「Diffusion method」に関連した英語例文の一覧と使い方(46ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device which has RESURF structure that can actualize high breakdown voltage without adding a diffusion step at high temperature for a long time and improve reliability, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

高温長時間の拡散工程を追加することなく、高耐圧を実現することができ、かつ信頼性を向上することができるリサーフ構造を備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an easily manufacturable steel shaft maintaining a superior strength even after exposure in a high temperature atmosphere of diffusion joining between a cam lobe and the shaft, and a manufacturing method of an assembled camshaft.例文帳に追加

鋼材製のシャフトが、カムロブ・シャフト間の拡散接合を行う高温雰囲気下に曝されても、優れた強度を維持することができる製造容易なシャフト、および組立式カムシャフトの製造方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a method of manufacturing in which the source/drain region of an FET and a capacitor lower electrode are connected in small resistance without diffusion barrier in a memory cell provided with a stacked capacitor on a MOS field effect transistor (MOSFET).例文帳に追加

MOS電界効果トランジスタ（ＭＯＳＦＥＴ）上にスタックトキャパシタを設けるメモリセルにおいて、ＦＥＴのソース／ドレイン領域とキャパシタ下部電極を拡散バリアのない低抵抗で接続する製造方法を提供する。 - 特許庁

Such a film can be formed by a spin coat method, so that a flat film can be formed on its surface, and a hydrogen barrier film 22 formed thereon is made uniform in thickness sufficient to keep hydrogen diffusion blocking performance.例文帳に追加

このような膜はスピンコート法で形成できるので容易にその表面が平坦な膜が得られ、従ってその上に形成される水素バリア膜２２の膜厚も一様となって水素拡散阻止能力が維持できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the same for preventing diffusion of impurities included in a gate electrode, and improving the reliability and resistance to hot carriers of a gate insulating film.例文帳に追加

ゲート電極中に含まれる不純物の拡散を防止することができ、さらに、ゲート絶縁膜の信頼性及びホットキャリア耐性を向上させることができる半導体装置及びその製造方法を得る。 - 特許庁

To provide a method and a container which prevent or minimize the diffusion of metals between a high value powder alloy and the container used for hot isostatic pressing, when forming billets using hot isostatic pressing.例文帳に追加

熱間等方圧加圧を使用してビレットを形成する場合に、高価な粉体合金と熱間等方圧加圧に使用される容器との間における金属の拡散を防ぎ、又は最小限化する方法及び容器を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which the diffusion of impurity in an impurity area and a gate electrode is suppressed to prevent the variance of short channel effect and threshold voltage.例文帳に追加

不純物領域およびゲート電極中の不純物の拡散を抑制することによって、短チャネル効果および閾値電圧の変動を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method of semiconductor device, increasing the voltage endurance between source and drain regions in an ON state without increasing the ON resistance of a lateral double-diffusion MOS transistor.例文帳に追加

横型二重拡散ＭＯＳトランジスタのオン抵抗を上昇させることなく、オン状態でのソース-ドレイン領域間の耐圧を向上できる半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a gas diffusion layer capable of inexpensively and easily forming fine pores with excellent gas permeability, without any impurities left inside even in case of film-shape molding.例文帳に追加

フィルム状の成形した場合であっても、内部に不純物などが残留することなく、ガス透過性に優れた微細孔を安価かつ容易に形成することができるガス拡散層の製造方法を提供する。 - 特許庁

Further a method for suppressing diffusion of the dioxins in which a material comprising 1 to 50 weight parts of gypsum to 100 weight parts of light burnt magnesia is added to the soil containing the dioxins and is mixed, is provided.例文帳に追加

また、当該軽焼マグネシア１００重量部に対し、石膏を１〜５０重量部含む材を、ダイオキシン類を含む土壌に添加して混合することを特徴とするダイオキシン類の拡散抑制方法。 - 特許庁

To provide a DMOS device and a method for manufacturing the same which can reduce the number of ion implantation processes, by simultaneously forming well regions and drift diffusion regions, in a low-voltage transistor region.例文帳に追加

低電圧領域のウェル領域とドリフト拡散領域とを同時に形成してイオン注入工程の数を短縮することで、工程の単純化を達成できるＤＭＯＳ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for calculating spatial and temporal variations of a toner concentration in accordance with an advection diffusion equation in the case that a spatial distribution of developer mass density is not uniform in an electrophotographic development process with a two-component developer.例文帳に追加

電子写真における二成分現像プロセスにおいて、現像剤質量密度の空間分布が一様ではない場合に、トナー濃度の空間時間変化を移流拡散方程式で計算する方法を提供する。 - 特許庁

To prevent a part becoming CMOSFET from being exposed to excessive heat in a heat treatment for emitter diffusion in a manufacturing method of a semiconductor device where a bipolar transistor and CMOSFET are formed on one substrate.例文帳に追加

バイポーラトランジスタとＣＭＯＳＦＥＴを一つの基板上に形成する半導体装置の製造方法において、ＣＭＯＳＦＥＴとなる部分をエミッタ拡散のための熱処理によって過剰な熱に晒さないようにする。 - 特許庁

A steel matrix layer and a nitrogen diffused layer excellent in the adhesion to this layer and having abrasion resistance, thermal shock resistance, fatigue resistance and impact resistance are formed on the surfaces of the parts related to a pressure head by a brilliant nitrogen diffusion method.例文帳に追加

光輝窒素拡散法を用いて加圧ヘッド関係部品の表面に鋼母層と密着性に優れ、耐摩耗性、耐熱衝撃性、耐熱疲労性、耐衝撃性を有する窒素拡散層を形成させる。 - 特許庁

To provide a cathode substrate having good electric charge injection efficiency by preventing diffusion of electron emitted from an emitter, of which, the electron injection efficiency is hardly scattered between respective cathode substrates, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

エミッタから放出される電子が拡散することを防止して電荷注入効率がよく、各カソード基板相互の間での電荷注入効率がばらつき難いカソード基板及びその作製方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a semiconductor device and its manufacturing method to enable strong bonding between a wiring layer and an underlying anti-diffusion layer (barrier layer), even when the wiring layer is formed by chemical vapor deposition(CVD).例文帳に追加

化学気相蒸着（ＣＶＤ）によって配線層を形成する場合においても、該配線層を下地の拡散抑制（バリヤ）層と強固に接合することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a gas diffusion electrode raw material which does not use water and surfactants, thereby can attain cost reduction owing to device miniaturization, can also contribute to energy- saving and further can reduce manufacturing time.例文帳に追加

水と界面活性剤を使用せずに、設備の小型化によるコスト削減が可能で、省エネルギーにも貢献でき、かつ製造時間の短縮ができる、ガス拡散電極原料の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device capable of forming the impurity introduction region of a photodiode having a part formed at the lower part of a gate electrode without oblique rotation implantation or excessive thermal diffusion.例文帳に追加

ゲート電極の下方に形成された部分を有するフォトダイオードの不純物導入領域を、斜め回転注入や過剰な熱拡散によることなく形成し得る半導体装置の製造方法を得る。 - 特許庁

In the air cathode 10 having a multilayer structure and a manufacturing method thereof, an air cathode has a multilayer structure composed of at least one substrate 11, two diffusion layers 12, and three activation layers 13.例文帳に追加

多層構造を備えた空気負極１０及びその製造方法は、少なくとも一片基礎台１１、二片の拡散層１２と三片の活化層１３から構成された多層構造の空気負極である。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can form an impurity diffusion region by making small a depth from a substrate surface even if a setting of implantation conditions of an ion implantation device is not changed.例文帳に追加

イオン注入装置の注入条件の設定を変更しなくても、基板表面からの深さを小さく変更して、不純物拡散領域を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor element, capable of maintaining an ion implanted impurity profile, by preventing external or internal diffusion of the ion implanted impurities or particularly a boron (B) at a high-temperature annealing time.例文帳に追加

イオン注入された不純物、特にほう素（Ｂ）の高温アニール時の外方、内方への拡散を防止し、注入された不純物プロフィルを維持できる炭化けい素半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing rare earth-iron-nitrogen-based alloy powder in which deterioration in magnetic properties is prevented, and having satisfactory coercive force and squareness at a high yield by a reduction diffusion process.例文帳に追加

還元拡散法において、合金粉末の磁気特性を低下させることを防ぎ、高い収率で、良好な保磁力と角形性を有する希土類−鉄−窒素系合金粉末の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an efficient organic solvent recovery system capable of stably reducing the diffusion of an organic solvent to environment and recovering the organic solvent from an organic solvent-containing gas, and an organic solvent recovery method using the same.例文帳に追加

環境への有機溶剤の拡散を安定的に低減することができる、有機溶剤含有ガスから有機溶剤を回収する効率の良い有機溶剤回収システム及びその方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and a device for treating splashed substances by which the diffusion of the splashed substances such as fumes, dross, etc., generated when working a material to be worked, is suppressed, and working environment is easily cleaned.例文帳に追加

被加工材を加工するときに生じるヒュームやドロスなどの飛散物質の拡散を抑制し、加工環境のクリーン化を容易に図ることができる飛散物質処理方法及び飛散物質処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a low-cost polymer electrolyte fuel cell having no separator and no gas diffusion material and simple structure; to provide its manufacturing method; and to provide a polymer electrolyte fuel cell device using the polymer electrolyte fuel cell.例文帳に追加

セパレータおよびガス拡散材を有さない、構造が簡素で、低コストな固体高分子型燃料電池およびその製造方法、並びに、それを用いた固体高分子型燃料電池装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a fuel cell manufacturing method which can improve fuel diffusion property and can stabilize the fuel cell even when a running-in period is shortened, making it possible to manufacture fuel cells at low cost.例文帳に追加

燃料拡散性の向上を図ることができ、慣らし運転の期間を短縮しても、燃料電池の安定化を図り、低コストで燃料電池を製造することができる燃料電池の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of preventing the characteristics change of a semiconductor substrate due to impurity diffusion and reducing the electrical resistance of a wiring layer, and to provide a solid-state imaging element and a manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

不純物拡散による半導体基板の特性変化を防止し、且つ配線層の電気抵抗を低減することができる半導体装置、固体撮像素子、および半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a non-volatile semiconductor memory device and a manufacturing method thereof, where the memory device is high in W/E(writing/erasing) reliability, and the source diffusion layer of a memory cell is protected against damage when a source wiring is formed in a self-aligned manner.例文帳に追加

自己整合によるソース配線の形成の際にメモリセルのソース拡散層にダメージがなく、Ｗ／Ｅ信頼性の良好な、不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

This method for plasma treatment is constituted by respectively applying pulse-modulated electric power to a plasma-generating power source and to a substrate-bias power source, wherein a pulse modulation is based on the diffusion time of gas from the central part of discharge to the substrate.例文帳に追加

本発明のプラズマ処理方法は、放電中心部から基板までのガスの拡散時間を基準としたパルス変調電力をプラズマ発生電源と基板バイアス電源に相互に印加するように構成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a manufacturing method therefor which prevent the delamination of interlayer insulating films and the diffusion of copper to the surroundings of the inter-layer insulating films while giving the interlayer insulating films a lower dielectric constant.例文帳に追加

層間絶縁膜の膜剥がれ及び周辺への銅の拡散を防止しつつ、層間絶縁膜のより一層の低誘電率化を図ることができる半導体装置及びその製造方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide an optically functional diffusing plate capable of providing a target diffusion angle and improving contrast performance so as to clearly visualize an image, to provide a reflection type screen having the optically functional diffusing plate, and to provide a method for manufacturing the reflection type screen.例文帳に追加

目標の拡散角とすることができ、さらに映像を明確に視認できるようにコントラスト性能を高めることのできる光機能性拡散板、反射型スクリーン及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a planographic printing material having high anti-static performance, small humidity dependency of the anti-static performance, and scarcely causing the deterioration of the anti-static performance with lapse of time and using a silver complex salt diffusion transfer process.例文帳に追加

高い帯電防止性能を持ち、その湿度依存性は小さく、かつ経時による帯電防止性能の劣化の少ない銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷材料の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a plate-making method for a lithographic printing plate, using a silver salt diffusion transfer process which suppresses ink stains produced, when the stopping of a printing machine and reprinting are repeated, and uses an aluminum plate as a substrate.例文帳に追加

停機、再印刷を繰り返した時に発生するインキ汚れを改良したアルミニウム板を支持体とする銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版の製版方法を提供することである。 - 特許庁

The image forming apparatus has a converting means for converting image data by an error diffusion method and generating first printing data and a plurality of second printing data and a printing means for printing the plurality of second printing data.例文帳に追加

画像形成装置は、誤差拡散法により画像データを変換して第１の印字データと複数の第２の印字データとを生成する変換手段と、複数の第２の印字データを印字する印字手段とを備える。 - 特許庁

To provide a high breakdown voltage MOS transistor having a low concentration diffusion layer which overlaps a region near the end of a gate electrode in a self-alignment process manner and works as a field alleviating layer, and to provide a method of manufacturing it.例文帳に追加

ゲート電極の端部近傍領域に自己整合的にオーバーラップし、電界緩和層として働く、低濃度拡散層を有する高耐圧ＭＯＳトランジスタ及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a manufacturing method of a heat sink using a sintering apparatus, after diffusion joining and sintering are performed on only necessary joined parts with multiple metal plates 10, 20a, 20b, 20c, and 20d stacked, unjoined parts are folded to form radiation fins.例文帳に追加

焼結装置を用いたヒートシンクの製造方法において、複数の金属板１０，２０ａ，２０ｂ，２０ｃ，２０ｄを積み重ねた状態で必要な接合部のみを拡散接合・焼結した後、未接合部を折り曲げて放熱フィンを形成する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer and a method of manufacturing the same, wherein diffusion of an impurity of high concentration included in a silicon substrate into an epitaxial layer is suppressed in a heat treatment process for forming a semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイス形成時の熱処理プロセスにおいて、シリコン基板に含まれる高濃度の不純物がエピタキシャル層に拡散するのを抑制することができるエピタキシャルウェーハ及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device which can stably form a low-resistant nickel silicide film without increase of junction leakage current in a diffusion layer area containing an arsenic dopant densely.例文帳に追加

高濃度で砒素不純物を含有する拡散層領域における接合リーク電流の増大なく、低抵抗なニッケル珪化物膜を安定性よく形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film laminate and an interface detection method capable of detecting accurately interface information, even when a physical irregularity and an intermediate layer due to diffusion of a constitutive element exist in the interface.例文帳に追加

界面に物理的な凹凸や構成元素の拡散による中間層が存在する場合であっても、界面情報を正確に検出することが可能な薄膜積層体及び界面検出方法を提供すること。 - 特許庁

In this performance recovery method, a gas diffusion electrode 5 with its performance deteriorated by its use for electrolysis is taken out by dismantling an electrolytic bath 1 and then subjected to a pressing treatment or a combination treatment of cleaning and pressing.例文帳に追加

電解に使用して電極性能の低下したガス拡散電極５を電解槽１を解体して取り出した後、プレス処理し、又は洗浄とプレスの組合せ処理を行うガス拡散電極の性能回復方法。 - 特許庁

To provide a plasma display panel in which the yellow discoloration caused by diffusion of silver ions is prevented to improve color temperature of white ray and image quality, and also to provide a method of manufacturing the same, and material for partitions of the plasma display panel.例文帳に追加

銀イオンの拡散による黄変現象を防止することで、白色光の色温度を向上し、かつ、パネルの画質を改善できるプラズマディスプレイパネル、その製造方法及び隔壁材料を提供する。 - 特許庁

The method for metallic coating of fibers by the liquid technique involves drawing a fiber, coated with a material forming a diffusion barrier with the metal, through a liquid metal bath to be coated therewith.例文帳に追加

本発明は、液体法によって繊維を金属で被覆するための方法であって、金属に対する拡散防止バリアを形成する材料で覆われた繊維を、被覆用の液体金属槽を通過させて引く方法に関する。 - 特許庁

To provide a polluted soil purifying method which prevents the diffusion of a pollutant to a circumferential environment and removes the pollutant in the vicinity of a region, where the pollutant is present, to treat the same.例文帳に追加

汚染物質を周囲の環境に拡散してしまうことが無く、汚染土壌が存在する領域の近傍で汚染物質を除去、処理することが可能な汚染土壌浄化工法及び装置の提供。 - 特許庁

To provide a method capable of obtaining diffusion aluminide coatings of approximately equal thicknesses by simultaneously vapor-phase aluminizing a nickel base superalloy and a cobalt-base superalloy in a single process chamber by using the same aluminum donor and activator.例文帳に追加

同じアルミニウム供与体と賦活体を用いて単一のプロセスチャンバ内でニッケル基超合金とコバルト基超合金を同時に気相アルミナイズして、ほぼ等しい厚さの拡散アルミニウム化物コーティングを得る方法。 - 特許庁

To provide a method capable of reducing a sulfur component in hydrogen chloride fed to the production of chlorine to a level practically free from trouble in reaction even without performing the water absorption and diffusion of hydrogen chloride.例文帳に追加

塩化水素の水吸収および放散を行なわなくとも、塩素の製造に供される塩化水素中の硫黄成分を実用上反応に支障のないレベルにまで低減し得る方法を提供する。 - 特許庁