「Junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(182ページ目) - Weblio英語例文検索

After forming an insulated adhesive material resin on the resin circuit board, the projection electrode of the semiconductor device and the wiring pattern of the resin circuit board are abutted and thermally press-fixed, a diffused junction layer is formed and a mounting body is formed.例文帳に追加

半導体装置の突起電極の表面材料と、樹脂回路基板の配線パターンの表面材料を、前記樹脂回路基板の耐熱温度より低い温度で拡散接合ができる二つの金属により構成し、樹脂回路基板上に絶縁性接着剤樹脂を形成した後に、半導体装置の突起電極と樹脂回路基板の配線パターンを当接させて熱圧着して拡散接合層を形成して実装体を形成する。 - 特許庁

The thickness of the oxide layer in the first zone is larger than that of the oxide layer in the second zone, the thickness of the oxide layer in a transition region 108 between the first and second zones gradually decreases from the first zone toward the second zone, and a p-n junction part 114 between the first and second regions terminates at the trench adjacent to the transition region of the oxide layer.例文帳に追加

第１の区域における酸化物層の厚さは第２の区域における酸化物層の厚さよりも厚く、第１及び第２区域の間の遷移領域１０８における酸化物層の厚さは、第１の区域から第２の区域へと徐々に薄くなり、第１の領域と第２の領域との間のＰＮ接合部１１４は、酸化物層の遷移領域に隣接したトレンチで終端をなす。 - 特許庁

In the semiconductor device composed of a semiconductor wafer 1, an element isolation region 3 formed on the surface of this semiconductor wafer, a complementary MIS transistor formed on the semiconductor wafer and a Schottky barrier diode formed inside a region, which is surrounded with the element isolation region, on the semiconductor wafer, Schottky junction 8a comprising the Schottky barrier diode is formed away from the element isolation region for a fixed distance.例文帳に追加

半導体基板１と、該半導体基板表面に形成された素子分離領域３と、前記半導体基板上に形成された相補型ＭＩＳトランジスタと、前記素子分離領域に囲まれた半導体基板上の領域内に形成されたショットキーバリアダイオードとからなり、該ショットキーバリアダイオードを構成するショットキー接合８ａが前記素子分離領域から一定距離離れて形成されてなる半導体装置。 - 特許庁

The manufacturing method of the solar cell at least having a front electrode at a light reception surface side, a semiconductor substrate having a pn junction, and a rear electrode comprising the aluminum electrode includes a process for applying aluminum paste to the rear electrode side of the semiconductor substrate, repeating heat treatment operation for a plurality of times, and forming the rear electrode.例文帳に追加

受光面側の表面電極、ｐｎ接合を有する半導体基板、およびアルミニウム電極からなる裏面電極を少なくとも具備する太陽電池の製造方法であって、半導体基板の裏面電極側にアルミニウムペーストを塗布し、熱処理する操作を複数回繰り返して、裏面電極を形成する工程を含むことを特徴とする太陽電池の製造方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

In this manufacturing method for the membrane-electrode junction used for arranging and integrating a cathode and an anode comprising electrodes having catalyst layers on/with both surfaces of a solid polymer electrolyte membrane, a cation exchange membrane and/or the catalyst layer is formed by using a dispersion liquid prepared by dispersing an ion exchanger polymer comprising a fluorine-containing polymer having a sulfonic acid group and a fibril-like fluorocarbon polymer in a dispersion medium.例文帳に追加

固体高分子電解質膜の両面に、触媒層を有する電極からなるカソード及びアノードを配置し一体化させる膜・電極接合体の製造方法において、スルホン酸基を有する含フッ素重合体からなるイオン交換体ポリマーとフィブリル状のフルオロカーボン重合体とが分散媒に分散された分散液を用いて前記陽イオン交換膜及び／又は前記触媒層を形成する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the junction, a first circuit member and a second circuit member are electrically joined via an anisotropic conductive film, and the first circuit member is a flexible printed board and when jointing it with the second circuit member, the flexible printed board the water content of which is 1.5 to 3.0 mass% is connected to the second circuit board.例文帳に追加

第１の回路部材と第２の回路部材とが、異方性導電フィルムを介して電気的に接合されてなる接合体の製造方法であって、前記第１の回路部材が、フレキシブルプリント基板であり、第２の回路部材との接合時において、基材の含水率が１．５質量％〜３．０質量％である前記フレキシブルプリント基板を前記第２の回路部材に接続する接合体の製造方法。 - 特許庁

In a gate electrode 103 that is formed on a compound semiconductor layer 100 composed of GaN, an Ni layer 41 formed by Schottky junction, a low-resistance metal layer 42 that is composed of one metal selected from the group consisting of Au, Cu, and Al, and a Pd layer 44 formed between the Ni layer 41 and the low-resistance metal layer 42 are provided on the compound semiconductor layer 100 composed of GaN.例文帳に追加

ＧａＮからなる化合物半導体層１００上に形成されたゲート電極１０３において、ＧａＮからなる化合物半導体層１００上でショットキー接合してなるＮｉ層４１と、Ａｕ、Ｃｕ及びＡｌからなる群から選択された１種の金属からなる低抵抗金属層４２と、Ｎｉ層４１と低抵抗金属層４２との間に形成されたＰｄ層４４を設けるようにする。 - 特許庁

The transistor 100 in one embodiment includes: a graphene film 10 which has a conductor region 10a and a semiconductor region 10b where atoms are bonded to a surface, and functions as a channel; and a gate electrode 12 formed on the graphene film 10 with a gate insulating film 11 interposed, wherein a tunnel current of a Schottky junction that is formed by the conductor region 10a and semiconductor region 10b is used for switching operation.例文帳に追加

本発明の一態様に係るトランジスタ１００は、導体領域１０ａと表面に原子が結合した半導体領域１０ｂとを有し、チャネルとして機能するグラフェン膜１０と、グラフェン膜１０上にゲート絶縁膜１１を介して形成されたゲート電極１２と、を有し、導体領域１０ａと半導体領域１０ｂが形成するショットキー接合のトンネル電流をスイッチング動作に用いる。 - 特許庁

When a solar cell, especially a multi-junction solar cell other than a silicon crystal based solar cell, is measured, a reference cell device 2 is constituted by applying a protective device 4 consisting of a shading member 41 such as a shutter, and its open/close mechanism 42 onto a reference cell 3 if the reference cell 3 consists of a pseudo-cell where an optical filter 32 is stuck onto a stable silicon sensor 31.例文帳に追加

前記太陽電池として、シリコン結晶系以外の特に多接合型の太陽電池を測定するにあたって、前記基準セル３が、安定なシリコンセンサ３１の上に光学フィルタ３２を貼り付けた擬似セルで構成される場合に、該基準セル３上に、シャッタなどの遮光部材４１と、その開閉機構４２とを備えて構成される保護装置４を被せて基準セル装置２を構成する。 - 特許庁

Water vapor permeability of the sealing film at 40°C, 90% RH is 0.05 g/m^2/day or less, and a desiccant layer is disposed in between the electroluminescent cell and a junction part of the sealing film.例文帳に追加

少なくとも一方が透明である一対の対向する電極間に挟持された発光層を有するエレクトロルミネッセンスセルが封止フィルムによって接合封止された分散型エレクトロルミネッセンス素子において、該封止フィルムの４０℃−９０％ＲＨでの水蒸気透過率が０．０５ｇ／ｍ^2／ｄａｙ以下であり、該エレクトロルミネッセンスセルと該封止フィルムの接合部分との間に乾燥剤層が配置されていることを特徴とする分散型エレクトロルミネッセンス素子。 - 特許庁

To provide a solar cell of high energy conversion efficiency by reducing recombination of carrier by partially providing an insulating layer to a junction interface between a back electrode film and a semiconductor thin film which becomes a light absorbing layer, and by reducing defect density and improving carrier concentration by adding Ia group element or Vb group element to a partial insulating layer and diffusing it to the semicondcutor thin film.例文帳に追加

裏面電極膜と光吸収層となる半導体薄膜の接合界面に部分的に絶縁層を設けることによりキャリアの再結合を低減し、かつ部分的な絶縁層にＩａ族元素あるいはＶｂ族元素を添加することにより半導体薄膜へ拡散させて、欠陥密度の低減やキャリア濃度の向上を行い、エネルギー変換効率の高い太陽電池を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 comprises a surface-mounted diode 100d which has an n conduction type impurity diffusion region 12 and a p conduction type impurity diffusion region 13 arranged adjacently to each other in the surface layer of a semiconductor substrate 11, and which is structured by forming a pn junction S at the interface between the n conduction type impurity diffusion region 12 and p conduction type impurity diffusion region 13.例文帳に追加

半導体基板１１の表層部において、隣接して配置されるｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３とを有し、ｎ導電型不純物拡散領域１２とｐ導電型不純物拡散領域１３の界面でＰＮ接合部Ｓが形成されてなる表面型ダイオード１００ｄを備える半導体装置１００とする。 - 特許庁

The bias circuit for use with a receiving amplifier is so constructed that a resistor is connected in series between a drain electrode of a field effect transistor and a drain bias terminal, at least two resistors are connected in series between the drain electrode and a gate bias terminal, and a junction connecting two of the two or more series-connected resistors is connected to a gate electrode.例文帳に追加

バイアス回路は、受信用増幅器に用いられるバイアス回路であって、電界効果型トランジスタのドレイン電極とドレインバイアス端子の間に抵抗が直列に接続され、上記ドレイン電極とゲートバイアス端子の間に少なくとも２個以上の抵抗が直列に接続され、上記直列接続された２個以上の抵抗のうち２個の抵抗が接続される接続点を上記ゲート電極に接続する。 - 特許庁

The device is provided with first, second and third gate electrodes each disposed in a predetermined area in a semiconductor substrate, first, second and third gate insulating films each interposed between the first, second and third gate electrodes and the semiconductor substrate, and first, second and third junction areas each disposed in the semiconductor substrate at both sides of the first, second and third gate electrodes.例文帳に追加

この装置は半導体基板の所定領域に各々配置される第１、第２および第３ゲート電極と、前記第１、第２および第３ゲート電極と前記半導体基板との間に各々介在された第１、第２および第３ゲート絶縁膜と、前記第１、第２および第３ゲート電極の両側の半導体基板内に各々配置される第１、第２および第３接合領域とを具備する。 - 特許庁

When joining a pipe 1, where at least a part of a portion 3 to be joined is made of crosslinkable polyolefin, to the junction part 4 of a pipe-joining component 2 made of another crosslinkable polyolefin, the portion 3 and the part 4 are fused together by ultrasonic welding, followed by letting warm water flow into the pipe 1 so as to cause crosslinking between crosslinkable polyolefin materials.例文帳に追加

被接合部３の少なくとも一部が架橋可能なポリオレフィンからなるパイプ１に、架橋可能なポリオレフィンからなるパイプ接続用部品２の接合部４を接合する樹脂製品の接合方法であって、超音波融着により前記被接合部３と前記接合部４とを融着した後に、パイプ１内に温水を流して架橋ポリオレフィン材料間を架橋状態とする樹脂製品の接合方法。 - 特許庁

The number of array units is the minimum number of alternative arrays 12 satisfying the condition that the number of whole array units must be a power of two while satisfying the number of array units as an array 11 for execution which is necessary for execution, for satisfying the condition for keeping both the chip size and the junction mounting density at minimum by having the minimum number of alternative arrays.例文帳に追加

アレーユニットの数は、実行に必要な実行用アレー１１としてのアレーユニット数を満足しながら、全アレーユニット数は２のべき乗個でなければならないとする条件を満足する最小限の代替アレー１２の数とし、この最小限の代替アレーの数を有することによりチップサイズと接合実装密度の両方を必要最小限にする条件を満足するように構成する。 - 特許庁

To provide a skin care preparation that has an excellent production acceleration effect on tight junction constitutional protein and an excellent production acceleration effect on ceramide and can effectively make the prophylaxis and improvement of skin symptoms such as skin chapping, atopic dermatitis, and various infectious diseases and also make the improvement of such change with aging in skin properties as gerontal xeroderma by means of improving the barrier function and moisture-keeping function.例文帳に追加

優れたタイトジャンクション構成タンパク質産生促進効果および優れたセラミド産生促進効果を有し、バリア機能および水分保持機能を向上させることにより、荒れ肌、アトピー性皮膚炎、各種感染症などの皮膚症状の予防・改善、および老人性乾皮症などの加齢による皮膚性状の変化の改善を効果的に行うことができる皮膚外用剤の提供。 - 特許庁

To provide an electric muscle stimulation harness easily positioning electrodes at positions for stimulating neuromuscular junction of muscles, or the objects of an exercise, in a device used for, for example, rehabilitation and an exercise apparatus when electrically stimulating the muscles for developing the muscles using the contraction of the muscles by electric stimulation.例文帳に追加

例えばリハビリテーション用や運動器具用として使用されるものであって、筋肉を電気的に刺激することにより筋肉が収縮するのを利用して筋肉を鍛える電気的筋肉刺激を行うに際し、電極が運動の対象となる筋肉の神経筋接合部を刺激することができる位置に設定されるように、電極の位置決めを簡便に行うことができる電気的筋肉刺激用着用具を提供する。 - 特許庁

With respect to the connection structure of waveguides of which the flanges in end parts are to be joined, a square groove is formed in a junction face of at least one flange, and the water-swelling member is disposed in the groove, and a marginal space wherein the swelling water-swelling member is to be stored is formed in at least one corner of the groove.例文帳に追加

本発明に係る導波管の接続構造において、該接続構造は端部のフランジ同士が接合される導波管の接続構造であり、少なくとも一方のフランジの接合面に方形状の溝が形成されており、該溝には水膨張性部材が配置され、該溝の少なくとも１つの角部には膨張する前記水膨張性部材を収容する遊び部空間が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

A semiconductor device having an InP channel layer 3 and a Schottky layer 5 forming gates of hetero-junction FETs using the InP channel layer 3 comprises an InGaP grated layer 4 inserted between the Schottky layer 5 and the channel layer 3, the grated layer 4 matches it with the lattice constant of the AlGaAs Schottky layer different from the lattice constants of the substrate and the channels, thereby raising ΦB.例文帳に追加

ＩｎＰチャネル層を用いたヘテロ接合ＦＥＴにおけるゲートが形成されるショットキー層５とＩｎＰチャネル層３とを備えた半導体装置において、ショットキー層５とＩｎＰチャネル層３との間に挿入されたＩｎＧａＰグレーティッド層４を備え、ＩｎＧａＰグレーティッド層４が、基板およびチャネルの格子定数と異なった格子定数のＡｌＧａＡｓショットキー層と格子整合させて、ΦＢを大きくする。 - 特許庁

In the planar thin-film SQUID differential magnetic flux sensor which has a primary or more differential magnetic flux detecting coil for measuring a magnetic field differentiation, a SQUID ring is directly coupled with the magnetic flux detecting coil such that bias current flows in the Josephson junction in the SQUID ring along a direction parallel to a direction of an exciting magnetic field.例文帳に追加

平面薄膜型ＳＱＵＩＤ微分型磁束センサにおいて、磁界微分を計測する一次以上の微分型磁束検出コイルを有する平面薄膜型ＳＱＵＩＤ微分型磁束センサにおいて、励磁磁場の方向と、ＳＱＵＩＤリング中のジョセフソン接合部に流れるバイアス電流の方向が平行になるようにＳＱＵＩＤリング部と磁束検出コイルを直接結合させることを特徴とする。 - 特許庁

In this photovoltaic device wherein an electron accepting organic layer and an electron donating organic layer, whose junction generates an internal electric field, are laminated in between the two electrodes at least one of which is translucent, the electron donating organic layer comprises a polycarbonate resin, and the polycarbonate resin comprises polycarbonate structural units which contain a nitrogen atom in the molecular main chain or in the molecular side chain.例文帳に追加

本発明の光起電力素子は、少なくとも一方が透光性である２つの電極の間に、接合により内部電界を生じる電子受容性有機物層と電子供与性有機物層が積層された光起電力素子において、該電子供与性有機物層がポリカーボネート樹脂を含有し、該樹脂はその分子主鎖中又は分子側鎖中に窒素原子を含むポリカーボネート構造単位を含有する。 - 特許庁

To provide an MOS transistor having a high drain breakdown voltage, small capacitance between a drain-source region and a gate electrode, and a high junction breakdown voltage of a channel stop and a source-drain region formed under a field oxide film, which are impossible in a conventional MOS transistor having an LDD structure and having an intermediate breakdown voltage structure capable of controlling the drain breakdown voltage.例文帳に追加

本発明は、従来のＬＤＤ構造を有するＭ０Ｓ型トランジスタでは不可能であったドレイン耐圧が大きく、ドレイン・ソース領域とゲート電極間の容量が小さく、フィールド酸化膜下に形成されたチャネルストップとソース・ドレイン領域の接合耐圧の高い、しかもそのドレイン耐圧を制御することのできる中耐圧構造を有するＭＯＳ型トランジスタを提供することを目的とする。 - 特許庁

The material-introducing device is provided with an inflow part for inflow of particles, a plurality of outflow part for outflow of the particles, a flow path connecting the inflow part and the outflow parts, a junction dividing the flow path on the inflow part side and the flow path on the plurality of outflow part and at least a material introducing part for introducing liquid material into the particles flowing in the flow path.例文帳に追加

粒子が流入する流入口と、前記粒子が流出する複数の流出口と、前記流入口と前記流出口とを連結する流路と、前記流入口側流路と前記複数の流出口側流路とを分岐する分岐部と、前記流出口側流路上に、当該流路を流れる前記粒子に液体物質を導入する少なくとも一つの物質導入部と、を備える。 - 特許庁

In the photoelectric converting device 1, there are laminated on a conductive substrate to be an one-side electrode 31, a porous semiconductor layer 24 comprising a sintered body formed out of one-conductivity type granular semiconductors 10 via grain-boundary junction layers 32 each of which has a higher impurity concentration than the granular semiconductor 10, and an opposite-conductivity type semiconductor layer 11 wherewith an other-side electrode 16 is connected.例文帳に追加

光電変換装置１は、一方の電極３１となる導電性基板上に、一導電型の粒状半導体１０が粒状半導体１０よりも不純物濃度が高い粒界接合層３２を介した焼結体からなる多孔質半導体層２４及び逆導電型の半導体層１１が積層されており、半導体層１１に他方の電極１６が接続されている。 - 特許庁

The hetero junction field effect transistor includes: a nitride semiconductor layer including a barrier layer 40 and a cap layer 50 formed on the barrier layer 40; a gate electrode 90 provided on the nitride semiconductor layer so that a lower part of the gate electrode 90 is embedded in the nitride semiconductor layer; and a surface protection film 100 formed on the nitride semiconductor layer and made of an insulation film that does not contain Si.例文帳に追加

本発明に係るヘテロ接合電界効果トランジスタは、バリア層４０及びバリア層４０上に形成されたキャップ層５０を含む窒化物半導体層と、前記窒化物半導体層に下部を埋没するようにして前記窒化物半導体層上に設けられたゲート電極９０と、前記窒化物半導体層上に形成されたＳｉを含まない絶縁膜からなる表面保護膜１００とを備える。 - 特許庁

A crystal silicon thin film semiconductor device is characterized by the fact that a first polycrystalline silicon layer 3, which is, at least, partially turned porous, is provided on a substrate 1, and a PN junction is formed in the first polycrystalline silicon layer 3 or between a second polycrystalline silicon layer 4B which is provided coming into contact with the first polycrystalline silicon layer 3 and a third polycrystalline silicon layer 5.例文帳に追加

基板１の上に、少なくとも一部が多孔質化された第１の多結晶シリコン層３を有するとともに、前記第１の多結晶シリコン層３の中で、または前記多結晶シリコン層３に接して設けられた第２の多結晶シリコン層４Ｂおよび第３の多結晶シリコン層５の間に、ＰＮ接合が形成されていることを特徴とする結晶シリコン薄膜半導体装置を提供する。 - 特許庁

The tire 11 includes a bead containing a circumferential reinforcement structure 20, a crown including a reinforcement structure 30, a side wall 50, carcass reinforcement material 60 fixed on the circumferential direction reinforcement structure 20, a junction zone 70 formed by superposition of plies themselves, and cover strips 80, 81 formed by rubber compound reinforced by reinforcement thread 95 oriented in a radial direction.例文帳に追加

タイヤ（１１）が、円周方向補強構造体（２０）を収容したビードと、補強構造体（３０）を有するクラウンと、サイドウォール（５０）と、円周方向補強構造体（２０）に固着されたカーカス補強材（６０）と、プライ自体の重ね合わせによって形成された接合ゾーン（７０）と、半径方向に向けられた補強スレッド（９５）によって補強されたゴムコンパウンドで形成されたカバーストリップ（８０，８１）とを有する。 - 特許庁

The thermopile infrared detector is characteristized by comprising a heat sink to mechanically and thermally integrate the cylinder case including the optical lens formed of high-density polyethylene, the inner wall, and an inner wall other than the optical lens formed of silicon or the like and the cold junction of the thermopile infrared detector when detecting a temperature when the ambient temperature of the thermopile infrared detector changes abruptly.例文帳に追加

サーモパイル型赤外線検出装置の周囲温度が急激に変化した場合の温度検出を行うにあたり、高密度ポリエチレンから光学レンズを含む筒箱部、内壁部、及び、シリコン等からなる光学レンズの部以外の内壁部とサーモパイル型赤外線検出器冷接点部とを機械的、並びに、熱的に一体化させる為、ヒートシンクを設置・具備させた事を特徴としたサーモパイル型赤外線検出装置。 - 特許庁

To provide a superconducting quantum interference element which is manufactured by a photolithographic technique and consisting of a Josephson junction, a washer coil, and a detection coil constituting a superconducting loop and a feedback modulation coil, to prevent a size of the manufactured detection coil from being restricted due to the resolution of the photolithographic technique, to reduce an effective detection area of the detection coil and to increase space resolution.例文帳に追加

フォトリソグラフィ技術により作製され、超伝導ループを構成するジョセフソン接合とワッシャーコイルおよび検出コイルと、帰還変調コイルと、からなる超伝導量子干渉素子において、製作する検出コイルの大きさがフォトリソグラフィ技術の解像度に制限されず、検出コイルの有効検出面積を小さくして、空間分解能を高めた超伝導量子干渉素子の提供。 - 特許庁

The navigation device stores coordinate information which defines a plurality of icon coordinates P1 to P8 on a plurality of links based on the directions and the extent for each of junction sections including the plurality of links associated with the location codes, selects one icon coordinate from the plurality of icon coordinates P1 to P8 based on the received directions and extent, and displays an event icon on the selected icon coordinate.例文帳に追加

ナビゲーション装置は、ロケーションコードに関連付けされた複数のリンクを含むジャンクション区間の各々について、複数のリンク上の複数のアイコン座標Ｐ１〜Ｐ８をダイレクションとイクステントに基づき定義した座標情報を記憶しておき、受信したダイレクションおよびイクステントに基づき複数のアイコン座標Ｐ１〜Ｐ８の中から１つのアイコン座標を選択し、選択されたアイコン座標に事象アイコンを表示する。 - 特許庁

In the manufacturing method for this compact lamp wherein a protective film is used in U tubes and there is a junction process of U tubes after drying the protective film, the protective film in a protective film removal part equivalent to the joint part of U tubes is removed before it gets dried and before the protective film dries completely when the protective film is drying.例文帳に追加

この発明に係るコンパクトランプの製造方法は、Ｕ字管の内部に保護膜を用いかつ保護膜乾燥後にＵ字管同士の接合工程が存在するコンパクトランプの製造方法において、保護膜乾燥時に保護膜が完全に乾燥する前で、Ｕ字管同士の接合部分に相当する保護膜除去部分が未乾燥のうちに保護膜除去部分の保護膜を除去することを特徴とする。 - 特許庁

A plurality of semiconductor layers (a first semiconductor layer 1, a second semiconductor layer 3, a third semiconductor layer 5) where each semiconductor layer of different forbidden band with a pn junction have an activatable semiconductor layer (the third semiconductor layer 5) which is a semiconductor layer of wide forbidden band width outputting a photovoltaic voltage that can activate the boost circuit in a boost type power supply device at the output destination.例文帳に追加

ｐｎ接合を有する禁制帯の異なる各半導体層が絶縁膜を介して積層される複数の半導体層（第一の半導体層１、第二の半導体層３、第三の半導体層５）は、出力先の昇圧型電源装置の昇圧回路を起動可能な光起電圧を出力する広禁制帯幅の半導体層である起動可能半導体層（第三の半導体層５）を有する。 - 特許庁

Junction between a conductive thin film and a ferroelectric thin film is formed without substantially forming an electro-chemical different layer between these thin films, by individually supplying precursors of respective constitutional elements of the ferroelectric thin film under an MOCVD reaction environment, and providing the supply start time of these precursors with suitable time differences to hold fixed crystal azimuth relation between the conductive thin film and the ferroelectric thin film.例文帳に追加

強誘電体薄膜の各構成元素の前駆体をＭＯＣＶＤ反応環境下に個別に供給し、前駆体の供給開始時間に適正な時間差を与えることにより、実質的に電気化学的な異層を介すことなく導電性薄膜と強誘電体薄膜の接合を形成し、導電性薄膜と強誘電体薄膜に一定の結晶方位関係を持たせる。 - 特許庁

A tunable oscillator includes a first transistor, a second transistor connected in parallel with the first transistor, a noise feedback and bias network coupled to the first and the second transistors, a planar coupled resonator network coupled to the first and the second transistors, and a means for dynamically tuning the resonant frequency of the planar coupled resonator network and the junction capacitance of the first and the second transistors.例文帳に追加

第１のトランジスタと、第１のトランジスタと並列に接続された第２のトランジスタと、第１および第２のトランジスタに結合したノイズフィードバック・バイアス回路網と、第１および第２のトランジスタに結合した平面結合共振器回路網と、平面結合共振器回路網の共振周波数と第１および第２のトランジスタの接合静電容量を動的に調整するための手段とを備える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element capable of reducing a leakage current in a storage electrode junction region by forming a gate having a stepped channel, by etching into a predetermined thickness a semiconductor substrate in a portion scheduled for a storage electrode contact and in an adjacent region thereof before the formation of an element isolation film that defines an active region.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、特に活性領域を定義する素子分離膜の形成前に格納電極コンタクトに予定されている部分及びその隣接領域の半導体基板を所定厚さにエッチングして段差のあるチャンネルを有するゲートを形成することにより、格納電極接合領域で漏洩電流を低減させて半導体素子のリフレッシュ特性を向上させることができる技術である。 - 特許庁

To provide a modular junction receptacle that is built in the wall with which, especially in the domestic use, a work of connecting a LAN (local area network) cable with a server and a personal computer can be performed simply by one push action without requiring any professional technology.例文帳に追加

パーソナルコンピューターに使用するＬＡＮケーブルの端部のモジュラープラグを差し込むためのモジュラー中継コンセントであって、モジュラージャックのように壁に埋め込んで装着される主として壁埋め込み型のモジュラー中継コンセントに関し、特に家庭内で使用する場合に、ＬＡＮケーブルをサーバとパーソナルコンピュータとに接続する作業を、専門的な技術を要することなく、簡易に且つワンプッシュの作業で行うことのできるモジュラー中継コンセントを提供することを課題とする。 - 特許庁

This organic EL display is provided with a positive electrode wiring 1 formed on a substrate, a plurality of partitions 10 formed to intersect the positive electrode wiring 1, a partition junction part 24 provided between the adjacent partitions 10 and connected with the adjacent partition 10, an organic compound layer formed by applying a fluid material on the anode wiring 1 and a negative electrode wiring 5 divided by the partitions.例文帳に追加

本発明にかかる有機ＥＬ表示装置は、基板上に形成され陽極配線１と、陽極配線１と交差するように形成された複数の隔壁１０と、隣り合う隔壁１０の間に設けられ、隣り合う隔壁１０に接続されている隔壁接続部２４と、陽極配線１の上に液状材料を塗布して形成された有機化合物層と、隔壁により区分された陰極配線５とを備えるものである。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device is provided that comprises a step for evaporating a solvent by heating an adhesive and reducing vapor pressure of the solvent in an atmosphere to contact with the adhesive, and a step for forming the junction layer by heating the adhesive, when the adhesive having a resin and the solvent is adhered to a second surface opposed to a first surface on which a circuit pattern of a wafer is formed.例文帳に追加

ウェーハの回路パターンが形成された第１の面と対向する第２の面に、樹脂と溶媒とを含む接合剤を付着させる際に、接合剤を加熱して前記溶媒を蒸散させるとともに、前記接合剤が面する雰囲気における前記溶媒の蒸気圧を低下させる工程と、前記付着させた接合剤を加熱して接合層を形成する工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 - 特許庁

The highly reliable process comprises a step of depositing a metallic pad on an organic light emitting diode device, a step of providing a cutting window for covering at least a portion of a part of the periphery of the metallic pad, and a step of forming a junction having the electrode by cutting the metallic pad and the organic light emitting diode device using the cutting window.例文帳に追加

該電極との接続のために金属性パッドを設け、金属性パッドを有機発光ダイオードデバイス上に沈着するステップと、該金属性パッドの縁辺の少なくとも一部を少なくとも部分的にカバーする切除窓を設けるステップと、前記切除窓を使用して該金属性パッドおよび該有機発光ダイオードデバイスを切除して、電極との接続部を形成するステップとを有することを特徴とする方法によって解決される。 - 特許庁

To suppress an overflow carrier being leaked, as a minor carrier, from a first semiconductor layer to a second semiconductor layer over a junction barrier having lower impurity doping concentration in a semiconductor device, where a first semiconductor layer with a prescribed band gap and a second semiconductor layer having a band gap that is the same or larger than the first semiconductor layer are joined with each other.例文帳に追加

本発明は、所定のバンドギャップを有する第１の半導体層と、これと同一又はこれより大きなバンドギャップを有する第２の半導体層とを互いに接合してなる半導体素子において、第１の半導体層から第２の半導体層へ、接合障壁を越えて少数キャリアとして漏れて行くオーバーフローキャリアを、少ない不純物添加濃度において抑圧することが可能な半導体素子および半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

In the stacked photoelectric converter device containing a plurality of photoelectric converter units formed by a pin junction, at least one or more portions constituted sequentially of a first photoelectric converter unit, a silicon composite layer and a second photoelectric converter unit from a side close to the light incident side are contained, and the silicon composite layer contains a silicon crystal phase in an amorphous alloy of silicon and oxygen, thereby solving the problem.例文帳に追加

本発明によると、ｐｉｎ接合からなる光電変換ユニットを複数含む積層型光電変換装置において、光入射側に近い側から第一の光電変換ユニット、シリコン複合層、第二の光電変換ユニットより順次構成された部分を少なくとも一つ以上含み、前記シリコン複合層はシリコンと酸素の非晶質合金中にシリコン結晶相を含むことを特徴とすることによって課題を解決する。 - 特許庁

In the membrane/electrode junction for the solid polymer fuel cell equipped with an anode and a cathode as well as an ion-exchange membrane arranged between the anode and the cathode, the cathode is provided with a catalyst layer including a catalyst, ion-exchange resin having a sulfonic group, and carbon black partly covered with a fluorine-containing polymer soluble into a solvent not virtually having an ion-exchange group.例文帳に追加

アノード及びカソードと、前記アノードと前記カソードとの間に配置されるイオン交換膜とを備える固体高分子型燃料電池用膜・電極接合体において、前記カソードは、触媒と、スルホン酸基を有するイオン交換樹脂と、イオン交換基を実質的に有しない溶媒可溶性含フッ素重合体で一部を覆われたカーボンブラックとを含む触媒層を有していることを特徴とする固体高分子型燃料電池用膜・電極接合体。 - 特許庁

One type or two types of the sheath heater 7 using the metal sheath and metal cooling pipe 8 or a sheath thermocouple 9 using the metal sheath added on those are put between a metal lower base material 3 and a metal upper base material 4 having a groove for storing those provided and in the groove, and are assembled as one body and are performed diffused junction.例文帳に追加

金属製シースを用いたシースヒータ７及び金属製冷却パイプ８のうちの１種若しくは２種又はこれらに加えた金属製シースを用いたシース熱電対９を、これらを入れるための溝を少なくとも一方に設けた金属製下ベース材３及び金属製上ベース材４との間で、かつ上記溝に入れ、一体に組み立ててこれらを拡散接合する加熱及び／又は冷却用金属構造体の製造方法。 - 特許庁

The semiconductor device 10 is provided with a semiconductor element having front and rear surfaces; at least a pair of metal plates 12 respectively joined to the front and rear surfaces of the semiconductor element, and configuring an external electrode; and a sealing portion 14 provided so as to expose surfaces 12a opposite to junction surfaces of the pair of metal plates where the semiconductor element is joined, and cover the other portion.例文帳に追加

表面及び裏面を有する半導体素子と、前記半導体素子の前記表面及び裏面にそれぞれ接合され、外部電極を構成する少なくとも一対の金属板１２と、前記一対の金属板の前記半導体素子に対する接合面とは反対側の表面１２ａをそれぞれ露出させ、それ以外の部分を覆うように設けられた封止部１４と、を備えたことを特徴とする半導体装置１０。 - 特許庁