| 例文 |
FIRST PROCESSの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5620件
A normal profile storage section 16 stores first identification information for identifying a file or a folder operated in a process generated in a normal terminal not infected with a computer virus.例文帳に追加
正常プロファイル記憶部16は、コンピュータウィルスに感染していない正常な端末で生成されたプロセスが操作を行ったファイルまたはフォルダを識別する第1の識別情報を記憶する。 - 特許庁
In the first process, a conductive film 3 is formed by sputtering on a substrate 1 and an electron ray e is applied on the conductive film 3 to form a cylinder 7 having a microscopic diameter and mainly composed of carbon.例文帳に追加
第1工程では、基板1上にスパッタリングにより導電膜3を形成し、続いて導電膜3上に電子線eを照射して炭素を主成分とする微小径の円柱7を形成する。 - 特許庁
An Sr poor SRO film 15 is formed in a barrier metal film side alone by making a film formation temperature in the first half of a film formation process of a SRO film as a lower capacitor electrode than that in the latter half.例文帳に追加
下部キャパシタ電極としてのSRO膜の成膜工程の前半の成膜温度を後半のそれよりも高くして、バリアメタル膜側でのみSrプアーなSRO膜15を形成する。 - 特許庁
The organic coating 46 is lost by high frequency heating to the first grid electrode 21 in the electron gun 15 for the purpose of degassing from exhaust of the cathode-ray tube in a manufacturing process of the cathode-ray tube.例文帳に追加
有機物被膜46は、陰極線管の製造工程において、陰極線管の排気中の脱ガスを目的とした電子銃15の第1グリッド電極21の高周波加熱によって消失させる。 - 特許庁
When the signal Dt is input, the first processing unit 12 causes the display to display confirmation information for confirming whether or not to start a canonical process corresponding to the signal Dt with a user.例文帳に追加
第1処理部12は、信号Dtが入力されている場合、信号Dtに対応する正規処理の実行開始の許否をユーザに確認するための確認情報をディスプレイに表示させる。 - 特許庁
The semiconductor sensor employs a structure which is manufactured by a simple process wherein a groove separating the center of a three layer semiconductor layer of a semiconductor substrate 11 is provided to form first and second semiconductor layers 13, 14.例文帳に追加
半導体基板11の三層の半導体層の中央を分断する溝を設けて第1,第2の半導体層13,14を形成するという簡易プロセスで製造可能な構造を採用した。 - 特許庁
This method includes a process of removing a pad polysilicon layer (a first polysilicon layer) which is not carried out prior to the formation of a resistance layer, and the resistance layer 10 is formed through ion implantation while leaving this polysilicon layer as is.例文帳に追加
抵抗層形成前のパッド・ポリシリコン層(第1のポリシリコン層)(3)の除去工程を行わず、このパッド・ポリシリコン層(3)を残したまま、抵抗層(10)をイオン注入にて形成する。 - 特許庁
In a first step, a paste material 2a obtained by mixing a low molecular weight material having a siloxane skeleton with an alkyl group bonded to Si, and a solvent and silica particles, is applied on a glass substrate 1 by a die coating process.例文帳に追加
第一段階で、ガラス基板1上に、アルキル基がSiに結合されたシロキサン骨格の低分子材料に溶媒,シリカ粒子を混合したペースト材料2aをダイコートを用いて塗布する。 - 特許庁
Further, hood devices 21, 22 for protecting the coil 29 or the magnesium strip 30 from heat radiation after a preheating process by a preheating furnace 15, and heating devices 27, 37 are provided to the first coiler 13 and the roll cradle 11.例文帳に追加
予熱炉15による予熱プロセスの後、第1コイラー13及びロール架台11に熱放射からコイル29又はマグネシウムストリップ30を守るフード装置21,22と加熱装置27,37とを設ける。 - 特許庁
Thereafter, a second hole aperture overlapping the first groove aperture, and a second groove aperture overlapping the second hole aperture, are simultaneously formed in the second photolithography process.例文帳に追加
その後、二回目のフォトリソグラフィ工程で、前記第一の溝状開口部に重なる第二の孔状開口部および前記第一の孔状開口部に重なる第二の溝状開口部を、同時に形成する。 - 特許庁
In a first process, a silicon nitride film is formed as a mask pattern from the pressurized liquid chamber side and anisotropic wet etching is performed at a depth required for the pressurized liquid chamber 4.例文帳に追加
流路板3は面方位が(100)のシリコン基板で形成され、第1の工程は加圧液室側からシリコン窒化膜をマスクパターンとして形成し、加圧液室4に必要な深さの異方性ウェットエッチングを行う。 - 特許庁
A progressive role over process for converting data from a first data repository to a second repository by the shifting plug in is used until an old version becomes removable as the result that all the pieces of data are converted consecutively.例文帳に追加
連続して全データが変換され旧バージョンが除去可能となるまで移行プラグインにより第1のデータレポジトリから第2のデータレポジトリへデータが変換される漸進的ロールオーバプロセスが用いられる。 - 特許庁
A plurality of pits (10) are excavated at specified intervals by a conventional method, and core materials (20) composed of wide-flange shape-steel or I-steel are built in the pits (10) respectively as a first process.例文帳に追加
第一工程として、常法で縦孔(10,10,10・・・)を所定の間隔を隔てて掘削し、この縦孔(10,10,10・・・)内に、H型鋼又はI型鋼からなる芯材(20)を夫々建て込む。 - 特許庁
In a process of performing bending, the first guide surface 21 constrains one side of a bending part of the square wire conductor 8, and the second guide surface 51 constrains the other side of the bending part of the square wiring conductor 8.例文帳に追加
折曲を行う過程においては、第1ガイド面21が角線導体8の折曲部分の一側面を拘束し、第2ガイド面51が角線導体8の折曲部分の他側面を拘束する。 - 特許庁
At the first process flow, a cylindrical material 30A is formed, wherein it has a small diameter hole 31 and a large diameter hole 32 being coaxially formed against a peripheral face, and a step part 33 positioned in between thereof.例文帳に追加
第1の工程では、外周面に対し同軸的に形成された小径穴31及び大径穴32ならびにそれらの間に位置する段部33を有する円筒状の素材30Aを形成する。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a crystal oscillator for connecting an integrated-circuit element to a first vessel electrically by applying anisotropic conductive resin, and simplifying a manufacturing process.例文帳に追加
本発明の目的は、集積回路素子と第1の容器との電気的接続が異方性導電樹脂塗布による、製造工程を簡略化した水晶発振器の製造方法を提供すること。 - 特許庁
Next, a process for superposing the second image data after adjustment to the first image data which corresponds to the image D1 which is photographed at the prescribed angle by the virtual camera is executed by the control section 1.例文帳に追加
そして、調整後の第2画像データを、仮想カメラにより所定の画角で撮影された画像D1に対応する第1画像データに重ね合わせる処理が、制御部1により実行される。 - 特許庁
In the first process, the presence or absence of a hydroxy group is determined, and, when present, an OH radical takes a hydrogen atom in a hydroxy group to oxidize, and returns itself to water and makes an oxygen atom to have a double bond.例文帳に追加
第1プロセスでは、水酸基の有無を判定し、有の場合、OHラジカルが水酸基の水素原子を奪って酸化し、自身は水に回帰すると共に、酸素原子を二重結合化させる。 - 特許庁
When the parameter is in an increase process and the parameter reaches a first threshold, one of the two finger tip extraction processing is switched to the other finger tip extraction processing.例文帳に追加
パラメータが増加過程にある場合には、このパラメータが第1の閾値となったときに、2つの指先抽出処理のうちの一の指先抽出処理から他の指先抽出処理へと切替処理を行う。 - 特許庁
The invention relates to the process for producing the conductive master batch comprising the steps feeding a carbon-containing filler to a first polyamide in a molten state to melt-knead the mixture and feeding a second polyamide to the kneaded mixture for further melting/kneading of the mixture.例文帳に追加
溶融状態の第1のポリアミドに炭素系フィラーを供給して溶融混練した後、第2のポリアミドを供給してさらに溶融混練することことにより導電性マスターバッチを製造する。 - 特許庁
The image forming apparatus 100 is provided with an actuating member 147 by making it abut against the process cartridge B, thereby actuating and moving the member 146 from the first position to the second position.例文帳に追加
又、画像形成装置100には、プロセスカートリッジBと当接することによって作動して放電防止部材146を第1の位置から第2の位置に移動させる作動部材147を設ける。 - 特許庁
Consequently, the washing component (HF+NH_4F) is brought into contact with the substrate in a relative dielectric-constant environment corresponding to the relative dielectric constant of methanol, and an etching removal is conducted in the treatment chamber (a first washing process).例文帳に追加
このため、処理チャンバーでは、メタノールの比誘電率に対応する比誘電率環境で洗浄成分(HF+NH_4F)が基板に接触してエッチング除去が行われる(第1洗浄工程)。 - 特許庁
In a catalyst supporting process (3), pores in a catalytic species layer are closed, at first, by heating the catalytic species layer at a high temperature equal to or higher than the melting point of the base material of the catalytic species layer such as a porous metal (step 108).例文帳に追加
(3)触媒担持工程においては、先ず、種触媒層をその基材である多孔質金属等の融点以上の高温で加熱して、種触媒層の細孔を閉塞させる(ステップ108)。 - 特許庁
In this treating method of the radioactive concrete body, first of all, the radioactive concrete 11 is crushed so as to include at least coarse aggregate 12a, fine aggregate 12b and powder aggregate 13 (crushing process).例文帳に追加
本発明にかかる放射性コンクリート体の処理方法は、先ず、放射性コンクリート11を、少なくとも粗骨材12aと細骨材12bと粉材13とを含むように破砕する(破砕工程)。 - 特許庁
Specifically, when the number of remaining sheets for the job A is not less than a first reference value Na, and also, the number of outputting sheets for the job B is not more than a second reference value Nb, the interruption process is executed.例文帳に追加
具体的には、ジョブAの残り枚数が第1の基準値Na以上であり、かつ、ジョブBの出力枚数が第2の基準値Nb以下である場合に、割り込み処理を実行する。 - 特許庁
Subsequently, the initiating HT detects a change in the ATI and evaluates an execution result of the AHT in response to process termination of both of the first AHT and the second AHT, which is indicated by the indicator.例文帳に追加
続いて、起動HTは、ATIの変化を検知し、該インジケータの示す、第一AHTおよび第二AHTの両方が処理を終了したことに応じ、AHTの実行結果を評価する。 - 特許庁
An upper surface bevel part of a substrate W is supplied with a first process liquid, in such condition that a shielding members 5 are arranged, facing each other, close to a surface Wf of the substrate W for executing bevel cleaning.例文帳に追加
遮断部材5が基板Wの表面Wfに近接して対向配置された状態で基板Wの上面ベベル部に第1処理液が供給されてベベル洗浄が実行される。 - 特許庁
The mode changeover part changes over a first mode for recording RAW data of an image to a second mode for recording a digital development image obtained by applying at least a gradation conversion process to the RAW data, and vice versa.例文帳に追加
モード切替部は、画像のRAWデータを記録する第1モードと、RAWデータに少なくとも階調変換処理を施したデジタル現像画像を記録する第2モードとを切り替える。 - 特許庁
In the first positioning process, the apexes of the substrate projections 61a of the substrate sheet 61 are positioned at the same positions as the peripheral edge parts of the through-holes 27a of the screen version 27 or the insides of the peripheral edge parts.例文帳に追加
第一位置づけ工程において、基板シート61の基板凸部61aの頂点が、スクリーン版27の貫通穴27aの周縁部と同位置または当該周縁部の内側に位置づけられる。 - 特許庁
Each chip has a variable resistance element CC formed simultaneously by a process common to the memory cell between interconnected test pads TT and TB of a first pad for memory location detection.例文帳に追加
各チップは、相互に接続される第1のメモリ位置検知用パッドのテストパッドTT,TB間に、それぞれ、メモリセルと共通のプロセスにより同時に形成される可変抵抗素子CCを有する。 - 特許庁
In the mounting process of the ink cartridge 30, when an optical sensor 123 detects a first projecting part 75, it outputs a detecting signal, and when an optical sensor 126 detects a second projecting part 76, it outputs a detecting signal.例文帳に追加
インクカートリッジ30の装着過程において、光センサ123は、第1突部75を検知すると検知信号を出力し、光センサ126は、第2突部76を検知すると検知信号を出力する。 - 特許庁
The display screen control part 134 compares between the process time wt and reference time T and selects the first screen information in the case of wt≤T, or selects the second screen information in the case of wt>T.例文帳に追加
表示画面制御部134は、処理時間wtを参照時間Tと比較し、wt≦の場合に第1の画面情報を選択し、wt>Tの場合に第2の画面情報を選択する。 - 特許庁
When this is done, local displacement of the openings (1) resulting from subsequent steps in the process, and which lead to a change in the tension state of the substrate (2), are avoided because the coordinates of a central reference point (4) are determined first.例文帳に追加
この場合、基板(2)の応力状態を変化させることとなる、後の処理手順による穴(1)の場所的な変位は、先ずは中央の基準点(4)の座標を決めることによって防止される。 - 特許庁
Therefore, the tooth width W2 at the tooth base part of the rack teeth 13 and 14 which finished the intermediate forming process, is formed so as to project to the outside in the radial direction from the outer periphery 11 of the first rack blank 1.例文帳に追加
従って、中間成形工程が終了したラック歯13、14の歯元の歯幅W2が、第1のラック素材1の外周11のよりも半径方向外側に突出して成形される。 - 特許庁
In the first process S1, a core mold 1 and a cavity mold 2 are clamped, and the supporting pin 3 is moved into the cavity to support a terminal 20 between the forward end of the supporting pin 3 and the core mold 1.例文帳に追加
第1工程S1において、コア型1及びキャビティ型2を型閉めするとともに、支持ピン3をキャビティ内に進動させて支持ピン3の先端とコア型1との間で端子20を支持する。 - 特許庁
In the first process, both sides of the air bag 2 are sandwiched by side part restraint phases 33, 33 while the air bag 2 is folded from the front and the rear by a front/rear restraint mechanism 35 after the air bag 2 is expanded by a fan device 27.例文帳に追加
一次折工程では、ファン装置27でエアバッグ2を展開した後、側部規制板33,33でエアバッグ2の両側面を挟み込むと同時に、前後規制機構35で前後からエアバッグ2を折り畳む。 - 特許庁
In addition, a first subfield of the second group of subfields selects light-emitting cells using the selective write process, and the remaining subfields of the second group of subfields select non-light-emitting cells from the light-emitting cells by using the selective erasure system.例文帳に追加
また、第2サブフィールドグループのうちの最初のサブフィールドは選択的記入方式で発光セルを選択し、残りサブフィールドは選択的消去方式で発光セルで非発光セルを選択する。 - 特許庁
A first-side image developing unit 12 and a second-side image developing unit 13 perform a developing process by which the record data on a plurality of double-sided pages are developed into dot images for each page and held on each side.例文帳に追加
第1面画像展開部12及び第2面画像展開部13は、両面複数ページの記録データを1ページ毎のドットイメージに展開して片面毎に保持する展開処理を行う。 - 特許庁
To provide an image reading apparatus (original reading apparatus) capable of sharply reading an image on a first side and an image on a second side, carrying out the process from image reading to an image output in a short time, and providing ease of maintenance.例文帳に追加
第1面と第2面の画像を鮮明に読み取ることができ、かつ、画像の読取から出力までを短時間で行え、さらにはメンテナンスも容易な画像読取装置を提供すること。 - 特許庁
Capacities of a first and a second hydraulic motor 23, 24 are cooperatively controlled and the minimum inclination rolling quantity of the hydraulic motor 24 is limited to limited inclination rolling quantity q2cmin during four speed transmission control process.例文帳に追加
4速変速制御処理時、第1及び第2油圧モータ23,24の容量を連携して制御するとともに、第2油圧モータ24の最小傾転量を制限傾転量q2cmiに制限する。 - 特許庁
The difference in the final shrinkage percentage in the sintering process between the first molding 11 and the second molding 12 is ≤3%, and the difference in temperature at which the shrinkage is completed by 50% is within 100°C.例文帳に追加
第1成形体11と第2成形体12とは,焼結工程における最終収縮率の差が3%以下であって,収縮が50%完了する温度の差が100℃以内である。 - 特許庁
After the first destination 106 is updated, the synchronization process continues only with respect to the remaining destinations which are influenced by partition changes, determined by continuing pieces of data and updated by the continuing data.例文帳に追加
第1の宛先106が更新された後、同期プロセスは、パーティション変更の影響を受け、持続するデータによって判定され、持続するデータによって更新される残りの宛先に対してのみ継続する。 - 特許庁
The controlling controller section executes the starting process of an image processing section independently prior to reception of the communication command when the communication command is not received before the passage of time exceeds the first prescribed time.例文帳に追加
制御コントローラ部は、経過時間が第1の所定時間を超える前に通信コマンドを受信しない場合、通信コマンドの受信に先行して独自に画像処理部の起動処理を実行する。 - 特許庁
When reducing plasma process is performed to a second embedded interconnection L2, electric power for applying to a first electrode holding a wafer is set lower than a second electrode disposed facing the wafer, or is set to zero.例文帳に追加
埋込第2層配線L2に対して還元性プラズマ処理する際に、ウエハを保持する第1電極に印加する電力を、ウエハに対向する第2電極よりも低くするか零にする。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing an organic EL display in which reliability is superior and productivity is improved in a manufacturing process since a first electrode layer is protected and a second electrode layer is effectively separated.例文帳に追加
製造工程において第1電極層を保護し、第2電極層を効果的に分離して、信頼性に優れて生産性が向上する有機ELディスプレイの製造方法を提供する。 - 特許庁
The superposition pattern includes a plurality of pattern elements equally distributed on a first circle and a second circle different in size to be used as a support for providing a suture line in the process of implanting a cornea.例文帳に追加
前記重畳パターンは、角膜移植中に縫合線を設けるためのサポートとするために、大きさの異なる第1円及び第2円上に同等に分布する複数のパターン要素を含んでいる。 - 特許庁
An O-ring 5 for achieving sealing performance between a housing 20 and a first ring 3 engaged with each other with play is made detachable, and an integration process for a rubber elastic body can be eliminated to facilitate manufacturing.例文帳に追加
遊嵌状態のハウジング20と第1環3との間で密封性を発揮するOリング5は着脱自在であり、ゴム状弾性体の一体化工程をなくすことができ、製造容易である。 - 特許庁
The first polymerization process is such that a monomer (I) including an alkyl (meth) acrylate compound (m1) and a polar group-containing unsaturated compound (m2) having one carbon-carbon double bond in one molecule thereof is polymerized.例文帳に追加
第1重合工程:(メタ)アクリル酸アルキルエステル化合物(m1)、及び、分子内に炭素−炭素二重結合を1個有する極性基含有不飽和化合物(m2)を含む単量体(I)を重合する工程。 - 特許庁
One example includes obtaining a surface with reduced roughness by creating process parameters that reduce impurities at an interfacial boundary between the first and second semiconductor crystalline materials.例文帳に追加
一実施例は、第1および第2の半導体結晶材料間の界面境界の不純物を減少させるプロセスパラメータを作成することによって、粗さが低減された表面を得ることを含む。 - 特許庁
To provide a connection structure and a connection method of a first printed circuit board, an electronic component, and a second printed circuit board in a manufacturing cost reduced by a simple manufacturing process.例文帳に追加
製造工程を簡単化することにより製造コストを安価にした第1プリント配線板と電子部品および第2プリント配線板との接続構造および接続方法を提供すること。 - 特許庁
| 例文 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|