material successively exposed by the rotation is subjected to laser ablation treatment by a laser ablation apparatus 5 under the condition where vacuum ultraviolet light is generated, so that an ablator scattered from a target 5c is stuck to the whole surface of the granular material and coats it. - 特許庁

ダイオキシン類を含有するダイオキシン類含有水中に、水に不溶性で且つ感光性の塩化銀を生成し、前記ダイオキシン類を吸着した塩化銀の凝集性をを向上すべく、前記塩化銀に紫外光等の光を照射して感光した後、感光した前記塩化銀と水とを分離手段により分離することを特徴とする。例文帳に追加

This treatment method comprises generating water-insoluble photosensitive silver chloride in dioxins-containing water, exposing the silver chloride having adsorbed the dioxins to light, e.g. ultraviolet rays, to improve the agglomeration properties of the silver chloride, and separating the light- exposed silver chloride from water by a separation means. - 特許庁

遠紫外光、とくにＡｒＦエキシマレーザー光（波長１９３ｎｍ）を使用するミクロフォトファブリケ−ションにおいて、脂環式炭化水素部位が導入された酸分解性樹脂を用いたときでも、十分な感度及び解像力を有し、現像残査及び疎密依存性のないレジストパターンを与えるポジ型レジスト組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a positive resist composition having satisfactory sensitivity and resolving power and giving a resist pattern free from residue on development and having no density dependency even when an acid decomposable resin containing an introduced alicyclic hydrocarbon part is used in micro- photofabrication using far ultraviolet light, particularly ArF excimer laser light of 193 nm wavelength. - 特許庁

ヨウ化物イオンを含有するポリビニルアルコール系フィルムの調製工程（１）、および、前記ヨウ化物イオンを含有するポリビニルアルコール系フィルムに紫外光または可視光を照射して、前記ヨウ化物イオンを酸化してヨウ素を生成させる工程（２）、を含むことを特徴とするヨウ素染色されたポリビニルアルコール系フィルムの製造方法。例文帳に追加

The process for producing a polyvinyl alcohol-based film stained with iodine comprises a step (1) of preparing a polyvinyl alcohol-based film containing iodide ions and a step (2) of irradiating the polyvinyl alcohol-based film containing the iodide ions with ultraviolet light or visible light, thereby oxidizing the iodide ions to generate iodine. - 特許庁

室温にて、ＴＥＯＳを用いた真空紫外光ＣＶＤにより、添加ガスに含まれるＯがエキシマランプ１のフォトンエネルギーにより活性酸素となり、ＴＥＯＳのＣＨ基をＯＨ基に置換するため、酸素原子を含む添加ガス種、流量をコントロールすることにより、Ｃ含有量を制御することができる。例文帳に追加

Since O contained in additive gas is rendered active oxygen by the photon energy of an excimer lamp 1 under room temperature using vacuum ultraviolet CVS employing TEOS and the CH group of TEOS is substituted by the OH group, content of C can be controlled by controlling the type and flow rate of additive gas containing oxygen atoms. - 特許庁

光導波路への水素分子添加後の経過時間にかかわりなく、紫外光照射による屈折率変化量の増大効果を長期にわたって維持することができ、さらには安定したスペクトル特性を有する屈折率回折格子を得ることができる屈折率回折格子の作製方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing such a refractive index diffraction grating that can maintain the effect to enhance the changes in the refractive index by irradiation with UV rays for a long time without depending on the time having passed after the addition of hydrogen molecules to an optical waveguide and that has stable spectral characteristics can be obtained. - 特許庁

紫外光域で励起し可視光域で発光する少なくとも１種の蛍光染料と、顔料と、を有する水系蛍光インクにおいて、前記顔料は、ノニオン界面活性剤、又はアニオン界面活性剤がその表面に吸着した界面活性剤分散顔料であることを特徴とする水系蛍光インク。例文帳に追加

The invention relates to the aqueous fluorescent ink comprising at least a fluorescent dye exciting in ultraviolet range and light emitting in visible range and a pigment, wherein the pigment is a dispersion type pigment on which a nonionic surfactant or an anionic surfactant is adsorbed on the surface of it. - 特許庁

第一の画素パターンを用いたモチーフを構成する画素は可視光で回折する回折格子によって構成され、第二の画素パターンを用いたモチーフを構成する画素は赤外光又は紫外光で回折する回折格子によって構成され、それらのモチーフが重なる画素の位置には、多重画素パターンを構成する。例文帳に追加

Pixels composing a motif using a first pixel pattern is composed by a diffraction grating which diffracts visible light, pixels composing a motif using a second pixel pattern is composed by a diffraction grating which diffracts infrared light or ultraviolet light, and a multiplex pixel pattern is composed at the position of pixels at which these motifs are superimposed. - 特許庁

２つの作用である自己洗浄と自己浄化のコーティングは、表面に沿って移動する水滴を有することによって、汚染物質を除去し且つ表面の洗浄をできる超疎水性の態様と、紫外光と湿気の存在中に水酸基ラジカルを生成することによって表面を消毒できる光化学的に活性な態様とからなる。例文帳に追加

A dual action self-cleaning and self-decontaminating coating consists of a superhydrophobic aspect capable of removing contaminants and cleaning the surface by having water droplets moving along the surface and a photochemically active aspect capable of disinfecting the surface by producing hydroxyl radicals in the presence of UV radiation and moisture. - 特許庁

遠紫外光、ＥＵＶ、電子線等、特にＡｒＦエキシマレーザー光を使用するミクロフォトファブリケ−ション本来の性能向上技術の課題を解決すべく、現像性に優れ、且つ、露光ラチチュード及びラインエッジラフネス性能に優れた感活性光線性または感放射線性樹脂組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide an actinic ray- or radiation-sensitive resin composition having high developability, exposure latitude and line edge roughness performance to solve a problem of an essential performance improvement technology of microphotofabrication using far-ultraviolet light, EUV, an electron beam, or the like, especially ArF excimer laser light. - 特許庁

粘着性支持シートに半導体ウェハを支持してダイシングし、個々の半導体チップに分離した後、次のピックアップ工程に備えて前記粘着性支持シートに紫外光照射して粘着性を低減する際に、半導体ウェハ周辺の非有効半導体チップについて粘着性の低減を抑制し、非有効半導体チップの脱落を抑制する。例文帳に追加

To suppress a reduction in the adhesiveness of noneffective semiconductor chips around a semiconductor wafer to prevent the noneffective semiconductor chips from falling, when emitting UV-rays onto an adhesive support sheet to reduce its adhesiveness in preparation for a pickup process to follow after the semiconductor wafer is diced into individual semiconductor chips, while it is supported on the adhesive support sheet. - 特許庁

安定性に優れ、低昇華性であり、現像性に優れ、可視光領域の透過率が高く、３６５ｎｍ等の近紫外光を効率よく吸収し活性化される高感度の光重合開始剤として有用な新規な化合物及び該化合物を用いた光重合開始剤並びに感光性組成物を提供すること。例文帳に追加

To provide a new compound excellent in stability, having a low sublimating property, excellent in developing property, having high transmittance in a visible light region and useful as a highly sensitive photopolymerization initiator activated by absorbing a near ultraviolet light at 365 nm etc., in a good efficiency, and a photopolymerization initiator and a photosensitive composition by using the same compound. - 特許庁

ぎょう虫卵検査装置１０は、試料に紫外光を照射してぎょう虫卵を励起させる励起光照射部５２と、励起されたぎょう虫卵が発生させる蛍光を含む画像のデータである画像データを取得する画像データ取得部２０と、画像データに基づいて、蛍光を検出することによってぎょう虫を発見する解析部６０と、を備える。例文帳に追加

The pinworm egg inspection device 10 includes an excitation light irradiation section 52 irradiating the sample with ultraviolet rays to excite the pinworm eggs; an image data acquisition section 20 acquiring image data which are data of an image containing fluorescence to be generated by the excited pinworm eggs; and an analysis section 60 finding pin worms by detecting the fluorescence based on the image data. - 特許庁

スタンパの生産性に優れ、光硬化性樹脂層に対する離型性が良好であり、離型時の強度に優れ、紫外光（ＵＶ光）の透過性に優れ、かつ使用後のリサイクル性にも優れた、ＵＶナノインプリント技術に好適な、硬化樹脂組成物用樹脂スタンパ、中でも光多層記録媒体用の樹脂スタンパを提供する。例文帳に追加

To provide a resin stamper for curable resin compositions excellent in productivity of the stamper, having good mold releasability against a photocurable resin layer, excellent in strengths in mold release, in permeability of ultraviolet light (UV light) and also in recyclability after having been used and suitable to UV nanoimprint technique, above all, a resin stamper for optical multilayer recording media. - 特許庁

ｎ形窒化物半導体層３およびｐ形窒化物半導体層５それぞれに接触する一対の電極のうちの一方の電極であるｐ電極６が、発光波長の紫外光に対する光吸収係数が５×１０^４ｃｍ^−１以下である金属材料により形成された透明金属層６１を有する透明電極からなる。例文帳に追加

A p electrode 6 as one electrode in a pair of electrodes brought into contact with each of the n-type nitride semiconductor layer 3 and the p-type nitride semiconductor layer 5 consists of a transparent electrode including a transparent metallic layer 61 formed of a metal material whose optical absorption coefficient to the ultraviolet light having the luminescent wavelength is ≤5×10^4 cm^-1. - 特許庁

紫外光〜青色光の短波長の励起光を用いた場合でも輝度が高いサイアロン構造の赤色蛍光体を高い歩留まりで製造することができる赤色蛍光体の製造方法、およびこの製造方法で得られる赤色蛍光体、ならびにこの赤色蛍光体を用いた発光装置を提供すること。例文帳に追加

To provide a method for producing a red phosphor for achieving production of a red phosphor having a sialon structure in a high yield, the red phosphor giving high luminance even when excitation light at a short wavelength from ultraviolet to blue light is used, and to provide a red phosphor obtained by the production method and a light emitting device using the red phosphor. - 特許庁