「Junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(167ページ目) - Weblio英語例文検索

In the structure of a field effect transistor using a nitride semiconductor, the part of a barrier brought into contact with a channel formed near the hetero-junction of a gallium nitride layer and the barrier is formed as the multi-layer structure of an aluminum nitride layer whose thickness is 2 nm or less and a gallium nitride layer whose thickness is 2 nm or less.例文帳に追加

窒化物半導体を用いた電界効果型トランジスタの構造は、窒化ガリウム層とバリアーのヘテロ接合近くに形成されるチャンネルに接するバリアーの部分を、厚さ２ｎｍ以下の窒化アルミニウム層と厚さ２ｎｍ以下の窒化ガリウム層の多層構造とする。 - 特許庁

The organic luminous layer is composed of a combination of organic media which are mixed and continuous, and does not generate a hetero junction phenomenon, and the sum of x, y and z is 100%, and x has a maximum value at a portion close to the anode, and y and z develop maximum values at the cathode portion.例文帳に追加

該有機発光層は混合され且つ連続する有機媒体が組み合わされてなり、ヘテロ接合現象の発生がなく、且つｘ、ｙ、ｚの和が１００％とされ、ｘはアノードに接近する部分が最大値とされ、ｙとｚはカソード部分にあって最大値を現出する。 - 特許庁

With this configuration, the pressure resistance strength of the shoulder part 1c of the connector housing 1 that becomes the junction part of caulking has been improved greatly, thus preventing the resin of the connector housing 1 from being deformed or damaged in manufacturing and hence preventing deformation or deflection from occurring also when measuring a high pressure.例文帳に追加

本構成により、カシメの接合部となるコネクタハウジング１の肩部１ｃの耐圧強度が大きく向上したため、製造時にコネクタハウジング１の樹脂が変形したり、破損したりすることがなくなり、高い圧力を測定する際にも、変形や撓みが発生し難くなった。 - 特許庁

An exhaust control valve 10 to be placed in the bypass passage 7 is opened/closed in response to an opening/closing of an exhaust valve 106 in the second bank 1R so that combustion exhaust gas from the second bank 1R and air passed through the first bank 1L may be mixed favorably in an exhaust-gas junction 12R.例文帳に追加

更に、前記バイパス通路７に介装される排気制御弁１０を、第２バンク１Ｒの排気バルブ１０６の開閉に応じて開閉動作させ、第２バンク１Ｒからの燃焼排気と第１バンク１Ｌを通過した空気とが、排気合流部１２Ｒで良好に混合されるようにする。 - 特許庁

The optical isolator is constituted in such a way that an optical isolator element comprising a square polarizer and a Faraday rotator, and a square pole-shaped magnet are joined, through a junction material, on an arraying substrate having flat plate shape at least on one side.例文帳に追加

また、整列基板が位置決め用のガイド構造になっていても、接合材上に光学素子や磁石を配置するために滴下量が多いと整列基板の所定の位置から光学素子や磁石が位置ずれを起こし、整列基板からはみ出してしまい、有効開口径を確保できない課題があった。 - 特許庁

To provide a repairing or reinforcing method in a junction of a flat tube 1 and a tube plate 3, which provides water resistance, heat resistance, and cold resistance after repairing, and also provides good space fillability and sealability, and durability in a cold and heat repeating test.例文帳に追加

偏平チューブ１とチューブプレート３との付根部における補修方法または補強方法であって、補修後に耐水性、耐熱性、耐寒性を有するとともに、隙間充填性がよくシール性を有し、且つ、冷熱繰返し試験で耐久性を有する補修方法または補強方法の提供。 - 特許庁

Or, this gives hysteresis properties and prevents a malfunction due to noise, by providing three or more resistor elements which divide the voltage of an AC signal and connecting the junction between the resistor elements on the grounding side more than the voltage dividing point and the line of a primary zero cross signal with each other via a resistor element or a diode.例文帳に追加

或いは，交流信号を分圧する３つ以上の抵抗素子を設け，分圧点よりも接地側の抵抗素子の接続点と１次側ゼロクロス信号のラインとを抵抗素子又はダイオードを介して接続することにより，ヒステリス特性を付与してノイズによる誤動作を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with a surface laminated electrode structure which relaxes an intrinsic stress generated after assembly and an extrinsic stress generated under conditions of use, and which is suitable for products having a shallow junction formed at a region particularly near a chip surface.例文帳に追加

組立後に発生する内在応力及び使用条件下で発生する外因性応力を緩和し、とくにチップ表面に近い領域に形成された浅いジャンクションを有する製品に適した表面積層電極構造を備えた半導体装置を提供する。 - 特許庁

To markedly lessen a polysilicon gate electrode and a diffusion layer in sheet resistance and to prevent a leakage current from drastically increasing at a diffused layer junction in a salicide process, through which a semiconductor device is formed.例文帳に追加

半導体装置の形成方法であるサリサイドプロセスにおいて、PolySiゲート電極、拡散層のシート抵抗を大幅に低減し、かつ、拡散層の接合リーク電流増加を大幅に防止する半導体薄膜の形成方法、半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

The circuit module A comprises a first module substrate 1A, an integrated circuit element 4 arranged on the first module substrate, and a second module substrate 1B with a cavity 11 for housing the element 4 formed on the lower surface and junction fixed on the substrate 1A.例文帳に追加

回路モジュールＡは、第１のモジュール基板１Ａと、第１のモジュール基板上に配置された集積回路素子４と、下面に集積回路素子４を収容するキャビティ１１が形成され、第１のモジュール基板１Ａ上に接合固定された第２のモジュール基板１Ｂとを備える。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of suppressing a short-channel effect and an increase in junction capacity in a diffusion layer region while miniaturizing the width of a sidewall and gate length, having low parasitic resistance in the diffusion layer region and excellent in HC (hot carrier) characteristics, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

サイドウォールの幅及びゲート長の微小化を図りつつ、短チャンネル効果及び拡散層領域における接合容量の増大が抑えられ、また、拡散層領域の寄生抵抗が小さく、ＨＣ耐性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

A plug part 7b connectable to a coaxial connector is provided on one end of a main body part 7a in this junction-type equalizer 7, a connector part 7c connectable to a coaxial plug is provided on the other end and a printed board 30 incorporating an equalizer circuit is housed in a space part inside the main body part 7a.例文帳に追加

接栓タイプイコライザ７における本体部７ａの一端に同軸コネクタに接続可能なプラグ部７ｂを、他端に同軸プラグが接続可能なコネクタ部７ｃを設け、本体部７ａの内部の空間部にイコライザ回路が組み込まれたプリント基板３０を収納する。 - 特許庁

To provide a thermoelectric power generation element can be used in a high-temperature environment than in conventional structures, relaxing the thermal stresses so as not to damage the junction due to the difference of the thermal expansion between a thermoelectric material chip and an electrode, and suppressing the decrease in the generated output and generated efficiency.例文帳に追加

従来の構造よりも高温な環境においても使用可能であって、熱電材料チップ及び電極間の熱膨張の差によって接合部が破壊しないように熱応力を緩和しつつ、発電出力及び発電効率の低下を抑えた熱電発電素子を提供する。 - 特許庁

This shock absorbing structure 1 is provided with: plate members 2 extended along a load direction of the impact load F0, and layered so that end parts 5 on this side in a load direction are mutually shifted; and a junction part 3 provided between the plate members 2, and for joining the plate members 2 each other.例文帳に追加

衝撃吸収構造１は、衝撃荷重Ｆ０の荷重方向に沿って延び、荷重方向手前側の端部５が互いにずれるように互いに重ねられた板部材２と、これら板部材２間に設けられ、当該板部材２を互いに接合するための接合部３と、を備えている。 - 特許庁

Subsequently, steps D and E pressurize and insert the stud 4a into the both-side wall 6A, and closely attach a side face 4b of the stud 4a onto an inner face 6Aa of the both-side wall 6A, then joint the stud bump 4 to the both-side wall 6A by heating the metal junction film 8.例文帳に追加

その後、工程Ｄおよび工程Ｅにおいて、スタッド４ａを両側壁６Ａの内側に加圧挿入し、スタッド４ａの側面４ｂを両側壁６Ａの内側面６Ａａに密着させてから、金属接合膜８を加熱することによりスタッドバンプ４を両側壁６Ａに接合させる。 - 特許庁

A sealing ring 50 is provided in the connection part of the motor sheath 10 and the junction 20, and the sealing ring 50 seals the connection part, also blocks the space in the axial direction around the rotary shaft, and prevents the dust from the side of the handpiece 200 for medical treatment from intruding the bearing 15 and the motor components.例文帳に追加

モータシース１０とジャンクション２０との連結部にシールリング５０を有し、該シールリング５０は、前記連結部をシールするとともに、前記回転軸まわりの軸方向の空間を遮断し、治療用ハンドピース２００側からの塵埃がベアリング１５やモータ構成部品に侵入するのを防止する。 - 特許庁

To provide an electronic device holding boards in a case that precisely positions first and second boards held in the case, and prevents a stress developed between the first and second boards from acting on the position of junction between the first and second boards.例文帳に追加

本発明はケース内部に基板を収納する電子機器に関し、ケース内に収納される第１及び第２の基板を精度良く位置決めできると共に第１の基板と第２の基板間に発生する応力が第１及び第２の基板の接合位置に印加されることを防止することを課題とする。 - 特許庁

To solve a problem that leading data can not be correctly extracted when the transfer to an inertial mode exists in a next ECC block after the transfer to a direct detection mode at the breakpoint of an ECC block at the reproduction of a format wherein synchronizing signals are not continuous at a junction of the ECC blocks for each other.例文帳に追加

ＥＣＣブロック同士のつなぎ目において、同期信号が連続していないフォーマットの再生時には、ＥＣＣブロックの区切りで直接検出モードに移行した後、慣性モードへの移行が次のＥＣＣブロック内であると、先頭のデータが正しく抽出できない。 - 特許庁

To provide a mesa type semiconductor device of high withstand voltage and high reliability by solving problems with a mesa type semiconductor device, which are deterioration in a withstand voltage and occurrence of a leakage current caused by reduced thickness of a second insulation film 10 on an inner wall 11 of a mesa groove corresponding to a PN junction PNJC, and to provide its method for manufacturing.例文帳に追加

ＰＮ接合部ＰＮＪＣに当たるメサ溝内壁１１の第２の絶縁膜１０の厚みが薄くなり耐圧の劣化やリーク電流が発生するという問題を解決し高耐圧、高信頼性のメサ型半導体装置及びその製造方法の確立を図る。 - 特許庁

A shrinkage stress absorbing section 22 which absorbs the shrinkage stress of the lower case 18 is provided on the whole outer periphery of the heat sink 209, namely, at the portion of the lower case 18 which is positioned on the whole outer periphery of the junction between the heat sink 20 and the opening 1811.例文帳に追加

そして、放熱板２０の外側全周、すなわち放熱板２０と開口部１８１１との接合部分１８１２の外側全周に位置する下ケース１８の箇所には、下ケース１８の収縮応力を吸収する収縮応力吸収部２２を設ける構成にした。 - 特許庁

Close to a corner part of a lower surface 3a of a diaphragm 3 provided in a column-beam junction part 2 in a steel pipe concrete column 1, a gradient block 10 provided with a gradient surface inclined toward a concrete placing hole 6 formed in the diaphragm 3 is installed in a part of it through a bolt or the like.例文帳に追加

鋼管コンクリート柱１の柱梁接合部内２に設けられたダイアフラム３の下面３ａの隅角部近傍に、その一部にダイアフラム３に形成されたコンクリート打設孔６に向かって傾斜する勾配面が形成された勾配ブロック１０を、ボルト等を介して取り付ける。 - 特許庁

A plate-like positive electrode-wiring member 27 and a plate-like negative electrode-wiring member 28 are bonded to circuit patterns 24b and 24c of the substrate 22 by ultrasonic junction in a terminal part, so that they are closely overlapped in a state where they become parallel to the substrate 22 and they are mutually insulated.例文帳に追加

基板２２と平行に、かつ相互に絶縁された状態で近接して重なるように、平板状の正極用配線部材２７及び負極用配線部材２８が、端子部において基板２２の回路パターン２４ｂ，２４ｃに超音波接合で接合されている。 - 特許庁

This junction gate field effect transistor(JFET) 30 has an n-type channel region 14 on a GaAs substrate 12, a p-type gate region 16 on the surface of the channel region, and a gate electrode 20 connected to the gate region through an insulating region 32 on the substrate.例文帳に追加

ＪＦＥＴ３０は、ＧａＡｓ基板１２に設けられたｎ型チャネル領域１４と、チャネル領域の表層部に設けられたｐ型ゲート領域１６と、基板上に設けられた絶縁膜３２を貫通してゲート領域と接続するゲート電極２０とを備える。 - 特許庁

For that reason, it is possible to air-tighten the cylindrical shaft 30 itself and the junction site of the cylindrical shaft 30 and the ceramic substrate 20, and to make a thermal expansion coefficient of the end part of the ceramic substrate side out of the cylindrical shaft 30 closer to that of the ceramic substrate 20.例文帳に追加

このため、筒状シャフト３０自身の気密化や筒状シャフト３０とセラミック基板２０との接合部位の気密化を図ったり、筒状シャフト３０のうちセラミック基板側の端部の熱膨張係数をセラミック基板２０の熱膨張係数に近付けたりすることが可能となる。 - 特許庁

To improve the characteristic of a leakage current of stored electrode junction by forming a gate on the upper part of an Si epitaxial layer having a level difference to increase the effective length of a gate channel, and by forming an oxide film only on the interface between an Si epitaxial layer of a lower part of a bit line contact and a semiconductor substrate.例文帳に追加

段差のあるＳｉエピタキシャル層の上部にゲートを形成してゲートチャンネルの有効長さを増加させ、ビットラインコンタクトの下部のＳｉエピタキシャル層と半導体基板の界面にのみ酸化膜を形成することにより、格納電極接合の漏洩電流の特性を改善する。 - 特許庁

As a result, a bump having the bump bent tip part and the interval between the tip part of the bump and the upper surface of the bump tip part of 10 to 30 μm, which is positioned inside the junction surface of the bump pedestal part and the chip electrode, can be obtained.例文帳に追加

これにより、バンプ先端部が曲がっており、バンプ先端部の頂部とバンプ台座部の上面との間隔Ｄが１０μｍ以上３０μｍ以下であり、かつバンプ先端部が、チップ電極の平面視においてバンプ台座部とチップ電極との接合面内（Ｒ内）に位置しているバンプが得られる。 - 特許庁

To an information center 20, an on-vehicle terminal 10 transmits a present position acquired by a position information acquisition part 14, destination information inputted into a route search part 15, map mesh information prepared by the search part 15, entry/exit information on express ways, and junction information.例文帳に追加

車載端末機１０は位置情報取得部１４によって取得した現在位置やルート探索部１５に入力された目的地情報、ルート探索部１５によって作成された地図メッシュ情報さらに高速道路の入口出口情報、ジャンクション情報を情報センタ２０へ送信する。 - 特許庁

The p^+-layers 15 project to inside of an n^--layer 5, and an electric field around the p^+-layers 15 can be intensified, so that breakdown voltage at a Zener diode structure of pn junction composed of the p^+-layers 15 and the n^--layer 5 can be dropped to be lower than the breakdown voltage in the cell region.例文帳に追加

Ｐ＋層１５は、Ｎ−層５の内部に突き出ており、Ｐ＋層１５の周囲の電界を強くすることができるので、Ｐ＋層１５およびＮ−層５からなるＰＮ接合のツェナーダイオード構造部分の降伏電圧をセル領域の降伏電圧よりも下げることができる。 - 特許庁

To provide a junction technique which prevents the generation of defective welding when the opening part of the first pipe is joined to the end part of the second pipe to obtain a T-shaped, Y-shaped, or cross-shaped thermo plastic resin pipe.例文帳に追加

第一パイプの開口部と第二パイプの端部とを溶着してＴ字状・Ｙ字状・十文字状等の熱可塑性樹脂製パイプを得るに際して、これらのパイプの一部が溶けてしまったり、溶着不良になったりすることのない接合技術を提供することを目的とする。 - 特許庁

When manufacturing the flow channel configured body 1, junction of a first resin formed member 2 to a second resin formed member 3 results in formation of a channel 5 by closing a channel forming groove 21 with the second resin formed member 3, and communication of a penetrated hole 32 for injecting the sample liquid to the channel 5.例文帳に追加

流路構成体１を製造する際、第１の樹脂成形部材２と第２の樹脂成形部材３とを接合すると、流路形成溝２１が第２の樹脂成形部材３で塞がれて流路５が形成されるとともに、試験液注入用の貫通穴３２が流路５に連通する。 - 特許庁

To provide the junction structure of a sandwich lamination board that is not deformed or released and is suited for the outer wall, the inner wall, the partition, or the like of a building even if it is thermally affected or an adhesive deteriorates while constantly maintaining the gap between composite boards for composing the sandwich lamination board.例文帳に追加

サンドイッチ積層板を構成する複合板の間隔を一定に保ち，熱的影響を受けても、また接着剤が劣化しても，変形したり，剥離することはなく，建築物の外壁や内壁および間仕切り等に好適するサンドイッチ積層板の接合構造を提供することにある。 - 特許庁

The barrier conductor 8 on the bottom of a plug 11b is in contact with the n^--type semiconductor region 2 and the p^+-type semiconductor region 5 for connection with the p^+-type semiconductor region 5 in ohmic manner, and then Schottky junction is formed between the barrier conductor film and the n^--type semiconductor region 2.例文帳に追加

プラグ部１１ｂの底部のバリア導体膜８は、ｎ^−型半導体領域２とｐ^＋型半導体領域５の両者に接し、ｐ^＋型半導体領域５とオーミック接続するが、ｎ^−型半導体領域２との間にショットキ接合が形成されている。 - 特許庁

Since the solid oxide fuel cell manufactured like that is provided with an interfacial surface layer 155 of an oxide containing Cr as a main constituent on a surface of the brazing material 153 on the solid electrolyte body 157 side, they are tightly fitted to each other on the interfacial surface thereof, and have high junction strength.例文帳に追加

この様にして製造された固体電解質型燃料電池においては、ろう材１５３の固体電解質体１５７側の表面に、Ｃｒを主成分とする酸化物の界面層１５５を備えているので、その界面にて隙間無く密着し、高い接合強度を有する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of high quality in which an IGBT type formation region and a formation region for a control circuit thereof etc., are separated by a PN junction separating method, a leakage current from an IGBT is not generated, and a CMOS transistor such as the control circuit never latches up and so on.例文帳に追加

ＩＧＢＴ形成領域とその制御回路等形成領域とをＰＮ接合分離法で分離し、且つＩＧＢＴからの漏れ電流が発生せず、制御回路等のＣＭＯＳトランジスタがラッチアップ等することのない高品質の半導体装置を実現する。 - 特許庁

In a superconducting integrated circuit to be provided, a superconductor lower electrode, a tunnel barrier, and a superconductor upper electrode which is shaped to form a junction of fine geometry by etching are stacked in this sequence from the bottom, and a high-resolution photosensitive polyimide insulating layer having via holes of fine geometry is arranged thereon.例文帳に追加

本発明の超伝導集積回路は、基板上に、下から下部超伝導電極、トンネルバリア、微細な接合形状にエッチング加工された上部超伝導電極の順で積み上げ、微細なビアホールを有する高解像感光性ポリイミド絶縁層を配置する。 - 特許庁

Thus, the distance from the isolated layer pn junction 7 to the active end 6 in the corner (arcuate portion) is made larger than that in a straight part, and the punch through of a depletion layer is prevented from being performed at the corner earlier than the straight part, thereby obtaining the sufficient reverse breakdown strength.例文帳に追加

このようにすることで、コーナー部（円弧を描く部分）における分離層ｐｎ接合７から活性部端６までの距離は、直線部におけるそれに比べて大きくして、空乏層がコーナー部で直線部より先にパンチスルーするのを防止して十分な逆耐圧を得るようにする。 - 特許庁

In this junction connector 1, when the modular plug is inserted from its insertion holes 3, 4 provided at both ends of a case 2 into the known plug housing part in which an engaging means with modular plugs is provided in the insertion holes 3, 4, the contact of the modular plug contacts with an end part of a jumper 8.例文帳に追加

中継コネクタ１は、筐体２の両端に設けられた挿入口３，４それぞれからこの挿入口３，４内部にモジュラープラグとの係合手段が設けられた公知のプラグ収容部にモジュラープラグを挿入すると、モジュラープラグの接点と、短絡端子８の端部とが接触する。 - 特許庁

A loop antenna of the present invention is installed in the vicinity of the junction, where a plurality of pathways for transportation robots are joined; a robot transmits a robot detection signal to the transmission path to notify other robots of its presence; and the other robots that have received the signal stop traveling temporarily and avoid collision.例文帳に追加

複数のロボット用経路が合流する合流点付近に本発明のループアンテナを設置し、ロボット検出信号を該伝送路に送信することで自身の存在を他のロボットに報知し、該信号を受信したロボットは一時的に走行を停止して衝突を回避する。 - 特許庁

The solar battery is manufactured by shallowly boring a substrate for maintaining mechanical strength beforehand, injecting melt pulverized silicon having P-type and N-type conductivity through a mask on the substrate, after forming a PN-junction, and combining an activating process and an electrode forming process.例文帳に追加

機械的強度を維持する為の基盤に予め浅く穿孔し、当該基板上に、溶融微粉化シリコンにＰ型及びＮ型伝導性を付与してマスクを介して噴射し、ＰＮ接合を形成した後、活性工程、電極形成工程を組み合わせて作成された、太陽電池。 - 特許庁

In the water- filling unit A, a water supply pipe 10 for supplying cold or hot water is communicated with the circulation pipe 2 and a switching valve 11 for opening and closing communication between the water supply pipe 10 and a circulation pipe 8 at the junction between the water supply pipe 10 and the circulation pipe 2.例文帳に追加

水張りユニットＡで水又は湯を供給する給水管路１０と循環管路２とを連通させると共に給水管路１０と循環管路２との連結部分に給水管路１０と循環管路８との連通を開閉する切り替え弁１１を設ける。 - 特許庁

To provide a substrate bonding method for achieving a high-reliability junction while eliminating the occurrence of dew condensation in a cavity and that of package cracks during mounting in reflow or the like, and also, eliminating the occurrence of cracks in a glass substrate and semiconductor substrate without executing press-bonding; and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

キャビティ内の結露の発生やリフロー等での実装時におけるパッケージクラックの発生をなくし、かつ圧着をなくしてガラス基板や半導体基板でのクラックの発生をなくすと共に、接合部の信頼性の高い基板の接合方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

The photoelectric conversion element has an approximately spherical shape, where a p-type amorphous SiC (abbreviated as a-SiC) layer 8 having a wider optical bandgap than that of an amorphous Si (abbreviated as a-Si) is coated on the outer surface of an n-type a-Si layer 7 at a center side, and thereby a PN-junction is formed.例文帳に追加

光電変換素子はほぼ球状であり、中心側のｎ形アモルファスＳｉ（略称ａ−Ｓｉ）層７の外周面上に、ａ−Ｓｉよりも光学的バンドギャップが広いｐ形アモルファスＳｉＣ（略称ａ−ＳｉＣ）層８を被覆し、ｐｎ接合を構成する。 - 特許庁

Switching arms for a small current and a large current are provided in parallel between the positive and negative terminals of a DC power source, and one end of the test specimen is connected via reactor to the series junction between switching elements constituting the arm, and the other end is connected to one end of a voltage accumulating circuit.例文帳に追加

直流電源の正，負端子間に小電流用と，大電流用のスイッチングアームを並列に設け，該アームを構成するスイッチング素子の直列接続点にリアクトルを介して被試験体の一端を接続し，他端を電圧蓄積回路の一端に接続する。 - 特許庁

In a source/drain junction of a DDD structure which is made up of a high concentration impurity region and a low concentration impurity region surrounding it, the high concentration impurity region, which is formed parallel to a gate electrode at a distance apart from only a position with a contact hole to be formed, is included.例文帳に追加

高濃度不純物領域とこれを取り囲む低濃度不純物領域とからなるＤＤＤ構造のソース／ドレイン接合部において、コンタクトホールが形成されるべき位置だけ離隔した距離にゲート電極と平行に形成された高濃度不純物領域を含む。 - 特許庁

The nano particles NP of silicon are used as the nano particles NP, a p-type polysilicon film and an n-type polysilicon film are deposited to form a solar battery having a polysilicon pn-junction serving as a photoelectric conversion part, whereby not only quality can be improved but also a manufacturing cost can be reduced.例文帳に追加

ナノ粒子ＮＰとしてシリコンのナノ粒子ＮＰを用い、ｐ型ポリシリコン膜とｎ型ポリシリコン膜とを堆積して、ポリシリコンｐｎ接合部を光電変換部とする太陽電池を製造することにより、品質の向上だけでなく、製造コストの低減を図ることができる。 - 特許庁