「Defect Intensity」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a painting defect inspection method, capable of determining accurately and easily existence of a painting defect, when irradiating with light, a base material having an irregular surface, on which a paint film is formed on the irregular surface, and when detecting reflected light from the paint film, to thereby detect a painting defect based on intensity of the reflected light.例文帳に追加

凹凸面を有しこの凹凸面に塗膜が形成された基材に対して光を照射すると共に前記塗膜からの反射光を検出し、この反射光の強度に基づいて塗装不良を検出するにあたり、塗装不良の有無を正確且つ容易に判定することができる塗装不良検査方法を提供する。 - 特許庁

By detecting first intensity of yellow luminescence 49 which is based on a defect, generated in the nitride semiconductor layer 17 by the first excitation light 47, and emitted from the back surface of the sapphire substrate 15, the nitride semiconductor layer 17 is evaluated from the first intensity.例文帳に追加

そして、第１励起光４７によって窒化物半導体層１７に発生し、かつサファイア基板１５の裏面から出射される、欠陥に基づくイエロールミネッセンス４９の第１強度を検出することによって、第１強度から窒化物半導体層１７の評価を行う。 - 特許庁

Defect inspection, with high sensitivity, is made possible by irradiating the optical film, while scanning it with inspection light across the transparent film 30 to sense changes in intensity of reflected inspection light, is sensed, and determining the number of defects in the optical film plane, on the basis of information about changes in the intensity of reflected light.例文帳に追加

そして、光学膜に透明膜３０を介して検査光を走査させながら照射して検査光の反射光強度の変化を検知し、反射光強度の変化情報に基づいて光学膜面内の欠陥数を求めると、高感度での欠陥検査が可能となる。 - 特許庁

To provide a method and a device for correcting a defect of a photomask by which the transmittance of a thin film during correcting a defect of a photomask can be judged and, from the results, the supply amount of CVD source gas, laser irradiation intensity, laser irradiation time and the number of irradiation pulses can be controlled.例文帳に追加

フォトマスクの欠陥修正中の薄膜の透過率を判断でき、その結果によってＣＶＤ原料ガス供給量、レーザ照射強度、レーザ照射時間及び照射パルス数を制御することが可能なフォトマスクの欠陥修正方法及び装置を提供する。 - 特許庁

Then, when the deviation of an intensity distribution on the two-dimensional power spectrum is expressed numerically, a noise component is removed as a preprocessing, in order to accurately express the characteristic of a defect part (step 105, 106).例文帳に追加

次に、二次元のパワースペクトラム上での強度分布の偏りを数値化するが、欠陥部の特徴を精度よく表すための前処理としてノイズ成分の除去を行う（ステップ１０５、１０６）。 - 特許庁

The intensity of the scattered light Lb2 is detected by a detector 6 in the set sampling frequency, processed as prescribed by a signal processing part 10, and then input to the defect detecting part 11.例文帳に追加

散乱光Ｌｂ２の強度は、上記設定されたサンプリング周波数で検出器６によって検出され、信号処理部１０で所定の処理が行われた後、欠陥判定部１１に入力される。 - 特許庁

The electronic scan probe is used to freely change the angle and focus of ultrasonic beam, thereby, making an ultrasonic wave able to hit on a defect with an optimum angle and intensity to perform the flaw detection by the TOFD process.例文帳に追加

電子スキャンプローブを使用し自由に超音波ビームの角度，焦点を変化させることにより、最適な角度，強度で超音波を欠陥にあて、ＴＯＦＤ法で探傷することを可能にする。 - 特許庁

In the method, an electromagnetic wave 2 having the wavelength transmitted through the elongate member 1 and absorbed partially is irradiated, and the defect of the elongate member is detected from a change of the transmission intensity of the electromagnetic wave 3 transmitted through the elongate member.例文帳に追加

細長部材１を透過しかつ一部吸収される波長の電磁波２を照射し、細長部材を透過した前記電磁波３の透過強度の変化から細長部材の欠陥を検出する。 - 特許庁

Next, the method includes: measuring detection intensity of each discharge signal detected with the detection sensor and an acoustic sensor 6 in the specified gas section 4; and locating a defect part based on the detection intensity of the discharge signal and the detection phase waveform of a three-phase voltage detected by the detection sensor 5 and the acoustic sensor 6.例文帳に追加

次に、特定したガス区画４における検出センサ及び音響センサ６で検出する各放電信号の検出強度を計測し、検出センサ４及び音響センサ６が検出した放電信号の検出強度と三相の電圧の検出位相波形とに基づいて欠陥部位を標定する。 - 特許庁

To provide an exposure correction operation device which calculates the extent of correction for correcting the intensity of a light beam so as to accurately suppress an exposure defect caused by flare or the like in an exposure device which modulates the intensity of the light beam in accordance with picture data and irradiates a photosensitive material by the light beam to expose a picture.例文帳に追加

画像データに応じて光ビームの強度を変調させて感光材料に照射し、画像の露光を行う露光装置において、フレアなどによる露光不良を的確に抑制するように、光ビームの強度を補正するための補正量を算出する露光補正演算装置を提供する。 - 特許庁

Defect kind number distribution work is repeated when a plurality of defects of an inspection object exists after all is evaluation-finished, and a recipe file is output as the accumulated condition with the large defect signal intensity and an inspection condition item distribution as an inspection recipe to be provided to the inspection condition setting person.例文帳に追加

全て評価完了し、検査対象としたい欠陥が複数ある場合には欠陥種類数分作業を繰返し、蓄積された欠陥信号強度の大きい条件及び検査条件項目分布を検査条件レシピとして自動的にレシピファイルを出力して検査条件設定作業者に提供する。 - 特許庁

To accurately measure a distance even when a beam defect is generated, by correcting the beam defect based on respective distance informations provided by projecting toward distance measuring objects in order three kind of the same beams in luminous gravity center positions and different in luminous intensity distributions each other releting in a base line direction.例文帳に追加

基線長方向に関して発光重心位置が互いに同一であり発光強度分布が互いに異なる３種類のビームを順次に測距対象物に向けて投光して得られた各距離情報に基づいてビーム欠け補正を行うことにより、ビーム欠けが生じた場合であっても正確な測距を行う。 - 特許庁

To provide a technology capable of determining intensity of defect detection signal necessary for detection and capable of shortening the inspection time as much as possible, upon inspecting a short circuit defect of conductor on the panel circuit board in the method of detecting the current variation accompanied by the resistance variation caused by the laser irradiation while applying electric bias on the conductor.例文帳に追加

パネル回路基板の導線のショート欠陥を検査するにあたり、導線へ電気バイアスを印加しながら、レーザ光照射による抵抗変化がもたらした電流変化を検出する方法において、必要な欠陥検出信号の強度が得られ、かつ、検査時間を極力短縮することができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a solid-state imaging apparatus which weakens the intensity of an electric field generated between a photodiode and a well; reduces a white defect, a dark current, and so on; and improves a photodiode characteristic of after-image or the like.例文帳に追加

フォトダイオードとウェル間に発生する電界の強度を緩和させ、白キズ・暗電流等を低減させるとともに、残像等のフォトダイオード特性を向上させた固体撮像装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Since slits according to the inclination of the defect M are provided on the respective front surfaces of the projectors L1-L12 and the light receivers S1-S12, respectively, the intensity change of the transmitted light can be made remarkable to facilitate the detection.例文帳に追加

その際、投光器Ｌ１〜Ｌ１２、および受光器Ｓ１〜Ｓ１２のそれぞれの前面には欠陥Ｍの傾斜に応じたスリットが設けてあるので透過光の強度変化が顕著になり検出しやすい。 - 特許庁

The image processing means generates added image data including information of wavelengths and signal intensity by additionally processing the signals of respective wavelengths correspondingly to the incident positions on the detection surface, determines whether or not a defect exists on the pattern to be inspected based on the added image data, and when determining the existence of a defect, detects the position of the defect in a direction vertical to the substrate.例文帳に追加

前記画像処理手段は、前記波長毎の信号を前記検出面の入射位置に対応付けて加算処理して波長および信号強度の情報を含む加算画像データを生成し、該加算画像データに基づいて検査対象のパターンにおける欠陥の有無を判定し、欠陥が有ると判定した場合に前記基体に垂直な方向における前記欠陥の位置を検出する。 - 特許庁

By employing the method of forming the shoulder under the condition of applying a transverse magnetic field at predetermined intensity, the occurrence of dislocation in the step of forming the shoulder can be suppressed and a silicon single crystal having no defect can be grown with high production efficiency.例文帳に追加

この肩形成方法は、所定強さの横磁場を印加した条件下で適用すれば、肩形成工程での有転位化を抑制し、欠陥のないシリコン単結晶を高い生産効率で育成することができる。 - 特許庁

Hereby, the ratio of reflected light from the auxiliary member 2 for observation in the light in the specific wavelength band received by the imaging part 1 is reduced, and an intensity change of the reflected light caused by the defect of the optically transparent film A becomes clear.例文帳に追加

このため、撮像部１で受光される特定波長域の光における、観察用補助部材２からの反射光の割合が低減し、光透過性フィルムＡの欠陥に起因する反射光の強度変化が明りょうになる。 - 特許庁

When a light intensity sensor 79 detects that there is a pixel defect in the light emitting element of the light emitting element train Lb, a Y driver 77 stops emitting of the light emitting element train Lb, and allocates the light emitting element train Lb as a stand-by array.例文帳に追加

光量センサ７９により発光素子列Ｌｂの発光素子に画素欠陥があることが検出されると、Ｙドライバ７７により発光素子列Ｌｂの発光を停止させ、発光素子列Ｌｂを予備列とする。 - 特許庁

To provide ink for correcting a minute defect in a colored pattern and its method for suppressing fluctuation of amount and size of application to small extent, preventing an application implement from being clogged, preventing the occurrence of a defect in color mixing and reduction of intensity in coloring due to spread of an applied spot after application, and achieving continuous use of the ink for many hours.例文帳に追加

塗布量及び塗布サイズの変動が小さく、塗布器具の目詰まりが発生し難く、且つ、塗布後に塗布スポットが広がることによる混色欠陥の発生や着色濃度の低下が起こり難い、長時間連続使用可能な微小着色パターン欠陥修正用インキ、及び微小着色パターン欠陥修正方法を提供する。 - 特許庁

To provide a monochrome condenser for a neutron beam which can eliminate the defect of the difficulty in curved surface control based on conventional mechanical methods, enables point light-gathering in mm size and can generate high-intensity neutron beams at low costs.例文帳に追加

従来の機械的方法に基づく曲面制御の困難という欠点を解消し、mmサイズの点集光を可能とし、低コストで高輝度中性子ビームを創成することができる中性子線の単色集光装置を提供する。 - 特許庁

The iron-based structure serves as part of a magnetic circuit with respect to the bias magnetic field, the intensity of the bias magnetic field varies according to the degree of a flaw/corrosion/thickness reduction of the iron-based structure, and the degree of a defect of the iron-based structure is inspected according to the output variation.例文帳に追加

鉄系構造物もバイアス磁界に対し磁気回路の一部となり、バイアス磁界の強さが鉄系構造物の傷・腐食・減肉の程度に応じて変化し、その出力変化から鉄系構造物の欠陥の程度を検査する。 - 特許庁

The presence or absence, and dimensions of the hole-like defect are inspected based on the light intensity of regular reflection light 29 and the irregular reflection light 31 that are displayed on a display means 33 in response to the detection output of the first and second photosensors 30 and 32.例文帳に追加

第１および第２光センサ３０，３２の検出出力に応答して表示手段３３に表示される正反射光２９および乱反射光３１の光強度に基づいて孔状欠陥の有無および寸法を検査する。 - 特許庁

The third process includes a process in which a monitor light absorbed in the glass defect is made incident from an end face of the optical waveguide onto the core and a process in which the intensity of the monitor light emitted from the other end face of the optical waveguide is measured.例文帳に追加

第３工程は、ガラス欠陥に吸収されうるモニター光を光導波路の一端面からコアに入射させる工程と、光導波路の他端面から出射するモニター光の強度を測定する工程とを含んでいる。 - 特許庁

The integral values of signal intensity values in the divided areas and the total mean value of the integral values are calculated to find the variance of the integral values in the divided areas based upon the total mean value and when the variance exceeds a threshold, a defect is recorded in the memory.例文帳に追加

そして、各分割領域での信号強度値の積算値と、その積算値の全平均値を算出し、その全平均値に対して各分割領域の積算値の分散を求め、その分散がしきい値を越えた場合にメモリ上に欠陥として記録される。 - 特許庁

To provide a method of enhancing emission intensity and emission durability of a chemiluminescent reaction using peroxidase (hereafter referred to as 'POD') originated in basidiomycete having a defect of inferior emission durability in comparison with a chemiluminescent reaction using POD originated in horseradish.例文帳に追加

西洋ワサビ由来のペルオキシダーゼ（以下、「ＰＯＤ」という）を用いた化学発光反応に比べ、発光持続性が劣る欠点を有していた担子菌由来のＰＯＤを用いた化学発光反応の発光強度および発光持続性を増強する方法に関する。 - 特許庁

To provide an exposure correction arithmetic unit which corrects image data so that an exposure defect due to a flare or the like is suppressed in an exposure device which performs exposure to an image by irradiating a photosensitive material with a light beam by modulating the intensity of the light beam according to the image data.例文帳に追加

画像データに応じて光ビームの強度を変調させて感光材料に照射し、画像の露光を行う露光装置において、フレアなどによる露光不良を抑制するように画像データの補正を行う露光補正演算装置を提供する。 - 特許庁

To provide a Group-III nitride semiconductor light-emitting device having high light-emission intensity, by making a hetero-junction light-emitting region and a current diffusion layer disposed on a silicon single crystal substrate from a good-quality Group-III nitride semiconductor crystalline layer with low crystal defect density.例文帳に追加

珪素単結晶基板上に設けるヘテロ接合発光部及び電流拡散層を、結晶欠陥密度の少ない良質のＩＩＩ族窒化物半導体結晶層から構成することにより、高発光強度のＩＩＩ族窒化物半導体発光素子を得る。 - 特許庁

An angled probe 5 for transmission and an angled probe 6 for reception are arranged in one side of a joined interface 4 of a joined material 1, and the presence of a defect in the interface 4 is judged based on the intensity of a reflected wave reflected by the interface 4.例文帳に追加

接合材１の接合界面４の一方の側に送信用の斜角探触子５及び受信用の斜角探触子６を配置し、接合界面４から反射される反射波の強度から接合界面４に欠陥が存在するか否かを判断する。 - 特許庁

In the stage wherein the wiring is formed on the substrate, wiring is applied with an electrical signal to go into a predetermined potential state; the secondary electron emitted by irradiating the wiring in the potential state with the electron beam is detected; and the defect of the wiring is detected, based on the signal intensity of the secondary electron.例文帳に追加

基板に配線が形成された段階において、この配線に電気信号を印加して所定の電位状態とし、この電位状態の配線に電子線を照射して放出される二次電子を検出し、この二次電子の信号強度に基づいて配線の欠陥検出を行う。 - 特許庁

If an object 12 to be examined does not have the defect and is normal, a light attenuated by the plate 18 from the illuminator 14 arrive at the unit 16 through an examining point of the object 12, and hence the light is detected in the intensity attenuated by the plate 18 by the unit 16.例文帳に追加

被検査物１２に欠点がなく正常な場合には、照明装置１４から拡散板１８によって減衰された光が、被検査物１２の検査点を通過して撮像装置１６に到達するために、撮像装置１６では、拡散板１８によって減衰された強度で検出される。 - 特許庁

An energy beam reflected from an inspection object substrate is acquired as a digital image signal, by having the inspection-objective substrate irradiated with an energy beam, and the digital image signal is detected as a defect, when the intensity of the acquired digital image signal exceeds the threshold.例文帳に追加

検査対象基板にエネルギービームを照射することによって、当該検査対象基板から反射されたエネルギービームをディジタル画像信号として取得し、取得されたディジタル画像信号の強度が閾値を超える場合に当該ディジタル画像信号を欠陥として検出する。 - 特許庁

To provide a method and equipment for evaluating the life time and process damage of a semiconductor substrate on the basis of the intensity of haze light by aiming at the haze light being scattering light emitted from an area in which strong scattering body does not exit when the crystal defect of a semiconductor substrate surface layer is evaluated by light scattering.例文帳に追加

半導体基板表層の結晶欠陥を光散乱で評価する際、強い散乱体が存在しない領域から発せられる散乱光であるヘイズ光に着目し、このヘイズ光の強度に基づいて半導体基板のライフタイムおよびプロセスダメージを評価する方法及び装置を提供する。 - 特許庁

To obtain a resin composition for a condensing agent of liquid crystal display, which keeps luminous intensity necessary for improvement in contrast of liquid crystal display, has excellent adhesivity to a substrate sheet and heat resistance, namely controls discoloration being a defect of a copolyester obtained by using a titanium compound as a polymerization catalyst and has excellent transparency.例文帳に追加

液晶ディスプレイのコントラスト向上に必要な光度を維持し、なおかつ基材シートとの密着性と耐熱性すなわち、チタン化合物を重合触媒にした共重合ポリエステルの欠点である着色を抑制し透明性に優れた液晶ディスプレイ集光剤用樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide an inspection system capable of setting easily an inspection condition in a relatively short time, capable of setting easily the inspection condition even when no sample exists, and capable of providing the inspection condition and a defect signal intensity to an inspection condition setting person to support the setting for the inspection condition.例文帳に追加

検査条件設定を比較的短時間にかつ容易に行うことができ、また、サンプルがない場合にも検査条件設定の検討を可能にし、さらに、検査条件と欠陥信号強度を検査条件設定者に提供して検査条件設定を支援することができる検査システムを提供する。 - 特許庁

To provide an oxetane compound having excellent ink curability and substrate adhesiveness independent of the environmental humidity even under a light source of low lighting intensity and giving a high-quality image free from bleeding defect, an ink for ink-jet recording to give a high-quality image and an image-forming method to use the ink for ink-jet recording.例文帳に追加

本発明の目的は、低照度の光源でも環境湿度に影響を受けずにインク硬化性、基材密着性に優れ、滲みのない高品位の画像を得られるオキセタン化合物と、高画質な画像が得られるインクジェットインク及びこのインクジェットインクを用いた画像形成方法を提供することにある。 - 特許庁

To obtain a resin composition for a light scattering sheet, which keeps luminous intensity necessary for improvement in contrast of liquid crystal display, has excellent adhesivity to a substrate sheet and heat resistance, namely controls discoloration being a defect of a copolyester obtained by using a titanium compound as a polymerization catalyst and has excellent transparency.例文帳に追加

液晶ディスプレイのコントラスト向上に必要な光度を維持し、なおかつ基材シートとの密着性と耐熱性すなわち、チタン化合物を重合触媒にした共重合ポリエステルの欠点である着色を抑制し透明性に優れた光散乱シート用樹脂組成物を提供することである。 - 特許庁

To provide a toner which is hardly affected by environmental conditions and has stable electrification performance and high transferability and by which fogging is prevented even in the case of long term use, image intensity is not reduced, scraped surface of a photoreceptor hardly occurs and an image defect hardly occurs even in the case of long term use.例文帳に追加

環境に左右されにくく、安定した帯電性能を有し、長時間の使用においてもカブリの発生が抑制され、画像濃度の低下もなく、高転写性を有し、感光体表面の削れキズを生じにくく、長期間の使用においても画像欠陥の発生しにくいトナーを提供する。 - 特許庁

Also, output intensity from the projectors 18, 20 is controlled by a CPU such that amounts of illumination lights reaching observation sites by the optical receivers 22, 24 are constant, by which lack of a dynamic range of the optical receivers 22, 24 is compensated for and detection of the minute defect is achieved without signal correction by the optical receivers 22, 24.例文帳に追加

また、受光器２２、２４による観察部位に到達する照明光の光量が一定となるように、投光器１８、２０側の出力強度をＣＰＵによって制御することで、受光器２２、２４側のダイナミックレンジ不足を補い、受光器２２、２４側で信号補正を行うことなく、微細傷の検出を可能にした。 - 特許庁

To provide an electrophotographic method and an electrophotographic device in which the film thickness of an electrophotographic photoreceptor is small and an image defect after repetitive use seemed to be caused by a charge leak hardly appears even when electrolytic intensity applied to the electrophotographic photoreceptor is high, and which can realize high resolution and prolongation of the life.例文帳に追加

電子写真感光体の膜厚が薄く、電子写真感光体にかかる電解強度が高くとも、電荷リークに起因すると思われる繰り返し使用後の画像欠陥が現れにくく、高解像度かつ長寿命を実現することができる電子写真方法および電子写真装置を提供すること。 - 特許庁

The anneal wafer discrimination method is a method to discriminate wafers treated under not less than 1000 °C in reducing atmosphere in which a defect density in 5 μm of the wafer surface layer is not greater than 300/cm^2 and an average scattered light intensity is not greater than 300 (a.u) when measuring with laser wavelength of 680 nm.例文帳に追加

本アニールウェーハの判別方法は、１０００℃以上の還元雰囲気で熱処理するアニールウェーハの判別方法であって、アニールする前のウェーハが、６８０ｎｍのレーザ波長による測定で、ウェーハ表層５μｍ中に観察される欠陥密度が３００個／ｃｍ^２以下であり、かつ、平均散乱光強度が３００（ａ．ｕ）以下である。 - 特許庁

The defect detector comprises: XY coordinate transformation means 112 as coordinate transformation means for exciting an epitaxial growth substrate 17 where a compound semiconductor layer is grown epitaxially on a single crystal substrate by applying exciting light from above and then mapping the light emission intensity of photoluminescence over the whole epitaxial growth substrate; and defect detection means 113 for sequentially detecting defective pixels by using the difference between multiple pixels divided into coordinates by the coordinate transformation means 112 and multiple pixels adjacent thereto.例文帳に追加

単結晶基板上に化合物半導体層をエピタキシャル成長させたエピタキシャル成長基板１７の上方より励起光を照射して励起した後に、フォトルミネッセンスによる発光強度のマッピングをエピタキシャル成長基板全体に渡って行う座標変換手段としてのＸＹ座標変換手段１１２と、座標変換手段１１２により座標に分割された複数のピクセルのそれぞれとこれに隣接する複数ピクセルとの差を用いて、欠陥検出すべきピクセルが欠陥ピクセルかどうかを順次検出する欠陥検出手段１１３とを有している。 - 特許庁

A substrate surface 2 is irradiated with an electron beam 1 and has intensity for generating dislocation inside the substrate, and a range that is longer than the depth from the substrate surface 2 at the interface of two parts having different temperatures, in which a crystal defect begins to be generated in the depthwise direction of the substrate; and cracks with dislocation as a starting point are generated and form a cleavage plane 5, and the substrate is divided.例文帳に追加

基板表面２に、その強さが基板の内部に転位を生じさせる強さであり、またその飛程が基板の深さ方向において結晶欠陥が生じ始める、温度が異なる２つの部分の界面の基板表面２からの深さよりも長い電子ビーム１を照射し、転位を起点としたクラックを発生させて劈開面５を形成し、基板を分割する。 - 特許庁

Further, while reducing the photomask verification time by reducing the number of times of executing the optical intensity simulation, those having no effect on the manufacture of a semiconductor or on the operation or the characteristics of a semiconductor element are excluded from the photomask verification result so that only the fatal defect is detected, thereby reducing the time and the number of processes related to the correction of layout pattern CAD data.例文帳に追加

加えて、光強度シミュレーションの実施回数を削減することにより、フォトマスク検証時間の削減を図りつつ、さらに半導体製造上、あるいは半導体素子の動作、特性に影響を与えないものをフォトマスク検証結果から除外し致命的な欠陥のみを検出し、レイアウトパターンＣＡＤデータの修正に関わる時間、工数を削減する。 - 特許庁