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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > Gas Introduction Systemの意味・解説 > Gas Introduction Systemに関連した英語例文

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Gas Introduction Systemの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 98



例文

Energy is given to gas introduced into the processing chamber 1 by a first gas introduction system 2 by a plasma forming means 3 to form plasm P_1, and a substrate 9 retained by a substrate holder 4 is treated.例文帳に追加

処理チャンバー1内に第一のガス導入系2により導入されたガスにプラズマ形成手段3がエネルギーを与えてプラズマP_1を形成し、基板ホルダー4に保持された基板9が処理される。 - 特許庁

In this exhaust gas change-over valve 10 used in the exhaust gas aftertreatment device 1 of change-over regeneration system, an exhaust gas introduction hole 12 and exhaust gas discharge holes 13, 14 are provided in a peripheral wall part of a cylindrical valve housing 11, and a rotary shaft 16 is coaxially provided in the valve housing 11.例文帳に追加

切換再生方式の排気ガス後処理装置1に用いる排気ガス切換弁10において、円筒状の弁ハウジング11の周壁部に排気ガス導入孔12と排気ガス吐出孔13、14とを設け弁ハウジング11内に同軸に回転軸16を設ける。 - 特許庁

In the standard sample introduction part of the gas pressure system, a pressurized gas passage has a constitution branched from a supply passage of nebulizer gas/drying gas on the downstream side of a flow control valve 21, and linked to a pressurized pipe 51 of a standard sample container 5 through a two-way solenoid valve 6.例文帳に追加

ガス圧方式の標準試料導入部において、加圧ガス流路を、ネブライザガス/ドライイングガスの供給流路からその流量制御弁21の下流側で分岐し、2方電磁弁6を介して標準試料容器5の加圧管51に通じるように構成する。 - 特許庁

The fluorine gas supply system is configured to introduce mixed gas stored in a buffer tank 5 into gas introduction piping 4 before the mixed gas is adjusted in the buffer tank 5 and then circulate the mixed gas, and also to adjust the flow rate of an inert gas supply source 2 in response to an obtained fluorine concentration by providing a monitor device 13 which measures the fluorine concentration in the mixed gas.例文帳に追加

フッ素ガスの供給システムにおいて、バッファタンク5に貯蔵した混合ガスを、バッファタンク5内で混合ガスを調整する前のガス導入配管4に導入し、混合ガスを循環させること、また、混合ガス中のフッ素濃度を測定する監視装置13を設け、得られたフッ素濃度に応答して、不活性ガス供給源2の流量を調整できる構成。 - 特許庁

例文

The fuel cell system 1 is provided with the ejector 24 making reaction off-gas exhausted from a fuel cell 2 flow into fresh reaction gas to be supplied to the fuel cell and supplying it to the fuel cell 2, an introduction passage 25 introducing a prescribed gas pressure into the pressure introducing chamber 60, and a reduction means 91 formed on the introduction passage 25 reducing water drop or moisture in a prescribed gas.例文帳に追加

燃料電池システム1は、燃料電池2に供給する新たな反応ガスに燃料電池2から排出された反応オフガスを合流させて燃料電池2に供給するエゼクタ24と、導圧室60に所定のガスの圧力を導く導入通路25と、導入通路25に設けられて所定のガス中の水滴または水分を低減する低減手段91と、を備える。 - 特許庁


例文

A transportation chamber 3 provided with a transportation mechanism 30 for importing and exporting a substrate 9 from and to a film-forming chamber 1 in the inner part has the exhaust system 31 and a gas introduction system 32 for adjusting a pressure.例文帳に追加

成膜チャンバー1との間で基板9の搬入及び搬出を行う搬送機構30が内部に設けられた搬送チャンバー3は、排気系31と調圧用ガス導入系32を有する。 - 特許庁

The vapor deposition system 1 has a vacuum chamber 2 whose inside is disposed with film deposition mechanisms (an evaporation source 6, a gas introduction tube 10b, a substrate holder 4 and a rotation supporting frame 12a).例文帳に追加

蒸着装置1は、内部に成膜機構(蒸発源6、ガス導入管10b、基板ホルダ4、回転支持枠12a)が配置してある真空チャンバ2を有する。 - 特許庁

To provide a clean drying system capable of reducing introduction cost by simplifying a device configuration, reducing operation cost and preventing a problem of exhaust gas.例文帳に追加

装置構成を簡略化して導入コストを低減することができると共に、運転コストを低減でき、排ガスの問題も生じないクリーンな乾燥システムを提供する。 - 特許庁

To provide an LC/MC equipped with a standard sample introduction part composable with the smaller number of components, while having a function similar to a conventional gas pressure system.例文帳に追加

従来のガス圧方式と同等の機能を有しながら更に少ない部品点数で構成可能な標準試料導入部を備えたLC/MSを提供する。 - 特許庁

例文

The gas introduction system 32 for adjusting a pressure introduces a gas which does not exert an adverse effect on film formation, and keeps the inside of the transportation chamber 3 at such a vacuum pressure as to exceed that in the film-forming chamber 1 and exceed 1 pascal.例文帳に追加

調圧用ガス導入系32により、成膜に悪影響を与えないガスが導入され、搬送チャンバー3内は成膜チャンバー1内よりも大きく1パスカルより大きい真空圧力に維持される。 - 特許庁

例文

Gas is introduced to space facing a side extending from the circumference of a substrate retention surface of the substrate holder 4 by a second gas introduction system 7 and auxiliary plasma P_2 for eliminating or suppressing deposits is formed.例文帳に追加

基板ホルダー4の基板保持面の周縁から延びるの側面を臨む空間に第二のガス導入系7がガスを導入し、堆積物除去用又は堆積抑制用の補助プラズマP_2が形成される。 - 特許庁

The high frequency discharge is generated in the gas introduced by a gas introduction system 72 to form the plasma, and the deposited film on the surface of the holding claw 91 is sputter-etched by the ion impulse, and removed in the vacuum.例文帳に追加

ガス導入系72により導入されたガスに高周波放電が生じてプラズマが形成され、保持爪91の表面の堆積膜がイオン衝撃によりスパッタエッチングされて真空中で除去される。 - 特許庁

This fuel cell system 10 includes: the introduction passage 40 for introducing the anode off-gas discharged from the anode of a fuel cell 12 into the cathode; the control valve 42 controlling the conduction state of the introduction passage 40; and a hydrogen concentration sensor 46 detecting concentration of hydrogen included in a gas flowing into the cathode.例文帳に追加

燃料電池システム10は、燃料電池12のアノードから排出されるアノードオフガスをカソードに導入する導入通路40と、導入通路40の導通状態を制御する制御弁42と、カソードに流入するガスに含まれる水素の濃度を検出する水素濃度センサ46とを有している。 - 特許庁

The dry etching apparatus includes: the vacuum treatment chamber including an exhaust system and a gas introduction system; a gate valve provided at a carry-in/carry-out opening of the vacuum treatment chamber; a case for discharging residual gas provided while surrounding the gate valve outside the gate valve; and an exhaust pipe connected to the case for discharging residual gas.例文帳に追加

本ドライエッチング装置は、排気系及びガス導入系を備えた真空処理室と、真空処理室の搬入・搬出開口部に設けたゲートバルブと、ゲートバルブの外側に、ゲートバルブを囲んで設けた残留ガス排出用ケースと、残留ガス排出用ケースに接続された排気管とで構成される。 - 特許庁

While evacuating a processing container 1 using an exhaust device 24, ozone gas, having a 50% or higher volume ratio of O_3 to a total volume of inert gas, O_2 and O_3, is introduced at a predetermined flow rate to the inside of the processing container 1 from an inert gas supply source 19a and an ozone gas supply source 19b in a gas supply system 18, via a gas introduction portion 15.例文帳に追加

処理容器1内を排気装置24により減圧排気しながら、ガス供給装置18の不活性ガス供給源19aおよびオゾンガス供給源19bから、不活性ガスおよびO_2とO_3との合計に対するO_3の体積比率が50%以上であるオゾンガスを所定の流量でガス導入部15を介して処理容器1内に導入する。 - 特許庁

The electrolytic plating system 1 comprises an ozone gas introduction system 44, a dry cleaning device DW provided with an ultraviolet- generating section 65, and an electrolytic plating apparatus M for passing an electric current to a wafer W and plating it.例文帳に追加

本発明の電解メッキシステム1は、オゾンガス導入系44及び紫外線発生部65を備えたドライ洗浄装置DWと、ウエハWに電流を流してメッキを施す電解メッキ装置Mとを備えている。 - 特許庁

When white defects are corrected, material gas is introduced through a deposition gas introduction system 9, and only a white defect region 7 is selectively irradiated with the charged particle beam 4 to deposit a white defect correcting film 8 as high as the height of a projection of the original form.例文帳に追加

白欠陥修正はデポジション用ガス導入系9から原料ガスを導入し、荷電粒子ビーム4を白欠陥領域7のみに選択照射して白欠陥修正膜8を、原版の凸部の高さまで堆積させる。 - 特許庁

When accretion adheres to the interior of a system, the control unit 100 of a heat treatment apparatus 1 heats the inside of a reaction tube 2 to a predetermined temperature, and supplies a cleaning gas from a process gas introduction tube 17 to remove the accretion.例文帳に追加

熱処理装置1の制御部100は、装置内部に付着物が付着すると、反応管2内を所定の温度に加熱するとともに処理ガス導入管17からクリーニングガスを供給して付着物を除去する。 - 特許庁

A control unit 8 introduces gas for cleaning by the gas introduction system 3 after completion of etching, forms plasma by the means 4 for plasma formation, and removes a film deposited on an exposure surface in the process chamber 1 by the action of plasma.例文帳に追加

制御部8は、エッチング終了後、クリーニング用ガスをガス導入系3により導入し、プラズマ形成用手段4によりプラズマを形成して、プロセスチャンバー1内の露出面に堆積した膜をプラズマの作用により除去する。 - 特許庁

Oxygen gas is introduced in the protection film producing chamber 6 by a gas introduction system 62 and the cleaning means removes the carbon film through the formation of oxygen plasma P by impressing a discharge electrode 631 with a discharge power supply 633 and making discharge of oxygen gas.例文帳に追加

保護膜作成チャンバー6内にガス導入系62によって酸素ガスが導入され、クリーニング手段は、放電用電源633により放電用電極631に電圧を印加して酸素ガスの放電を生じさせて酸素プラズマPを形成することによりカーボン膜の除去を行う。 - 特許庁

To provide a heater CVD (Chemical Vapor Deposition) system suitable as a compact film deposition system for research, and capable of easily preventing silicidation at a low cost without requiring the addition of high-cost equipment by the introduction of gas as shown in the patent document 1.例文帳に追加

研究用の小型の製膜装置として適し、特許文献1のようなガス導入による高コストの設備を付加する必要なしに、簡易、且つ低コストにシリサイド化を防止し得る発熱体CVD装置を提供すること。 - 特許庁

In this system 10 for automatically controlling the fresh-air introduction of an automobile, an A/D converting circuit 14 analog-to-digital converts, once every 0.8 seconds, a sensor voltage Vs of the gas sensor element 11 detecting changes in the concentration of an oxidized gas and outputs sensor output values Ds.例文帳に追加

自動車の自動外気導入制御システム10は、酸化ガスの濃度変化を検出するガスセンサ素子11のセンサ電圧Vsを、A/D変換回路14で0.8秒毎にA/D変換してセンサ出力値Dsを出力する。 - 特許庁

To provide a vapor deposition system which has high availability efficiency for a material gas and can inhibit the introduction of defects into a grown film, a compound semiconductor film which has only a few defects, and its growth method.例文帳に追加

原料ガスの利用効率が高く、成長膜への欠陥導入を抑えることができる気相成長装置、欠陥の少ない化合物半導体膜及びその成長方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing the chloroethylene carbonate, comprising introducing chlorine gas into a reaction system containing ethylene carbonate (EC), and reacting the ethylene carbonate with the chlorine gas under the irradiation of light, is characterized in that a chlorine gas-introduction rate per the charged mole amount of the ethylene carbonate is 0.045 to 0.200 mol/mol×h.例文帳に追加

光照射下のエチレンカーボネート(EC)を含む反応系に塩素ガスを導入し、エチレンカーボネートと塩素ガスとを反応させるクロロエチレンカーボネートの製造方法において、エチレンカーボネートの仕込モル量当たりの塩素ガス導入速度が、0.045〜0.200mol/mol・hであることを特徴とするクロロエチレンカーボネートの製造方法。 - 特許庁

To provide an internal combustion engine and a control method for the same capable of suitably suppressing trouble caused by introduction of blow-by gas into an intake system even if fuel dilution rate of engine oil is high.例文帳に追加

エンジンオイルの燃料希釈率が高い場合であっても、ブローバイガスを吸気系統に導入することに起因した不具合を良好に抑制することができる内燃機関およびその制御方法の提供。 - 特許庁

The nitrogen and the carbon dioxide separate by the gas separation device 24 are introduced to an intake air passage of the engine 11 with its mix rate and/or mix quantity (intake system introduction quantity) which is changed according to an engine operation state.例文帳に追加

更に、ガス分離装置24で分離した窒素と二酸化炭素の混合割合及び/又は混合量(吸気系導入量)をエンジン運転状態に応じて変化させてエンジン11の吸気通路に導入する。 - 特許庁

To surely detect a failure when the failure occurs in a control valve controlling a conduction state of an introduction passage for introducing an anode off-gas into a cathode, in relation to a fuel cell system.例文帳に追加

この発明は、燃料電池システムに関し、アノードオフガスをカソードに導入する導入通路の導通状態を制御する制御弁に故障が発生した場合に、その故障を確実に検知することを目的とする。 - 特許庁

This sputtering apparatus for manufacturing a piezoelectric element film comprises a vacuum tank for maintaining the film deposition pressure, a vacuum pump for evacuating the vacuum tank, a power source for performing the sputtering, a gas introduction system required for the sputtering, a bias power source for applying the bias to a substrate, and an introduction unit for applying the bias to a predetermined part of the film surface.例文帳に追加

成膜圧力を保持する為の真空槽、真空槽を排気する為の真空ポンプ、スパッタリングを行う為の電源、スパッタリングに必要なガス導入システム、基板にバイアスを印加させる為のバイアス電源、膜表面の特定部分にバイアスを印加する為の導入部で構成される圧電素子膜製造スパッタリング装置。 - 特許庁

Consequently, the gas always flows from a very-small-amount gas introduction system to a vacuum pump through the inside of the vacuum chamber 1 throughout the evacuation and the flow of the gas pushes vapor of oil diffused from the vacuum pump back to the vacuum pump, so that no oil vapor reaches the position of a liquid crystal dish 4.例文帳に追加

こうすると真空引きをしている間は常に微量ガス導入系から真空チャンバ1内を通って真空ポンプにいたるガスの流れが存在することになり、このガスの流れは真空ポンプから拡散してくるオイルの蒸気を真空ポンプに押し戻す作用をするので、オイル蒸気が液晶皿4の位置まで到達することがない。 - 特許庁

To carry out specimen introduction by a precut method without providing a precolumn or a channel switching system exclusive for precut operation, in a gas specimen introducing device equipped with a measuring tube and a collection tube for concentrating a specimen.例文帳に追加

計量管及び試料濃縮用の捕集管を備えた気体試料導入装置においてプレカラムやプレカット操作専用の流路切換えシステムを設けることなくプレカット法による試料導入を行えるようにする。 - 特許庁

In the substrate processing system comprising substrate processing chambers 301, 303, and a buffering chamber 302 having an exhaust system 306b independently from the substrate processing chambers, connecting pipes 304a, 304b are provided between the substrate processing chambers and the buffering chamber and the connecting pipe is provided with a gas introduction opening.例文帳に追加

基板処理室301、303と、基板処理室とは独立した排気系306bを持つ緩衝室302を設けた基板処理装置において、基板処理室と緩衝室の間は、接続管304a、304bを設け、接続管にガス導入口を設けたことを特徴とした基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a non-contact unit cooling device by radiation of a flywheel for power storage which reduces an energy loss by a windage loss caused by conduction cooling of a lean gas, improves efficiency of a flywheel system, and reduces labor for pressure adjustment at introduction of the lean gas through heat transfer by radiation.例文帳に追加

希薄ガスの伝導冷却に起因する風損によるエネルギーロスを低減し、フライホイールシステムの効率を向上させるとともに、輻射伝熱を用いることで、希薄ガス導入時の圧力調整に係る労力を低減することができる、電力貯蔵用フライホイールの輻射による非接触部冷却装置を提供する。 - 特許庁

In the inner heat operation system, the flow regulating valve 17 is opened, combustion gas 12 having oxygen concentration of more than 5% to be generated in the hot wind generating furnace 11 is introduced through a combustion gas introduction part 15 into the kiln furnace 1 to partially burn the waste 6, and with combustion heat thereof, pyrolysis gasification treatment of the waste 6 is performed.例文帳に追加

内熱運転方式では、流量調整弁17を開き、熱風発生炉11で発生させる酸素濃度が5%よりも大の燃焼ガス12を、燃焼ガス導入部15よりキルン炉1内へ導入させて廃棄物6を部分燃焼させ、その燃焼熱で廃棄物6の熱分解ガス化処理を行わせる。 - 特許庁

To provide a fuel cell system capable of judging existence or nonexistence of damage of an on-off valve (an air introduction valve) installed in a connection passage connecting a fuel gas supply passage and an oxidant gas supply passage and judging existence or nonexistence of generation of cross leak between an anode side and a cathode side in a fuel cell stack.例文帳に追加

燃料ガス供給流路と酸化剤ガス供給流路とを連結する連結流路に設けられた開閉弁(空気導入弁)の故障の有無の判定、および燃料電池スタックのアノード極側とカソード側との間でのクロスリークの発生の有無の判定を行なうことができる燃料電池システムを提供する。 - 特許庁

A process gas is introduced into a processing chamber 1 from an introduction system 2 and a high frequency power supply 4 applies a high frequency voltage of VHF bands to a high frequency electrode 3 so that high frequency discharge take place to form a plasma for processing a substrate 9.例文帳に追加

処理チャンバー1内にプロセスガス導入系2によりプロセスガスが導入され、高周波電極3に高周波電源4がVHF帯の高周波電圧を印加して高周波放電を生じさせてプラズマを形成し、基板9が処理される。 - 特許庁

An auto ventilation system 100 comprises a flap 26 for selectively opening or closing an internal air introduction duct 24 that is disposed in a duct 25 for feeding air into a cabin and takes air from the inside of the cabin and an external air introduction duct 23 for taking air from the outside of the cabin, and a step motor 22 for driving the flap 26 based on the control signal issued from the gas sensor 10.例文帳に追加

また、オートベンチレーションシステム100は、車室内へ空気を送るダクト25内に設けられ、車室内から空気を取り入れる内気循環ダクト24と車室外から空気を取り入れる外気導入ダクト23とを選択的に開閉するフラップ26と、ガスセンサ10から発せられる制御信号に基づいてフラップ26を駆動するステップモータ22とを備える。 - 特許庁

Based on the information related to the traveling environment obtined from the car navigation system, the control means selectively sets a threshold of the gas concentration at which the mode is switched from the outside air introduction mode to the inside air circulation mode between a threshold C and a threshold D greater than the threshold C.例文帳に追加

この制御手段は、カーナビゲーションシステムから取得する前記走行環境に関する情報に基づいて、外気導入モードから内気循環モードへ切替えるガス濃度の閾値を、閾値Cと、閾値Cよりも大きい閾値Dとを選択的に設定する。 - 特許庁

To provide a solid oxide cell in which power supply is possible for a long time by high output density and introduction of carrier gas can be made unnecessary, and for that reason, compactification of a power generation system can be realized more easily.例文帳に追加

短時間の賦活で、高出力密度で長時間の発電が可能であり、また、発電時にキャリアガスの導入を不要にすることもでき、そのため発電システムのコンパクト化を一層容易に実現することのできる固体酸化物型電池を提供すること。 - 特許庁

The CPOX 41 is provided with an oxidant gas introduction means 25 for supplying oxidant gas to the CPOX 41, a water pump 24 for supplying steam used in the steam reforming reaction at the steam reaction part 43, and an injection system 51 for supplying fuel used in the respective reaction at the CPOX 41 and the steam reforming part 43 to the CPOX 41.例文帳に追加

また、CPOX41に酸化剤ガスを供給する酸化剤ガス導入手段25と、水蒸気改質部43における水蒸気改質反応に用いる水蒸気を供給する水ポンプ24と、CPOX41、水蒸気改質部43におけるそれぞれの反応に用いる燃料をCPOX41に供給する噴射システム51と、を備える。 - 特許庁

The film deposition apparatus 1 has a heating medium gas introduction system 18, and when cooling organic vapor deposition material 19 remained inside a storage hole 32, the heating medium gas is introduced into a vacuum tank 12, the pressure in the vacuum tank 12 is set to be higher than the pressure in the film deposition, and the heat conductivity in the internal space is increased.例文帳に追加

本発明の成膜装置1は熱媒体ガス導入系18を有しており、収容孔32内部に残った有機蒸着材料19を冷却するときには、真空槽12内部に熱媒体ガスを導入し、真空槽12内部の圧力を成膜のときよりも高くすれば、その内部空間の熱伝導率が高くなる。 - 特許庁

An exhaust gas introduction port 7 from an exhaust system in an internal combustion engine is provided in the tangential direction in a cylindrical chamber 6, and each of exhaust gas circulating conduits 9 to the respective air intake branch conduits 4 in the air intake manifold is connected to it by projecting its opening part 9a toward a center from an inner peripheral surface of the chamber.例文帳に追加

円筒形のチャンバー6に、内燃機関における排気系からの排気ガス導入ポート7を接線方向に設けると共に、前記吸気マニホールドにおける各吸気ブランチ管路4の各々への各排気ガス還流管路9を、その開口部9aがチャンバーの内周面より中心に向かって突出するようにして接続する。 - 特許庁

To provide a method for cleaning an ion implanter, capable of cleaning using a raw material gas without additionally providing a complicated parameter setup or mechanism and a cleaning gas introduction system, for removing a W deposit between slits of extraction electrodes comprising tungsten W after performing ion implantation using BF_3 as a raw material gas, and to provide a cleaning device having a mechanism for the method.例文帳に追加

BF_3を原料ガスとするイオン注入を実施した後に、タングステンWで構成される引き出し電極のスリット間のW堆積物を除去するため、複雑なパラメータ設定あるいは機構、クリーニング用ガスの導入系を別途設けることなく、原料ガスを用いたクリーニングを可能とするイオン注入装置のクリーニング方法及びそのための機構を有するクリーニング装置を提供する。 - 特許庁

The gas hydrate wash-column 4 comprises a hydrate slurry introduction part 22, a draining part 23 for dehydrating unreacted seawater in a hydrate slurry and a washing and scraping part 24 for diluting unreacted seawater attached to hydrate and scraping the hydrate after washing to the outside of the system.例文帳に追加

ハイドレートスラリー導入部22と、ハイドレートスラリー中の未反応海水を脱水する水切り部23と、ハイドレートに付着している未反応海水を稀釈すると共に洗浄後のハイドレートを系外に掻き出す洗浄掻取部24から成るガスハイドレート洗浄塔4である。 - 特許庁

To collect meter value data over a wide area such as electricity, tap water, and gas without being affected by the presence or absence and change in the telephone line at a user's home, and to reduce introduction costs, installation construction costs, and application costs regarding a remote data collection system using a radio network.例文帳に追加

無線ネットワークを用いた遠隔データ収集システムに関し、電気・水道・ガス等の広い地域に亙るメータ値データを、利用者宅の電話回線の有無や変更に影響されずに収集可能にし、かつ導入コスト、設置工事コスト、運用コストの低減を図る。 - 特許庁

The film formation device is provided with: a vacuum tank 11 having an N2 gas introduction means; hearths 31, 31 for M (M denotes Ti or Cr) or for Al; hollow cathode-shaped electron guns 20, 20; an electron beam source; a bias source for workpieces W, W, ...; a mass analyzer 50; and a compositional ratio control system.例文帳に追加

N2 ガスの導入手段を有する真空槽11と、M(Mは、Ti またはCr )用、Al 用のハース31、31と、ホローカソード形の電子銃20、20と、電子ビーム電源と、ワークW、W…用のバイアス電源と、質量分析計50と、組成比制御系とを設ける。 - 特許庁

SYSTEM WITH PURPOSE OF INTRODUCTION FOR TRADE BY EXCHANGE BETWEEN GENERAL INDIVIDUAL, GROUP AND COMPANY OVER THE INTERNET AND CONDUCTING THE TRADE BY EXCHANGE AT SPECIFIC GAS STATION, CONVENIENCE STORE, AGENCY OF DOOR- TO-DOOR DELIVERY AND PLACE (HEREAFTER DESIGNATED PLACE) DESIGNATED BY GENERAL INDIVIDUAL, GROUP AND COMPANY例文帳に追加

インターネット上で一般個人及び団体、企業間の物々交換の引き合わせを行い、その物々交換を特定のガソリンスタンド、コンビニエンスストア、宅配便取次店などの店舗及び一般個人及び団体、企業が指定する場所(以下特定場所という)で行なうことを目的としたシステム - 特許庁

In the operating method of the water treatment apparatus which purifies water to be treated by using a membrane module divided into a raw water chamber and a permeate chamber with the membrane, gas introduction into the raw water chamber is carried out by the sucking operation from the raw water chamber side to discharge the deposit on the surface of the membrane to the outside of a system.例文帳に追加

膜によって原水室と透過水室とに区画された膜モジュールを用いて被処理水を浄化処理する水処理装置の運転方法において、前記原水室側からの吸引操作により原水室内にガス導入を行い、前記膜の膜面の堆積物を系外に排出することを特徴とする水処理装置およびその運転方法。 - 特許庁

例文

In the fuel cell system 1, when stopping power generation in the fuel cell 3, introduction amount of raw material fuel to a reforming catalyst 2a of a reformer 2 is decreased, but at this time, before temperature of the reforming catalyst 2a drops to a non-reformed gas generation temperature, air is introduced into the reforming catalyst 2a, and the temperature of the reforming catalyst 2a is elevated.例文帳に追加

燃料電池システム1では、燃料電池3での発電を停止する際に、改質器2の改質触媒2aへの原燃料の導入量が減少させられるが、このとき、改質触媒2aの温度が未改質ガス発生温度に降下する前に、改質触媒2aに空気が導入されて改質触媒2aの温度が上昇させられる。 - 特許庁




  
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