「Capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方(76ページ目) - Weblio英語例文検索

Impact of noise is reduced by providing a function for properly switching the standard potential of charge storage capacity, which reflects a variation in capacitance owing to fingertouch as its state of charge, according to each stage of a procedure for detecting the capacitance.例文帳に追加

指などの接触による静電容量の変化を、その充電状態として反映する電荷蓄積容量の基準電位を、静電容量検出のための手順の各段階に応じて適宜切り替える機能を設け、ノイズの影響が低減される様にした。 - 特許庁

To obtain high capacitance with pseudo-capacitance, and to inexpensively make up an electrochemical capacitor by using a product material generated by electrochemically reacting a partially oxidized material of a carbon material having microcrystal carbon similar to graphite in an organic electrolyte as an active material of a polarizable electrode.例文帳に追加

分極性電極材料として黒鉛類似の微結晶炭素を有する炭素材料を用い、活物質として電気化学反応による生成物を用いることにより、疑似容量に基づく高い静電容量密度を示す電気化学キャパシタを提供する。 - 特許庁

A storage capacitance part 50 is provided with a common electrode 52 extending into pixel area P1 from the address wiring 10b of an adjoining pixel area P2, and the storage capacitance electrode 51 for storing electric capacity across the common electrode 52 with an interposed gate insulating layer.例文帳に追加

蓄積容量部５０は隣接する画素領域Ｐ２のアドレス配線１０ｂから画素領域Ｐ１内に延びる共通電極５２と、ゲート絶縁層を挟んで共通電極５２との間で静電容量を蓄積する蓄積容量電極５１とを備える。 - 特許庁

Detection electrodes B-D are connected to the first wiring connected to the capacitance detection circuit 4 through switching machines BS-DS, and also connected to the second wiring connected to the capacitance detection circuit 4 through switching machines BE-DE.例文帳に追加

検知電極Ｂ〜Ｄは、切り替え機ＢＳ〜ＤＳを介して静電容量検知回路４に接続された第１配線に接続されると共に、切り替え機ＢＥ〜ＤＥを介して静電容量検知回路４に接続された第２配線に接続されている。 - 特許庁

The circuit 8 is provided with principally a correction varactor diode C_2 and a semi-fixed capacitor C_1, the combined capacitance is subtracted from the capacitance of the tuning varactor diode C_5 by the negative impedance converter NIC to make the characteristic of the tuning varactor diode C_5 almost linear.例文帳に追加

回路８は、補正用可変容量ダイオードＣ_２及び半固定キャパシタＣ_１を主たる補正要素とし、その合成容量が負性インピーダンス変換器ＮＩＣにより同調用可変容量ダイオードＣ_５から差し引かれ、Ｃ_５の特性をほぼ直線にする。 - 特許庁

This minimizes the parasite capacitance between the gate and drain, and disposes the drain and source electrodes in the region covered by the gate electrode region, thus making it possible to minimize the coupling capacitance between the drain and gate, and to reduce the space where the transistor is disposed.例文帳に追加

これによって、ゲート−ドレインの間の寄生容量を最小化し、ゲート電極領域がカバーする領域内にドレイン及びソース電極を配置することで、ドレイン−ゲートの間のカップリング容量を最小化させかつトランジスタの配置空間を減らすことができる。 - 特許庁

This fingerprint sensor is equipped with a matrix part 30 where a capacitance detection circuit 31 for outputting a detection signal corresponding to the capacitance formed between itself and a fingerprint is arranged in matrix form, and an amplifier circuit 40 for amplifying the detection signal.例文帳に追加

本発明の指紋センサは、指紋との間に形成される静電容量に対応した検出信号を出力する静電容量検出回路（３１）をマトリクス状に配置したマトリクス部（３０）と、その検出信号を増幅する増幅回路（４０）を備える。 - 特許庁

The condition of the washing water is grasped with good accuracy by forming a sensing section 5 having a capacitance sensing means 10 in the circulation path of the washing water and also detecting soil, which does not have a change in the permeability, by the capacitance sensing means 10 of the washing water.例文帳に追加

洗浄水の循環経路に静電容量センシング手段１０を持ったセンシング部５を設け、透過度に変化のない汚れも洗浄水の静電容量センシング手段１０で検出することにより、洗浄水の状態を精度よく把握する。 - 特許庁

The oxide insulating layer for covering the peripheral portion (including the side surface) of the oxide semiconductor layer is provided to increase a distance between the gate insulating layer and a wiring layer (such as a source wiring layer and a capacitance wiring layer) formed on the upper part or periphery of the gate electrode layer so as to reduce the parasitic capacitance.例文帳に追加

酸化物半導体層の周縁部（側面を含む）を覆う酸化物絶縁層は、ゲート電極層と、その上方または周辺に形成される配線層（ソース配線層や容量配線層など）との距離を大きくし、寄生容量の低減を図る。 - 特許庁

The mirror multiplication capacitor is comprised of: a capacitance multiplication amplifier the input terminal of which is connected to the output-side terminals of the resistors rd1, rd2; and capacitors cd1, cd2 provided between the input terminal and an output terminal of the capacitance multiplication amplifier.例文帳に追加

ミラー増倍容量は、入力端子が抵抗ｒｄ１，ｒｄ２の出力側の端子に接続された容量増倍用アンプと、容量増倍用アンプの入力端子と出力端子との間に設けられた容量ｃｄ１，ｃｄ２とから構成される。 - 特許庁

Electric charges accumulated in the parasitic capacitance (Cp1, Cp2) in charge pump stages (1-1, 1-2) which are in first transition states from output modes to input modes are made to transit to parasitic capacitance in charge pump stages which are in second transition states from the input modes to the output modes.例文帳に追加

出力モードから入力モードへの第１遷移状態にあるチャージポンプ段（１−１，１−２）の寄生容量（Ｃｐ１，Ｃｐ２）に蓄積された電荷が、入力モードから出力モードへの第２遷移状態にあるチャージポンプ段の寄生容量へ移送される。 - 特許庁

The capacitance type sensor 1 comprises a dielectric member 2, surface-side electrodes 01X-16X; back-side electrodes 01Y-16Y, and detection parts A0101-A1616 and detects an applied load on the basis of changes in the electrostatic capacitance of the detection parts A0101-A1616.例文帳に追加

静電容量型センサ１は、誘電部材２と、表側電極０１Ｘ〜１６Ｘと、裏側電極０１Ｙ〜１６Ｙと、検出部Ａ０１０１〜Ａ１６１６と、を備え、検出部Ａ０１０１〜Ａ１６１６の静電容量変化に基づいて、加えられた荷重を検出する。 - 特許庁

By a leak current flowing when the sensor transistor T_SE is off, the potential retained beforehand on the retention capacitance Cse is changed in such a direction that the potential decreases and an output transistor T_OUT outputs a photodetection signal in accordance with the potential after the change retained by the retention capacitance Cse.例文帳に追加

出力トランジスタＴ_OUTは、センサトランジスタＴ_SEがオフのとき流れるリーク電流によって、予め保持容量Cseに保持された電位が減少する方向に変化して、保持容量Cseが保持する変化後の電位に応じた光検出信号を出力する。 - 特許庁

To provide a laminated ceramic capacitor which has a long high temperature load life, small variations in life, large capacitance, high electrical insulation property, and favorable capacitance temperature characteristics, even when high strength electric field is applied while reducing the thickness of the dielectric ceramic layers.例文帳に追加

誘電体セラミック層が薄層化されながら高い電界強度が付与されても、高温負荷寿命が長く、寿命ばらつきが小さく、大容量、高い電気絶縁性および良好な容量温度特性を得ることができる、積層セラミックコンデンサを提供する。 - 特許庁

A capacitance value control circuit 24 outputs a switching signal to a switch SWn (n=1-6) for switching its on/off state at such timing as different from on/off switching of the PWM drive signal, to change parallel capacitance values of the transistors 5 and 6 as time passes.例文帳に追加

容量値制御回路２４は、ＰＷＭ駆動信号のオンオフ切替時とは異なるタイミングで、スイッチＳＷｎ（ｎ＝１〜６）に対しそのオンオフ状態を切り替える切替信号を出力し、トランジスタ５、６の並列容量値を時間経過とともに変化させる。 - 特許庁

In an aperture part 22a of a black mask 22, the part of the auxiliary capacitance line 6 overlapping with the pixel electrode 2 serves as a reflection layer to form a reflection part, and the part of the pixel electrode 2 which is not overlapped with the auxiliary capacitance line 6 constitutes a permeable part.例文帳に追加

そして、ブラックマスク２２の開口部２２ａ内において、補助容量ライン６の画素電極２と重合する部分は反射層を兼ねることにより反射部を構成し、画素電極２の補助容量ライン６と重合しない部分は透過部を構成している。 - 特許庁

Hereby, the whole metal layer 13 is not one continuous conductor, and a bad influence on the capacitance sensor 53 is suppressed, and the metallic decoration surface is widened furthermore than hitherto without lowering the detection function of the capacitance sensor 53.例文帳に追加

これにより、金属層１３全体が１枚の連続した導電体ではなくなり、静電容量センサ５３への悪影響が抑えられ、静電容量センサ５３の検出機能を低下させずに、金属調の装飾面を従来より広くすることができる。 - 特許庁

In addition, resistance Rp1, Rp2, capacitance Cp, inductance Lm, L1, and resistance RL1 are added in consideration of a skin effect and an electromagnetic proximity effect of the internal electrode within the laminated chip capacitor as well as a loss and parasitic capacitance of a dielectric material, and parasitic inductance of an external electrode.例文帳に追加

更に、積層チップコンデンサ内部における内部電極の表皮効果と、電磁近接効果を考慮するとともに、誘電体材料の損失や寄生キャパシタンス，外部電極の寄生インダクタンスも考慮し、レジスタンスRp1，Rp2、キャパシタンスCp、インダクタンスLm，L1，レジスタンスRL1を追加する。 - 特許庁

To provide a compact inexpensive capacitance humidity sensor which detects a change in the humidity in an atmosphere on the basis of changes in capacitance and can be stably used under a high-temperature and humidity environment over a long period of time.例文帳に追加

雰囲気中の湿度変化を静電容量の変化によって検出する静電容量式湿度センサであって、高温多湿な環境下においても長期に渡って安定して使用することができ、小型で安価な静電容量式湿度センサを提供する。 - 特許庁

At the same time, in a distortion aberration correction section 160, image data of RGB color components on which the chromatic aberration of magnification has been corrected, are collected and distortion aberration is corrected by converting coordinates using a memory such as a DRAM of large capacitance and high latency or of large capacitance and single port.例文帳に追加

一方、歪曲収差補正部１６０では、倍率色収差補正済みのＲＧＢ各色成分の画素データをまとめて、大容量高レイテンシまたは大容量単一ポートのＤＲＡＭ等のメモリを用いて座標変換して歪曲収差を補正する。 - 特許庁

A storage capacitance electrode 7a and a capacitance line 3b are connected through an island-like bridge connection conductive film 9b that is simultaneously formed with the pixel electrode 9a above the passivation film 4, and through a second contact hole 82 and a third contact hole 83.例文帳に追加

また、保持容量電極７ａと容量線３ｂとは、パッシベーション膜４の上層に画素電極９ａと同時形成された島状のブリッジ接続用導電膜９ｂ、第２のコンタクトホール８２、および第３のコンタクトホール８３により接続されている。 - 特許庁

Each capacitance element on the underside is allowed to serve as an MOS capacitance element C1 having an electrode of an n-type semiconductor region 4 formed on the semiconductor substrate 1 and the other electrode of an upper electrode 6 formed on the n-type semiconductor region 4 via an insulating film 5.例文帳に追加

下側の容量素子は、半導体基板１に設けたｎ型半導体領域４と、ｎ型半導体領域４上に絶縁膜５を介して設けた上部電極６とを両電極とするＭＯＳ型の容量素子Ｃ１とすることができる。 - 特許庁

The voltage-current conversion circuit in a data driver for driving the transistor arranged in the pixel has reset transistors 1503 and 1504 and a reset capacitance 1505 for correcting threshold voltage in addition to a voltage-current conversion transistor 1501 and a capacitance 1502.例文帳に追加

画素内に配置されたトランジスタを駆動するデータドライバ内の電圧電流変換回路は、電圧電流変換トランジスタ１５０１及び容量１５０２に加え、しきい電圧を補正するためのリセットトランジスタ１５０３、１５０４、及びリセット容量１５０５を有する。 - 特許庁

The movable contact 5 also plays a role of an electrode for detecting change of capacitance against the finger 30, and a distance between the movable contact 5 and the finger 30 can be short to make an air layer thin, thereby the change of capacitance can be detected at high sensitivity.例文帳に追加

可動接点５が、指３０との間の静電容量の変化を検出するための電極として兼用される、可動接点５と指３０との間の距離が短く、空気層を薄くできるため、高い感度で静電容量の変化を検出できる。 - 特許庁

In a thin coaxial cable 28 for capacitance coupling between a first circuit board 11 in a lower cabinet 10 and a second circuit board 22 in an upper cabinet 20, at least a portion 28a thereof that capacitance coupled with a metal plate 21 of ground potential is formed flat.例文帳に追加

下筐体１０内の第１の回路基板１１と上筐体２０内の第２の回路基板２２とを電気的に接続する細線同軸ケーブル２８の少なくとも、グランド電位の金属板２１と容量結合する部分２８ａを偏平に形成した。 - 特許庁

After that, the sacrifice interlayer film 126 is removed for forming the pole of the capacitance contact plug 113, a third interlayer insulating film is formed on the pole, the third interlayer insulating film is removed partially from the surface, and the surface of the capacitance contact plug 113 is exposed.例文帳に追加

その後犠牲層間膜１２６を除去して容量コンタクトプラグ１１３の柱を形成し、その上に第３層間絶縁膜を形成し、さらに第３層間絶縁膜を表面から一部除去し、容量コンタクトプラグ１１３の表面を露出させるようにした。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device whose refresh characteristics is excellent because bonding leak and capacitance insulating film leak are sufficiently reduced without increasing man-hour, even if a relatively low crystallization temperature-metal oxide is used as a capacitance insulating film.例文帳に追加

結晶化温度の比較的低い金属酸化物を容量絶縁膜として用いたとしても、工数を増やすことなく、接合リークや容量絶縁膜リークが十分に低減され、リフレッシュ特性の良好な半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The first capacitance part 10 comprises alternately laminated internal electrodes 8a, 8b, and the ESR control parts 11A, 11B are arranged with the first capacitance part 10 in between in the direction of lamination of the laminate 2 and have internal electrodes 8c-8f.例文帳に追加

第１の静電容量部１０は、内部電極８ａ，８ｂが交互に積層されてなり、ＥＳＲ制御部１１Ａ，１１Ｂは、積層体２の積層方向において第１の静電容量部１０を挟んでそれぞれ配置されており、内部電極８ｃ〜８ｆを有する。 - 特許庁

1.25≤X (1), wherein X is an actual electricity capacity ratio expressed by B/A, A is actual capacitance (mAh) at 25°C per an area 1cm^2 of the positive electrode 3, and B is actual capacitance (mAh) at 25°C per an area 1 cm^2 of the negative electrode 4.例文帳に追加

１．２５≦Ｘ （１） 但し、Ｘは（Ｂ／Ａ）で表される実電気容量比で、Ａは前記正極３の面積１ｃｍ^2当りの２５℃での実電気容量（ｍＡｈ）で、Ｂは前記負極４の面積１ｃｍ^2当りの２５℃での実電気容量（ｍＡｈ）である。 - 特許庁

Consequently, the impurity concentration of the support substrate 2 is made low on the side of a high-potential reference circuit unit HV to make a depletion layer spread and have larger depletion layer capacitance, and the composite capacitance with the buried oxide film 3 is made small to suppress the displacement current.例文帳に追加

これにより、高電位基準回路部ＨＶ側では、支持基板２の不純物濃度を低くして空乏層が広がるようにすることで空乏層容量を大きくし、埋込酸化膜３との合成容量を小さくすることで変位電流を抑制できる。 - 特許庁

A battery-type fork lift includes: a means (display unit 25) for calculating the residual capacitance of the battery 26 when the charging is started; and a means (display unit 25) for counting the number of charging times of the battery 26 while corresponding to the residual capacitance of the battery 26 when the charging is started.例文帳に追加

バッテリ式フォークリフトに、充電開始時におけるバッテリ２６の残容量を算出する手段（表示ユニット２５）と、バッテリ２６の充電回数を、充電開始時におけるバッテリ２６の残容量と対応付けて計数する手段（表示ユニット２５）と、を具備した。 - 特許庁

A pixel circuit, a display device or an electronic apparatus includes: a display section; a holding capacitance; a writing transistor that writes a drive voltage to the holding capacitance, the voltage corresponding to an image signal; and a drive transistor that drives a display section based on the drive voltage written to the holding capacity.例文帳に追加

画素回路、表示装置、或いは、電子機器は、表示部と、保持容量と、映像信号と対応する駆動電圧を保持容量に書き込む書込トランジスタと、保持容量に書き込まれた駆動電圧に基づいて表示部を駆動する駆動トランジスタとを備える。 - 特許庁

To provide a light-emitting device capable of suppressing an off-current of a switching transistor and luminosity irregularity of light-emitting elements of pixels otherwise caused by variation in characteristics of the driving transistors without increasing capacitance of a capacitance element and an element substrate.例文帳に追加

スイッチング用トランジスタのオフ電流を低く抑え、容量素子の大容量化を図らずとも、駆動用トランジスタの特性のばらつきに起因する、画素間における発光素子の輝度ムラを抑えることができる発光装置及び素子基板の提案を課題とする。 - 特許庁

The respective bits bi of digital data for capacitance control are supplied to the gate of the MOS-FET (Qi) and the inverter Ai in each of the serial circuits, and the capacitance changing corresponding to the value of the digital data is obtained between the first terminal T1 and the second terminal T0.例文帳に追加

容量制御用のデジタルデータの各ビットｂiが、直列回路のそれぞれにおけるＭＯＳ−ＦＥＴ（Ｑi）のゲートおよびインバータＡiに供給され、第１の端子Ｔ1と、第２の端子Ｔ0との間に、デジタルデータの値に対応して変化する容量を得る。 - 特許庁

Since each contact sensor 10 has a three-layer structure and the capacitance type proximity sensor 20 has a two-layer structure, the hybrid sensor 1 can secure desired flexibility in a part of the capacitance type proximity sensor and can prevent wrong contact in the contact sensors 10 caused by deflection.例文帳に追加

接触センサ１０は３層構造体、静電容量式近接センサ２０は２相構造体のため、ハイブリッドセンサ１は、静電容量式近接センサの部分で所望の可撓性が確保され、撓みによる接触センサ１０での誤接触を防止している。 - 特許庁

A capacitance means 105 holds electric charges equal to the threshold value of a TFT 104, and when a signal is inputted, the gate electrode of a TFT 101 is applied with a sum of the potentials of the input signal and the threshold value held by the capacitance means 105.例文帳に追加

容量手段１０５において、ＴＦＴ１０４のしきい値に等しい電荷を保持し、信号の入力があったとき、ＴＦＴ１０１のゲート電極には、入力信号の電位に容量手段１０５に保持されているしきい値を加えた電位が与えられる。 - 特許庁

An output electrode 2c electrically connected to the first capacitance detecting electrode pattern and another output electrode 2c electrically connected to the second capacitance detecting electrode pattern are formed in juxtaposition on the side face of the second insulating base 2.例文帳に追加

第２の絶縁性基体２の側面に第１の静電容量検出用電極パターンに電気的に接続した出力電極２ｃと第２の静電容量検出用電極パターンに電気的に接続した出力電極２ｃとを並べて形成する。 - 特許庁

A polarizable electrode 10 having higher electrostatic capacitance can be obtained as a result of the process in which electrostatic capacitance is suitable increased with the thermostatic resin carbonized through the carbonization process 42 is heat-processed in the atmosphere, including oxygen through an oxidation heat processing 44.例文帳に追加

炭化工程４２により炭化させられた熱硬化性樹脂が、酸化熱処理工程４４により酸素を含む雰囲気中で加熱処理されることにより静電容量が好適に高められる結果、静電容量の高い分極性電極１０が得られる。 - 特許庁

To provide a method for layout and wiring capable of reducing the timing error caused by the discrepancy between the wiring capacitance estimated in designing of layout and wiring and the wiring capacitance after the layout is completed, and capable of reducing the design time.例文帳に追加

配置配線の際に見積もられた配線容量と、レイアウトが終了した時点で抽出された配線容量との誤差によって発生するタイミングエラーの低減化が図られて、設計時間を短縮することのできる配置配線方法を提供する。 - 特許庁

A capacitance measuring part 11 measures capacitance between electrodes 6 provided around a pot placed on a top plate 2 below the top plate and a predetermined potential, an infrared detecting part 13 detects a temperature around a bottom of an outer wall of the pot.例文帳に追加

静電容量測定部１１は、トッププレート２の上に載置された鍋の周囲且つトッププレートの下部に設けられた電極６と所定電位との間の静電容量を計測し、赤外線検出部１３は鍋の外壁の底部付近の温度を検出する。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for making a nano pore for providing an electrical lead wire stretched along a surface of the insulator with a low capacitance and simultaneously providing a relatively wide liquid contacting region with an insulator with a low capacitance.例文帳に追加

絶縁体への比較的広い液体接触領域に対して低静電容量を提供し、同時に、絶縁体の表面に沿って引かれた電気リード線に対して低静電容量を提供するナノ孔を構築するための装置及び方法を提供する。 - 特許庁

Electrostatic capacitance pressure dependency is stored to a storing part when the electrostatic capacitance type diaphragm vacuum gage 100 is attached to a vacuum device 2 at a first inclined angle (+90 degrees), a second inclined angle (0 degrees) and a third inclined angle (-90 degrees).例文帳に追加

また、静電容量型隔膜真空計１００を真空装置２に対して第一の傾斜角（＋９０度）、第二の傾斜角（０度）及び第三の傾斜角（−９０度）で取り付けた場合の静電容量圧力依存性を記憶部に記憶させておく。 - 特許庁

The capacitance thermometer measures temperature by detecting the capacitance of a capacitor having a dielectric made of a polycrystal Sr_1-xCa_xTiO_3 of which a substitution range of Ca atoms to Sr atoms lies 0.01<x<0.07.例文帳に追加

Ｓｒ原子に対するＣａ原子の置換範囲が０．０１＜ｘ＜０．０７にある多結晶Ｓｒ_１−ｘＣａ_ｘＴｉＯ_３からなる誘電体を有するコンデンサのキャパシタンスを検出することによって温度測定を行うことを特徴とするキャパシタンス温度計である。 - 特許庁

The capacitance of a capacitor component formed by the first signal internal electrodes 30 and the first ground internal electrodes 40 is different from the capacitance of a capacitor component formed by the second signal internal electrodes 31 and the second ground internal electrodes 41.例文帳に追加

第一信号用内部電極３０と第一接地用内部電極４０とで形成されるコンデンサ成分の静電容量と、第二信号用内部電極３１と第二接地用内部電極４１とで形成されるコンデンサ成分の静電容量と、が異なる。 - 特許庁

The capacitance temperature sensor performs the temperature measurement by detecting the capacitance of the parallel flat plate capacitor having the dielectric consisting of the strontium titanate single crystal in which the prescribed weight percent of the oxygen 16 is replaced with the isotope oxygen 18.例文帳に追加

酸素１６のうち所定重量％を同位体酸素１８で置換したチタン酸ストロンチウ単結晶からなる誘電体を有する平行平板コンデンサのキャパシタンスを検出して温度測定を行うことを特徴とするキャパシタンス温度センサである。 - 特許庁