「ばんだいふえき」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

第二板金部材のばね部の弾性力により接地電位の第二板金部材の押さえ部及び接地電位の第一板金部材にＦＦＣ３４が圧接することにより、ＦＦＣ３４に起因するＥＭＩがさらに低減される。例文帳に追加

With the elastic force of a spring part of a 2nd sheet metal member, the FFC 34 is pressed against a presser part of the 2nd sheet metal member with a ground potential and a 1st sheet metal member with the ground potential to further reduce the EMI due to the FFC 34. - 特許庁

第一の基板ＳＵＢ１と弟２の基板ＳＵＢ２をガラス基板とし、その上に第一のエッチングストッパ層と第二のエッチングストッパ層ＨＦＦＳ２をこの順で形成する。例文帳に追加

A first substrate SUB1 and a second substrate SUB2 comprising glass substrates are prepared, on which a first etching stopper layer and a second etching stopper layer HFFS2 are formed in this order. - 特許庁

第１側面ＦＳＳ１と第２側面ＦＳＳ２の間隔は、上面ＦＵＳから半導体基板１側に向かうにつれて狭くなる。例文帳に追加

The interval between the first side FSS1 and the second side FSS2 becomes narrower toward the side of the semiconductor substrate 1 from the upper surface FUS. - 特許庁

基板１０上にフエイスアップ搭載された第１半導体チップ２１の第１電極１１と、基板１０上に形成された第２電極１２とを、フエイスダウンボンディングされた第２半導体チップ２２〜２４により接続する。例文帳に追加

The first electrode 11 of the first semiconductor chip 21 which is face-up mounted on the substrate 10 and the second electrode 12 formed on the substrate 10 are connected with face-down bonded second semiconductor chips 22-24. - 特許庁

したがって、第２主搬送機構Ｔ_ＩＦＭの機能が低下した場合であっても第２主搬送機構Ｔ_ＩＦＭに替わって第２予備搬送機構Ｔ_ＩＦＳが基板搬送を行うことができる。例文帳に追加

Accordingly, the second spare transport mechanism T_IFS can transport the substrate in lieu of the second main transport mechanism T_IFM even when the function of the second main transport mechanism T_IFM is degraded. - 特許庁

番手が増えるほどヘッドの重心高さ、ヘッド体積、ヘッド最大高さが大きい。例文帳に追加

The centroid height, head volume and maximum head height are greater as the shaft numbers are higher. - 特許庁

南蛮貿易に関係のない内陸部などでもキリシタン大名は増えていった。例文帳に追加

The number of Christian daimyo continued to increase, even in landlocked regions and other areas unconnected the trade with Spain and Portugal.  - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

駆動回路基板１１からゲート側ドライバＩＣ６への信号は、第１のＦＦＣ１３とソース側バス基板７と第２のＦＦＣ１４とゲート側バス基板８を経て入力される。例文帳に追加

A signal from the drive circuit board 11 to the gate-side driver IC 6 is input through the first FFC 13, source-side bus substrate 7, second FFC 14, and gate-side bus substrate 8. - 特許庁

メイン基板１４ｂ（第１基板）に基板用コネクタ２０が固定され、このコネクタ２０にＦＦＣ１（フラット配線材）およびサブ基板１４ｃ（第２基板）が差込み固定される。例文帳に追加

The connector for a substrate 20 is fixed to a main substrate 14b (a first substrate) and has an FFC1 (a flat wiring material) and a sub- substrate 14c (a second substrate) plugged in and fixed to it. - 特許庁

熱変形情報に基づきユニット６の駆動を較正することによって基台１１上の基板３に付された基板上マークＦＭ1、ＦＭ2を認識可能な位置に一のカメラ９１を移動させて基板上マークＦＭ1、ＦＭ2を認識する。例文帳に追加

By calibrating the drive of the unit 6 based on the thermal deformation information, the camera 91 is moved to positions on which the marks FM1, FM2 put on the base 3 on a base board 11 can be recognized to recognize the marks FM1, FM2 on the base. - 特許庁

基板の大型化に対応し，かつ基板の入れ換え時間を短縮できる，塗布液吐出用ダイヘッドを用いた塗布装置を提供する。例文帳に追加

To provide an applicator using a die head for discharging a coating liquid which can correspond to the upsizing of a substrate and curtail a substrate replacement time. - 特許庁

本発明はノズルを用いた基板塗布装置に関し、基板に対し既定量の塗布液を精度よく供給することを課題とする。例文帳に追加

To precisely supply the prescribed quantity of a coating liquid on a substrate in a substrate coating apparatus using a nozzle. - 特許庁

第一板金部材２４及び第二板金部材３８は、フェライトコア５２を所定の位置に拘束することができ、協働してＦＦＣ３４を狭持することができ、第二板金部材３８のばね部の弾性力により互いに係止される。例文帳に追加

The 1st sheet metal member 24 and 2nd sheet metal member 38 are capable of restraining the ferrite core 52 to a specified position and cooperatively clamping the FFC 34, and locked with the elastic force of a spring part of the 2nd sheet metal member 38. - 特許庁

ＩＦ部５は、露光機ＥＸＰに対して基板Ｗを搬送する第２主搬送機構Ｔ_ＩＦＭと、第２主搬送機構Ｔ_ＩＦＭに替わって露光機ＥＸＰに対して基板Ｗを搬送する第２予備搬送機構Ｔ_ＩＦＳとを有する。例文帳に追加

The IF part 5 includes a second main transport mechanism T_IFM transporting a substrate W to the exposure machine EXP, and a second spare transport mechanism T_IFS transporting a substrate W to the exposure machine EXP in lieu of the second main transport mechanism T_IFM. - 特許庁

第１の多重記述ビットストリームに対する第１および第２のクラスのビットストリームは、ＦＭホストキャリアの第１側波帯のそれぞれ第１および第２のサブバンドで送信され、第２の多重記述ビットストリームに対する第１および第２のクラスのビットストリームは、このＦＭホストキャリアの第２側波帯のそれぞれ第１および第２のサブバンドで送信される。例文帳に追加

The quality of the combination of the C stream, E1 stream, and E2 stream is much higher than the analog AM quality. - 特許庁

第１の基板１０上に設けられた第１の電極１１および第２の電極１２の間に横電界を発生させるＦＦＳ構造を有する液晶表示装置において、第１の基板１０と対向する第２の基板２０上に、第１の電極１１および第２の電極１２と縦電界を発生させる第３の電極２１をさらに備える。例文帳に追加

The liquid crystal display device has an FFS structure generating a lateral electric field between a first electrode 11 and a second electrode 12 on a first substrate 10, wherein a third electrode 21 for generating a vertical electric field with the first electrode 11 and the second electrode 12, is arranged on a second substrate 20 opposing to the first substrate 10. - 特許庁

第１の回転数は、空気抵抗により第１の滴下量の塗布液が基板に均一に広がらない回転数である。例文帳に追加

Therein, the first rotation number is such a rotation number that the coating liquid of the first dropping amount does not spread uniformly over the substrate owing to air resistance. - 特許庁

金属板１１上に第１のマスキング１６を形成してハーフエッチングを施して略円錐形の金属バンプ１１Ｂを形成する。例文帳に追加

First masking films 16 are formed on a metal plate 11, and then the metal plate 11 is subjected to half etching for the formation of nearly conical metal bumps 11B. - 特許庁

金属板１１上に第１のマスキング２０を形成してハーフエッチングを施して略円錐形の金属バンプ１１Ｂを形成する。例文帳に追加

First masking films 20 are formed on a metal plate 11, and then the metal plate 11 is subjected to half etching for the formation of nearly conical metal bumps 11B. - 特許庁

(4) 本法第 15条第 6段落の規定の適用上，本法第 15条第 1段落の規定を満たしている特許出願は，出願日に関連する番号が増える順番に従って，国家特許出願登録簿に記入される。例文帳に追加

(4) In the application of the provisions of Art. 15 paragraph (6) of the Law, the patent applications fulfilling the provisions of Art. 15paragraph (1) of the Law shall be entered in the National Register of Filed Patent Applications, in the increasing order of the number to which the filing date is associated. - 特許庁

静止画像の連続表示に際して、第Ｎ番目の画面から第（Ｎ＋Ｍ）番目の画面より成る強制点灯期間中、各画面の第１番目のサブフィールドＳＦ１（ＳＦｉ＝ＳＦｊ＝ＳＦｋ＝…＝ＳＦｌ＝ＳＦ１）で強制点灯させる。例文帳に追加

When still pictures are successively displayed, during a forcible lighting period consisting of an N-th to (N+M)th pictures, each picture is lighted at an i-th sub-field SF1 (SFi=SHj=SFk=...=SF1=SF1). - 特許庁

対向基板１５上に設けられた各第１目標位置Ｔａに向かって、それぞれ対向基板１５の法線に対して第１傾斜角θａだけ傾斜する第１吐出方向Ａａの第１液滴Ｆａを吐出させるようにした。例文帳に追加

A first liquid droplet Fa with a first discharge direction Aa inclined to the normal line of an opposite substrate 15 by a first oblique angle θa is discharged toward each first target position Ta set on the opposite substrate 15. - 特許庁

回路基板Ｐ上に実装される第１コネクタＣ１と、ＦＦＣ１０を保持する第２コネクタＣ２とを嵌合することによりＦＦＣ１０を基板上回路に接続する。例文帳に追加

By fitting a first connector C1 mounted on a printed circuit board P with a second connector C2 holding FFC10, the FFC10 is connected with a circuit on the board. - 特許庁

ダイシング加工を要するＱＦＮパッケージ用銅合金板において、ダイシング加工性を改善する。例文帳に追加

To improve a dicing workability of a copper alloy sheet for use in a QFN package, which requires to be dice-worked. - 特許庁

ＨｆＳｉＯＮ膜及び第１熱酸化膜が除去された基板の露出面に、第２熱酸化膜を形成する。例文帳に追加

A second thermal oxide film is formed on the exposed surface of the board, where the HfSiON film and the first thermal oxide film have been removed. - 特許庁

透過部１０Ｔは、第１の透明基板１０に配置された第１の共通電極１５、及び第１の画素電極１７を備え、高いコントラスト及び広視野角のＦＦＳモードにより動作する。例文帳に追加

The transmissive portion 10T includes a first common electrode 15 and a first pixel electrode 17 disposed on the first transparent substrate 10 and is operated by a FFS (fringe field switching) mode with high contrast and a wide viewing angle. - 特許庁

版胴を移動させることによって発生する塗布液の乾燥の問題やダストの付着の問題に対処する例文帳に追加

To solve problems such as the drying of coating liquid and the adhesion of dusts to a plate cylinder developing due to the shifting of the plate cylinder. - 特許庁

第１ミキサ３は、第１周波数シンセサイザ２からのＩＦ信号を用いて、ベースバンド部１からのベースバンド信号を第１使用周波数帯Ｆ_Ａの第１送信信号にアップコンバートする。例文帳に追加

A first mixer 3 up-converts the base band signal from the base band section 1 to a first transmission signal of the first used frequency band F_A by using the IF signal from the first frequency synthesizer 2. - 特許庁

置台１２は内部を流通する冷媒によって冷却され、載置台１２に載置された基板１および基板１上の機能層ＦＬは載置台１２によって冷却されている。例文帳に追加

The placement table 12 is cooled with a cooling medium circulating in it, and the substrate 1 placed on the placement table 12 and the functional layer FL on the substrate 1 are cooled by the placement table 12. - 特許庁

液晶組成物を第一液滴にしてマザー基板３Ｍに吐出し、吐出領域Ｓに液状膜ＦＬを形成する。例文帳に追加

The liquid crystal composition is discharged as a first droplet to a mother board 3M to form a liquid film FL in a discharge region S. - 特許庁

ＱＦＮパッケージが実装される実装基板５上に、ＱＦＮパッケージの宙吊りリード３がはんだ付けされる宙吊りリードランド７と、ダイパッド２がはんだ付けされるダイパッドランド９を設ける。例文帳に追加

Hanging lead lands 7 for soldering hanging leads 3 of a QFN package and a die pad land 9 for soldering a die pad 2 are provided on a mounting board 5 for mounting the QFN package. - 特許庁

テーブル２０は、例えば第１マスターキー２ａに第１暗号演算式Ｆ１(ｘ)、第２マスターキー２ｂに第２暗号演算式Ｆ２(ｘ)というように、キー番号Ｎごとに暗号演算式Ｆ(ｘ)が割り当てられている。例文帳に追加

In the table 20, a cryptographic arithmetic expession F(x) is assigned for each key number N so that a first cryptographic arithmetic expression F1(x) can be assigned to a first master key 2a, and that a second cryptographic arithmetic expression F2(x) can be assigned to a second master key 2b. - 特許庁

スリットノズル３１から塗布液２０を塗布して塗布膜を形成する第１の工程と、次なる基板上に塗布液２０を塗布せずに待機する第２の工程と、スリットノズル３１の下方位置にその吐出口３０から間隔を経て配置されるローラ部５０に塗布液２０を吐出する第３の工程と、を含み、第２の工程において、スリットノズル３１からローラ部５０へ塗布液２０を吐出させる。例文帳に追加

The substrate coating method includes: a first process of forming a coating film by coating a coating solution 20 from a slit nozzle 31; a second process of standing by without coating the coating solution 20 on the next substrate; and a third process of discharging the coating solution 20 onto a roller part 50 that is disposed below the slit nozzle 31 with an interval from the discharge opening 30 thereof. - 特許庁

Ｓｉ基板１０１の上にスパッタによりＨｆ−Ｓｉ膜１０２を形成する第１工程と、Ｈｆ−Ｓｉ膜を酸化してＨｆＳｉＯ膜１０３を形成する第２工程と、ＨｆＳｉＯ膜を窒化してＨｆＳｉＯＮ膜１０５を形成する第３工程を含む。例文帳に追加

A method of depositing an insulating film includes: a first step of depositing an Hf-Si film 102 on an Si substrate 101 by sputtering; a second step of depositing an HfSiO film 103 by oxidizing the Hf-Si film; and a third step of forming an HfSiON film 105 by nitriding the HfSiO film. - 特許庁

このとき、基板層１Ｓ内に埋め込み絶縁層ＢＯＸと接触する第１半導体領域ＦＳＲ１が形成されている。例文帳に追加

Then, a first semiconductor region FSR1 in contact with the buried insulating layer BOX is formed in the substrate layer 1S. - 特許庁

そのため、すっきり収まると共に、基台３の一カ所にまとめることができ、盤内の配線スペースが増え、施工性も高まる。例文帳に追加

The wires are thereby housed neatly and simply, and gathered in one place of a base 3, and a wiring space in a board is increased, thus improving the workability. - 特許庁

基板を構成する部品点数が増えても、短時間でかつ容易に台座にセットすることができること。例文帳に追加

To enable a base plate to be easily set on a base in a short period of time, even when the number of components constituting the base plate is increased. - 特許庁

孔部９０は、第１側壁面４８ａから塗布液５１に開口し、図中Ｙ方向に沿ってバンク部４７中に延在される。例文帳に追加

A hole part 90 is opened to a coating liquid 51 from a first side wall surface 48a, and is extended into a bank part 47 along the Y direction in the figure. - 特許庁

ダイヘッドを用いて基板の表面に塗布液を塗布する場合に、高品質な塗布膜を実現する塗布方法を提供する。例文帳に追加

To provide a coating method achieving a high-quality coating film when applying a coating liquid to a surface of a substrate using a die head. - 特許庁

そして、第一液滴と第二液滴Ｄ２とからなる液状膜ＦＬを有したマザー基板３Ｍを封止圧の雰囲気の下に移動して封止温度に昇温させ、他のマザー基板によって封止する。例文帳に追加

Then, the mother board 3M having a liquid film FL formed of the first droplet and second droplet D2 is moved into the atmosphere of sealing pressure and a temperature is raised to a sealing temperature to be sealed with another mother board. - 特許庁

基板Ｓを載置して回転する円盤状のステージ１０の上部に塗布液を吐出するための供給ノズル１２と、供給ノズルを移動させるためのアーム（第１のアーム１３及び第２のアーム１４）を有している。例文帳に追加

The coating film forming device includes supply nozzles 12 for ejecting a coating liquid on the upper part of a rotating disk like stage 10 on which a substrate S is placed and arms (a first arm 13 and a second arm 14) for moving the supply nozzle. - 特許庁

パワーウインドウ装置１０は、ケース１３と、制御回路１２（例えば、ＩＣ）やトランジスタＴＲ１〜ＴＲ３等が実装された制御基板と、第１及び第２リレー２２、２４と、リードフレームＦＬ１〜ＦＬ１２とを備えている。例文帳に追加

A power window device 10 is equipped with a case 13, a control substrate mounting a controlling circuit 12 (for example, IC) or transistors TR1-TR3, etc., thereto, first and second relays 22 and 24 and lead frames FL1-FL12. - 特許庁

対向基板１５をＹ方向に走査して、リブ３０と交差する方向に沿う第１液状膜ＦＬ１を形成した。例文帳に追加

By scanning a counter substrate 15 in a Y direction, a first liquid film FL1 along a direction intersecting a rib 30 is formed. - 特許庁

超音波ボンデングによりフエイスダウン実装をする際、半導体基板の裏面（第二の主面）に傷又は欠けが発生することを防ぐ。例文帳に追加

To prevent generation of damage or crack at the rear surface (second main surface) of a semiconductor substrate when the face-down mounting is executed with an ultrasonic bonding process. - 特許庁

基板の表面にうねりがある場合であっても，塗布液吐出用ダイヘッドを基板に十分に近接させて，基板上に均一な塗布膜を形成する。例文帳に追加

To form a uniform coating film on a base by allowing a coating solution discharging die head to approach the base even if the base has an undulated surface. - 特許庁