「Insulating」に関連した英語例文の一覧と使い方(932ページ目) - Weblio英語例文検索

On the substrate 10, the common electrode 13 and individual electrodes 15 are filmed in recessed parts 12 and 14 formed by etching and the substrate surface other than the elements 11 and electrodes 13 and 15 is covered with an insulating light-shield film 16.例文帳に追加

基板１０上にはエッチングによって形成された凹部１２，１４に共通電極１３及び個別電極１５がそれぞれ成膜されており、素子１１及び電極１３，１５以外の基板表面が絶縁性の遮光膜１６で覆われている。 - 特許庁

To achieve a large capacity by improving a charge storage density in a semiconductor memory element containing a so called MONOS type structure memory cell having a tunnel insulating film, a charge storage film, a blocking film and a gate electrode on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上において、トンネル絶縁膜、電荷蓄積膜、ブロッキング膜及びゲート電極を有する、いわゆるＭＯＮＯＳ型構造のメモリセルを含む半導体記憶素子において、その電荷蓄積密度を向上させ、大容量化を達成する。 - 特許庁

To provide an insulator sticking device with good workability which in itself can stick insulating films onto both sides of an electrode, in one sticking the insulation films on both sides in crossing an electrode winding direction.例文帳に追加

電極巻き取り方向と直交して両面に絶縁フィルムを貼り付ける絶縁体貼付装置において、装置１台で電極体表裏両面に絶縁フィルムの貼り付けを行い、作業性の良い絶縁体貼付装置を提供する。 - 特許庁

To uniformize the distribution of the density of plasma generated in a space between parallel planar electrodes of a parallel planar electrode plasma CVD device for forming a thin film of uniform film quality and film thickness on the surface of a semiconductor substrate or an insulating substrate.例文帳に追加

半導体基板や絶縁基板の表面に均一な膜質・膜厚の薄膜を形成するために、平行平板電極プラズマＣＶＤ装置の平行平板電極間に発生するプラズマの密度分布を均一にできるようにする。 - 特許庁

As a result, even when the heat treatment for crystallizing a capacitive insulating tantalum oxide film constituting the capacitor C is performed, film stress applied to the bit line BL is reduced and the disconnection and peel-off of the bit line BL are prevented.例文帳に追加

その結果、キャパシタＣを構成する容量絶縁膜である酸化タンタル膜の結晶化のための熱処理が行われても、ビット線ＢＬにかかる膜応力を低減することができ、ビット線ＢＬの断線や剥離を防止することができる。 - 特許庁

To support both electrodes stably such that problems on increasing of the number of components and on assembly are not present, errors are absorbable by supporting of the electrodes, and, even when insulating film is formed on the surface of an internal electrode, damage is not caused to the film.例文帳に追加

部品点数の増大や、組立上の問題もなく、電極の支持で、誤差を吸収可能でありかつ内部電極の表面に絶縁膜が形成されている場合でもその膜に損傷を与えず、両電極を安定して支持をする。 - 特許庁

To provide a technique capable of preventing increase in threshold voltage of an n-channel type MISFET and a p-channel type MISFET in a semiconductor device comprising a CMISFET having a high-dielectric gate insulating film and a metal gate electrode.例文帳に追加

高誘電率ゲート絶縁膜とメタルゲート電極を有するＣＭＩＳＦＥＴを備えた半導体装置において、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴおよびｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴのしきい値電圧の上昇を防ぐことができる技術を提供する。 - 特許庁

To provide a colored ceramic sintered compact for a laminated package which is improved in splittability without impairing sinterability in a ceramic sintered compact for using as an insulating base of a multilayer wiring board for mounting a semiconductor integrated circuit element.例文帳に追加

半導体集積回路素子を搭載する多層配線基板の絶縁基体に用いるセラミック焼結体において、焼結性を損なうことなく分割性を向上させた積層パッケージ用着色セラミック焼結体を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device equipped with an insulating circuit substrate comprising a ceramic board to which a metal board is bonded, which withstands repeated tests to provide excellent reliability, and reduced thermal resistance from a chip to a heatsink.例文帳に追加

セラミックス基板に金属板を接合した絶縁回路基板を搭載するパワー半導体装置において繰り返し試験の信頼性に優れ、且つチップからヒートシンクにかけての熱抵抗の低減された半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

A groove 50 is provided at an interface S between an AlGaN layer 22 located directly beneath a gate electrode 5 and an insulating film 30 located directly on the AlGaN layer 22 so as to be located between the gate electrode 5 and a drain electrode 1.例文帳に追加

ゲート電極５の直下に位置するＡｌＧａＮ層２２と、このＡｌＧａＮ層２２の直上に位置する絶縁膜３０との間の界面Ｓに、ゲート電極５とドレイン電極１との間に位置するように、溝５０を設けている。 - 特許庁

This connector has an insulating board 10 and wiring parts 11 formed on one surface thereof, and the wiring parts 11 are formed by etching a metal thin layer formed by subjecting a transferred plating catalyst layer to electrodeless plating process.例文帳に追加

コネクターは、絶縁性基板およびその一面に形成された配線部とを有し、配線部は、転写されたメッキ触媒層に無電解メッキ処理を行うことによって形成された金属薄層が、エッチングされることにより形成されたものである。 - 特許庁

The molding resin is a heat-conductive resin obtained by mixing a polyamide resin (hereinafter abbreviated as nanocomposite polyamide resin) as a matrix resin, in which a laminar silicate is uniformly dispersed in a molecular level, with alumina in a high ratio and has electrical insulating properties.例文帳に追加

本発明は層状珪酸塩が分子レベルに均一に分散されているポリアミド樹脂（以下ナノコンポジットポリアミド樹脂と略す）をマトリックス樹脂として用い、アルミナを高配合してなる電気絶縁性でかつ熱伝導性樹脂を提供する。 - 特許庁

To obtain a multilayer board which can enhance junction strength of the circuit pattern part of a first circuit board, on which surface has a capacitor formed by a liquid heating combining method and an insulating layer of a second circuit board formed thereon.例文帳に追加

水熱合成法により形成したコンデンサを表面に有する第１の回路基板の回路パターン部分とその上に積層される第２の回路基板の絶縁層との接合強度を高めることができる多層回路基板を提供する。 - 特許庁

A third insulating layer 23 is formed in a center region Ac of a substrate 11 so as to straddle between a second semiconductor layer 161 adjacent to a guard ring layer 15 and a second semiconductor layer 162 adjacent to the second semiconductor layer 161.例文帳に追加

ガードリング層１５に隣接した第二半導体層１６１と、この第二半導体層１６１に隣接する第二半導体層１６２との間に跨るように、基板１１の中心領域Ａｃにおいて第三絶縁層２３が形成されている。 - 特許庁

Since the urethane resin 35 as sound absorbing member is formed by inserting to cover bodies 12, 22, whole outer edge part of the urethane resin is fixed on the cover bodies 12, 22 and fixing of the sound insulating member can be firmer than conventional one.例文帳に追加

ここで、吸音部材としてのウレタン樹脂３５は、カバー本体１２，２２に対してインサート成形されているので、ウレタン樹脂３５の外縁部全体がカバー本体１２，２２に固着され、従来より防音部材の固定を強固にすることができる。 - 特許庁

The compact camera module capable of surface mounting comprises at least a compact camera module base 106 and the lens module 104 assembled into the compact camera module base, wherein the upper part of the compact camera module base is covered by utilizing a heat insulating cap 102.例文帳に追加

少なくとも、コンパクトカメラモジュールベース１０６と、該コンパクトカメラモジュールベースに組み込まれたレンズモジュール１０４とからなり、断熱キャップ１０２を利用して、コンパクトカメラモジュールベースの上部をカバーした、表面実装可能なコンパクトカメラモジュールを提供する。 - 特許庁

When a discharge gap 14 between discharge electrodes 12, 13 is formed by laser cut, a gas containing oxygen is sprayed to a cutting part, and the facing end surfaces of the discharge electrodes 12, 13 are oxidized, to form an insulating film 17.例文帳に追加

放電電極１２，１３間の放電間隙１４をレーザ切断によって形成する際に、酸素を含有する気体を切断部に吹き付けることにより、放電電極１２，１３の対向端面を酸化させて絶縁膜１７を形成する。 - 特許庁

The residual polymer present on the insulating film 201 is subjected to ashing of second stage using oxygen gas or a gas containing oxygen as the main gradient under the conditions of relatively high chamber pressure and plasma production power setting.例文帳に追加

次に、絶縁膜２０１の上に存在している残留ポリマーに対して、チャンバー圧力及びプラズマ生成電力を相対的に高く設定した条件で、酸素ガス又は酸素を主成分とするガスを用いて第２段階のアッシングを行なう。 - 特許庁

To improve the characteristics of a semiconductor device, while connecting a metal base with a circuit pattern provided on an insulating layer, by using a metal projection obtained by transforming the metal base, in the semiconductor device that uses a metal base circuit board.例文帳に追加

金属ベース回路基板を用いた半導体装置において、金属ベースを変形させることにより得られる金属の突起を利用して絶縁層上に設けられる回路パターンと金属ベースとを接続しながら、その特性を向上させる。 - 特許庁

To provide a composition which has reducing property of an alkali metal ion and/or alkaline earth metal and reactivity as a catalyst, and which imparts various functions such as reducing property, fire-resistant property, corrosion resistance or insulating property to a substance by being mixed therewith.例文帳に追加

アルカリ金属イオンおよび／またはアルカリ土類金属の還元性、触媒としての反応性を有し、物質に混合することにより、還元性、耐火性、耐蝕性、絶縁性などの多様な機能を付加することができる組成物の提供。 - 特許庁

The liquid lens 14 including a conductive liquid 40 constituting a negative lens, and an insulating liquid 42 constituting a positive lens, can convert light emitted from a laser diode 12, into substantially parallel light and change a focal length.例文帳に追加

液体レンズ１４は、負レンズを構成する導電性液体４０及び正レンズを構成する絶縁性液体４２を含み、レーザダイオード１２が出射した光を略平行光に変換すると共に、焦点距離を変化させることができる。 - 特許庁

To obtain a composition for surface hydrophobing which aims at restoring a damage of a siloxane series insulating layer after etching/ashing used for an electronic device such as a semiconductor device is performed, and to provide a method of hydrophobing a surface, a semiconductor device and its manufacturing method.例文帳に追加

半導体装置等の電子デバイスに用いられるエッチング／アッシング後のシロキサン系絶縁層のダメージを修復することを目的とした表面疎水化用組成物、表面疎水化方法、ならびに半導体装置およびその製造方法を得る。 - 特許庁

Since the insulating region at the first portion 11a of the EA type optical modulator 11A is made thick in the semiconductor laser element 10, the strength of an electric field appearing on the exit side end face 10a is reduced effectively.例文帳に追加

この半導体レーザ素子１０においては、ＥＡ型光変調器１１Ａの第１の部分１１ａの絶縁領域の厚さが厚くなっているため、出射側端面１０ａに生じる電界の強度が効果的に低減されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method, in which boron leakage from a gate electrode can be inhibited, even when a gate insulating film is thinned, increase in interface rank density and generation of plus charge in the film can be restrained.例文帳に追加

ゲート電極からのボロン漏れを抑制することができ、ゲート絶縁膜を薄膜化した場合でも、界面順位密度の増加及び膜中のプラスチャージの生成を抑制することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供。 - 特許庁

The CMOS 1 includes a first gate electrode 9, formed via an insulating film 5, a source region 3 formed corresponding to the first gate electrode 9, and a drain region 4, formed so as to sandwich the source region 3 and first gate electrode 9.例文帳に追加

ＣＭＯＳ１は、絶縁膜５を介して形成された第１ゲート電極９、第１ゲート電極９対応して設けられたソース領域３、ソース領域３と共に第１ゲート電極９を挟むように設けられたドレイン領域４から成る。 - 特許庁

To provide a foam synthetic resin mold and a method of constructing the mold capable of easily constructing a continuous foundation and a mat foundation by one time of concrete deposition without using expensive metal base spacers and preventing the mold itself from becoming bulky even when a skirt insulating foundation is constructed.例文帳に追加

高価な金属製ベーススペーサ等を使用することなく１回のコンクリート打設により布基礎やベタ基礎が容易に構築でき、スカート断熱基礎構築の際にも型枠自体がかさ張ることのない発泡合成樹脂型枠とその施工法を得る。 - 特許庁

To provide a translucent sound insulating panel adapted to minimize automobile noise without too much blocking view alongside the road, and capable of blocking off the headlights of automobiles on the opposite lane in some cases.例文帳に追加

道路の側方に拡がる景色をあまり遮らないで、自動車の騒音をできるだけ低減できるようにし、場合によっては対向車線を走る自動車のヘッドライトの光を遮ることができるようにした透光型の防音パネルを提供すること。 - 特許庁

A field-effect transitor 40 is formed on one semiconductor island- shaped region 32a of a dielectric separation substrate 30 and an ion responsive film 6 is formed on the main surface of the other semiconductor island-shaped region 32b thereof through an insulating film 25.例文帳に追加

誘電体分離基板３０の一方の半導体島状領域３２ａに電界効果型トランジスタ４０が形成され、他方の半導体島状領域３２ｂの主表面上に絶縁膜２５を介してイオン感応膜６が形成されている。 - 特許庁

The bioelectrode 10 is equipped with a sheet-like insulating substrate 11, two sheet-like electrodes 12 which are fixed on the substrate and have flexibility, wire leads 13 connected to the electrodes 12, and a thread 14 connected to the substrate 11.例文帳に追加

シート状の絶縁性基板１１と、その基板の上に固定される柔軟性を有する２枚のシート状の電極１２と、その電極に連結されたリード線１３と、基板１１に連結された糸１４とを備えている生体電極１０。 - 特許庁

Thus, a bright display with a low directivity is performed by enlarging the pixel electrode 29 by superposing it with the TFT element 24 or a wiring pattern part through the insulating resin layer 27, enhancing the reflectivity, and forming ruggedness on the surface.例文帳に追加

こうして、画素電極２９を、絶縁性樹脂層２７を介してＴＦＴ素子２４や配線パターン部と重ねて大きく、反射率を高く、表面に凹凸を設けて形成することによって、明るく指向性の少ない表示を行う。 - 特許庁

The interlaminar insulating material contains an acid group- containing vinyl ester resin which is obtained by allowing a tetrahydrophthalic anhydride to react with an epoxy vinyl ester resin which is obtained by allowing an acrylic acid to react with a naphthalene skeleton-containing epoxy resin, a diluent, a photopolymerization initiator and a thermosetting component.例文帳に追加

ナフタレン骨格含有エポキシ樹脂にアクリル酸を反応させて得られたエポキシビニルエステル樹脂にテトラヒドロ無水フタル酸を反応させて得られる酸基含有ビニルエステル樹脂、希釈剤、光重合開始剤、および、熱硬化成分とを含有。 - 特許庁

An nMOS transistor comprises the gate electrode 5, formed on the semiconductor substrate 1 via the gate insulating film 4, and an n-type extension layer which contains n-type impurities and is formed on the semiconductor substrate 1 on both sides of the gate electrode 5.例文帳に追加

ｎＭＯＳトランジスタは、半導体基板１上にゲート絶縁膜４を介して形成されたゲート電極５と、ゲート電極５の両側における半導体基板１上に形成され、ｎ型不純物を含有するｎ型エクステンション層とを有する。 - 特許庁

To provide an epoxy resin useful for insulating materials for electric/electronic components, laminated plates and the like by reducing the viscosity of a phenol aralkyl resin while retaining high-degree characteristics thereof and by enhancing properties of a cured product of the epoxy resin.例文帳に追加

フェノールアラルキル樹脂の高度な特性を保持しつつ、低粘度化することを目的とし、さらにエポキシ樹脂の硬化物における諸特性を向上させ、電気電子部品用絶縁材料、積層板などに有用であるエポキシ樹脂を提供する。 - 特許庁

The top gate type thin film transistor 1-1 has an organic semiconductor layer 15 prepared between a source electrode 13s and a drain electrode 13d, and a gate electrode 19 prepared on top of these through the intermediary of a gate insulating film 17.例文帳に追加

ソース電極１３ｓ−ドレイン電極１３ｄ間にわたって設けられた有機半導体層１５と、これらの上部にゲート絶縁膜１７を介して設けられたゲート電極１９とを有するトップゲート型の薄膜トランジスタ１-1である。 - 特許庁

The Schottky barrier diode 1 includes a GaN self-supporting substrate 2 having a surface 2a, a GaN epitaxial layer 3 formed on the surface 2a, and an insulating layer 4 formed on the surface 3a of the GaN epitaxial layer 3 with an opening formed thereon.例文帳に追加

ショットキーバリアダイオード１は、表面２ａを有するＧａＮ自立基板２と、表面２ａ上に形成されたＧａＮエピタキシャル層３と、ＧａＮエピタキシャル層３の表面３ａ上に形成され、開口部が形成されている絶縁層４とを備える。 - 特許庁

To provide a depositing method for a low dielectric constant insulating film that can exclude nitrogen from a formed film while improving the depositing rate, or can control the nitrogen content insomuch that it has no effect on a resist's crosslinking reaction.例文帳に追加

成膜レートを向上させつつ、形成膜中に窒素を含まないようにし、或いはレジストの架橋反応に影響を与えない程度に窒素含有量を抑制することができる低誘電率絶縁膜の成膜方法を提供するものである。 - 特許庁

To provide a method for producing a metal oxide microparticle, which can produce efficiently and simply the metal oxide microparticle utilizable in optical materials, conductive materials, magnetic bodies, insulating materials, ferrodielectric bodies, phosphors, catalysts, magnets, batteries and the like.例文帳に追加

光学材料、導電材料、磁性体、絶縁材料、強誘電体、蛍光体、触媒、磁石、電池などに利用できる金属酸化物微粒子を効率よく、かつ簡便に製造できる金属酸化物微粒子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a power semiconductor module capable of eliminating the solder bonding nonuniformity of the power semiconductor module and an insulating substrate and furthermore eliminating the heat radiation nonuniformity of the power semiconductor element, and a power semiconductor device mounted with the module.例文帳に追加

パワー半導体素子および絶縁基板のはんだ接合不均一を解決し、さらにはパワー半導体素子の放熱不均一をも解決することができるパワー半導体モジュール、および該モジュールを搭載したパワー半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

In this vacuum heat insulating material 10 constituted by filling and sealing the core material 30 into the externally wrapping material 20, the core material 30 is constituted by a bundle of kenaf sheath skin fibers constituted by forming a plurality of kenaf sheath skin fibers included in kenaf sheath skin as the bundle.例文帳に追加

外包材２０の中にコア材３０を充填して密封した真空断熱材１０において、コア材３０は、ケナフ靭皮に含まれるケナフ靭皮繊維の複数本が束となったケナフ靭皮繊維束である、構成とした。 - 特許庁

A tunnel insulating film 8 made of AlN films is formed between a nonproliferation film 7 and a metal electrode to prevent oxygen from intruding in an environment with a high temperature, so that the nonproliferation film and a lower electrode film can be protected against oxidation.例文帳に追加

拡散防止膜と金属電極の間にＡｌＮ膜からなるトンネル絶縁膜を配置することで、高温環境下における酸素の侵入を防ぐことができ、拡散防止膜や下部電極膜などの酸化を抑制することができる。 - 特許庁

Thereafter, when temperature of the cooling water in the cooling circuit R becomes a predetermined value, a thermostat 23 is opened and the warm cooling water in the cooling circuit R is fed into the heat accumulating circuit H via a connecting passage 22, and recovered in the insulating container 14.例文帳に追加

その後、冷却回路Ｒの冷却水の温度が所定値以上になると、サーモスタット２３が開いて冷却回路Ｒの温かい冷却水が接続通路２２を介して蓄熱回路Ｈに流入し、保温容器１４に回収される。 - 特許庁

Accordingly, after a silicon oxide film is formed on the SiC substrate using a plasma processing apparatus, the gate insulating film having excellent electrical characteristics can be obtained by exposing the formed silicon oxide film to radicals each containing a nitrogen atom to reform it.例文帳に追加

このため、プラズマ処理装置を用いて、ＳｉＣ基板上にシリコン酸化膜を形成した後、窒素原子を含むラジカルに、形成されたシリコン酸化膜を曝して改質を行うことにより、電気的特性の優れたゲート絶縁膜を得ることができた。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a first semiconductor layer 12 formed via either an insulating film or a cavity on a first region, and a plurality of second semiconductor layers 13 formed on a second region on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

半導体基板１１上の第１領域に、絶縁膜及び空洞のいずれか一方を介在して形成された第１の半導体層１２と、半導体基板１１上の第２領域に形成された複数の第２の半導体層１３とを有する。 - 特許庁

The conductor constituting the booster coil 3 and the conductor which does not constitute the booster coil 3 are oppositely arranged at the surface side and the rear side of the insulating member 4 through the member and electrostatic capacity for making the booster coils 3 to the resonance state can be formed.例文帳に追加

絶縁部材４を介してその表面側及び裏面側に、ブースタコイル３を構成する導体とブースタコイル３を構成しない導体とを対向に配置し、ブースタコイル３を共振状態にするための静電容量を形成することもできる。 - 特許庁

Since the temperature dependency of the etching rate of hydrofluoric acid in vapor-phase etching is extremely high, the polymer left on the wafer W can be removed satisfactorily and selectively without damaging the copper wiring film and insulating film.例文帳に追加

ふっ酸の気相エッチングにおけるエッチングレートは、温度依存性が極めて高いので、ウエハＷの温度を適切に調整することによって、銅配線膜および絶縁膜に損傷を与えることなく、ウエハＷ上のポリマーを良好に選択除去できる。 - 特許庁