「イオン化エネルギー」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

チューブ１の先端部１ａ周辺には、複数の隔壁１０，１０，…からなる遮蔽部９を設け、イオン化源６から発生する軟Ｘ線、低エネルギー電子線又は放射性同位元素からの放射線等を遮蔽する。例文帳に追加

A shield part 9 consisting of partition walls 10, 10,... is provided in the periphery of the leading end part 1a of the tube 1 to shield soft X-rays, low energy electron beam or radioactive rays from a radioactive isotope generated from the ionizing source 6. - 特許庁

光源１００は、チャンバ１２８と、前記チャンバ内のガスをイオン化するための点火源１４０と、前記チャンバ内の前記イオン化ガスにエネルギーを供給して高輝度光１３６を生成するための連続波レーザ１０４と、を備える。例文帳に追加

A light source 100 includes: a chamber 128; an ignition source 140 that ionizes a gas within the chamber; and a continuous wave laser 104 that provides energy to the ionized gas within the chamber to produce a high brightness light 136. - 特許庁

電位が無く、かつ電荷の中性条件が成立すると仮定し、量子多体効果を無視した場合のフェルミエネルギーを求めるステップと、前記フェルミエネルギーを用いて、量子多体効果を考慮したドナーおよびアクセプターのイオン化率を求めるステップと、を備えたことを特徴とする。例文帳に追加

A simulation method for a semiconductor device has a step for determing a Fermi energy of the semiconductor device when assuming that it has no potential and the neutrality condition of its charge is satisfied, and ignoring any quantum many-body effect in it; and a step for using the Fermi energy to determine the ionization rates of its donor and acceptor when considering the quantum many-body effect in it. - 特許庁

カソードと、アノードと、それらの間に配置された発光層（ＬＥＬ）とを含み、該発光層が、リン光性ゲスト物質と、正孔および電子を輸送するホスト物質と、ホスト物質のイオン化ポテンシャルよりも低いイオン化ポテンシャル、および、リン光性ゲスト物質の三重項エネルギーレベルよりも最大でも０．２ｅＶ低い三重項エネルギーレベルを有する効率向上物質とを含むエレクトロルミネセンスデバイスが開示される。例文帳に追加

There is provided the electroluminescent device comprising a cathode, an anode and a light-emitting layer (LEL) located therebetween and comprising a phosphorescent guest material, a hole- and electron-transporting host material, and an efficiency-enhancing material having an ionization potential lower than that of the host material and a triplet energy level that is lower than that of the phosphorescent guest material by no more than 0.2 eV. - 特許庁

本発明は、半導体表面にフラーレン誘導体分子およびメタロセン分子のうち電子親和力が大きい、或いはイオン化エネルギーの小さいものを付着させることにより、分子から半導体への電荷移動を誘起させ、半導体のドーピングを行う。例文帳に追加

By having either fullerene derivative molecules or metallocene molecules, having larger electron affinity or smaller ionization energy adhered to the surface of a semiconductor, charge transfer from the molecule to the semiconductor is induced, and doping of the semiconductor is carried out. - 特許庁

Ｓｉ原子、または、Ｓｉクラスタをイオン化後、加速電極６でＳｉイオンを加速し、該イオンを基板７に照射してＳｉ膜を成膜する半導体薄膜の製法であって、前記Ｓｉイオンとしてエネルギーが２〜８ｅＶに制御されたＳｉイオンを用いることを特徴とする半導体薄膜の製法。例文帳に追加

In the semiconductor film manufacturing method, Si ions are accelerated by an accelerating electrode after ionizing Si atoms or Si clusters, and a substrate 7 is irradiated with the accelerated ions to form a Si film, using Si ions which are controlled to energy of 2-8 eV. - 特許庁

ＧａＡｓ半導体基板上に構成された少なくとも１つのｐ−ｎ接合を有する半導体装置、たとえばヘテロ接合バイポーラトランジスタ（ＨＢＴ）において、インパクトイオン化のしきい値エネルギーを高くし、それによって、耐圧を高くする。例文帳に追加

To enhance pressure resistance by increasing the threshold energy of impact ionization in a semiconductor device which has at least one p-n junction which is composed on a GaAs semiconductor substrate, for example, a heterojunction bipolar transistor (HBT). - 特許庁

試料から放出されるイオンを検出して質量分析を行う質量分析方法において、その試料近傍に設けられた導電体へ光を照射してプラズモン共鳴を発生させた状態で、その試料へエネルギービームを照射してイオン化を行う。例文帳に追加

The method for analyzing mass detects ions released from a sample in which ionization is made by irradiating the sample with energy beams in the condition where light is illuminated to a conductor provided close to the sample, so that plasmon resonance is generated. - 特許庁

集積化された銅のビアを充填する方法は、銅の高度にイオン化されたスパッタ堆積の第１ステップと、銅の、よりニュートラルな低いエネルギーのスパッタ堆積の第２ステップと、ホールへ銅を電気メッキする第３ステップを有する。例文帳に追加

An integrated copper via filling process with the inventive reactor or other reactor includes a first step of highly ionized sputter deposition of copper, a second step of more neutral, lower-energy sputter deposition of copper, and a third step of electroplating copper into a hole. - 特許庁

水を噴霧する構造部品が絶縁できており、高電圧の帯電部が衝突部のみの容易な構造にでき、かつ、コロナ放電させず水を噴霧し衝突エネルギーで微細化すると同時に水に帯電させるため、オゾンを含まない安全なイオン化粒子を供給することができること。例文帳に追加

To provided an ion generator in which a structural component for spraying water is insulated, and a high voltage electrostatic charged portion can be a simple structure having only a collision portion and moreover, a corona discharge is not conducted and water is sprayed and is pulverized by a collision energy and water is electrified simultaneously, and as a result, safe ion particles not containing ozone can be supplied. - 特許庁

大気圧雰囲気下では試料３から放出されたクラスタは周囲の空気に触れて冷却されるが、レーザ光３０の照射によりエネルギーを付与されてクラスタの分解が促進され、それに伴って単離したアナライトのイオン化も促進される。例文帳に追加

Although the cluster discharged from the sample 3 is cooled by contacting with the surrounding air under ambient atmospheric pressure, decomposition of the cluster is promoted by addition of energy by irradiation of the laser beam 30, and the analyte isolated accordingly is promoted as well. - 特許庁

磁気記録媒体またはヘッドスライダまたはその両方について、保護層を下層とその上にある上層との二層で構成し、下層のイオン化ポテンシャルが上層よりも小さく、上層の表面自由エネルギーが４５ｍＮ／ｍ以下であるようにする。例文帳に追加

A protective layer of the magnetic recording medium or the head slider or both of them is constituted of two layers of a lower layer and an upper layer existing thereon, an ionized potential of the lower layer is lower than that of the upper layer and the upper layer has ≤45 mN/m surface free energy. - 特許庁

基板の表面に固定された多数の固定試料に標的物質を特異結合させた測定チップを使用し、各標的物質にレーザ光を照射してイオン化した標的物質分子イオンに電界運動エネルギーを与えて質量検出することにより標的物質を固定する。例文帳に追加

By using a measurement chip made by specifically bonding target substances to a multitude of fixed specimens fixed on a surface of a substrate, electric-field kinetic energy is given to molecular ions of the target substance ionized by irradiating each target substance with laser light thereby performing mass detection to fix the target substance. - 特許庁

二次電子１８は、電界供給電極１１近傍で残留ガス分子をイオン化させるのに充分なエネルギーをもつまでに加速され、残留ガス分子との衝突によるイオン化が繰り返されて、電子およびイオンの数が電界供給電極１１に近づくに従って指数関数的に増幅される。例文帳に追加

The secondary electron 18 is accelerated until it has energy sufficient enough to ionize residual gas molecules in the vicinity of the electric field supply electrode 11, ionization by collision with the residual gas molecules is repeated, and the number of electrons and ions is amplified exponentially as it approaches the electric field supply electrode 11. - 特許庁

本発明は、強化ガラス製造装置であって、強化させようとするガラス基板を移送する移送部と、移送部によって移送されるガラス基板にエネルギーを放射してガラス基板のアルカリ酸化物をイオン化させるイオナイザー（ｉｏｎｉｚｅｒ）と、イオナイザー（ｉｏｎｉｚｅｒ）によってアルカリ酸化物がイオン化されたガラス基板の内部温度を上昇させる誘電加熱部とを含む。例文帳に追加

The apparatus for manufacturing tempered glass includes: a transfer section which transfers a glass substrate to be tempered; an ionizer which ionizes alkali oxides in the glass substrate by radiating energy on the glass substrate transferred by the transfer section; and a dielectric heating section which raises the internal temperature of the glass substrate in which the alkali oxides have been ionized by the ionizer. - 特許庁

素子の製造等においてクラスターイオンを加速するに際し、加速電圧を変えることなくクラスターを構成する原子１個当たりのエネルギーを向上させることが可能となるクラスターのイオン化方法および装置、これらによりイオン化されたクラスターを用いた膜形成方法、エッチング方法、表面改質方法、洗浄方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method and an apparatus for ionizing cluster capable of increasing the energy per atom constituting the cluster without changing the acceleration voltage when accelerating cluster ions in manufacturing elements or the like, and a method for forming a film using the cluster ionized thereby, an etching method, a surface modification method and a cleaning method. - 特許庁

クラスターのイオン化方法または装置において、クラスターイオンビーム源５を備え、該クラスターイオンビーム源を、クラスターに照射される光の波長を内殻電子による電離が起きるエネルギー持つ波長範囲に制御可能とした波長制御機構（回折格子，アパチャースリット）を有する構成とし、オージェ過程を利用してクラスターを多価にイオン化するように構成する。例文帳に追加

In the method and the apparatus for ionizing cluster, a cluster ion beam source 5 is included, the cluster ion beam source has a wavelength control mechanism (diffraction grating, aperture slit) capable of controlling the wavelength of the light irradiated on the cluster in a wavelength range having the energy to cause ionization by inner shell electron, and the cluster is ionized in multivalent manner by utilizing Auger process. - 特許庁

分子をイオン化し、イオン化により生成した分子イオンを分離し、分離した分子イオンを検出して質量を分析するようにした質量分析装置において、分子をイオン化するイオン源が、電子サイクロトロン共鳴現象により分子量が１０００以上の高分子の分子量に適した低エネルギー電子を有するＥＣＲプラズマを発生させ、上記ＥＣＲプラズマにより上記高分子をイオン化するＥＣＲイオン源であるようにした。例文帳に追加

In a mass spectrometer designed to analyze a mass by ionizing a molecule, separating an molecule ion generated by ionization, and detecting the separated molecule ion, an ion source to ionize the molecule is an ECR ion source in which ECR plasma having low energy suitable for the molecule weight of a macromolecule having a molecule weight of not less than 1,000 is generated by an electron cyclotron resonance phenomenon, and the macromolecule is ionized by the ECR plasma. - 特許庁

二次イオンおよび後からイオン化された中性の二次粒子を分析するための質量分析器において、試料を照射することで二次粒子を発生させるための一次イオンビームを作り出すイオン源と、二次粒子の質量分析のための分析ユニットとを設け、一次イオンを構成する原子１個あたりの運動エネルギーを20eV以下の領域で制御できる機能を装備させる。例文帳に追加

The mass spectroscope for analyzing secondary ions and neutral secondary particles ionized afterward to be analyzed is provided with an ion source for making primary ion beams for generating secondary particles by irradiating the sample, and an analyzing unit for mass spectrometry of the secondary particles, and is also provided with a function capable of controlling kinetic energy per atom structuring a primary ion in a range of 20 eV or less. - 特許庁

基板の表面にＺｎ層を形成する第１段階と、Ｚｎ層をパターニングする第２段階と、基板をＺｎを含む溶液とＺｎをイオン化する溶液との混合溶液に入れ、超音波発生器を使用し、Ｚｎ層上にＺｎＯナノワイヤを形成する第３段階とを含むことを特徴とする超音波エネルギーを利用したＺｎＯナノワイヤの製造方法である。例文帳に追加

The method for manufacturing the ZnO nanowire by using ultrasonic energy comprises: a first step of forming a Zn layer on the surface of a substrate; a second step of patterning the Zn layer; and a third step of putting the resulting substrate in a mixed solution of a Zn-containing solution with a Zn ionization solution and forming the ZnO nanowire on the Zn layer by using an ultrasonic generator. - 特許庁

本発明のフッ化物薄膜の形成方法は、金属ターゲットを用い、少なくともフッ素を含むガスで反応性スパッタを行うことにより、基板上に金属フッ化薄膜を形成する薄膜形成方法において、フッ素を含むガスのイオン化エネルギー以下で電子を該フッ素を含むガスに照射することにより該フッ素を含むガスを活性化して導入しスパッタを行うことを特徴とする。例文帳に追加

The fluoride thin film depositing method is characterized in that gas containing fluorine is activated and introduced to perform sputtering by irradiating electrons on the gas containing fluorine at the energy below the ionization energy of the gas containing fluorine in a thin film depositing method to deposit a metal fluoride thin film on a substrate by performing the reactive sputtering with the gas containing at least fluorine by using a metal target. - 特許庁

プラズマ加速装置は、一端部を開放する出口を有するチャンネルと、チャンネル内にガスを供給するガス供給部と、チャンネル内のガスにイオン化エネルギーを供給してプラズマビームを生成するプラズマ生成部、チャンネル内に所定の間隔を隔てて横方向に配置され、生成されたプラズマビームを電場によって出口に向かって加速する複数の格子からなるプラズマ加速部とを含む。例文帳に追加

The plasma accelerator comprises a channel having an exit releasing one end, a gas supplier which supplies gas into the channel, a plasma generator which supplies ionization energy to the gas in the channel to generate a plasma beam, and a plasma accelerator composed of a plurality of grids arranged in the lateral direction at set intervals in the channel to accelerate the generated plasma beam toward the exit with an electric field. - 特許庁

導電性の有無に係わらず物質表面の電荷移動力を正確に測定しうる電荷移動力検出装置及び方法を提供し、その測定により、物質の識別、局所的なイオン化エネルギー、電子親和力、仕事関数、界面の分極状態、界面の反応性等の物理的および化学的性質の検出を可能にする。例文帳に追加

To provide a charge moving force detection apparatus and method capable of accurately measuring the charge moving force of the surface of a substance, regardless of conductivity and non-conductivity and to detect the discrimination of the substance and physical and chemical properties such as local ionization energy, electron affinity, work function, interface polarizing state or interface reactivity by the measurement of the charge moving force. - 特許庁

蒸着物質が、プラズマビームによりイオン化され、基板Ｗに衝突し、付着するとき、基板Ｗの表面近傍には、さらにハースに対して逆バイアスとなる電位の電界が生成されているため、蒸着物質のイオンが基板に衝突するときの運動エネルギーは、大きく緩和される。例文帳に追加

When a vapor deposition material is ionized by the plasma beam, collides against the substrate W and is deposited thereon, the kinetic energy on the collision of the ions of the vapor deposition material against the substrate is remarkably relaxed since the electric fields of the potential to be a reverse bias to the hearth are generated in the vicinity of the surface of the substrate W. - 特許庁

ダイオキシンといった短寿命励起分子を効率よく多光子イオン化して質量分析する場合やＭＡＬＤＩ質量分析計による蛋白質、ＤＮＡなどの測定、また、非線形光学現象の研究等に必要な、紫外域で短パルスかつ単色で高エネルギーの光パルスを出力することができるレーザーシステムを提供すること。例文帳に追加

To provide a laser system capable of outputting in an ultraviolet region high-energy monochromatic short optical pulses which are necessary when so bringing efficiently such short-lived excited molecules as dioxin molecules into multiphoton ionizations as to subject them to mass spectrometry, and are necessary for measurements of protein and DNA, etc., by an MALDI mass spectrometer, and further, are necessary for studies of nonlinear optical phenomena, etc. - 特許庁

ＺｎＯを主成分としＡｌ_２Ｏ_３等の３族元素を含有する膜材料粒子が高効率でイオン化し、膜中に最適な運動エネルギーで打ち込まれるので、Ａｌ等の３族不純物元素の表面マイグレーションが促進され、他の方法に比べてより均一に不純物元素を分散させることできる。例文帳に追加

Because the particles of a film material composed essentially of ZnO and containing compounds of group III elements, such as Al2O3, are ionized with high efficiency and implanted in a film by optimum kinetic energy, the surface migration of the group III impurity elements, such as Al, can be accelerated and the dispersion of the impurity elements can be performed more uniformly as compared with that by the other methods. - 特許庁

成長表面１３における（電子に対する）表面電位が下がり、エネルギーバンドが大きく曲がっている状態でｐ-ＧａＮ１１を成長させ、成長表面１３の近傍にイオン化したＧａ空孔１４を有するｐ-ＧａＮ１１とし、成長表面１３に金属を堆積して低抵抗なオーミック電極を構成する。例文帳に追加

p-GaN11 is grown in condition that the surface potential (relative to the electron) at a growth surface 13 drops and the energy band is bent largely, so as to make p-GaN11 which has ionized Ga voids 14 in the vicinity of the growth surface 13, and a metal is accumulated on the growth face 13 to constitute a low-resistance ohmic electrode. - 特許庁

基板上に設けた一対の電極間に発光層もしくは発光層を含む有機化合物層を形成した発光素子において、該有機化合物層でのホスト材料の単層膜が３．６ｅＶ以上のエネルギーギャップを有し、かつ該ホスト材料のイオン化ポテンシャルが５．４〜６．３ｅＶであることを特徴とする発光素子、及び下記式で表わされる新規なインドール誘導体と発光素子材料。例文帳に追加

For the light emitting element with a luminous layer or an organic compound layer containing the luminous layer formed between a pair of electrodes provided on a substrate, a monolayer film of a host material in the organic compound layer has an energy gap of at least 3.6 eV, and the ionized potential of the host material is 5.4-6.3 eV. - 特許庁

排水のｐＨがホウ酸のイオン化が起こるｐＨであることに拘泥されず、共存する強酸の陰イオンを事前に除去することなくホウ素成分の回収を十分に実現でき、しかもホウ素成分の回収を低エネルギー消費量で、かつコンパクトな装置によって実現可能な、ホウ素含有排水の処理方法を提供することにある。例文帳に追加

To provide a method for treating waste water containing boron capable of sufficiently recovering a boron constituent without removing an anion of a coexisting strong acid in advance irrespective of the pH of waste water causing ionization of boric acid, and furthermore capable of recovering the boron constituent with low energy consumption by a compact apparatus. - 特許庁

また少なくとも１個のプラズマ発生源としては、高周波プラズマエネルギーを適用してフッ化炭素ガスをイオン化する第１のプラズマ発生源と、不動態層の蒸着の間は高周波数で基板の自己バイアスをゼロ近傍に保つと共にポリマー層蒸着の間はより大きなバイアスとする第二のプラズマ発生源とを含むことができる。例文帳に追加

At least one plasma generating source can include a first plasma generating source for ionizing the fluorocarbon gas by applying high frequency plasma energy, and a second plasma generating source for keeping an auto-bias of the substrate in the vicinity of zero by high frequency during the deposition of the passivity layer while making the bias larger during the polymer layer deposition. - 特許庁

膜材料６を真空中で加熱し、該膜材料を蒸発させる工程と、前記蒸発させた膜材料による蒸発材料に、電子源９から放出された低エネルギーの電子を付着させ、該蒸発材料を負イオン化する工程と、前記イオン化した蒸発材料を電界（１０１）によって被処理基板２に向けて加速し、該被処理基板上に該材料を蒸着させる工程とを有し、薄膜を形成する構成とする。例文帳に追加

This method for forming a thin film comprises the steps of: evaporating a film material 6 by heating it in a vacuum; negatively ionizing the evaporated material by attaching electrons with low energy emitted from an electron source 9 to the evaporated film material; and accelerating the ionized evaporated material toward a substrate 2 to be treated by using an electric field (101), to vapor-deposit the material on the substrate. - 特許庁

本発明の目的はブラウンガスを燃焼させて発熱部を１，０００℃以上加熱し、発熱部からの輻射熱により外壁を加熱して赤外線を放射させ、燃焼室に供給された燃焼したブラウンガスは高温の水分子になり、発熱部及び外壁から放射される赤外線を吸収して自己発熱現象にて昇温され、ＨとＯにイオン化再結合する燃焼サイクルを繰り返すようにするブラウンガス循環燃焼によるエネルギー創出装置を提供することにある。例文帳に追加

To repeat a combustion cycle for ionization and recombination of H and O, wherein brown gas is combusted to heat an exothermic portion, an outer wall is heated by radiant heat from the exothermic portion to radiate infrared rays, and the combusted brown gas supplied to a combustion chamber turns to high temperature water molecules to absorb the infrared rays and raise its own temperature through self-exothermic phenomenon. - 特許庁

半導体装置の製造工程におけるイオン注入において、注入量のシフトを防ぐためにチャンバ内の圧力を１×１０^−４Ｔｏｒｒ以上の状態にしてイオン注入することにより、イオン種、ビーム電流、注入エネルギー、レジスト材料などが異なる場合でも、ビーム中性化（又はイオン化）の計算を行うことなく、イオン注入量のシフトを少なく抑えたイオン注入装置を提供する。例文帳に追加

To provide an ion implantation apparatus which may reduce shift of ion implantation quantity without calculating the beam neutralization (beam ionization) even when ion species, beam current, implantation energy, and resist material, etc., are different by ion implanting under a pressure within a chamber of more than 1×10-4 Torr so as to prevent shift of ion implantation amount in ion implantation process during manufacture of semiconductor device. - 特許庁