「FIRST PROCESS」に関連した英語例文の一覧と使い方(78ページ目) - Weblio英語例文検索

The waste gas treating method includes a process of neutralizing the waste gas of hydrogen chloride containing the organic matter containing ortho-dichlorobenzene and/or monochlorobenzene in a first treating tower with an alkalin solution, and a process of recovering substantially all of the organic matter from a tower top by steam heating in a second treating tower.例文帳に追加

第一処理塔において、オルトジクロロベンゼンおよび／またはモノクロロベンゼンを含む有機物を含有する塩化水素の廃ガスをアルカリ溶液により中和する工程と、第二処理塔において、スチーム加熱により上記有機物のほぼ全量を塔頂から回収する工程とを含む廃ガスの処理方法。 - 特許庁

This method for producing the trialkylgallium includes a first process for heating a mixture of the magnesium and the gallium in a molten state under a vacuum and a second process for reacting the mixture heated under the vacuum with the alkyl chloride in at least one kind of ether compound so as to synthesize the trialkylgallium.例文帳に追加

マグネシウムと溶融状態のガリウムとの混合物を真空下で加熱する第１の工程と、少なくとも１種のエーテル化合物中で、真空加熱された上記混合物と塩化アルキルとを反応させることによりトリアルキルガリウムを合成する第２の工程とを含むトリアルキルガリウムの製造方法。 - 特許庁

This manufacturing method of a heat spreader for a semiconductor comprises a first process, where a recess which houses a semiconductor is provided to a metal thin plate in the thickwise direction and a second process where the contacting surface of the recess, with which the semiconductor is brought into contact is turned smooth by a processing means.例文帳に追加

本発明の半導体用ヒートスプレッダーの製造方法は、金属薄板の厚み方向に半導体が収容される凹部を形成する工程と、前記工程により形成された凹部の半導体との接触面を平滑に加工する加工手段による仕上げ工程とを具備することを特徴とする。 - 特許庁

As to this battery module 1 of the battery, this welding method includes a first process to remove the boehmite coats 34a, 44a of an electron terminal part by laser irradiation of a laser device, and a second process to laser-weld the terminal parts 34, 44 of the battery cell 3 and the battery cell 4 to the terminal 65 of a lower case 6.例文帳に追加

バッテリの電池モジュール１において、レーザー装置のレーザー照射により、電子端子部のベーマイト皮膜部３４ａ，４４ａを除去する第１工程と、レーザー装置のレーザー照射により、電池セル３及び電池セル４の端子部３４，４４と、ロワケース６の端子６５をレーザー溶接する第２工程とを備えた。 - 特許庁

The high refractive index part 10 used for performing the propagation of light after being connected to the optical fiber is formed by performing a first ion exchange process (b), and then performing infiltration and diffusion of ions in a second ion exchange process (c) comprising dipping the glass plate 1 into a molten salt 60 free from ions capable of increasing the refractive index and, heating.例文帳に追加

光ファイバを接続して光の伝播を行う高屈折率部１０は、第１のイオン交換工程（ｂ）を行った後に、屈折率の上昇に寄与するイオンを含有しない溶融塩６０の中にガラス基板１を浸して加熱する第２のイオン交換工程（ｃ）により侵攻，拡散させて形成する。 - 特許庁

The method for producing a composite powder comprising silicon powder and a formation auxiliary includes: a process of introducing a silicon-generating gas into the first oven in a nonoxidative-gas atmosphere to deposit silicon; and a process of introducing the deposited silicon into the second oven and solidifying the vapor of a formation auxiliary.例文帳に追加

非酸化性ガス雰囲気の第１の炉内にシリコン生成ガスを導入してシリコンを析出する工程、及び第２の炉内に前記析出したシリコンを導入するとともに、成形助剤の蒸気を固化することにより、シリコン粉末と成形助剤の複合粉を生成する工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁

In the thermal annealing furnace having the quartz process tube for thermally annealing a semiconductor substrate in an atmosphere of an argon gas, a hydrogen gas or their mixed gas, a first cover member, which covers the inner wall surface of the quartz process tube and which is detachable, is provided in the area outside of the soaking zone on the furnace inlet side of the thermal annealing furnace.例文帳に追加

半導体基板をＡｒ、水素、またはこれらの混合ガス雰囲気中で熱処理を行うための石英製プロセスチューブを有する熱処理炉において、該熱処理炉の炉口側の均熱帯から外れた領域に、前記石英製プロセスチューブの内壁面を覆う取り外し可能な第１カバー部材を設けるようにした。 - 特許庁

Then, in the process of joining the joining part 24a of the attachment pieces 22a and 22b to the front abdominal part 2 in the manufacture process, preliminary joining by a first joining means (hot melt adhesive material, or the like) is performed and then main joining by a second joining means (heat welding or ultrasonic welding, or the like) is performed.例文帳に追加

そして、その製造工程における付着片２２ａ，２２ｂの接合部分２４ａの前腹部２への接合工程では、第１接合手段（ホットメルト接着剤等）による予備的な接合を行った後、第２接合手段（加熱溶着又は超音波溶着等）による本接合を行うようになっている。 - 特許庁

When detecting that a count switch for detecting an entry to a big winning port is turned on while the values of a first special pattern process flag and a second special pattern process flag are less than 5 (while a big winning game is not performed), a microcomputer for game control transmits an abnormal entry reporting specifying command.例文帳に追加

遊技制御用マイクロコンピュータは、第１特別図柄プロセスフラグおよび第２特別図柄プロセスフラグの値が５未満であるとき（大当り遊技が行われていないとき）に、大入賞口への入賞を検出するカウントスイッチがオンしたことを検知すると、異常入賞報知指定コマンドを送信する。 - 特許庁

The air diffusion method includes a first air diffusion process for diffusing humidifying air from the air diffusion holes of the air diffuser arranged in water to be treated when air is diffused into water to be treated containing organic wastewater and biological sludge and a second air diffusion process for diffusing non-humidifying air from the diffusion holes.例文帳に追加

本発明の散気方法は、有機性排水と生物汚泥とを含む被処理水中に空気を散気するに際し、被処理中に配置された散気装置の散気孔から加湿空気を散気する第１の散気工程と、散気孔から非加湿空気を散気する第２の散気工程とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

The controller 20 holds the vacuuming mechanism 12 nonactive for a first time in a state that the substrate W is mounted on the mounting surface 1a (non-vacuumed cooling process) and then actuates the mechanism 12 for a second time to vacuum the substrate W to the mounting surface 1a (vacuumed cooling process).例文帳に追加

制御部２０は、基板Ｗが載置面１ａに載置された状態で第１の時間に渡って吸引機構１２を非作動状態に保持し（非吸着冷却処理）、その後の第２の時間に渡って吸引機構１２を作動させ、基板Ｗを載置面１ａに吸着させる（吸着冷却処理）。 - 特許庁

Then, a predetermined check after a status check 124 and a PSA status check 126 are executed; and when an abnormal state is detected by the checks, which stopping process pattern within preset first to sixth stopping process patterns 122a-122f the detected abnormal state belongs to is determined.例文帳に追加

次いで、ステータスチェック１２４、ＰＳＡステータスチェック１２６以降の所定のチェックが行われ、こられのチェックにより異常状態が検出されると、該検出された異常状態が、予め設定されている第１〜第６停止処理パターン１２２ａ〜１２２ｆの中、いずれの停止処理パターンに属するか否かが判断される。 - 特許庁

The pottery tile surface is repaired by a first process of coloring the joint part using a colored liquid containing a pigment and/or dye, and a second process of coating the whole surface with a colored transparent paint containing a hydrolytic silyl group in a binding agent with a rate of concealment of 0.10-0.60.例文帳に追加

陶磁器タイル面に対し、顔料及び／または染料を含有する着色液を用いて目地部を着色する第１の工程、結合材に加水分解性シリル基を含有し、かつ、隠ぺい率が０．１０〜０．６０である着色透明塗料を全面に塗装する第２の工程により改修する。 - 特許庁

First and second regeneration air control valves are also provided which during a cooling phase of the regeneration cycle admit a cooling bleed stream of process air to the desiccant bed being regenerated and then convey the cooling air bleed stream from the desiccant bed and through a heat exchanger back to the process air inlet.例文帳に追加

さらに、第１および第２の再生空気制御バルブが設けられ、これらのバルブは再生サイクルの冷却過程中にプロセス空気から抽気された冷却ブリード流を再生過程の乾燥ベッドに流入させ、該冷却空気ブリード流は乾燥ベッドから熱交換器を通ってプロセス空気入口に戻される。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor substrate related to a first aspect includes: a chromium layer film formation process for film-forming a chromium layer having average layer thickness of not less than 7 nm and less than 45 nm on a base substrate; and a nitriding process for nitriding the chromium layer at not less than 1,000°C temperature for forming a chromium nitride film.例文帳に追加

本発明の第１側面に係る半導体基板の製造方法は、下地基板の上にクロム層を７ｎｍ以上４５ｎｍ未満の平均層厚で成膜するクロム層成膜工程と、前記クロム層を１０００℃以上の温度で窒化してクロム窒化物膜にする窒化工程とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁

In communication application CA, a first receiving and reproducing process for decoding and displaying one-frame image data while receiving the data and a second receiving and reproducing process for receiving the one- frame image data and, after temporarily storing the received data in an intermediate buffer memory 50, reading out, decoding, and displaying the data are executed.例文帳に追加

通信アプリケーションＣＡでは、１フレームの画像データを受信しながら復号して表示する第１の受信再生処理と、１フレームの画像データを受信し、受信した画像データを中間バッファメモリ５０に一旦格納した後、読み出して復号して表示する第２の受信再生処理とを実行する。 - 特許庁

The soldering method includes a first process, that allows flux to come into contact with molten solder after the flux is supplied to a part to be jointed, and a second process that allows the flux to brought into contact with the molten solder again for removing excessive solder, after the flux is re-supplied.例文帳に追加

加熱溶融したはんだ材を供給してプリント基板と電子部品を接合するはんだ付け方法において、被接合部にフラックスを供給した後、溶融はんだに接触させる第一の工程と、再度フラックスを供給した後、再度溶融はんだに接触させ余剰はんだを除去する第二の工程を設ける。 - 特許庁

To provide a program and a device for controlling processing flow, and a data processing system for processing processing processes included until a second processing process after a first processing process included in each item of processing flow information in a desired order among a plurality of items of processing flow information to be processed in parallel with one another.例文帳に追加

並列処理される複数の処理フロー情報間で、各処理フロー情報に含まれる第1の処理工程より後であって第２の処理工程までに含まれる処理工程を所望の順序で処理することができる処理フロー制御プログラム、処理フロー制御装置及びデータ処理システムを提供する。 - 特許庁

This method first etches a device separation film by employing an island mask where the channel area and its adjacent device separation film are partially exposed in the etching process of the recess gate area, and then etches a semiconductor substrate to prevent silicon horns from being formed in the recess gate area and increase a margin in the etching process.例文帳に追加

リセスゲート領域の食刻工程でチャンネル領域とこれに隣接した素子分離膜を部分的に露出させるアイランド型マスクを用いて素子分離膜を先に食刻した後、半導体基板を食刻することにより、リセスゲート領域にシリコンホーンが形成されることを防止し、食刻工程のマージンを高める。 - 特許庁

In a method for regenerating used washing agents (5, 7) in gas physical washing (T1) and an apparatus therefor, most of one or more kinds of gas components are selectively removed from a gas mixture (1) to be refined in at least a first washing process of a continuous washing process with at least two steps.例文帳に追加

少なくとも２段階の連続的洗浄工程のうちの少なくとも最初の洗浄工程において精製すべきガス混合物（１）から１種以上のガス成分の大部分を選択的に除去するガス物理洗浄（Ｔ１）における使用済洗浄剤（５，７）を再生するための方法及び該方法を実施するための装置。 - 特許庁

The metal elution method comprises a first contact process of eluting the metal by bringing it into contact with the pressurized thermal water in a state where the sample is dispersed in the pressurized thermal water, and a second contact process of eluting the metal by further bringing the sample captured by a filter into contact with the pressurized thermal water.例文帳に追加

試料を加圧熱水中に分散させた状態で、加圧熱水と接触させることにより金属を溶出させる第一接触工程と、フィルターに捕捉された試料を更に加圧熱水と接触させることにより金属を溶出させる第二接触工程とを備える金属溶出方法。 - 特許庁

The operation method of the catalytic reaction apparatus comprises a process (1) of forming the NOx reducing agent by supplying fuel or the like to the first catalyst, and a process (2) of forming nitrogen by supplying the NOx reducing agent having passed through the diaphragm to the second catalyst in the presence of NOx contained in the exhaust gas of the power engine.例文帳に追加

触媒反応装置の運転方法は、燃料等を第１触媒に供給してＮＯｘ還元剤を生成する工程（１）と、動力機関からの排気に含まれるＮＯｘの存在下、隔膜を透過させたＮＯｘ還元剤を第２触媒に供給して窒素を生成する工程（２）とを含む。 - 特許庁

An opening/closing control process of the variable winning device unit is performed based on the output of a detection signal from a first ball-entering detecting means which is provided in the starting port, and a transition process to a special game state being advantageous to a game player is performed when a game ball which has entered a specified ball entering unit is detected.例文帳に追加

始動口に設けられた第１入球検出手段からの検出信号の出力に基づき、可変入賞装置ユニットの開閉制御処理が実行され、特定入球部へ入球した遊技球が検出されると、遊技者に有利な特別遊技状態への移行処理が実行される。 - 特許庁

The automatic lathe is further constituted to allow the drill 28 to carry out face-drilling (an arrow mark C process) to the bar 40 held by the first headstock 10 (the collet chuck 11), simultaneously with the delivery (an arrow mark B process) of the product 42 from the second headstock 22 (a chuck 24) to the third headstock 30 (the chuck 36).例文帳に追加

さらに、第２の主軸台２２（チャック２４）から第３の主軸台３０（チャック３６）に製品４２を受け渡す（矢印Ｂ工程）と同時に、ドリル２８は、第１の主軸台１０（コレットチャック１１）で保持した棒材４０に正面穴あけ加工（矢印Ｃ工程）が可能であるように構成される。 - 特許庁

The inspection method of a semiconductor wafer includes a process of preparing a wafer formed with a chip region which will become a semiconductor chip, a first probe test for inspecting the wafer by probing, a process of pressing the electrode of the wafer by a pressurization member having a flat plane, and a second probe test for inspecting the wafer by probing.例文帳に追加

半導体ウェハの検査方法は、 半導体チップとなるチップ領域が形成されたウェハを準備する工程と、 前記ウェハをプロービングによって検査する第１プローブ検査と、 平坦面を有する加圧部材によって、前記ウェハの電極を押圧する工程と、 前記ウェハをプロービングによって検査する第２プローブ検査と、を含む。 - 特許庁

The manufacturing method of the membrane electrode conjugant 9 comprises a first process in which the membrane electrode conjugant 9 having an anode 1A which contains as an electrode catalyst a particulate containing Pt and Ru as an constituent element is manufactured and a second process in which the potential of the anode 1A is maintained at a potential of +0.98 Vvs.SHE or higher.例文帳に追加

膜電極接合体９の製造方法は、Ｐｔ及びＲｕを構成元素として含む微粒子を電極触媒として含むアノード１Ａを有する膜電極接合体９を製造する第１工程と、アノード１Ａの電位を＋０．９８Ｖｖｓ．ＳＨＥ以上の電位に保持する第２工程と、を含むこと、を特徴とする。 - 特許庁

This forming method of a thin film comprises: a first process for disposing a substrate so as to set a film forming surface upper-side and for mounting a film forming mask on the film formation surface; and a second process for depositing an evaporant of a film forming material to the film formation surface through the film forming mask from the upper side of the film forming mask.例文帳に追加

薄膜の成膜方法を、基体を被成膜面が上面となるように配置し、成膜用マスクを被成膜面上に載置する第１の工程と、成膜材料の蒸発物を成膜用マスクの上方より成膜用マスクをとおして被成膜面に蒸着させる第２の工程と、より構成する。 - 特許庁

When the depressing of a process-setting button 12b is detected, a process-setting screen 132 wherein the adjustment of image processing conditions, or one image of a change object alone is displayed is displayed on the display unit 13, and a displayed image-switching button 12f which switches the display image between the first processing image and the second processing image is set.例文帳に追加

処理設定釦１２ｂの押下を検出すると画像処理条件の調整、或いは変更対象の１画像のみを表示した処理設定画面１３２を表示部１３に表示させ、その表示された画像を第１の処理画像と第２の処理画像とで切り換える表示画像切換釦１２ｆを設定する。 - 特許庁

The semiconductor wafer W held on a chuck table 17 in such a state that it is not rotated is sent to a cutting unit 20 in which the cutter 26 rotates, and made to reciprocate to make the cutter 26 act to the semiconductor wafer W in both the processes of sending on an approach route (a first cutting process) and that on a return route (a second cutting process).例文帳に追加

バイト２６が回転する切削ユニット２０に対して、チャックテーブル１７に回転しない状態で保持した半導体ウエーハＷを送り込んで往復動させ、往路送り（第１の切削工程）、復路送り（第２の切削工程）のいずれの過程においても、バイト２６を半導体ウエーハＷに作用させる。 - 特許庁

First of all, (A) a basic chord candidate extraction process (step S45) for extracting a chord candidate to form a skeletal frame chord progression and (B) an additional chord candidate extraction process (step S46) for extracting a chord candidate which becomes a starting point of a peculiar chord progression are executed, and the extracted chord candidates are registered in a chord list CList.例文帳に追加

まず、骨格コード進行を形成するためのコード候補を抽出する（Ａ）基本コード候補抽出処理（ステップＳ４５）と、独特なコード進行の始点となるコード候補を抽出する（Ｂ）追加コード候補抽出処理（ステップＳ４６）が実行され、抽出されたコード候補がコードリストＣＬｉｓｔに登録される。 - 特許庁

After completion of supply of water to a washing basket in a washing process and a rinsing process, first injection of water into a salt water container 31 is conducted by a salt water supplying solenoid valve 28, and salt roughly of a prescribed quantity is dissolved through a bottom surface mesh filter 32c in a salt container 32 provided in the salt water container 31 to generate high concentration salt water.例文帳に追加

洗い工程及びすすぎ工程の洗濯槽５への給水終了後に、塩給水電磁弁２８で塩水容器３１内に第１の注水を行い、塩水容器内に設けた塩容器３２の底面メッシュフィルタ３２ｃを通し略規定量の塩を溶解し、高濃度塩水を生成する。 - 特許庁

Index key search is realized by repeating, until a leaf node is reached, the process of selecting the position information on one of the first and the second node in accordance with the bit value of a search key at a discrimination bit contained in the branch node, and the process of making a linkage to one of the nodes constituting a pair according to the selected position information.例文帳に追加

インデックスキーの検索は、ブランチノードに含まれる弁別ビット位置の検索キーのビット値に応じて、一方のノードの位置情報あるいは他方のノードの位置情報を選択し、該選択した位置情報に基づきノード対のどちらかのノードにリンクすることをリーフノードに至るまで繰り返すことにより実現する。 - 特許庁

Further, another working method of a cylinder body has a first process forming the end portion of the cylinder body apart from the center axis of the cylinder body at an approximate true circle, and a second process working the end portion at the approximate true circle while shortening the diameter of the end portion by rotating the end portion around its central axis.例文帳に追加

また、他の筒体の加工方法は、筒体の端部を当該筒体の中心軸から偏心させて略真円形に形成する第１の工程と、当該端部の中心軸を中心に回転させてこの端部を縮径しながら略真円形に加工する第２の工程とを備えている。 - 特許庁

The first liquid delivering process is conducted (S30) until the inner pressure of the bulk storing tank and the inner pressure of the tank become balanced and, when they are balanced, the valve of the bulk storing tank is closed and a gas phase valve of the recovering container is opened to conduct a consumption process for consuming recovered liquified gas in the recovering container by a consumption means (S40).例文帳に追加

バルク貯槽の内圧と、タンクの内圧とが均衡するまで第１の液送工程を行い（Ｓ３０）、均衡するとバルク貯槽のバルブを閉塞すると共に、回収容器の気相バルブを開けて、消費手段で回収容器内の回収済み液化ガスを消費する消費工程を行う（Ｓ４０）。 - 特許庁

At this state, a first ironing process to iron the outer circumference of the serration forming part W3a' by a roller 6 for spinning toward the shaft end outward in the axial direction (X axis direction) and a second ironing process to iron the outer circumference of the serration forming part W3a' from the shaft end inward in the axial direction are conducted.例文帳に追加

この状態でスピニング加工用のローラ６によりセレーション成形部Ｗ３ａ′の外周を軸端に向けて軸方向（Ｘ軸方向）外方にしごく第１しごき工程とセレーション成形部Ｗ３ａ′の外周をローラ６で軸端から軸方向内方にしごく第２しごき工程とを行う。 - 特許庁

The first process is for roughly crushing the cartridge to have a width after rough crushing of 1/10 or less to a width of the cylindrical empty cartridge before the processing, and the second process is for finely crushing the cartridge to have a length after rough crushing, of 1/10 or less to a length of the cylindrical cartridge before processing.例文帳に追加

第１工程が、処理前の円筒状の殻薬莢の幅に対する粗破砕後の幅が１／１０以下になるように粗破砕する工程であり、第２工程が、処理前の円筒状の殻薬莢の長さに対する粗破砕後の長さが１／１０以下になるように細破砕する工程である。 - 特許庁

When the organic discharged water containing a matrix to be anaerobically decomposed by way of propionic acid is subjected to the anaerobic treatment through an acid producing process and methane fermenting process, the water subjected to the methane fermentation from an anaerobic reaction tank 2 in the first stage is further treated in an anaerobic reaction tank 3 in the second stage to decompose the residual propionic acid.例文帳に追加

プロピオン酸を経て嫌気分解される基質を含む有機性排水を酸生成工程及びメタン発酵工程を経て嫌気処理するに当たり、第１段目の嫌気反応槽２からのメタン発酵処理水を更に第２段目の嫌気反応槽３で処理して残留するプロピオン酸を分解する。 - 特許庁

The main control device 131 creates information for calculating determination values for all the symbols attached to a reel for which a stopping command is not generated at least in a first stopping process and a second stopping process, and determines the number of sliding symbols on the reel based on the previously created information for calculating the determination values if the stopping command is generated thereafter.例文帳に追加

また、主制御装置１３１は、少なくとも第１停止処理及び第２停止処理において、停止指令の発生していないリールに付された全図柄の判定値算出情報を作成し、その後に停止指令が発生した場合、先に作成した判定値算出情報に基づいてリールのスベリ数を決定する。 - 特許庁

The method of manufacturing a high purity lithium carbonate includes a first process for obtaining a purified lithium hydroxide by crystallization after microfiltration of a water solution containing a crude lithium hydroxide; and a second process for reacting the purified lithium hydroxide with carbon dioxide in a water solvent and recovering lithium carbonate (a) crystallized.例文帳に追加

粗製水酸化リチウムを含む水溶液を精密濾過した後、晶析を行って精製水酸化リチウムを得る第一工程、及び該精製水酸化リチウムと二酸化炭素とを水溶媒中で反応させて析出させた炭酸リチウム（ａ）を回収する第二工程、を含む高純度炭酸リチウムの製造方法。 - 特許庁

To provide an image forming apparatus which is set to execute process control with a predetermined timing and further is capable of shortening a first printing time and obtaining a sufficient effect by process control, even while being configured to apply the drive force of a main image forming operation from a single drive source.例文帳に追加

所定のタイミングでプロセス制御を実行するように設定され、さらに、主要な作像動作の駆動力を単一の駆動源によって与えるように構成されている場合であっても、ファーストプリント時間を短縮することができるとともにプロセス制御による効果を十分に得ることができる画像形成装置を提供する。 - 特許庁

A history information storage device 18 appropriately selects first selection information to a selected knowledge object and each processing process for selected work in every selection of a desired knowledge object carried out in a user terminal device 14 and stores second selection information to the processing process as history information in every execution.例文帳に追加

履歴情報記憶装置１８は、ユーザ端末装置１４で所望の知識オブジェクトを選択する毎にその選択した知識オブジェクトに対する第１選択情報及びその選択した作業の各処理工程を適宜選択し実行する毎にその処理工程に対する第２選択情報を履歴情報として記憶する。 - 特許庁

When the mode 1 is set, a focus detection signal output from a focus detection pixel constituting a first pixel group, and an image signal output from an imaging pixel constituting a third pixel group are read out from the imaging element 17, and an AF process, an AE process and display of a live view image are carried out.例文帳に追加

モード１を設定した場合、第１の画素群を構成する焦点検出用画素から出力される焦点検出信号と、第３の画素群を構成する撮像用画素から出力される画像信号とを撮像素子１７から読み出し、ＡＦ処理、ＡＥ処理およびライブビュー画像の表示を行う。 - 特許庁

A first copper thin film 5 is formed by a CVD process on an insulating film 2, having connection grooves therein and covering a semiconductor substrate 1 via a barrier metal film 4 and having such a thickness as not to cause practical generation of its rough surface resulting from crystalline grains, and then subjected to a reflow process to fluidize the surface of the film 5.例文帳に追加

半導体基板１を覆う接続溝３を含む絶縁膜２上にバリア金属膜４を介して、ＣＶＤ法により表面に結晶粒子に起因する凹凸が実質的に生じない程度の膜厚の第１銅薄膜５を形成した後、リフロー処理を施して同銅薄膜５の表面を流動させる。 - 特許庁

A manufacturing method of alkali secondary cell includes a first process of adding surfactant and disperser to positive electrode active material having higher-order metal oxide on its surface or at the neighboring are of the surface and kneading them, and a second process of obtaining the paste by adding a hydrophilic resin to the above the kneading them.例文帳に追加

金属高次酸化物が少なくとも表面または表面近傍に形成されてなる活物質に、第１工程として、界面活性剤と分散媒を主体とする成分を添加・混練したのち、第２工程として、親水性樹脂を添加・混練してペーストを得る工程を含む製造方法。 - 特許庁

Next, in a second etching process, the surface of the crystal material is wet-etched using a second etching composite containing a hydrofluoric acid a main component to remove protrusions by anisotropic etching caused by crystal orientation which are formed on the surface of the crystal material in the first etching process, thus smoothing the surface.例文帳に追加

次にこの水晶材料の表面を、第２エッチング工程において、弗化水素酸を主成分として含有する第２エッチング組成物を用いてウエットエッチングし、第１エッチング工程で水晶材料表面に形成される、結晶方位に起因した異方性エッチングによる突起を除去して平滑化する。 - 特許庁