「High Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(67ページ目) - Weblio英語例文検索

Data of application voltages and pulse widths of the LED are also preliminarily measured at a plurality of temperature points so as to obtain a NTSC ratio and luminance at a high temperature almost equal to those at normal temperature, and the data are memorized in a non-volatile memory device.例文帳に追加

高温時にも、常温と同じ画質とＬＥＤの低消費電流化を実現する印加電圧、パルス幅データを複数の温度ポイントで測定して不揮発性記憶素子に記憶する。 - 特許庁

To provide a method of raising the energy band gap of a crystalline aluminum oxide layer, and a method of manufacturing a charge trap memory device provided with a crystalline aluminum oxide layer having a high energy band gap.例文帳に追加

結晶質アルミニウム酸化物層のエネルギーバンドギャップを高める方法及びエネルギーバンドギャップの高い結晶質アルミニウム酸化物層を備える電荷トラップメモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory apparatus of multi-level storing in which write-in operation is performed simultaneously for a plurality of levels of write-in data, successively, verify-operation is performed with high write-in throughput.例文帳に追加

書込みデータの複数のレベルに対して同時に書込み動作を行ない続いて高い書込みスループットでベリファイ動作を行なう多値記憶の不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁

To preventively avoid a disadvantageous situation for a vehicle, such as a traffic congestion on an anterior route without the increase in a required memory capacity, and the need for a high processing capability.例文帳に追加

必要なメモリ容量が増大することがないと共に高い処理能力を必要とすることなく、経路前方で発生している例えば渋滞などの車両に不利な状況を未然に回避する。 - 特許庁

To provide a data transfer apparatus which transfers data at a high speed even for data having a large size on memory, a data receiver, a data transfer method and a data transfer program.例文帳に追加

メモリ上の大きなサイズのデータを転送する場合であっても、高速にデータ転送を行うことが可能なデータ転送装置、データ受信装置、データ転送方法、及びデータ転送プログラムを提供する。 - 特許庁

To provide a receiver that can acquire resource data from a cache memory rather than acquiring the data from a transmission system when received an acquisition request of the resource data in module data, thereby resulting in acquiring the resource data at a high-speed.例文帳に追加

モジュールデータ中のリソースデータの取得要求があったときに、伝送系から取得することなくキャッシュメモリから取得することができ、高速にリソースデータを取得すること可能になる。 - 特許庁

In addition, the high-speed access of a memory is possible according to the address conversion table without not only driving a heavy-load system bus or control line outside the semiconductor chip 11 but also imposing a processing load on the CPU.例文帳に追加

また、半導体チップ１１外部の負荷の重いシステムバスや制御線を駆動したり、ＣＰＵに処理を負担させることなく、アドレス変換テーブルに従って高速にメモリをアクセスできる。 - 特許庁

When the output timing of a guard interval of a signal having been delayed by a delay memory 805 matches a part of an effective symbol before the delay respectively, the correlation of the signal in this period becomes high.例文帳に追加

遅延メモリ８０５によって遅延後の信号のガードインターバルの出力タイミングと遅延前の有効シンボルの部分とがそれぞれ一致すると、この期間における信号の相関は高くなる。 - 特許庁

To solve the problem that, in a conventional multi-channel audio decoding technology using spatial information, high arithmetic cost and high memory requirement are caused by processing an analysis and synthesis filter bank with a complex coefficient, and when a real number arithmetic filter bank is used, computational complexity is reduced but sound quality is deteriorated by aliasing.例文帳に追加

従来の空間情報を用いたマルチチャンネルオーディオ復号技術は、分析、合成フィルタバンクを複素係数で処理しているため、高い演算コストとメモリ要求を招いてしまう．実数演算のフィルタバンクを使うと演算量は低減されるが、エリアジングによる音質劣化を招く。 - 特許庁

When a rising detection signal FE is turned to a high level at the rising edge of a chip enable signal CE (t11, t14), and then a falling detection signal RE is turned to a high level at the falling edge of the chip enable signal CE (t15), memory access is executed.例文帳に追加

チップイネーブル信号ＣＥの立上りエッジで立上り検出信号ＦＥがハイレベルとなり（ｔ１１，ｔ１４）、その後チップイネーブル信号ＣＥの立下りエッジで立下り検出信号ＲＥがハイレベルとなると、許可信号ＥＮがハイレベルにセットされ（ｔ１５）、メモリアクセスが実行される。 - 特許庁

To obtain an image forming apparatus in which a user can be provided with high convenience by employing a display having display memory effect thereby sustaining display of the information of an apparatus even if the power supply to an operating panel is interrupted in energy saving mode, and high energy saving effect can be attained.例文帳に追加

表示メモリ効果を有するディスプレイを用い省エネモード時に操作パネルの電源を遮断しても機器の情報を表示を継続させる事により利用者に対して高い利便性を提供でき、また、高い省エネ効果を得ることができる画像形成装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a motion vector detector which extends a search range by thinning pixels while maintaining computational complexity, a memory capacity, and the number of representative point pixels and prevents the reduction in features of images due to usage of a high-magnification lens and is capable of detecting motion vectors of high precision.例文帳に追加

演算量、メモリ量、代表点画素数を維持したまま、画素を間引くことにより探索範囲を拡大し、かつ、高倍率レンズ使用による画像の特徴の減少も防ぎ、精度の高い動きベクトルを検出することができる動きベクトル検出装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high voltage transistor of a flash memory which can obtain an uniform and constant saturation current independent of the number of contact holes, in a source/drain junction of a DDD structure which is made up of a high concentration impurity region and a low concentration impurity region surrounding it.例文帳に追加

高濃度不純物領域とこれを取り囲む低濃度不純物領域とからなるＤＤＤ構造のソース／ドレイン接合部においてコンタクトホールの個数と関係なく均一且つ一定の飽和電流を得ることが可能なフラッシュメモリ素子の高電圧トランジスタを提供する。 - 特許庁

When prediction information is stored in memory hierarchy at plural levels including low level and high level prediction caches and a predicted information value is fetched from the low level prediction cache and when no predicted information value is stored there, the predicted information value is fetched from the high level prediction cache.例文帳に追加

低レベルおよび高レベル予測キャッシュを含む複数レベルのメモリ階層に予測情報を記憶し、低レベル予測キャッシュから予測情報値をフェッチする際、その予測情報値がそこに記憶されていない場合は、高レベル予測キャッシュからその予測情報値をフェッチする。 - 特許庁

To provide a nonlinear distortion compensating transmitter conducting adaptive pre-distorter type distortion compensation that generates a distortion compensation coefficient with correction or interpolation, reduces a convergence time of the distortion compensation coefficient so as to conduct distortion compensation at a high-speed with high accuracy and decreases a memory capacity of a distortion compensation table.例文帳に追加

適応プリディストータ型歪補償を行う非線形歪補償送信装置に関し、歪補償係数を補正又は補間によって生成し、歪補償係数の収束時間を短縮して高速に精度良く歪補償を行い、また、歪補償テーブルのメモリ容量を削減する。 - 特許庁

To provide a MOS semiconductor memory device maintaining a band gap structure of an insulating film laminate serving as a charge storage region for a long period of time, and combining all of excellent data holding characteristics, a high-speed data rewrite performance, an operation performance with a lower power consumption, and a high reliability.例文帳に追加

電荷蓄積領域として機能する絶縁膜積層体のバンドギャップ構造を長期間維持し、優れたデータ保持特性と、高速でのデータ書換え性能と、低消費電力での動作性能と、高い信頼性と、を同時に兼ね備えたＭＯＳ型半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a measurement circuit which is registant to noise and has a high precision and is suitable for measuring a voltage difference, in a semiconductor chip, and to provide a sense circuit capable of sensing with a high sensitivity regardless of an increase in size of an array in a semiconductor non-volatile memory or the like having, for example, a VGA configuration.例文帳に追加

半導体チップ内において、雑音に強く精度の良い電圧差の測定をするのに適した測定回路を提供し、例えばＶＧＡ構成の半導体不揮発性メモリ等において、アレーのサイズが大きくなっても、高感度のセンスが可能なセンス回路を提供する。 - 特許庁

To realize high speed processing by a computer system, that is, the improvement of effective performance by suppressing the generation of sweeping- out (forcing-out) of necessary data from a cache memory, or the generation of any conflict on the main pipe line of a processor even when a pre-fetch instruction is issued with high frequency.例文帳に追加

プリフェッチ命令を高い頻度で発行しても、必要なデータのキャッシュメモリからの掃出（追い出し）が発生したり処理装置のメインパイプラインでコンフリクトが発生したりするのを抑止できるようにして、計算機システムによる高速処理つまりは実効性能の向上を実現する。 - 特許庁

Namely, the processing control part 11 controls a recording inhibition time of each music according to a recording time table stored in memory 20, and thereby sequentially records music of non-managing objects at a high speed, and then sequentially records the music at a high speed from the one of which the inhibition time has passed.例文帳に追加

すなわち、処理制御部１１は、メモリ２０に記憶した録音時刻テーブルによって楽曲毎に録音禁止時間を管理することにより、管理対象でない楽曲を順次高速録音し、そして、禁止時間が経過した楽曲から順次高速録音する。 - 特許庁

To provide a data driving semiconductor device in which high luminance is obtained in a display section, a memory capacity is effectively used without any loss while divided display and non-divided display are commonly conducted, cost is reduced and high versatility is secured.例文帳に追加

表示部において高輝度を得ることが可能であるとともに、分割表示を行う場合と非分割表示を行う場合とで共用を図った際においてメモリ容量に無駄がなく、コストダウンや高い汎用性の確保が可能なデータ駆動用半導体装置を提供する。 - 特許庁

The information processing apparatus is configured to properly manage setting information to be managed in equipment by a database or the like, and to load a data sub-set on an on-memory for high-speed access when the information processing apparatus is used so as to achieve high-speed access necessary for the apparatus.例文帳に追加

情報処理装置において、機器内に管理される設定情報に対してデータベースなどで適切に管理する一方で、装置に必要な速度を出すために高速アクセスできるように、利用されるシーンにおいて、データのサブセットをオンメモリにロードして高速アクセスさせる。 - 特許庁

To perform filtering with desired spatial frequency characteristics without losing the frequency components in the Fourier spectrum and to perform matched filtering with a high data recording and reproducing function, fast processing property and a large capacitance as a hologram memory and with high identifying ability.例文帳に追加

フーリエスペクトルの各周波数成分が失われることなく、所望の空間周波数特性のフィルタリングを行うことができ、ホログラムメモリとしてのデータ記録再生機能と高速性及び大容量性を有する識別能力の高いマツチトフィルタリングを行える記録方法とフィルタリング方法を提供する。 - 特許庁

To provide a polishing composition for high speed finishing polishing a substrate, preventing the generation of minute projections, minute pits and other surface defects and achieving high polishing speed, even when the pH of the composition is 2.0 or higher and to provide a method for manufacturing a memory hard disk by using the composition.例文帳に追加

サブストレートの仕上げ研磨において、研磨速度が大きく、微小な突起、微細なピットおよびその他の表面欠陥の発生防止が可能であり、組成物のｐＨが２．０以上でも高い研磨速度が得られる研磨用組成物およびそれを用いたメモリーハードディスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To prevent high voltage output to be discharged from a charging pump, to be input in a comparator included in a regulator as an input end and to prevents the deterioration of a transistor in the case that power supply breaks suddenly during operating a high-voltage generator of a semiconductor memory apparatus.例文帳に追加

半導体メモリ装置の高電圧発生器の動作中に突然電源供給が中断される場合、チャージポンプから出力された高電圧が放電されず、レギュレータに含まれた比較部に入力端として入力され、トランジスタが劣化することを防止する。 - 特許庁

To provide a full electronic flash memory type external storage method and device which can be driven by software, can perform the active plug-in/out operations and can be applied to a small data processing system and have high efficiency, small volume containing all elements built into a single product, large capacity and a static operation and also high speed.例文帳に追加

高効率性、全てのエレメートを一つの単一製品に組み込んだ小容積、大容量、高速度、静的操作、ソフトウェアで駆動、活動プラグ・イン・アウトが可能で、小型データ処理システムに適用する全電子フッラシュ・メモリ式外部記憶方法及びその装置を提供する。 - 特許庁

To provide a carrier for developing an electrostatic latent image, which maintains a stable charging ability and resistance with less deterioration even in the case of large quantities of prints and high-quality printing and is capable of particularly suppressing development memory to form an image of high quality, a manufacturing method thereof, and an image forming method using the same.例文帳に追加

大量印刷、高印字下でも劣化が小さく安定な帯電能力と抵抗を維持し、特に現像メモリを抑制でき高品位な画像を形成しうる静電潜像現像用キャリアとその製造方法、及びそれを用いた画像形成方法を提供する。 - 特許庁

A memory management module 1002 specifies the type of a job whose execution frequency is high by referring to a job log 1006, and specifies a process whose execution frequency is high based on the type of the specified job and a job process table 1007, and manages the specified process as a process inhibiting swap-out.例文帳に追加

メモリ管理１００２は、ジョブログ１００６を参照して実行頻度の高いジョブの種類を特定し、特定されたジョブの種類とジョブプロセステーブル１００７とに基づいて実行頻度の高いプロセスを特定し、当該プロセスをスワップアウトを禁止するプロセスとして管理する。 - 特許庁

An SOC fault detector 33 counts the length from a high pulse to the next one for an R_SOC signal read from the FIFO memory 22, monitors the occurrence of a fault, and compares the phase between the R_SOC signal and a reference SOC signal for detecting the shift width of the high pulse.例文帳に追加

ＳＯＣ異常検出部３３はＦＩＦＯメモリ２２から読出したＲ＿ＳＯＣ信号についてハイパルスから次のハイパルスまでの長さをカウントし、異常が発生していないかを監視し、Ｒ＿ＳＯＣ信号と基準ＳＯＣ信号との位相を比較してハイパルスのずれ幅を検出する。 - 特許庁

A high-open-circuit-voltage gain bit line sensing differential amplifier circuit provided at each bit line, includes a feedback resistor and a high-open-circuit-voltage gain amplifier, arranged in parallel, wherein a resistance of the feedback resistors is greater than a resistance of any of the memory resistors programmed at a low resistance state.例文帳に追加

各ビット線上にある高開路電圧利得のビット線検出差動増幅回路は、帰還抵抗と高開路電圧利得のビット線検出差動増幅器を並列に配置してなり、帰還抵抗の抵抗値は、低抵抗状態に書き込まれた何れのメモリ抵抗体の抵抗値よりも大きい。 - 特許庁

A memory cell has an insulating film 13 formed over the entire surface on an interlayer insulating film 4 including a bit line portion BL1, and also has, on the insulating film 13, a high-magnetic-permeability film 14 formed in a region corresponding to a formation position of the bit line portion BL1 and a high-magnetic-permeability film 12.例文帳に追加

メモリセルにおいて、ビット線部ＢＬ１を含む層間絶縁膜４上の全面に絶縁膜１３が形成され、絶縁膜１３上に、平面視してビット線部ＢＬ１及び高透磁率膜１２の形成位置に対応する領域に高透磁率膜１４が形成される。 - 特許庁

The device is let displaying in a message display part on an operation panel to the effect that 'fixation high temp. error: please inform to service man' (S4), and controlling means is not to perform the power feed to the fixing unit, unless the information of the fixation high temp. error is cleared from the non-volatile memory through the operation panel.例文帳に追加

操作パネルのメッセージ表示部に「定着高温エラー：サービスマンに連絡してください」という旨を表示し、操作パネルを介して不揮発性メモリから定着高温エラーの情報がクリアされない限り、制御手段は定着ユニットへの電源供給を行わない。 - 特許庁

When an operating load is estimated to be a high load, an output of information from an information output means is suspended, when the operating load is estimated to be changed from the high load to a low load, information stored in an information memory means is output from the information output means.例文帳に追加

運転負荷が高負荷であると推定されると情報出力手段からの情報出力を中止し、運転負荷が高負荷から低負荷に変化したと推定されると情報記憶手段に記憶している情報を情報出力手段から出力する。 - 特許庁

Data read out from an audio CD 4a at high speed are stored into a recording region 20 exclusive to buffer of a hard disk 5a via a main memory 3 (paths 1 and 2), and readout at an audio reproduction rate for audio reproduction (path 3), and high-speed readout for ripping (path 4) are performed.例文帳に追加

オーディオＣＤ４ａから高速に読み出されたデータは、主記憶用メモリ３を介して、ハードディスク５ａのバッファ専用記録領域２０に記憶され（パス１，２）、オーディオ再生のためのオーディオ再生レートでの読出し（パス３）とリッピングのための高速読出し（パス４）とが行なわれる。 - 特許庁

Circuit constant of the reference voltage generating circuit is decided so that a temperature coefficient (V/°C) of the output high voltage is equalized to a temperature coefficient of threshold voltage of a MOS switching transistor performing ON/OFF of applying high voltage for a memory transistor by giving a temperature coefficient (V/°C) to the reference voltage.例文帳に追加

前記基準電圧に温度係数（Ｖ／℃）を持たせることにより、出力高電圧の温度係数（Ｖ／℃）がメモリトランジスタへの高電圧印加をＯＮ／ＯＦＦするＭＯＳスイッチングトランジスタのしきい値電圧の温度係数（Ｖ／℃）に等しくなるように基準電圧生成回路の回路定数を決める。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit device which makes a high yield and high reliability possible by enhancing the detection capability of the verification of an OTP (One-Time Programmable) memory using an electric fuse, re-programming and relieving a detected failed bit, and a program method therefor.例文帳に追加

電気ヒューズを用いたＯＴＰメモリのベリファイの検知能力を向上させ、検出された不良ビットを再プログラムして救済することにより、高歩留まり、高信頼性を可能にする半導体集積回路装置及びそのプログラム方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

To avoid the deletion of high-priority and important data, the decrease of whole input/output processing for storage, the occurrence of a performance influence for high-priority operation when troubles occur in a storage that has a cache memory and a disk apparatus as much as possible.例文帳に追加

キャッシュメモリとディスク装置を有するストレージにおいて、障害発生時に、優先度の高い重要なデータの消失を回避し、ストレージに対する入出力処理全体として低下し、優先度の高い業務に対して性能影響が生じるのを極力回避する。 - 特許庁

Further, a writable memory is provided which can operate at a higher speed than a read only memory, defines one read only region is defined therein, and allows write access to that read only region only from the secure domain and read access to the read only region only from the non-secure domain to thereby use a high-speed writable memory, providing the data processing apparatus with ensured security.例文帳に追加

更に読み取り専用メモリよりも高速で動作可能な書き込み可能メモリを用意し、その中に読み取り専用範囲を定義し、この読み取り専用範囲への書き込みアクセスは安全確保領域からのみに制限し、非安全確保領域からのアクセスは読み取りのみに制限することにより、高速な書き込み可能メモリを使用して、かつ安全も確保されたデータ処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming a nonvolatile memory element during an wiring process for facilitating high integration by lamination and change of design when a nonvolatile memory element having a variable resistor composed of a perovskite metal oxide film is fabricated in a semiconductor integrated circuit, and a method for fabricating a nonvolatile memory element by a low temperature process without causing any thermal damage in the wiring process.例文帳に追加

半導体集積回路へ、ペロブスカイト型金属酸化膜からなる可変抵抗体を有する不揮発性記憶素子を作りこむ際に、積層化による高集積化と設計変更を容易にする配線工程中において不揮発性記憶素子を形成する方法と、配線工程で熱的ダメージを与えることのない低温プロセスで形成可能な不揮発性記憶素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

This memory module including semiconductor memory chip is provided with a reference voltage generation circuit for generating a reference voltage to decide a High level and a Low level of one two signals in one of two pads installed in a semiconductor memory chip to which complementary two signals to determine the timing of data transfer are input/output.例文帳に追加

半導体記憶チップを含むメモリモジュールが、データ転送のタイミングを決める互いに相補的な２つの信号が入出力される半導体記憶チップが有する２つのパッドのうち一方のパッドに、２つの信号のうち一方の信号のＨｉｇｈレベルとＬｏｗレベルとを判定する基準電圧を生成して２つの信号のうち他方の信号に換えて印加する基準電圧生成回路を有する。 - 特許庁

In a memory module, a plurality of memories 2 are mounted on a module substrate 1, Vref-Vss impedance near the memories 2 is coupled with Vss by a decoupling capacitor 5 and Vref planes 4 to reduce impedance, the Vref plane 4 is individually provided for each memory 2, and the Vref planes 4 are connected by high-impedance wiring or high-impedance chip components 3-1, 3-2.例文帳に追加

メモリモジュールにおいて、モジュール基板１上にメモリ２を複数実装し、このメモリ２の近傍のＶｒｅｆ−Ｖｓｓ間インピーダンスをデカップリングコンデンサ５とＶｒｅｆプレーン４でＶｓｓと結合させて広い周波数領域で低インピーダンス化を図り、Ｖｒｅｆプレーン４は各メモリ２毎に個別に設け、Ｖｒｅｆプレーン４間を高インピーダンス配線、又は高インピーダンスチップ部品３−１，３−２で接続する。 - 特許庁

a leak current in channel flowing in a memory cell of an over erasing state of which the threshold voltage is low is suppressed in a self-adjustment way by connecting the resistor R1, in a memory cell being an object of batch rewriting, output voltage of a charge pump circuit supplying drain voltage of a high potential required for forming a high electric field region for generating sub-threshold CHE is secured.例文帳に追加

抵抗Ｒ１を接続することによって、しきい値電圧が低い過消去状態のメモリセルにおいて流れるチャネル性リーク電流が自己調整的に抑制され、一括した書戻し対象のメモリセルにおいて、サブスレッショルドＣＨＥを発生させるための高電界領域を形成するのに必要な高電位のドレイン電圧を供給するチャージポンプ回路の出力電圧が確保される。 - 特許庁

A resources assignment part 10 decides the optimal memory allocation for distributing data to higher-speed domain and lower-speed domain for executing the program so that target execution speeds of programs can be maintained without allocating data in a high-speed memory domain as much as possible based on the simulation result.例文帳に追加

資源割付部１０は、シミュレーション結果に基づいて、高速メモリ領域には可能な限りデータを配置せずにプログラムの目標実行速度を維持できるように、プログラム実行で使用するデータ領域を、高速メモリ領域と低速メモリ領域とに分配配置する最適なメモリ配置を決定する。 - 特許庁

To minimize data transmission delay, minimize skew, and realize high integration, on the assumption that pads are specifically arranged on the end of a chip, on the chip of a nonvolatile semiconductor storage device in which a plurality of memory cell arrays having a plurality of nonvolatile memory cells capable of electrically rewriting data are arranged.例文帳に追加

電気的にデータの書き換えが可能な不揮発性の複数のメモリセルを有する複数のメモリセルアレイが配置された不揮発半導体記憶装置のチップ上において、特にチップ端にパッドを配置することを前提とした場合に、データ伝送遅延を最小限度にし、スキューを最小化すると共に、高集積化を実現する。 - 特許庁

To provide a memory data transmission method and a memory data transmission system with a high data transfer efficiency that can realize data transfer without setting of an active command, setting of a row address, and a delay due to CAS latency in the case that data are transferred between two memories consisting of synchronous DRAMs.例文帳に追加

シンクロナスＤＲＡＭにより構成される２つのメモリ間でデータ転送する際に、アクティブコマンドの設定、列アドレスの設定、ＣＡＳレーテンシによる遅延がないデータ転送を実現することにより、データ転送効率の高いメモリデータ転送方法及びメモリデータ伝送装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a semiconductor memory, there are provided: a voltage control circuit for supplying low voltage or high voltage to a word line selected for write or read; and an input/output control circuit for performing a single time data write or read to a plurality of memory cells corresponding to a selected word line.例文帳に追加

半導体記憶装置において、データ書込または読出に選択された選択ワード線に対して、低電圧または高電圧を供給する電圧制御回路を設け、選択ワード線に対応する複数のメモリセルを対象として、１回のデータの書込または読出を実行する入出力制御回路をさらに設ける。 - 特許庁