「FIRST PROCESS」に関連した英語例文の一覧と使い方(79ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing method comprises a first process (steps 30 to 32) of sealing up the semiconductor chips requiring burn-in with resin to package them and making the packaged semiconductor chips undergo burn-in, and a second process (step 36) of mounting the semiconductor chips which are judged non-defective in burn-in on a board together with the semiconductor chips requiring no burn-in.例文帳に追加

バーインの必要な半導体チップを樹脂封止してパッケージ化し、このパッケージ化された半導体チップにバーンインを行なう工程（ステップ３０〜３２）と、バーインにおいて良品と評価された半導体チップを、バーイン不要な半導体チップと共に基板上に搭載する工程（ステップ３６）とを有する。 - 特許庁

This manufacturing method comprises a first process 21, in which a blank 36 being introduced into closed forging die devices with a forming die for cold-working to a solid or a hollow blank material 20, and a second process 22, in which the flange 12 for fitting a wheel is formed with the closed forging die devices by introducing the blank into the closed-forging die devices.例文帳に追加

中実又は中空のブランク材２０を冷間加工用成形金型にて、閉塞鍛造金型装置に投入する素材３６を成形する第１工程２１と、素材を閉塞鍛造金型装置に投入して閉塞鍛造金型装置にて車輪取付用フランジ１２を成形する第２工程２２とを備える。 - 特許庁

The amount of cobalt produced in the first process is specified to be 40-55 wt.% of the amount of cobalt contained in a whole positive electrode active material, and the amount of cobalt produced in the third process is specified to be 4.5-7.0 wt.% of the amount of nickel.例文帳に追加

そして、第１工程において生成されたコバルト量を、正極活物質全体に含まれるコバルト量の４０重量％以上で５５重量％以下になるように規定するとともに、第３工程において生成したコバルト量がニッケル量の４．５重量％以上で７．０重量％以下になるように規定している。 - 特許庁

This method comprises a first process 1 to adsorb dioxins in dioxin-containing water 5 by bringing it into contact with fibrous activated carbon, a second process 3 to release the dioxins from the fibrous activated carbon on which the dioxins have been adsorbed, and a third process 4 to make the released dioxins harmless by bringing them into contact with a dioxin decomposition catalyst.例文帳に追加

ダイオキシン類含有水５を繊維状活性炭に接触させて前記水中のダイオキシン類を吸着させる第一工程１、ダイオキシン類が吸着した繊維状活性炭からダイオキシン類を脱離させる第二工程３および脱離したダイオキシン類をダイオキシン類分解触媒と接触させて無害化する第三工程４からなることを特徴とするダイオキシン類含有水の処理方法。 - 特許庁

The manufacturing method of the organic photoelectric conversion element comprises a photocatalyst-containing layer forming process forming the photocatalyst-containing layer on a substrate in which a first electrode is formed; a doping process doping the photoelectric conversion property improving material in the photocatalyst-containing layer; and an organic photoelectric conversion layer forming process forming the organic photoelectric conversion layer on the photocatalyst-containing layer.例文帳に追加

本発明は、第１電極が形成された基体上に光触媒含有層を形成する光触媒含有層形成工程後に、上記光触媒含有層に光電変換特性向上物質をドープするドーピング工程を行い、その後に上記光触媒含有層上に有機光電変換層を形成する有機光電変換層形成工程を行うことにより、上記目的を達成するものである。 - 特許庁

The method may include steps of producing the substrate having a bearing portion from a first material, spraying the particles of a second material onto the bearing portion in accordance with a predetermined spraying technique to provide a coating thereon, and subjecting the coated bearing portion to a hot isostatic compression molding process, a vacuum sintering process, or a controlled atmospheric sintering process.例文帳に追加

本方法は、第１の材料から、ベアリング部分を有する基質を形成するステップと、所定の溶射技術にしたがって第２の材料からなる粒子を基質のベアリング部分に対して吹き付けて、前記ベアリング部分上にコーティングを設けるステップと、コーティングされたベアリング部分を熱間等静圧圧縮成形プロセス、真空焼結プロセス、又は、大気を制御した焼結プロセスに晒すステップとを含んでもよい。 - 特許庁

The manufacturing method of the light-emitting device comprises a process of forming a mixed layer containing a compound selected from an oxide semiconductor and metal oxide, and an aromatic amine compound on a first electrode by co-deposition, a process of forming a layer containing a light-emitting material on the mixed layer, and a process of forming a second electrode on the layer containing the light-emitting material.例文帳に追加

第１の電極の上に、共蒸着によって、酸化物半導体および金属酸化物の中から選ばれた一の化合物と芳香族アミン化合物とを含む混合層を形成し、前記混合層の上に発光性の物質を含む層を形成し、前記発光性の物質を含む層の上に第２の電極を形成する工程を有することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 特許庁

The method for producing a purified β-D-glucan comprises a first process for adjusting a microorganism culture solution containing a β-D-glucan or a ground microorganism solution, a second process for removing a microorganism or an insoluble admixture to give a supernatant and a third process for ultrafiltering the supernatant in alkalinity so as to remove the whole or a part of a low-molecular admixture from the β-D-glucan.例文帳に追加

β−Ｄ−グルカンを含む微生物培養液又は微生物破砕液をｐＨ１２以上に調整する第１工程と、微生物又は不溶性夾雑物を除去して上清を得る第２工程と、上清をアルカリ性下で限外ろ過してβ−Ｄ−グルカンより低分子の夾雑物の全部又は一部を除去する第３工程とを含む精製β−Ｄ−グルカンの製造方法。 - 特許庁

The method for manufacturing the catalyst electrode includes a first process for forming a catalyst ink layer by coating the catalyst ink, a second process for arranging minute waterdrops on the catalyst ink layer by contacting high humid air to the catalyst ink layer and a third process for forming the catalyst layer by drying and removing the minute waterdrops.例文帳に追加

触媒電極の製造方法として、触媒インクを塗布することにより、触媒インク層を形成するための第１の工程と、前記触媒インク層に高湿空気を接触させることにより、前記触媒インク層に微小水滴を配列するための第２の工程と、前記微小水滴を乾燥除去することにより、触媒層を形成するための第３の工程を有する触媒電極の製造方法を用いること。 - 特許庁

The manufacturing method of a hemispherical lens includes a first process in which two transparent plates are pasted together by an adhesive, a second process in which a cube or a rectangular parallelepiped is cut out and the cube or the rectangular parallelepiped is ground into a sphere and a third process in which the sphere is divided into hemispherical bodies by eliminating the adhesive.例文帳に追加

半球レンズの製造方法において、２枚の透明板を接着剤で貼り合わせる第１工程と、前記透明板から立方体又は直方体を切り出し、該立方体又は直方体を球体に研磨する第２工程と、前記接着剤を除去することにより前記球体を半球体に分割する第３工程とを含むことを特徴とする半球レンズの製造方法である。 - 特許庁

The method may include the steps of producing a substrate having a bearing portion from a first material, spraying particles of a second material onto the bearing portion of the substrate in accordance with a predetermined spraying technique to provide a coating thereon, and subjecting the coated bearing portion to a hot isostatic press molding process, a vacuum sintering process, or a controlled atmospheric sintering process.例文帳に追加

本方法は、第１の材料から、ベアリング部分を有する基質を形成するステップと、所定の溶射技術にしたがって第２の材料からなる粒子を前記基質の前記ベアリング部分に対して吹き付けて、前記ベアリング部分上にコーティングを設けるステップと、前記コーティングされた前記ベアリング部分を熱間等静圧圧縮成形プロセス、真空焼結プロセス、又は制御大気焼結プロセスに晒すステップとを含んでもよい。 - 特許庁

This encapsulation process comprises a process (a) for forming an emulsion containing a continuous phase comprising a first liquid, a cation material, and an anion material, and a dispersion phase comprising a plurality of droplets including one to five particles, and a process (b) for inducing complex coacervation of the cation material and the anion material and forming a shell around each droplet.例文帳に追加

本発明にかかるカプセル化プロセスは、（ａ）第１の液体と、カチオン材料と、アニオン材料とからなる連続相と、第２の液体の複数の液滴からなると共に前記複数の液滴はその中に１から５の粒子を含む分散相と、を含むエマルジョンを形成する工程と、（ｂ）カチオン材料とアニオン材料の複合コアセルベーションを誘起して各滴の周囲に殻を形成する工程と、を含む。 - 特許庁

This semiconductor substrate manufacturing method comprises a growth process for growing a second monocrystalline semiconductor 12 on a first monocrystalline semiconductor 10, a block layer formation process for forming a block layer 12a on the second monocrystalline semiconductor 12, and a stress relaxation process for producing a defective crystal 15 in a location deeper than the block layer 12, thus relaxing stress to the second monocrystalline semiconductor 12.例文帳に追加

半導体基板の製造方法は、第１単結晶半導体１０の上に第２単結晶半導体１２を成長させる成長工程と、第２単結晶半導体１２に阻止層１２ａを形成する阻止層形成工程と、阻止層１２ａよりも深い部分に結晶欠陥１５を発生させて第２単結晶半導体１２に作用する応力を緩和する緩和工程とを含む。 - 特許庁

The substrate coating method includes: a first process of forming a coating film by coating a coating solution 20 from a slit nozzle 31; a second process of standing by without coating the coating solution 20 on the next substrate; and a third process of discharging the coating solution 20 onto a roller part 50 that is disposed below the slit nozzle 31 with an interval from the discharge opening 30 thereof.例文帳に追加

スリットノズル３１から塗布液２０を塗布して塗布膜を形成する第１の工程と、次なる基板上に塗布液２０を塗布せずに待機する第２の工程と、スリットノズル３１の下方位置にその吐出口３０から間隔を経て配置されるローラ部５０に塗布液２０を吐出する第３の工程と、を含み、第２の工程において、スリットノズル３１からローラ部５０へ塗布液２０を吐出させる。 - 特許庁

The manufacturing method for composite passive component includes a first process, in which a substrate is formed using ceramic or glass as the material and the substrate is planarized by enameling or polishing; a second process, in which a composite passive component is formed on the substrate using semiconductor manufacturing processes; and a third process, in which the composite passive component thus formed is packaged by a thick-film packaging method.例文帳に追加

セラミックまたはガラスを材料とした基板を形成し、ほうろうまたは研磨によりこの基板に平坦化処理を行う第1工程と、前記基板上に半導体製造工程により複合式受動部品を形成する第2工程と、厚膜パッケージング方法により形成された前記複合式受動部品をパッケージングする第3工程と、を備えている複合式受動部品の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the process for producing polyimides by heating an aromatic tetracarboxylic dianhydride and an aliphatic diamine in the presence of a catalyst in a solvent to effect addition condensation, the first reaction process which accompanies a temperature rise by initial exothermic heat is carried out by using crotonic acid as the catalyst, and subsequently the second reaction process to heat at a temperature of not lower than the temperature reached by the initial exothermic heat is carried out.例文帳に追加

触媒の存在下、溶媒中で芳香族テトラカルボン酸二無水物と脂肪族ジアミンとを加熱し付加縮合するポリイミドの製造方法において、触媒としてクロトン酸を用い、初期発熱による温度上昇を伴う第１反応プロセスを行い、ついで該初期発熱による到達温度以上の温度で加熱する第２反応プロセスを行うことを特徴とする半芳香族ポリイミドの製造方法。 - 特許庁

A light-emitting layer 15 installed between a first electrode 11 and a second electrode 19 is formed by a process of forming a composition layer comprised of a radical initiator and a light-emitting material having radical polymerization reactivity, a process of forming a region in which the composition layer is polymerized out of the composition layer by exciting the composition layer, and a process of removing the composition layer except the polymerized region.例文帳に追加

第１電極１１および第２電極１９の間に設けられた発光層１５をラジカル開始剤とラジカル重合反応性を有する発光材料とからなる組成物層を形成する工程と、組成物層を励起することにより、組成物層のうち組成物層が高分子化された領域を形成する工程と、組成物層のうち、高分子化された領域以外を除去する工程とにより形成する。 - 特許庁

The system includes a first step for defining the process execution time required to execute each of the control processes for controlling the machine by the programmable controller, a second step for setting fixed allowable time range to the defined process execution time, a third step for setting the abnormal condition of the process, and a fourth step for setting the abnormal contents, according to the abnormal conditions for each of the control processes.例文帳に追加

プログラマブルコントローラによって機械を制御する各制御工程ごとにその工程の実施に要する工程実施時間を定義する第１ステップと、上記定義した工程実施時間に対して一定の許容時間範囲を設定する第２ステップと、上記工程の異常条件を設定する第３ステップと、各制御工程ごとに上記異常条件に対応した異常内容を設定する第４ステップと、を含む。 - 特許庁

The manufacturing method of the synthetic resin skin material includes a first process of continuously supplying the long synthetic resin sheet 10 via an accumulator 12, a second process of pressing the supplied long synthetic resin sheet 10 between a press board 18A and an embossing press board 18B corresponding to the press board for embossing, and a third process of cutting the embossed long synthetic resin sheet.例文帳に追加

長尺の合成樹脂シート１０をアキュームレータ１２を介して連続的に供給する第１の工程と、供給された長尺の合成樹脂シート１０をプレス盤１８Ａと該プレス盤に対応する絞プレス盤１８Ｂとの間で挟圧して絞押する第２の工程と、絞押された長尺の合成樹脂シートを裁断する第３の工程と、を有する合成樹脂表皮材の製造方法である。 - 特許庁

A method of manufacturing the solar battery cell includes a process of forming a polycrystalline silicon layer by doping impurities of a second conductivity type into the light receiving side-surface of a semiconductor substrate of a first conductivity type, a process of forming a silicon oxide film by oxidizing the polycrystalline silicon layer, and a process of removing the silicon oxide film on the polycrystalline silicon layer.例文帳に追加

上記課題を解決するために、本発明は、第１導電型の半導体基板の受光面側に、第２導電型の不純物をドーピングして多結晶シリコン層を生成する工程と、前記多結晶シリコン層を酸化してシリコン酸化膜を生成する工程と、前記多結晶シリコン層上の前記シリコン酸化膜を除去する工程と、を有することを特徴とする太陽電池セルの製造方法を提供する。 - 特許庁

The slimming processing method for a resist pattern for performing slimming processing for a resist pattern formed on a substrate comprises a slimming processing process by applying a reacting substance for solubilizing a resist pattern onto the resist pattern, carrying out heat treatment under predetermined heat treatment conditions and executing development processing for resist pattern slimming processing; and a first line width measuring process for measuring the line width of the resist pattern before the slimming processing process.例文帳に追加

基板上に形成したレジストパターンをスリミング処理するレジストパターンのスリミング処理方法において、レジストパターン上にレジストパターンを可溶化する反応物質を塗布し、次に予め決定された熱処理条件で熱処理し、次に現像処理することによって、レジストパターンにスリミング処理を行うスリミング処理工程と、スリミング処理工程前にレジストパターンの線幅を測定する第１の線幅測定工程とを含む。 - 特許庁

The manufacturing method of an anisotropic conductive film in which conductive particles are arranged regularly comprises (a) a first process of performing magnetic recording in a specific region of a magnetic medium, in order to regularly arrange conductive particles, (b) a second process of arranging conductive particles on the magnetic medium, and (c) a third process of transferring and fixing the arranged conductive particles on a substrate.例文帳に追加

導電粒子が規則的に配置されている異方導電フィルムを製造する方法であって（ａ）導電粒子を規則的に配置するために、磁性媒体の特定領域に磁気記録を行う第一工程、（ｂ）前記磁性媒体上に導電粒子を配置する第二工程、（ｃ）配置させた導電粒子を基材上に転写・固定化する第三工程、を含むことを特徴とする異方導電フィルムの製造方法。 - 特許庁

A first process for displaying a screen specifying a supply source of image data on a monitor screen, a second process for displaying a screen specifying the output condition including package output wherein the plurality of kinds of output forms and an individual output frequency are fixedly combined in one of selection targets, and a third process for displaying a screen specifying the image data that are an output target are executed.例文帳に追加

モニタ画面上に、画像データの供給源を特定する画面を表示させる第１の処理と、複数種類の出力形態と個々の出力回数とを固定的に組み合わせたパッケージ出力を、選択対象の１つに含む出力条件を特定する画面を表示させる第２の処理と、出力対象とする画像データを特定する画面を表示させる第３の処理とを実行する。 - 特許庁

In addition, the control part 71 estimates the amount of residual toner in the process cartridge 20 on the basis of a detection signal from a first sensor 72 or the combination of the detection signal and the first initial dot number read from the setting information storage part 77, and corrects the count value of the first dot counter 73 when the estimated amount of residual toner deviates from predetermined correction unnecessary conditions.例文帳に追加

更に、制御部７１は、第１センサ７２からの検出信号、又は同検出信号及び設定情報記憶部７７より読み出した第１初期ドット数に基づいてプロセスカートリッジ２０内のトナー残量を推定すると共に、当該推定トナー残量が所定の補正不要条件を逸脱している場合には第１ドットカウンタ７３のカウント値を補正する。 - 特許庁

This organic photoelectric conversion element has a first electrode, a second electrode, and an active layer located between the first electrode and the second electrode, wherein the active layer includes a conjugate polymer compound, and the first electrode is provided by a process of bringing a coupling agent into contact with at least a surface of the electrode on the active layer side, and thereafter applying a lyophilic treatment to the surface.例文帳に追加

第１の電極と、第２の電極とを有し、該第１の電極と該第２の電極との間に活性層を有し、該活性層が共役高分子化合物を含み、該第１の電極が、電極の少なくとも該活性層側の表面にカップリング剤を接触させた後、該表面に親液化処理を施す工程により得られる有機光電変換素子。 - 特許庁

In the defoaming process, the sealing resin R is mixed up by making a second squeegee 62 and a first squeegee 61 to shift horizontally with the first squeegee 61 kept in a raised state to move the sealing resin R to one side, and subsequently by making the first squeegee 61 to lower and shift horizontally with the second squeegee 62 kept in a raised state to move the sealing resin R to another side.例文帳に追加

脱泡工程では、第１のスキージ６１を上昇させた状態で第２のスキージ６２を第１のスキージ６１と共に水平移動させて封止樹脂Ｒを一側へ寄せた後に、第２のスキージ６２を上昇させた状態で第１のスキージ６１を下降させて水平移動させることで封止樹脂Ｒを他側へ寄せることで、封止樹脂Ｒを練る。 - 特許庁

A third step which is the same process as the first step is repeatedly carried out to the insoluble residue separated in the first step and a forth step of curing the sulfuric acid solution separated in the third step to settle the gypsum and mixing the supernatant with waste sulfuric acid to be used in the first step is preferably carried out and if necessary, the third step and the forth step are repeated.例文帳に追加

第１工程において分離した不溶残分に対して第１工程と同様の第３工程を繰り返し、第３工程により分離した硫酸溶解液を養生して石膏を沈殿させるとともに上澄液を第１工程において用いる廃硫酸に混合する第４工程を行うと良く、必要に応じてさらに第３工程と第４工程とを繰り返せば良い。 - 特許庁

The method for producing a thin film is characterized by using a sublimable vapor deposition material composed of a first oxide and a sublimable vapor deposition material composed of a second oxide different from the first oxide, and then forming an oxide thin film constituted of the first oxide and the second oxide on a substrate by a co-vapor deposition method comprising simultaneously vapor depositing the oxides by a vacuum film deposition process.例文帳に追加

本発明の薄膜の製造方法は、第１酸化物からなる昇華性蒸着材とこの第１酸化物とは異なる種類の第２酸化物からなる昇華性蒸着材を用い、真空成膜法によって同時に蒸着する共蒸着法により、基材上に第１酸化物及び第２酸化物から構成された酸化物薄膜を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The method comprises: applying a resist only to prescribed patterns in the surface of an electrically conductive base material; plating a first metal to a height equivalent to the thickness of each resist; performing treatment for facilitating peeling, if required; forming a metal for forming a plate-shaped precision metal component on the surface of the first metal by an electroforming process; and removing each first metal and resist.例文帳に追加

導電性母材表面上に所定パターンのみにレジストを付けた後、レジスト厚みに相当する高さまで第一の金属をメッキし、必要ならば剥離を容易にするための処理をした後、第一の金属の表面上にプレート状の精密金属部品を形成するための金属を電鋳法で形成し、第一の金属とレジストを除去することからなる。 - 特許庁

The process comprises converting image data corresponding to at least a first color decomposition into half tone data, using a first probabilistic half tone screen, converting image data corresponding to at least a second color decomposition into half tone data, using a second probabilistic half tone screen, and combining half-toned image data of at least a first and second color decomposed images to form a multi-color image.例文帳に追加

第１の確率的ハーフトーン・スクリーンを使用して、少なくとも第１の色分解に対応する画像データをハーフトーン化し、第２の確率的ハーフトーン・スクリーンを使用して、少なくとも第２の色分解に対応する画像データをハーフトーン化し、マルチカラー画像を形成するために少なくとも第１および第２の色分解画像のハーフトーン化された画像データを結合する。 - 特許庁

The signal generator for frequency hopping is provided with a first PLL circuit and a second PLL circuit for synchronizing phases to the same reference frequency, the first and second PLL circuits are alternately phase-locked from a frequency pull-in process and the oscillation frequencies of the first and second PLL circuit in the phase-locked state are alternately outputted.例文帳に追加

周波数ホッピングする信号発生器において、同一の基準周波数に位相同期する第１のＰＬＬ回路と第２のＰＬＬ回路とを設け、第１のＰＬＬ回路と第２のＰＬＬ回路とを交互に周波数引き込み過程から位相同期させ、位相同期した状態の第１又は第２のＰＬＬ回路の発振周波数を交互に出力している解決手段。 - 特許庁

The thickness of a first solder resist 13, formed at the periphery of a semiconductor element 8, is set to less than that of a second solder resist 15 formed at the central part of the semiconductor element 8, so that the amount of contraction of the first solder resist 13 when a temperature drops in a reflow process is suppressed, and the first solder resist 13 is prevented from peeling off the semiconductor element 8.例文帳に追加

半導体素子８の周辺部に形成される第１のソルダーレジスト１３の厚みを、半導体素子８の中央部に形成される第２のソルダーレジスト１５の厚みよりも小さく設定することで、リフロー工程の温度低下による第１のソルダーレジスト１３の収縮量を抑制して、第１のソルダーレジスト１３が半導体素子８から剥離することを防止する。 - 特許庁

In the method for joining the first microchip substrate having the micro-channel on the surface and the second microchip substrate having a surface adhered to the surface having the micro-channel of the first microchip substrate, the first microchip substrate and/or the second microchip substrate are formed from the plastic material, and a process for joining the microchip substrates by laser beam fusion bonding is included.例文帳に追加

表面にマイクロチャネルを有する第１のマイクロチップ基板と、第１のマイクロチップ基板のマイクロチャネルを有する面に密着する面を有する第２のマイクロチップ基板とを接合する方法であって、第１のマイクロチップ基板及び／又は第２のマイクロチップ基板がプラスチック材料からなり、レーザー融着にて接合する工程を有することを特徴とするマイクロチップ基板の接合方法。 - 特許庁

To accurately detect the finish point of a CMP process for a second metal film in the case that the second metal film is accumulated on a first metal film and thereafter the CMP method is performed for the laminated film of the first metal film and the second metal film after the first metal film is accumulated on the bottom face and the wall face of a recess part formed on the insulation film and the insulation film.例文帳に追加

絶縁膜に形成された凹部の底面及び壁面並びに絶縁膜の上に第１の金属膜を堆積した後、該第１の金属膜の上に第２の金属膜を堆積し、その後、第１の金属膜と第２の金属膜との積層膜に対してＣＭＰ法を行なう場合に、第２の金属膜に対するＣＭＰ工程の終点を精度良く検出できるようにする。 - 特許庁

The system has a first chamber 202 having an element that radiates light, depending on a first gas 308; a second chamber 204 that performs a lithographic process, using the radiated light and contains a second gas 310; a pump 312, that sends at least the first gas under pressure to storage equipment 318; and a control device 316, that guides the gas from the storage equipment to recycle equipment 304.例文帳に追加

第１のガス３０８に基づき光を放射するエレメントを有する第１のチャンバ２０２と、放射された光を使用してリソグラフィプロセスを行いかつ第２のガス３１０を有する第２のチャンバ２０４と、少なくとも第１のガスを貯蔵装置３１８へ圧送するポンプ３１２と、ガスを貯蔵装置からリサイクル装置３０４へ案内する制御装置３１６とが設けられている。 - 特許庁

A semiconductor substrate 1 is used, in which a first main surface 1a is provided with an electrode 3 to which a bump 4 is bonded in the ultrasonic bonding process, and a recess 2 is formed on the second main surface 1b on right above the connecting position of the bump 4.例文帳に追加

第一の主面１ａにバンプ４が超音波ボンデングされる電極３を備え、バンプ４接続位置直上の第二の主面１ｂに窪み２が形成された半導体基板１を用いる。 - 特許庁

In a photomask 100 used in a semiconductor manufacturing process, a first mask pattern 106 transferred to a resist pattern and a second mask pattern 108 of a resolution limit or less for suppressing the light proximity effect are provided.例文帳に追加

半導体製造工程に用いられる露光用１００において、レジストパタンに転写される第１マスクパタン１０６と光近接効果を抑制するための、解像限界以下の第２マスクパタン１０８を設ける。 - 特許庁

Plating is carried out, while closing a first pin fastening hole 51 by means of a closing body 55, and a conductor layer formation process for selectively forming a conductor layer 36 on the insulating layers 33, 34, 35, 40, 41, 42 is carried out.例文帳に追加

次に、閉塞体５５にて第１ピン止め用孔５１を閉塞した状態でめっきを行い、絶縁層３３，３４，３５，４０，４１，４２上に導体層３６を選択的に形成する導体層形成工程を行う。 - 特許庁

In the second process, a third workpiece W3 composed of a small diameter cylindrical portion having a second stem bore and a large diameter cylindrical portion having a first stem bore is formed by extruding the second workpiece W2 in the axial direction.例文帳に追加

第２工程において、第２ワークＷ２を軸方向で押出し成形することにより、第２軸孔を有する小径円筒部と第１軸孔を有する大径円筒部とからなる第３ワークＷ３とする。 - 特許庁

In a first process, an intermediate formed part 3 formed as a working body part and a projecting part from the working body part, is formed by extrusion-forming a working material with pin type pressing from the one side of one shaft direction.例文帳に追加

第一工程において、一軸方向一方側からのピン型の押圧により被加工材を押出成型して被加工材本体部と被加工材本体部から突出状となる中間成型アーム部３を成型する。 - 特許庁

An authenticator applies a specified arithmetic process to first image data read from a mentioned item column 511 of a document 501, and prints typing data based on digest information thus obtained in a certification column 512 on the document.例文帳に追加

認証装置は、書面５０１の記載事項欄５１１を読み取った第１画像データに対して所定の演算処理を施し、得られたダイジェスト情報に基づく印字用データを書面の証明欄５１２に印刷する。 - 特許庁

To provide an image forming device capable of obtaining a stable first copying time in the case of starting the following image forming operation based on the detection of an image positioning mark even under a condition provided with plural kinds of process linear velocity.例文帳に追加

プロセス線速度を複数種類有する条件下でも、画像位置合せ用のマーク検出に基づく次の作像開始に際して安定したファーストコピー時間が得られる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

The zipper fusion process in which, in the guide insertion state, at least one of the first and second guide members 11 and 12 is a support member 14, and the zipper half bodies 8 are fusion-bonded to the sheet bodies 5 while pressing a heating board H.例文帳に追加

ガイド差込状態にて、第１ガイド部材11・第２ガイド部材12の少なくとも一方を受け部材14として、熱盤Ｈを押圧しつつジッパー半体８をシート体５に融着するジッパー融着工程を、有する。 - 特許庁

The internal circumferential face 50a of the first retaining member 50 facing between the half mirror 42 and the performance board 60, and the beam part 58 are treated with a process improving reflectivity of the light illuminated from the light emitting means 62.例文帳に追加

そして、第１保持部材５０におけるハーフミラー４２と演出基板６０との間に臨む内周面５０ａおよび梁部５８には、発光手段６２から照射した光の反射率を高める処理が施される。 - 特許庁

After the completion of the treating process, the pressure in the treating vessel 4 is kept in a second pressure corresponding to a second rotating speed by changing the rotating speed of the vacuum pump 8 to a second rotating speed higher than the first rotating speed.例文帳に追加

処理工程の終了後に、真空ポンプ８の回転数を第１の回転数より高い第２の回転数にして処理容器４内の圧力を第２の回転数に対応した第２の圧力とする。 - 特許庁