「下半連続」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

下方連続肉壁部３ｂの上部には横断水路下半部５ｂ内に侵入する冷却水ガイド面８ａが形成されている。例文帳に追加

A cooling water guide surface 8a entering an inside of a crossing water channel lower half part 5b is formed at an upper part of a downward continuous wall part 3b. - 特許庁

下半の切羽６を発破作業して発生した下半のずり７を下半用積込み機械４１で前記移動式クラッシャ３０に積込み、その破砕ずりを前記移動可能な搬送手段２０で連続ベルトコンベヤ１０に搬送し、この連続ベルトコンベヤ１０でトンネル外に連続的に搬送する。例文帳に追加

The lower-half muck 7 generated by the blasting work on a lower-half working face 6 is loaded on the mobile crusher 30 by a lower-half loading machine 41, and the crushed muck is conveyed to the continuous belt conveyor 10 by the movable conveying means 20 and is continuously conveyed to the outside of the tunnel 1 by the continuous belt conveyor 10. - 特許庁

この場合に、隣接する微細空洞５をその半径ｄ／２以下の間隔Ｌで連続的に形成することにより連通孔６を形成する。例文帳に追加

In such a case, the bores 6 are formed by continuously forming the adjacent cavities 5 at intervals L less or equal the radius d/2 thereof. - 特許庁

連続運転条件下においても揮発ガスの排出が効率よく行える半導体封止用エポキシ樹脂組成物の製造方法を提供する。例文帳に追加

To provide a method for manufacturing an epoxy resin composition for sealing a semiconductor capable of effectively exhausting a volatile gas in conditions of continuous operation. - 特許庁

インシュレータに固定される４列の各コンタクト３の下部には、曲げ部３Ｂと端子部（半田付け部）３Ｃが連続して形成される。例文帳に追加

A bent part 3B and the terminal part (soldered part) 3C are formed continuously on the lower part of each contact 3 in four rows fixed to the insulator. - 特許庁

下部の結合部材７の上部には半径方向に突出した周方向の突条を設け、イヤ片３ａを一体に連続させる。例文帳に追加

The protrusions in a circumferential direction that is projecting in the radius direction are provided on an upper part of the lower coupling member 7, and an ear piece 3a is integrally continued thereto. - 特許庁

この予備成形により、ゆるい曲率（例えば半径７ｍ以下）をもつ部材や曲率が連続して変化するストリンガー等の成形が容易となる。例文帳に追加

The preforming method enables to easily form members having a loose curvature (for example, a radius of 7 m or smaller) or stringers having a continuously varied curvature. - 特許庁

更に、この連続鋳造用鋳型１０を用いた連続鋳造設備１２は、鋳型本体１５の下流側に、内側対向面１６の曲率半径の減少に伴ってその対向する当接搬送面の曲率半径が徐々に減少する複数のガイドロール１９が備えられている。例文帳に追加

Further, the continuous casting facility 12 using the mold 10 for continuous casting is provided with plurality of guide rolls 19 gradually reducing in radii of curvatures of facing abutting carrying surfaces accompanied with reduction in radii of curvatures of the inside facing surfaces 16 at the downstream of the mold body 15. - 特許庁

本発明のシール材は、連続気泡構造又は半連続半独立構造のシート状樹脂発泡体により構成されたシール材であって、上面及び下面は溶融止水処理されておらず、且つ側面全体が溶融止水処理されていることを特徴とする。例文帳に追加

The sealing material includes a sheet-like resin foam of an open cell structure or a semi-open, semi-closed cell structure, wherein the upper and under surfaces of the sealing material are not subjected to water cut-off treatment by melting and the whole lateral face is subjected to water cut-off treatment by melting. - 特許庁

上部電極（エミッタ電極１）と、下部電極（コレクタ電極２）と、両電極間に設けられた有機半導体３と、その有機半導体３内に設けられた層状連続体４とを有し、その層状連続体４が、連続する絶縁性金属化合物４ｂと、絶縁性金属化合物４ｂ内に分布する粒状金属４ａとを有するように構成して、上記課題を解決する。例文帳に追加

The vertical organic transistor is provided with an upper electrode (emitter electrode 1), a lower electrode (collector electrode 2) and an organic semiconductor 3 arranged between both the electrodes, and a layer-like continuous body 4 arranged in the organic semiconductor 3, the layer-like continuous body 4 including a continuous insulating metal compound 4b and a particle metal 4a distributed in the insulating metal compound 4b. - 特許庁

連続する熱処理される半導体ウエハ間で処理温度が異なる場合でも、簡易な構造にて短時間で装置のスループットを低下させる事なく熱処理をすることができる半導体製造装置及び半導体製造方法の提供する。例文帳に追加

To perform heat treatment by a simple structure in a short time without reducing the throughput of an apparatus even if a treatment temperature difference exists between successively heat-treated semiconductor wafers. - 特許庁

薄膜結晶層は、下地半導体層に対してタイプＩＩ型のエネルギバンド不連続となる材料、または、下地半導体層よりも大きなバンドギャップを有する材料で構成される。例文帳に追加

The thin film crystal layer is constituted of a material to be type II energy band discontinuity to the base semiconductor layer or a material having a band gap larger than the base semiconductor layer. - 特許庁

ゴム連続体９は、グリーンタイヤを成型する工程において、傾斜ベルト６、７の表面に、加硫度が１０％以上５０％以下の半加硫ゴムからなるゴムの連続体をタイヤ赤道Ｅの方向に対し５°以内の角度でスパイラル状に巻き付けたものである。例文帳に追加

As regards the rubber continuous bodies 9, in the process of molding a green tire, onto the surfaces of the inclined belts 6 and 7, the rubber continuous bodies made of semi-vulcanized rubber with a vulcanization degree of 10-50% are wound spirally at an angle within 5° to the tire equator E direction. - 特許庁

オイルドレンボス筒３の下半部の高さ位置で、クランクケース１の周側壁２の下端部に後ろ向き壁９と下向き壁１０とを、断面クランク折り曲げ状に連続させて形成する。例文帳に追加

At the height position of the lower half section of the oil drain boss cylinder 3, a wall 9 facing backward and a wall 10 facing downward are connected to each other such that their cross section is formed into a bent crank shape in the lower end section of the peripheral side wall 2 of the crank case 1. - 特許庁

外枠２はロック部と取付部を有する水平部３と、ヒンジ部５を間にして上半円環部８と下半円環部１１とを有する円環部４とを有し、上半円環部８とヒンジ部５及び下半円環部１１とは連続的な面で一体的に形成される。例文帳に追加

The outer frame 2 is provided with a horizontal part 3 having a lock part and a fitting part and an annular part 4 having an upper half annular part 8 and a lower half annular part 11 in the both sides of a hinge part 5, and the upper half annular part 8, the hinge part 5, and the lower half annular part 11 are integrally formed on a continuous surface. - 特許庁

気相法による半導体ナノ粒子蛍光体の製造方法において、連続した工程で、且つ脱酸素雰囲気下で製造されることを特徴とする半導体ナノ粒子蛍光体の製造方法。例文帳に追加

The method for producing semiconductor nanoparticle fluorescent substance is characterized by producing the semiconductor nanoparticle fluorescent substance in an oxygen-free atmosphere by a continuous process in gas-phase. - 特許庁

第１ピット列Ｐ１、第２ピット列Ｐ２は、それを構成するアドレス情報に対応したピットの間の不連続部の長さが、各ピットの半径方向の幅の半分以下である。例文帳に追加

The lengths of the discontinuous parts between the pits corresponding to the address information constituting the first pit string P1 and the second pit string P2 are below half the width in the radial direction of the respective pits. - 特許庁

このように、棒状半導体材料６４ａを溶かしつつ液滴６４ｂを落下させて連続的に球状半導体結晶６４ｃを製造することができる。例文帳に追加

Thereby, the droplet 64b can be dropped while melting the rodlike semiconductor material 64a to continuously produce the spherical semiconductor crystal 64c. - 特許庁

トンネル１の上半２に移動式クラッシャ３０を設置し、下半３に連続ベルトコンベヤ１０と移動可能な搬送手段２０を設置する。例文帳に追加

The mobile crusher 30 is installed at the upper-half portion 2 of the tunnel 1, and the continuous belt conveyor 10 and a movable conveying means 20 are installed at the lower-half portion 3. - 特許庁

壁面壁面パネル２は六角形板状に形成し、その上半分に突状部６を、下半分に凹状部７を周方向に連続してそれぞれ突設し、かつ背面部に盛り土補強材３を連結するための連結金具４を突設する。例文帳に追加

The wall surface panel 2 is formed hexagonal, a protruded part 6 is circumferentially protruded from an upper half, a recessed part 7 is circumferentially protruded from a lower half, and the connection metal fitting 4 for connecting the banking reinforcement member 3 is protruded from a back surface part. - 特許庁

基板上にゲート線を形成し、ゲート線上にゲート絶縁膜と半導体層を連続積層し、半導体層上に下部導電膜と上部導電膜を蒸着する。例文帳に追加

A gate line is formed on a substrate, a gate insulating film and a semiconductor layer are continuously deposited on the gate line, and a lower conductive film and an upper conductive film are vapor deposited on the semiconductor layer. - 特許庁

ただし、足下では2011年第1四半期（改訂値）が前期比年率1.8％と、7四半期連続のプラス成長となったものの再び回復ペースが鈍化しており、依然として先行きの不透明感は残る。例文帳に追加

The growth rate in first-quarter of 2011 (second-estimate) showed an annual rate of 1.8% plus from the previous quarter and achieved consecutive 7 quarters positive growth, but the recovery pace became slower and uncertainty of the future still remained. - 経済産業省

非晶質半導体層を結晶化するための方法であって、半導体層の線状第１領域が放射パルスの照射によって融解され、半導体層の線状第１領域の照射が少なくとも２つの連続する放射パルスを含み、２つの連続する放射パルスの強度極大の間の時間間隔が１０００ｎｓ以下である。例文帳に追加

In the method for crystallizing an amorphous semiconductor layer melt by irradiation of at least two successive radiation pulses, the time interval between the strength maximums of the two successive radiation pulses is equal to or lower than 1000 ns. - 特許庁

量子半導体装置は、（ａ）下地半導体層上に位置し、この下地半導体層に対して量子井戸を構成せず、かつ下地半導体層に対してＳ−Ｋモードでの成長が可能な材料で構成される薄膜結晶層と、（ｂ）薄膜結晶層の直上に位置し、下地半導体層に対してタイプＩ型のエネルギバンド不連続を構成する量子ドットとを備える量子半導体構造を有する。例文帳に追加

A quantum semiconductor device has a quantum semiconductor structure provided with (a) a thin film crystal layer positioned on a base semiconductor layer and constituted of a material capable of growth in an S-K mode to the base semiconductor layer without constituting a quantum well to the base semiconductor layer and (b) a quantum dot positioned right above the thin film crystal layer and constituting type I energy band discontinuity to the base semiconductor layer. - 特許庁

埋め込み型半導体レーザにおいて、高温、高光出力条件下で連続通電した場合における発振しきい値電流の上昇や外部微分量子効率の低下を防いで、信頼性を向上させる。例文帳に追加

To improve the reliability of a buried type semiconductor laser by preventing an increase in oscillation threshold current and a decrease in external differential quantum efficiency in cases where the semiconductor laser is energized continuously under conditions of high temperature and high optical output. - 特許庁

運動設備１１は、地上に設置される部分１１ａと、半地下に設置される部分１１ｂと、地中若しくは地下に設置される部分１１ｃとが併設され、内部の空間を夫々の設置部分に亙って連続的に設ける。例文帳に追加

The exercising installation 11 has a portion 11a installed on a ground, a portion 11b installed in a semiground and a portion 11c installed in or under the ground, and an inside space continuously provided ranging over respective installation areas. - 特許庁

該内側連続周面は、該弁チャンバを部分的に形成し、該弁座の軸方向下流に配置され、該弁座の軸方向下流に向かって半径が増加する。例文帳に追加

The inside continuous peripheral surface partially forms the valve chamber, and is arranged on a downstream side in the axial direction of the valve seat, and the radius of the inside continuous peripheral surface increases with the distance toward the downstream side in the axial direction of the valve seat. - 特許庁

本発明では、支持体として機能する基板上に成膜した膜厚５００ｎｍ以下の薄膜の半導体膜を、連続発振のレーザ光で結晶化し、その結晶化された半導体膜を用いて、トータルの膜厚５μｍ、より望ましくは２μm以下の薄膜の半導体素子を有するチップを形成する。例文帳に追加

A semiconductor film as a thin-film having a film thickness of ≤500 nm formed on a substrate functioning as a supporter is crystallized by a laser beam in continuous oscillation, and the chip with a semiconductor element as the thin-film of the total film thickness of 5μm, more desirably ≤2μm is formed by using the crystallized semiconductor film. - 特許庁

ロール圧延により成形加工された、凸部先端の曲率半径が０．２ｍｍ以下である連続する凹凸溝を、少なくとも片面に備えるチタンシートである。例文帳に追加

The titanium sheet has continuous undulated grooves at least on its one side surface, which grooves are formed by rolling and have tip ends having a radius of curvature of 0.2 mm or less. - 特許庁

ｎ- 半導体領域１２ａには、その不純物濃度がｎバッファ領域１２ｂの不純物濃度から連続的に低下する濃度傾斜領域１３が形成されている。例文帳に追加

A concentration inclination region 13 where impurity concentration continuously drops from that of the n buffer region 12b is formed in the n^- semiconductor region 12a. - 特許庁

この分離領域１３Ａ等は、半導体基板１１の上面から下面まで連続して延在していおり、内部にはシリコン酸化膜等から成る絶縁物層１４Ａが形成されている。例文帳に追加

The separation regions 13A and the like continuously extend from an upper face to a lower face of a semiconductor substrate 11, and an insulator layer 14A consisting of a silicon oxide film etc. is formed inside. - 特許庁

同一バンク内の異なる２つのロウアドレスを起点とする連続アクセスを交互に行なう場合でも、実効転送レートが低下しない半導体記憶装置を提供する。例文帳に追加

To provide a semiconductor memory in which an effective transfer rate is not reduced even when continuous access is performed, alternately making two different row address in the same bank a start point. - 特許庁

ロール圧延により成形加工された、凸部先端の曲率半径が０．２ｍｍ以下である連続する凹凸溝を、少なくとも片面に備える金属シートである。例文帳に追加

The metallic sheet has continuous undulated grooves at least on its one side surface, which grooves are formed by rolling and have tip ends having a radius of curvature of 0.2 mm or less. - 特許庁

０．１μｍ以下の微細な設計ルールによって製造される半導体ウェーハの金属配線膜を連続処理で形成するための装置を提供する。例文帳に追加

To provide an apparatus for forming a metal wiring film of a semiconductor wafer produced according to a fine design rule of 0.1 μm or less through continuous processing. - 特許庁

次に、第２の複合ナノ結晶層６ａおよび半導体層３ｂおよび導電性層１２ａを連続的にパターニングすることでドリフト部６および多結晶シリコン層３および下部電極１２をパターン形成する（図１（ｄ））。例文帳に追加

By continuously patterning the second composite nano-crystalline layer 6, the semiconductor layer 3b, and the conductive layer 12a, a pattern of a drift part 6, a polycrystalline silicon layer 3, and an lower electrode 12 is formed. - 特許庁

第２貯留部５は前記第１貯留部４の下側に連続して形成され、その深さはノズル半体１の厚み方向を基準として前記第１貯留部４よりも小さくされている。例文帳に追加

The second storage part 5 is formed so as to be continued to the underside of the first storage part 4 and the depth thereof is made smaller than the first storage part 4 on the basis of the thickness direction of the nozzle half body 1. - 特許庁

Ｎｉを含む膜の下地依存性による表面モフォロジ劣化を解決し、薄膜領域で連続膜を形成することができる半導体装置の製造方法及び基板処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device and a substrate processing apparatus capable of preventing deterioration of the surface morphology of a Ni-containing film caused by dependence on a foundation and of forming a continuous film in a thin film region. - 特許庁

また、吸収性物品９の製品情報が点字により表示された第２情報表示部２２が、包装袋３の前面１３、後面１４および側面１５，１６の下半分の領域に連続して配置される。例文帳に追加

Further, a second information display portion 22 in which product information on the absorbent articles 9 is displayed by braille is extensionally arranged on lower half areas of the front surface 13, the rear surface 14, and the side surfaces 15, 16 of the packaging bag 3. - 特許庁

この制御光は連続駆動時における光シャッタ素子２４の半波長電圧の変化量を小さく抑え、ひいては光信号強度の低下を小さく抑える作用を奏する。例文帳に追加

This control light controls variation in a half-wavelength voltage of the optical shutter elements 24 small at the time of continuous drive, and is further effective to suppress a decrease in the intensity of the optical signal. - 特許庁

Ｎｉを含む膜の下地依存性による表面モフォロジ劣化を解決し、薄膜領域で連続膜を形成することができる半導体装置の製造方法、基板処理方法及び基板処理装置を提供する。例文帳に追加

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of preventing deterioration of the surface morphology of an Ni-containing film caused by dependence on an under layer and of forming a continuous film in a thin film region, and to provide a method and an apparatus of processing a substrate. - 特許庁

インシュレーションゴム層７は、厚さＴが０．２〜１．０ｍｍかつ前記ビードコア５のタイヤ軸方向の内外面５ａ、５ｂ及び半径方向下面５ｃに沿って連続するコア覆い部分７Ａを含む。例文帳に追加

The insulation rubber layer 7 includes a core covering portion 7A having a thickness T of 0.2-1.0 mm and ranging over along the inner and outer faces 5a, 5b of a bead core 5 in a tire axial direction and the lower face 5c in a tire radial direction. - 特許庁

周期データＴｄは、パルスＰ_1〜Ｐ_6の立ち上がりを起点とする１周期（Ｔ_1，Ｔ_3，Ｔ_5）と、パルスＰ_1〜Ｐ_6の立ち下がりを起点とする１周期（Ｔ_2，Ｔ_4，Ｔ_6）とを、半周期ずつ重畳させつつ連続的に積算して算出する。例文帳に追加

The periodic data Td is calculated by integrating continuously while superimposing one period (T_1, T_3, T_5) using the rise of pulses P_1 to P_6 as start points and one period (T_2, T_4, T_6) using falling of the pulses P_1 to P_6 as start points by half period. - 特許庁

折り返し部２３に連続する上側巻回部２５を保持枠１０の更に上方に向かって下側巻回部２４と反対方向に７回半、コイル状に巻き回す。例文帳に追加

The upper-side winding section 25 continued to the folded-back section 23 is wound into a coil shape at seven and a half times in the opposite direction to the lower-winding section 24 towards the further upper section of the holding frame 10. - 特許庁

保護層の平均暑さが，５ｎｍ以上、かつ蛍光体の半径以下であり、前記第１保護膜によって、蛍光体が露出する露出領域が非連続であることを特徴とする。例文帳に追加

The protective layer has a mean thickness from not less than 5 nm to not more than a radius of the fluorescent material, and the fluorescent material has a discontinuous exposure region exposed from the first protective film. - 特許庁

移行領域は、外側領域に隣接し、以下のとおり画定される中心からの半径内にあり：内側領域が外側領域まで途切れなく伸びる連続する溝の起点となる。例文帳に追加

The transition region is adjacent to the outer region and within a radius from the center defined as follows, and the inner region is to be the origin of continuous grooves extended without a break to the outer region. - 特許庁