「Isotropically」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The single carbon nanotube film includes a plurality of carbon nanotubes; and the plurality of carbon nanotubes are arranged isotropically, arranged along a predetermined direction or arranged along different plurality of directions.例文帳に追加

該単一のカーボンナノチューブフィルムが複数のカーボンナノチューブを含み、該複数のカーボンナノチューブが等方的に配列されているか、所定の方向に沿って配列されているか、または、異なる複数の方向に沿って配列される。 - 特許庁

The substrate 31 is isotropically etched to about 200 Å so that the protrusions 46a, 46b are completely removed and a diffraction optical element 47 having 8 steps shown in Fig (s) can be obtained.例文帳に追加

これにより、基板３１は等方的に約２００オングストローム、エッチングされるため、突起部４６ａ、４６ｂはほぼ完全に除去され、(s)に示す８段の階段形状を有する回折光学素子４７が得られる。 - 特許庁

An etching mask 201 of a shape similar to the top surface 102e of a quadangular truncated pyramid 102 is formed on a substrate 101, and the substrate 101 is isotropically etched using the etching mask 201 as a mask material, whereby the quadangular truncated pyramid 102 is formed.例文帳に追加

四角錐台１０２の頂面１０２ｅと相似な形状のエッチングマスク２０１を基板１０１上に形成し、エッチングマスク２０１をマスク材として基板１０１を等方性エッチングすることで四角錐台１０２を形成する。 - 特許庁

Subsequently, a data-adding section processes the difference data thus calculated, through a predetermined filter to produce data where objective pixels for reducing the gray level around a pixel outputting a dot are spread isotropically and adds that data to second hue data.例文帳に追加

その後、データ加算部は、算出された差分データを所定のフィルタによって、ドットが出力される画素を中心に階調値を減らす対象の画素を等方的に広げたデータにデータ処理を行い、第２の色相データに加算する。 - 特許庁

The plurality of carbon nanotubes are aligned in parallel with each other on the surface of the transparent conductive structural body, either isotropically, or along a prescribed direction, or along a plurality of different directions.例文帳に追加

前記複数のカーボンナノチューブは、前記透明な導電構造体の表面に平行に配列し、等方的に配列されているか、所定の方向に沿って配列されているか、または、異なる複数の方向に沿って配列されている - 特許庁

By making the etching rate by chlorine of a photoresist pattern 3 higher than that of an aluminium film, etching proceeds downward an isotropically also from a surface of the exposed aluminium film, since the photoresist pattern 3 is retreated.例文帳に追加

塩素によるフォトレジストパターンのエッチングレートを、アルミニウム膜のエッチングレートよりも高くすることによって、フォトレジストパターンが後退することによって露出したアルミニウム膜の表面からもエッチングが下方に向かって異方的に進行する。 - 特許庁

The one-side metallized films 31 are pressed isotropically from outside after being wound to irreversibly deform so as to reduce gaps between the one-side metallized films 31, 31, ..., put one over another as compared with the state after the winding.例文帳に追加

片面金属化フィルム（31）は、巻回された後に外方から等方的に加圧されて、互いに重なり合う片面金属化フィルム（31,31,…）間の隙間が巻回後の状態に比べて低減されるように不可逆的に変形している。 - 特許庁

When the sacrificial layer 23 is exposed in the through hole 14, the sacrificial layer 23 is removed by etching, then a clearance 19 is produced between the protection film 24 and Si substrate 12, and the Si substrate 12 is etched crystal-isotropically from both sides of surface and back.例文帳に追加

犠牲層２３が貫通孔１４内に露出したら、犠牲層２３がエッチング除去し、保護膜２４とＳｉ基板１２の間に隙間１９を生成し、Ｓｉ基板１２を表面側と裏面側から結晶異方性エッチングする。 - 特許庁

Consequently, a recording magnetic field produced from the main magnetic pole layer toward the recording medium can properly be deterred from isotropically spreading in a trailing direction to reduce magnetism inversion width over the entire area between recording patterns which are mutually inverted in magnetism.例文帳に追加

この結果、主磁極層から記録媒体に向けて発生する記録磁界がトレーリング方向へ等方的に広がるのを適切に抑制でき、磁化反転幅を磁化が互いに反転する記録パターン間の全域にて小さく出来る。 - 特許庁

Then the surface of the first insulating layer 72 is covered by a mask 74 having a through hole 74a and the first insulating layer 72 is isotropically etched until the first insulating layer 72 laminated directly under the through hole 74a slightly remains.例文帳に追加

次に、第１絶縁層７２の表面を貫通孔７４ａを有するマスク７４で覆い、貫通孔７４ａ直下に積層された第１絶縁層７２が僅かに残る状態となるまで、第１絶縁層７２を等方性エッチングする。 - 特許庁

To obtain an air permeable ceramic structure and a fluid permeating member having isotropically excellent strength, isotropic fluid permeation characteristics, excellent heat resistance, corrosion resistance and excellent characteristics as a filter and a catalyst carrier.例文帳に追加

等方的に優れた強度を有し、等方的な流体透過特性を有するとともに、耐熱性および耐食性に優れ、かつフィルタや触媒担持体として優れた特性を有する透気性セラミックス構造体と流体透過部材を提供する。 - 特許庁

The sample S is almost isotropically excavated by vibration while rotated at random, the analysis of a component in a radial direction due to glow discharge emission analysis become possible and surface of the cleanly formed sample S can be observed by SEM or the like.例文帳に追加

振動によって試料Ｓはランダムに回転しながらほぼ等方的に掘削され、グロー放電発光分析による半径方向の成分分析が可能となり、清浄に形成した試料Ｓの表面をＳＥＭ等で観察することも可能となる。 - 特許庁

Since this silicon oxide film 16 is isotropically etched through the wet process with the Buffered HF solution from the state projected from the surface of the polycrystal silicon film 13, the slope 16a of this silicon oxide film 16 is formed in the shape of roof toward the central region.例文帳に追加

このシリコン酸化膜１６は、多結晶シリコン膜１３の表面から突出する状態からBufferedＨＦ溶液でウェット処理をすることで等方的にエッチングされるので、中央部に向かって傾斜面１６ａを屋根状に有する構成となる。 - 特許庁

A sacrifice layer 103 is isotropically etched through a through-hole 104a with the use of, for instance, a diluted hydrofluoric acid solution, to form a space 131 exceeding the region of the through-hole 104a between an oscillator layer 104 and a GaAs buffer layer 102.例文帳に追加

例えば希弗酸溶液を用い、貫通孔１０４ａを介して犠牲層１０３を等方的にエッチングし、振動子層１０４とＧａＡｓバッファー層１０２との層間に、貫通孔１０４ａの領域を超える空間１３１を形成する。 - 特許庁

After forming on an Al film 5 a resist pattern 6 by using a negative type photoresist, the Al film 5 is isotropically etched by using a mixed acid that there are formed in the Al film 5 undercut-form triggering portions 5a penetrating respectively the film 5 from the end portions of the resist pattern 6 in the interfacial direction between the film 5 and the pattern 6.例文帳に追加

Ａｌ膜５上にネガ型のフォトレジストを用いてレジストパターン６を形成した後、混酸を用いて等方性エッチングし、Ａｌ膜５にレジストパターン６の端部から界面方向へ入り込んだアンダーカット状のトリガ部５ａを形成する。 - 特許庁

The screen is equipped with a light reflection layer between a directional diffusing layer diffusing and transmitting light from a prescribed direction and linearly transmitting light from other directions, and an isotropic light diffusing layer nearly isotropically diffusing light regardless of an incident angle.例文帳に追加

特定の方向からの光を拡散透過しそれ以外の方向からの光を直線的に透過する指向性拡散層と、入射角に係わらず光を略等方的に拡散する等方性光拡散層との間に光反射層を備える構成とした。 - 特許庁

In this film, the anti-Newton ring layer has a surface pattern of protrusions and recesses and isotropically transmits and scatters incident light, a scattering angle showing the maximum scattering light intensity ranges from 0.1 to 10°, and the total light transmittance ranges from 70 to 100%.例文帳に追加

このフィルムは、前記アンチニュートンリング層が、表面に凹凸構造を有しており、入射光を等方的に透過して散乱し、かつ散乱光強度の極大値を示す散乱角が０．１〜１０°であるとともに、全光線透過率が７０〜１００％である。 - 特許庁

This processing method comprises forming a primary through- hole 20 in a metal substrate 10, making an etchant flow from one open side to the other open side of the primary through-hole 20, then flow from the other open side to the one open side, to etch the hole isotropically.例文帳に追加

加工先穴２０が形成された金属基板１０を用意して、その加工先穴２０の一方の開口部側から他方の開口部側にエッチャントを流し、次に、他方の開口部側から一方の開口部側にエッチャントを流して等方性エッチングを行う。 - 特許庁

As a result, even if the flow of the gas impinges against the protector 6 at any angle around the axial line of the protector 6, since the gas EG is supplied to the detection part D in the protector 6 alamost isotropically, uniform response or output characteristics are obtained regardless of a gas flow direction.例文帳に追加

その結果、プロテクタ６の軸線周りにおいてどのような角度で被測定ガス流が当たっても、プロテクタ６内の検出部Ｄに対しては略等方的に被測定ガスＥＧが供給されるので、ガス流の方向によらず均一な応答性あるいは出力特性が得られる。 - 特許庁

The heat conductive sheet is formed by dispersing, in a thermosetting resin 2, secondary aggregated particles 3 of isotropically aggregated primary particles 4 of scaly boron nitride, and the secondary aggregated particles 3 have a porosity of ≤50% and an average pore diameter of 0.05 to 3 μm.例文帳に追加

熱伝導性シートには鱗片状窒化ホウ素の一次粒子４が等方的に凝集した二次凝集粒子３が熱硬化性樹脂２中に分散されており、二次凝集粒子３は、５０％以下の気孔率及び０．０５μｍ以上３μｍ以下の平均気孔径を有している。 - 特許庁

The obtained anti-glare film has an uneven structure on the surface of the anti-glare layer, isotropically transmits and scatters an incident light to show the maximum value of the scattered light intensity at a scattering angle of 0.1-10°, and has the total light transmittance of 70-100%.例文帳に追加

得られた防眩性フィルムは、前記防眩層の表面に凹凸構造を有しており、入射光を等方的に透過して散乱し、かつ散乱光強度の極大値を示す散乱角が０．１〜１０°であるとともに、全光線透過率が７０〜１００％である。 - 特許庁

Then, an intermediate layer 4 is isotropically etched through a group of trenches 15a dispersedly formed in a separated upper layer zone 6a, and the separated upper layer zone 6a is separated from a base layer 2 by removing the intermediate layer 4 just under the separated upper layer zone 6a.例文帳に追加

次に、遊離上層領域６ａ内に分散形成されているトレンチ群１５ａから中間層４を等方性エッチングし、遊離上層領域６ａ直下の中間層４を除去することによってベース層２から遊離上層領域６ａを遊離させる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing an aromatic polycarbonate resin composition excellent in strength and rigidity without significant detriment to tenacity, particularly to ductility, hardly increased in its specific gravity, exhibiting excellence in external appearances of a molded product and in melt flowability, and isotropically improved in dimensional accuracy.例文帳に追加

強度や剛性に優れると同時に靱性、特に延性を大きく損なわず、かつ比重の増加が少なく成形表面外観や溶融流動性に優れ、しかも寸法精度が等方的に改良された芳香族ポリカーボネート樹脂組成物の製造方法を提供する。 - 特許庁

The single carbon nanotube film includes a plurality of carbon nanotubes which are isotropically arranged, or are arranged in a predetermined direction, or are arranged along a plurality of various directions.例文帳に追加

前記加熱素子が少なくとも一枚のカーボンナノチューブフィルムを含む中空の三次元構造であり、該単一のカーボンナノチューブフィルムが複数のカーボンナノチューブを含み、該複数のカーボンナノチューブが等方的に配列されているか、所定の方向に沿って配列されているか、または、異なる複数の方向に沿って配列されている。 - 特許庁

The method includes steps of: forming a plurality of minute recessed portions on the surface of a first substrate 3a by a mechanical means; and etching the surface of the first substrate 3a to reduce the thickness of the first substrate 3a and isotropically erode the minute recessed portions to form microlenses L.例文帳に追加

第１基板３ａの表面に複数の微小凹部を機械的手段によって形成する工程と、前記第１基板３ａの表面をエッチングして、前記第１基板３ａを薄肉化するとともに、前記微小凹部を等方的に侵食してマイクロレンズＬを形成する工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a carbon fiber-reinforced resin molded form, lighter than metallic materials, having, intraplanarly and isotropically, excellent properties such as high modulus, high thermal conductivity and low thermal expansibility, capable of solving the problem of rusting as an alternative material to metallic materials, and enabling a large weight reduction to be attained as well.例文帳に追加

金属材料と比べて軽量であり、面内で等方的に高弾性、高熱伝導、低熱膨張といった優れた特性を有し、金属材料の代替材料として発錆の問題を解決すると共に、大幅な軽量化を達成することが可能な炭素繊維強化樹脂成形体を提供する。 - 特許庁

To provide a sheet for a sliding member that retains abrasion resistance and moldability and exhibits isotropically high stability against change in dimension caused by moisture absorption despite having low friction property and can be suitably used in applications wherein low friction and abrasion resistance are particularly important, such as a bearing.例文帳に追加

低摩擦性を有するにもかかわらず、耐摩耗性と成形加工性を維持するとともに吸湿に対する寸法安定性変化が等方的に高い摺動部材用シートであり、軸受け等の低摩擦性、耐摩耗性が特に重視される用途において好適に用いることができる摺動部材用シートを提供する。 - 特許庁

To provide a fiber reinforced preform, in which a gap between a mold and a core can drastically be reduced and the shape can be made large and also, the good running of molten metal to a periphery is obtd. and the good impregnating ability can be achieved by isotropically pressurizing and the strength of the whole interface between the fibers and a matrix metal can be improved.例文帳に追加

型や中子との隙間を大幅に減少できて形状を大きくできると共に、周辺への溶湯の湯廻りが良く、また、等方的に加圧されて良好な含浸性を発揮でき、しかも、繊維とマトリックス金属の界面全体の強度の向上を図ることができる繊維強化予備成形体を提供する。 - 特許庁

An HTO film 4a is formed isotropically along an internal surface of the element separating groove 3, and an HTO film 4a formed at a center portion of a bottom surface 3a of the element separating groove 3 is removed in an RIE method by anisotropic etching to leave the HTO film 4a along a side wall surface 3b of the element separating groove 3.例文帳に追加

素子分離溝３の内面に沿ってＨＴＯ膜４ａを等方的に形成し、素子分離溝３の底面３ａの中央部に成膜されたＨＴＯ膜４ａをＲＩＥ法により異方性エッチングして除去し、ＨＴＯ膜４ａを素子分離溝３の側壁面３ｂに沿って残留させる。 - 特許庁

To provide a small-sized microphone without the need for connectors for mount on an apparatus because a conventional mount method of the small- sized microphone to a mobile unit or the like has required an isotropically conductive elastic connector or a connector with spring terminals inserted thereto resulting in increasing the number of components, the assembling man-hours and causing insufficient reliability of the electrical connection.例文帳に追加

小型マイクロホンを携帯機器等に組み込むには、従来、異方導電性の弾性コネクタや、ばね端子を挿入したコネクタを必要とし、部品数や組み立て工数が増え、電気的接続の信頼性上も好ましくなかったので、機器への組み込みにコネクタを必要としないマイクロホンを実現する。 - 特許庁

By forming this flow of the gas, negative pressure is created in the first side gas outlet 62 formed to the leading end of the diameter contracted part 6t to evacuate the interior of the first cylindrical part 6b and the gas EG is almost isotropically sucked into the first cylindrical part 6b from the first side gas inlets 60, 61 in a peripheral direction.例文帳に追加

このような被測定ガス流が形成されることにより、縮径部６ｔの先端に形成された第一側ガス出口６２に負圧を生じて第一筒状部６ｂ内が吸引され、それによって第一筒状部６ｂ内には、周方向の各第一側ガス入口６０，６１から被測定ガスＥＧが略等方的に吸入される形となる。 - 特許庁

The manufacturing an optical device comprises the step of forming a three-dimensional etching curved surface on a clad layer by isotropically etching or taper etching a first clad layer on a board, the step of forming a core layer along the curved surface on the first clad layer, and the step of forming a second clad layer on at least the core layer.例文帳に追加

基板上の第１クラッド層を等方エッチングまたはテーパエッチングを施してこのクラッド層に３次元のエッチング曲面を形成する工程と、前記第１クラッド層にコア層を前記エッチング曲面に沿って形成する工程と、少なくとも前記コア層上に第２クラッド層を形成する工程とを含むことを特徴とする - 特許庁

The optical screen has a light diffusion layer, containing particulates having a spherulite structure characteristic of a crystalline high polymer, formed in such a manner that high polymer fibrils are isotropically grown in a three-dimensionally way or radially grown from one or more cores near the center of one individual particle, and having a number average particle diameter range of 1 to 30 μm.例文帳に追加

一つの単独粒子の中心付近の単数または複数のコアから高分子フィブリルが３次元的等方あるいは放射状に成長して形成した結晶性高分子特有の球晶構造を有し、数平均粒子径１〜３０μｍである微粒子を含有する光拡散層を有することを特徴とする光学スクリーン。 - 特許庁

Thus, the {100} texture after finish annealing is developed, and, isotropically excellent magnetic properties inside the steel sheet face can be obtained when the steel sheet is used as an iron core material, particularly, in the case of an iron core of a rotating machine.例文帳に追加

【解決手段】 板面内全周磁気特性向上のために、添加される合金成分（Ｓｉ，Ａｌ，Ｍｎ、及び、左記合金元素相互間の含有量関係）と不純物元素（Ｃ，Ｓ，Ｎ，Ｔｉ，Ｖ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ａｓ）、及び、熱延板焼鈍後の結晶粒径、冷間圧延の圧下率を制御することにより、仕上焼鈍後の｛１００｝集合組織を発達させ、鋼板面内での等方的に優れた磁気特性を得る。 - 特許庁

To solve the problem that since hydrogen in a radical state free from a hydrogen supply source, i.e., a protective film of silicon nitride is diffused isotropically during heat treatment for terminating dangling bond in a polysilicon semiconductor film, the majority of hydrogen is desorbed to the outside of a thin film semiconductor element to cause deterioration in the mobility or swing characteristics thereof due to the insufficient termination of the dangling bond.例文帳に追加

多結晶シリコン半導体膜中のダングリングボンドを終端することを目的とした熱処理時に水素の供給源である窒化珪素の保護膜から遊離したラジカル状態の水素が等方的に拡散するため、その多くが薄膜半導体素子の外へと脱離してしまい、ダングリングボンドの終端が不十分となり薄膜半導体素子の移動度やスイング特性が劣化する。 - 特許庁

When it is necessary to diffuse errors in a wide range such as in the highlighted region or the shadowed region, use of a matrix which diffuses errors isotropically may cause a reduction in the size of errors to be diffused in each pixel, and dots may be generated closely Use of a matrix having high directivity can actually avoid the dots from being generated closely.例文帳に追加

ハイライト領域やシャドー領域などのように誤差を広い範囲に拡散させる必要がある場合、誤差を等方的に拡散するマトリックスを用いたのでは、個々の画素へ拡散される誤差が小さくなってしまうのでドットが近接して発生する場合があるが、この様に指向性の強いマトリックスを用いれば、事実上、ドットが近接して発生することを回避することができる。 - 特許庁

When forming a W film 9c which constitutes a gate electrode between a source and a drain of an MISFET an undercut is generated by isotropically etching an upper part thereof, and then a sidewall upper part of the W film 9c constituting a gate electrode is tapered by anisotropic etching, and thereafter a plug is formed on a source or a drain of an MISFET.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのソースとドレイン間上のゲート電極を構成するＷ膜９ｃの形成に際し、その上部を等方法的にエッチングしアンダーカットを生じさせた後、異方的にエッチングすることによってゲート電極を構成するＷ膜９ｃの側壁上部をテーパー形状とし、その後、ＭＩＳＦＥＴのソースもしくはドレイン上にプラグを形成する。 - 特許庁

The display correction circuit includes a memory which stores first data to assign the size and position of a rectangular region on a display screen and second data for isotropically assigning the gradation change in the peripheral part of the rectangular region in a horizontal direction and a vertical direction and an image processing section which regulates the gradation of the image data based on the first data and the second data stored into the memory.例文帳に追加

表示補正回路は、表示画面上における矩形領域の大きさ及び位置を指定する第１のデータと矩形領域の周辺部の階調変化を横方向及び縦方向に等方的に指定する第２のデータとを格納するメモリと、メモリに格納される該第１のデータと該第２のデータとに基づいて画像データの階調を調整する画像処理部を含む。 - 特許庁

In a method of producing an oxide single crystal, which comprises of growing the oxide likely to become a flat form due to the occurrence of crystal habit caused by anisotropy in growing speed or the like by a floating zone melting method, the anisotropic growth speed of the crystal is controlled by non-isotropically heating a melting zone from the opposite angle directions while rotating a raw material rod without rotating a seed crystal.例文帳に追加

成長速度の異方性などによる晶癖の発生で扁平状になりやすい酸化物を浮遊帯域溶融法により育成する酸化物単結晶の製造方法において、種結晶を回転させずに原料棒を回転させながら、溶融帯を対角方向から非等方的に加熱することにより結晶の異方的な成長速度を制御する。 - 特許庁

Liquid crystal molecules 41 of the liquid crystal material are optically and isotropically aligned when no voltage is applied to the electrodes 26 for liquid crystal driving and optically and uniaxially aligned when a voltage is applied to the electrodes 26 for the liquid crystal driving; and the axial direction of the uniaxial alignment continuously rotates according to the level of the voltage and the rotating direction differs with the polarities of the voltage.例文帳に追加

液晶材料の液晶分子４１は、液晶駆動用電極２６に電圧を印加しないときには光学的に等方配向し、液晶駆動用電極２６に電圧を印加したときには光学的な一軸配向が誘起され、その一軸配向の軸方向が前記電圧の大きさに応じて連続的に回転し、その回転の方向が前記電圧の極性によって異なるものである。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing semiconductor device which can easily form T-type patterns in different degrees of apertures to remarkably reduce the manufacturing processes with the single process of reactive ion etching with a kind of BCB film and a kind of the etching gas, by utilizing the property that the etching characteristic of benzocyclobutene film for reactive ion etching changes isotropically and anisotropically depending on execution of hardening process with the Ar plasma.例文帳に追加

Ａｒプラズマによる硬化処理の有無により反応性イオンエッチングに対するベンゾシクロブテン膜のエッチング特性が異方的、等方的と変わる性質を利用し、ＢＣＢ膜一種、エッチングガス一種で、一度の反応性イオンエッチングでＴ型の開口度の異なるパタンを簡易に形成でき、製造工程の大幅な短縮を図ることができるＴ型ゲート電極有する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Carbon powder for the negative electrode for the lithium secondary battery is manufactured by isotropically compressing the carbon powder, the carbon powder obtained by this method is used for the negative electrode for the lithium secondary battery, the negative electrode for the lithium secondary battery uses or contains the carbon powder, and the lithium secondary battery is composed of this negative electrode and a positive electrode containing a lithium compound.例文帳に追加

炭素粉末を等方性加圧処理することを特徴とするリチウム二次電池負極用炭素粉末の製造法、この製造法により得られるリチウム二次電池負極用炭素粉末、前記の製造法で作製した炭素粉末又は前記の炭素粉末を含有してなるリチウム二次電池用負極及びこの負極及びリチウム化合物を含む正極を有してなるリチウム二次電池。 - 特許庁

The method of manufacturing the microlens substrate includes steps of: forming a rear mask 81 having polygonal opening holes 81b, on a lens substrate 24; anisotropically etching the lens substrate 24 through a fixed mask 82 and the rear mask 81 to form recesses 24a each having an inclined surface inclining from the polygonal mouth to the terminal, in the lens substrate 24; and isotropically etching the recesses 24a to form the microlenses on the lens substrate 24.例文帳に追加

レンズ基板２４上に多角形の開口孔８１ｂを有する後退マスク８１を形成する工程と、固定マスク８２と後退マスク８１とを介してレンズ基板２４に異方性エッチングを施し、レンズ基板２４に多角形の口元から終端に向かって傾斜する傾斜面を有する凹部２４ａを形成する工程と、凹部２４ａに等方性エッチングを施してレンズ基板２４にマイクロレンズを形成する工程と、を有する。 - 特許庁

On the surface of this multilayer structure, a resist layer 38 having an opening 38a is formed, the metal layer 36 is isotropically etched until the barrier metal layer 34 is exposed, then an eaves 38b of the resist layer is removed, and the barrier metal layer 34 is anisotropically etched until the semiconductor substrate 32 is exposed.例文帳に追加

異方性エッチングされない半導体基板３２の上に等方性エッチングされないバリア金属層３４が積層され、バリア金属層３４の上に等方性エッチングされる金属層３６が積層された積層構造の表面に、開口３８ａを持つレジスト層３８を形成し、バリア金属層３４が露出するまで金属層３６を等方性エッチングし、レジスト層の庇部３８ｂを除去し、半導体基板３２が露出するまでバリア金属層３４を異方性エッチングする。 - 特許庁