「Junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(181ページ目) - Weblio英語例文検索

This solar cell has a P-N junction on the light receiving face side of a semiconductor substrate 10 and a passivation film 18 on the rear surface thereof wherein a P type impurity diffusion layer 11 and a P electrode 12 connected therewith, and an N type impurity diffusion layer 13 and an N electrode 14 connected therewith are provided on the surface of the light receiving face.例文帳に追加

半導体基板１０の受光面側にＰＮ接合を有し、裏面上にパッシベーション膜１８を有する太陽電池であって、受光面の表面にＰ型不純物拡散層１１とＰ型不純物拡散層１１に接続されたＰ電極１２、Ｎ型不純物拡散層１３とＮ型不純物拡散層１３に接続されたＮ電極１４とを有している太陽電池。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device capable of reducing NOP fail by disturbance caused by stress left inside a channel junction by performing an ion implantation process applying Zero Tilt conditions to form a P well, thereby minimizing stress caused by collision of dopants and silicon lattices and minimizing stress left inside a semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明は、ゼロチルト(Zero Tilt)条件を適用するイオン注入工程を実施してPウェルを形成することにより、ドーパントとシリコン格子の衝突によるストレスを最小化し、半導体基板内に残留するストレスを最小化することにより、チャネルジャンクション内に残留したストレスに起因したディスターバンスによるNOPフェイルを減少させることができる半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

Glasses 1 without temples include right and left lenses 2, 2 that are connected by a junction 3 and are provided with nose pads 4, 4 on their inner facing edges.例文帳に追加

連繋部３で繋がれた、左右のレンズ２、２の内側対向縁に鼻当てパッド部４、４が設けられた蔓なし眼鏡１と顔面の鼻柱上部からその両側にわたる部分に剥離自在な皮膚保護皮膜を形成する医療用ヘルスケアテープ鼻当てパットシールと蔓なし眼鏡１を鼻当てパッド部４、４に鼻当てパットシールを必ず剥離紙（白色）の剥離紙を剥がし、鏡を見ながら顔面にそっと押圧し装着保持する。 - 特許庁

To provide a semiconductor epitaxial wafer for realizing improved characteristics by preventing a highly conductive part (conductive layer) from being formed in a buffer layer due to the mixture of conductive impurities in the epitaxial layer, when manufacturing an electronic device, such as a field effect transistor and a hetero junction bipolar transistor including a high electron mobility transistor, on the semiconductor epitaxial wafer.例文帳に追加

半導体エピタキシャルウェハの上に高電子移動度トランジスタを含む電界効果トランジスタやヘテロ接合バイポーラトランジスタなどの電子デバイスを作製した際に、エピタキシャル層の中に導電性不純物が混入することによって、バッファ層の中に高い導電性を有する部分（導電層）が形成されるのを防止し、その結果、高い特性を実現する半導体エピタキシャルウェハを提供する。 - 特許庁

The electrode-electrolyte membrane junction body is manufactured by arranging the transfer sheet on an electrolyte membrane surface by a catalyst layer surface of the transfer sheet, pressurizing, peeling the base material of the transfer sheet from the catalyst layer surface to manufacture the catalyst layer-electrolyte membrane laminate, arranging an electrode base material on both sides of the catalyst layer-electrolyte membrane laminate, and pressurizing.例文帳に追加

電極−電解質膜接合体は、本発明転写シートの触媒層面が電解質膜面に転写シートを配置し、加圧した後、該転写シートの基材を触媒層面から剥離して触媒層−電解質膜積層体を製造し、更にこの触媒層−電解質膜積層体の両面に電極基材を配置し、加圧することにより製造される。 - 特許庁

When alternating voltage is impressed to the thermoelectron pair 10 from a signal generator 34 via an impedance detection resistor 32 and a direct current isolation capacitor 30 while respective phases of the multiphase flow field are brought into contact with the hot junction 40, an earth impedance of each fluid phase is detected by the resistor 32, and phase determination is carried out on the basis of the detection result.例文帳に追加

混相流場の各相がホットジャンクション４０に接触している状態において、信号発生器３４から交流電圧が熱電対１０にインピーダンス検出用抵抗３２及び直流電流隔離用コンデンサ３０を介して印加されることにより、各流体相の対地インピーダンスが抵抗３２により検出され、その検出結果から相判別が行われる。 - 特許庁

If there are a road 65 that a user is inaccessible to because of an obstacle such as river 66 tough near in distance to a sightseeing spot 61 and a road 63 accessible to the spot 61, tough farther than the road 65, a dummy road 64 connected to the road 63 toward the spot 61 and a junction (dummy node) 64' are previously set and registered in a database.例文帳に追加

図８（ａ）に示すように距離的には観光地６１に近いが川６６のような障害があってユーザがアクセスできない道路６５と道路６５よりは遠いが観光地６１にアクセス可能な道路６３がある場合に、図８（ｂ）に示すように道路６３に接続して観光地６１に向かうダミー道路６４及び接点（ダミーノード)６４’を設定して予めデータベースに登録しておく。 - 特許庁

The transparent pattern is configured such that the average value N of the number of boundary line segments L extending from one junction B is 3.0≤N<4.0, and the direction in which the opening region has a repeating period is not present.例文帳に追加

光学部材１０は、透光性単位光学要素として開口領域１Ａと、開口領域を画成し開口領域の屈折率ｎａとは異なる屈折率ｎｐの透明パターン１Ｐとを有する光学制御層１を備え、透明パターンは一つの分岐点Ｂから延びる境界線分Ｌの数の平均値Ｎが、３．０≦Ｎ＜４．０であり、且つ、開口領域が繰返周期を持つ方向が存在しない構成とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a semiconductor region 12 formed on a semiconductor substrate 11; an element separation region 13 for separating the semiconductor region 12 from another region; a diffusion layer 14 formed in the upper part of the semiconductor region 12 and forming PN junction on a boundary with the semiconductor region 12; and a silicide layer 15 formed in the upper part of the diffusion layer 14.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１１に形成された半導体領域１２と、半導体領域１２を他の領域から分離する素子分離領域１３と、半導体領域１２の上部に形成され、半導体領域１２との界面においてＰＮ接合を形成する拡散層１４と、拡散層１４の上部に形成されたシリサイド層１５とを備えている。 - 特許庁

The printed wire board having an electronic component 3 highly densely mounted is characterized in that rigidity of the board and reliability in junction with the electronic component are improved by embedding a frame 2 having an outline of a substrate 1 of glass epoxy resin and made of a material with rigidity higher than that of the glass epoxy resin along the periphery of the substrate 1 by integral molding with the substrate 1.例文帳に追加

電子部品３を高密度実装したプリント配線板であって、ガラスエポキシ樹脂からなる基板１の外形形状を有し、ガラスエポキシ樹脂より剛性の高い材料からなるフレーム２を、基板１との一体成形により基板１の周縁部に埋め込むことにより、基板の剛性と、電子部品との接合部の信頼性が向上することを特徴とするプリント配線板。 - 特許庁

A junction substrate for semiconductor light-emitting elements is manufactured by laminating an epitaxial substrate Be having a semiconductor layer 40 containing at least a luminous layer formed at the first main surface side of the starting substrate, and a plurality of grooves 38 formed from the first main surface side of a semiconductor layer to the inside of the starting substrate, and a permanent substrate formed by a material differing from that of the starting substrate.例文帳に追加

半導体発光素子用接合基板は、出発基板の第一主表面側に形成された少なくとも発光層を含む半導体層と前記半導体層の第一主面側から前記出発基板の内部にかけて形成された複数の溝３８とを備えたエピタキシャル基板Ｂｅと、出発基板とは異なる材料で形成された永久基板とを貼り合せてなる。 - 特許庁

To provide a junction box for an electric automobile which shuts off supply of high voltage to a power head side when inspecting or repairing a high voltage line or a unit of the power head side, while supplying the high voltage to a power converter side, and easily locates insulation-deteriorated part where insulation deterioration is recognized at the high voltage line.例文帳に追加

パワーヘッド側の高電圧ラインあるいはユニットの点検または修理等を行う際、パワーヘッド側への高電圧の供給を遮断し、且つ、パワーコンバータ側には高電圧を供給する事が可能であり、また、高電圧ラインに絶縁劣化が認められる場合、絶縁劣化部位を容易に特定することができる電気自動車用ジャンクションボックスを提供すること。 - 特許庁

A strip of thin-film layer 4 is formed at the upper section of the high-breakdown-voltage junction terminator structure for potentially separating the section between first and second reference circuit formation regions 1 and 2.例文帳に追加

第１、第２基準回路形成領域１、２間を電位的に分離する高耐圧接合終端構造上部に帯状の薄膜層４が形成され、この薄膜層４に形成されるツェナーダイオードは、高耐圧ＮＭＯＳ５、高耐圧ＰＭＯＳ６が設けられている箇所やコーナ箇所の曲線部分Ｂと、基準回路形成領域１、２端部と平行している直線部分Ｃとに形成される。 - 特許庁

To provide a transistor and its manufacturing method which prevents a leakage current of the source/drain in the LOCOS or shallow trench isolation(STI) process, improves the refresh characteristics of DRAM to avoid damaging a gate oxide film, and reduces the reverse narrow width effect, junction L/C and GOI to improve the characteristics of the transistor, thereby improving the characteristics and the yield of the element.例文帳に追加

ロコス（LOCOS）工程やエス・ティー・アイ（Shallow Trench Isolation：STI）工程時にソース／ドレインの漏洩電流（leakage current）発生を防ぎ、DRAMのリフレッシュ（Refresh）特性を向上させてゲート酸化膜の損傷を防ぎ、逆狭小幅効果（reverse narrow width effect）、接合Ｌ／Ｃ及びGOIを減少させてトランジスタの特性を向上させるため、素子の特性及び収率を向上させることが可能な、トランジスタ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The multilayer printed wiring board is formed by bonding one or several connection layers made of printed wiring boards 108 obtained by the above method of manufacturing printed wiring boards to a layer to be connected having a part to be connected through an adhesive layer, and by joining them to the part to be connected of the layer to be connected with a metal layer for junction.例文帳に追加

前記プリント配線板の製造方法により得られたプリント配線板１０８からなる１枚または複数枚の接続層と、被接続部を有する被接続層とを、前記接着剤層を介して接着し、前記被接続層の被接続部と、前記接合用金属層により接合して得られることを特徴とする多層プリント配線板の製造方法。 - 特許庁

A first conductive material layer 12a is formed on a first electrode terminal 11a formed on a junction object 11, a second conductive material layer 12b having a material different from the first conductive material layer is formed by being pasted on the first conductive material layer 12a, and a bump 12 is formed of the first and second conductive material layers 12a, 12b.例文帳に追加

接合対象物１１に形成された第１の電極端子１１ａ上に第１の導電体層１２ａを形成し、この第１の導電体層１２ａ上に当該第１の導電体層とは材料が異なる第２の導電体層１２ｂをペーストにより形成して、第１及び第２の導電体層１２ａ，１２ｂによりバンプ１２を形成する。 - 特許庁

In a transmitting side exchange 2 of a telephone exchange system having the transmitting side exchange 2, a terminating side exchange 4 and a trunk exchange 5 for connecting these exchanges 2, 4 through a junction line, a priority call decision part 81 discriminates whether a number dialed by a calling subscriber 1 is a prescribed specific number indicating connection to a priority terminating subscriber 3 to which terminating is preferentially allowed or not.例文帳に追加

発信側交換機２と、着信側交換機４と、これらの交換機を中継回線を介し接続する中継交換機５とを有する電話交換システムの発信側交換機２で、優先呼判定部８１は発呼加入者１のダイヤルした番号が優先的に着信を許容する優先着信加入者３への接続を示す所定の特番であるか否かを識別する。 - 特許庁

On the other hand, since the signal line and the auxiliary capacitance lines 4 intersect with a insulating film on the TFT substrate of the LCD, there are capacitances at intersection parts and a transient current is made to flow through these capacitances and the junction capacitance of the protecting diode 30 and wiring resistances in the circuit of the driver when the signal of the auxiliary signal lines is inverted and a ground potential Vss is fluctuated.例文帳に追加

一方、ＬＣＤのＴＦＴ基板上では信号ラインと補助容量信号線は絶縁膜を介して交差しているため、交差箇所には容量があり、補助容量信号線の信号が反転するとき、その容量及び保護ダイオード３０の接合容量、回路内の配線抵抗を通して過渡電流が流れグランド電位Ｖｓｓが変動する。 - 特許庁

The detection element comprises a silicon membrane 1 provided with a cantilever beam 11; the superconducting closed circuit 3 formed in a surface or the inside of the cantilever beam 11; a Josephson junction 4 inserted in the closed circuit 3; and a property change detection means for detecting deformation of the cantilever beam 11 on the basis of changes in a maximum superconducting current which can be made to flow through the superconducting closed circuit 3.例文帳に追加

検出素子は、片持ち梁１１を備えたシリコン薄膜１と、片持ち梁１１の表面あるいは内部に形成された超伝導体閉回路３と、閉回路３に挿入されたジョセフソン接合４と、片持ち梁１１の変形を、超伝導体閉回路３に流すことができる最大超伝導電流の変化を通じて検出する物性変化検出手段とを有する。 - 特許庁

An upper connecting pipe section 11b faced to the drain piping 200 in a cabinet by utilizing the rotary function of the connecting joint A around the junction with the underfloor piping 100 and the mutual rotary function of a trap connecting piping 11 and a trap constituting pipe 21, and both pipings 100 and 200 are connected together regardless of the dislocation S between the underfloor piping 100 and the drain piping 200.例文帳に追加

床下配管１００との接続部を中心にした接続継手Ａの回動機能及びトラップ接続用管１１、トラップ構成用管２１相互の回動機能を利用して、上方の接続管部１１ｂを、キャビネット内の排水配管２００に対応させて、床下配管１００と排水配管２００との位置ズレＳに関らず両配管１００、２００を接続する。 - 特許庁

The MOS transistor 100, 100a, 100b formed on a semiconductor substrate 90, and having a drain region 20 and a backgate region 40 comprising different conductive type diffusion layers 21, 22, 41 and 42 is characterized in that the drain region 20 and the backgate region 40 are arranged adjacent to each other, and have a region with a PN-junction formed on the adjacent surface.例文帳に追加

半導体基板９０に形成され、異なる導電型の拡散層２１、２２、４１、４２からなるドレイン領域２０とバックゲート領域４０とを有するＭＯＳトランジスタ１００，１００ａ、１００ｂであって、 前記ドレイン領域２０と前記バックゲート領域４０とが隣接して配置され、隣接面にＰＮ接合が形成された領域を有することを特徴とする。 - 特許庁

The ring resonator type phase shifter is equipped with a ring shaped optical waveguide 3 mounted so as to mode couple with the corresponding branching optical waveguide 7A, and is constructed in such a way that an amplitude branching ratio K between the corresponding branching optical waveguide 7A and a ring type optical waveguide 3 can be varied for example via refractive index variation and so on accompanying voltage application in a p-n junction.例文帳に追加

リング共振型位相シフタは、対応する分岐光導波路７Ａにモード結合するように配置されたリング型光導波路３を備え、対応する分岐光導波路７Ａとリング型光導波路３との間の振幅分岐比Ｋを、例えばｐｎ接合における電圧印加に伴う屈折率変化などを通じて、変化させることができるように構成される。 - 特許庁

An LED chip 9 is die-bonded onto a circuit pattern formed on a Si substrate by eutectic junction, wire bonding is performed further for forming a submount substrate 6, the submount substrate 6 is stored into the housing 1 in which a lead frame is insert-molded, and an electrode on the submount substrate 6 is connected to the lead frame of the housing 1 via a Ag paste for electric continuity.例文帳に追加

Ｓｉ基板に形成された回路パターン上にＬＥＤチップ９を共晶接合でダイボンドし、更にワイヤボンドを施してサブマウント基板６が形成され、リードフレームをインサート成形したハウジング１内に前記サブマウント基板６を収容して、サブマウント基板６の電極とハウジング１のリードフレームがＡｇペーストを介して接続されて電気的に導通している。 - 特許庁

To provide a semiconductor laser device that can be assembled accurately without being inclined in junction down assembly, even if at least two laser elements having mutually different height are provided with the same substrate as a base, can suppress the concentration of stress to the ridge section of each laser element, and has low manufacturing costs without losing the degree of freedom in designing, and to provide a method for manufacturing the semiconductor laser device.例文帳に追加

同一基板をベースとして互いに高さが異なる２以上のレーザ素子部を有する場合にも、ジャンクションダウン組立時において装置が傾くことなく正確な組み立てができ、且つ、各レーザ素子部のリッジ部への応力の集中を抑制することができ、設計の自由度を損なうことなく製造コストの低い半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

An n- type epitaxial Si layer held between trenches 3 is changed to a semiconductor structure consisting of n-type pillar layer 5/p-type pillar layer 4/n-type pillar layer 5 arranged transversely, which practically plays the same role as a super junction structure, by implanting As and B to a side surface of the trench 3 by using a rotational ion implantation method and using the difference in diffusion coefficient.例文帳に追加

回転イオン注入法を用いてＡｓおよびＢをトレンチ３の側面に注入し、拡散係数の違いを利用することによって、トレンチ３で挟まれたｎ^- 型エピタキシャルＳｉ層を、横方向に並んだｎ型ピラー層５／ｐ型ピラー層４／ｎ型ピラー層５からなる、実質的にＳｕｐｅｒ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ構造と同じ役割を果たす半導体構造に変える。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a circuit for an RFID tag at a low cost by employing a process in which a stable junction between a circuit and a semiconductor electrode is provided with reduced material cost process cost, and furthermore, semiconductor elements are continuously mounted on a manufactured circuit in a manufacturing method of an RFID tag including at least a base material, the circuit and the semiconductor elements therefor.例文帳に追加

少なくとも基材と、回路と、半導体素子とを含むＲＦＩＤタグの製造方法において、回路と半導体素子電極の接合が安定し、かつ材料費および加工費を低減させ、これに加えて、製造された回路に半導体素子を連続的に実装しうるプロセスとすることで、低コストでＲＦＩＤ用の回路を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its manufacturing method capable of forming the film thickness of a metal silicide film formed in a source drain region to be thick without suffering from an increase of a junction leakage current even in the semiconductor device having a fully silicided gate electrode (full silicide gate electrode), and capable of forming the full silicide gate electrode and the metal silicide film in a one time silicide formation process.例文帳に追加

フルシリサイド化されたゲート電極（フルシリサイドゲート電極）を有する半導体装置であっても、接合リーク電流増大の問題なく、ソースドレイン領域に形成された金属シリサイド膜の膜厚を厚く形成することが可能であり、かつ一回のシリサイド形成工程でフルシリサイドゲート電極及び金属シリサイド膜を形成可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

That is, it equalizes forward currents Ia and Ib which flow in each diode 12a and 12b by positively heating the diode small in the forward current IF thereby adjusting the forward voltage VF, in case that there is a risk that the forward current IF may flow concentratedly to a specified diode, by the dispersion of the junction temperatures between the diodes 12a and 12b.例文帳に追加

すなわち、ダイオード１２ａ、１２ｂ間の接合温度のばらつきにより、特定のダイオードに集中して順方向電流ＩＦが流れるおそれがある場合に、順方向電流ＩＦが少ないダイオードを積極的に加熱することにより順方向電圧ＶＦを調整して、各ダイオード１２ａ、１２ｂを流れる順方向電流Ｉａ、Ｉｂを均等化させる。 - 特許庁

The thermoelectric module has: a plurality of semiconductor elements 4 having the same conductivity type and thermoelectric effect; high resistance layers 6 each integrally formed on a junction portion between adjacent semiconductor elements 4; and conductor layers 8 formed integrally in the inside of the high resistance layers 6 and electrically connecting a first 4a end to a second end 4b of the adjacent semiconductor layers 4.例文帳に追加

熱電モジュールが、同じ導電型で熱電効果を持つ複数の半導体素子４と、隣接する半導体素子４の接合部に一体的に形成してある高抵抗層６と、高抵抗層６の内部に一体的に形成され、隣接する半導体素子４の第１端部４ａと第２端部４ｂとをそれぞれ電気的に接続する導体層８と、を有する。 - 特許庁

A metal terminal 2a of a first electronic component and a metal terminal 2b of a second electronic component are oppositely placed, metal ultra-fine particles 3 having the same quality as that of the metal terminals are arranged between the opposite metal terminals, and an oxide film is reduced and baked to obtain an electronic component aggregation having a junction portion for joining the metal terminals.例文帳に追加

第１の電子部品の金属端子２ａと第２の電子部品の金属端子２ｂを対向させ、対向する金属端子同士の間に金属端子の金属と同質の金属からなる金属超微粒子３を配置し、酸化皮膜を還元させた上で焼結させることで金属端子同士を接合させた接合部分を持つ電子部品の集合体を得る。 - 特許庁

There is a limit to what we mortals can devise, and Japan has got into a situation that it has never experienced in its economic and fiscal policy management. We are at a very critical junction as we face the challenge of how to survive this situation, which has arisen as a consequence of the economic and fiscal policy management of the Koizumi government. 例文帳に追加

なかなかこれは、神ならぬ身の人間の考えることでありますから、大変でありますけれども、ある意味では、我が国の経済財政運営において経験したことがないような状況に突入しているわけで、小泉経済財政運営の延長線上で起きていったことですけれども、これをどう切り抜けていくか、という本当に大変な事態だと私どもは思っています。 - 金融庁

Conventionally, the river along Keihoku, Ukyo Ward, Kyoto City is referred to as the Kamikatsura-gawa River; the one along Sonobe-cho, Nantan City is the Katsura-gawa River; the one from Yagi-cho, Nantan City to Kameoka City is the Oi-gawa River; the one from the Hozu-hashi Bridge or Hozu-kyo Gorge to Arashiyama is the Hozu-gawa River; and the one from Arashiyama to the junction is again the Katsura-gawa River. 例文帳に追加

通例として、京都市右京区京北の流域にかけては上桂川（かみかつらがわ）、南丹市園部町に入ると桂川、南丹市八木町から亀岡市にかけては大堰川（おおいがわ）、亀岡市の保津橋又は保津峡から嵐山あたりまでは保津川（ほづがわ）などと名を変え、嵐山から合流地点は再び桂川と称される。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide solid high polymer electrolyte, a film thereof, a solution for covering electrode catalyst, a film/electrode junction, and a fuel cell capable of manufacturing carboxylated polychloro-trifluoroethylene electrolyte in two processes using polychloro-trifluoroethylene as a raw material and having the durability equal to that of fluorine electrolyte film represented by perfluorosulfonic acid film and sufficient high durability in practical use.例文帳に追加

本発明の目的は、カルボキシ化ポリクロロトリフルオロエチレン電解質はポリクロロトリフルオロエチレンを原料に2工程で製造でき、パーフルオロスルホン酸膜に代表されるふっ素系電解質膜と同等の耐久性を有し、実用上十分な高耐久性を示有する固体高分子電解質、その膜、その電極触媒被覆用溶液、膜／電極接合体、燃料電池を提供することにある。 - 特許庁

Since the N-type layer 13 becomes an N type concentration gradient layer 13a having a concentration profile which decreases in the depth direction from the bonding surface with the Schottky layer 14 by afterward activating of Si ions, the bonding part of a Schottky electrode 14a consisting of the Schottky metal layer 14 and the N type concentration gradient layer 13a becomes the super stage junction structure.例文帳に追加

従って、その後のＳｉイオンの活性化により、Ｎ^- 型ＧａＡｓ層１３は、ショットキー金属層１４との接合面から深さ方向に向かってＳｉ濃度が減少する濃度プロファイルをもつＮ型濃度勾配層１３ａとなるため、ショットキー金属層１４からなるショットキー電極１４ａとＮ型濃度勾配層１３ａとの接合部は超階段接合構造になる。 - 特許庁

An anode electrode 54 has a porous layer composing the junction 56, a fuel gas supplying flow path 57 is disposed by continuously connecting internal pores of the porous layer, and a fuel gas introducing opening 80 for supplying the fuel gas to a central section of the anode electrode 54 from the gas passage 66 is formed on the plate 62 composing the separator 58.例文帳に追加

電解質・電極接合体５６を構成するアノード電極５４は多孔質層を有し、該多孔質層の内部気孔を連ねて燃料ガス供給流路５７が設けられるとともに、セパレータ５８を構成するプレート６２には、燃料ガス通路６６から前記アノード電極５４の中央部に燃料ガスを供給するための燃料ガス導入口８０が形成される。 - 特許庁

The anti-fuse includes: a gate dielectric layer formed above a substrate; and a gate electrode including a body portion and a plurality of protruding portions extending from the body portion, wherein the body portion and the protruding portions are formed to contact on the gate dielectric layer; and a junction region formed in the substrate exposed to sidewalls of the protruding portions.例文帳に追加

本発明は、基板上に形成されたゲート絶縁膜と、本体部と、前記本体部から伸長された複数個の突出部を備え、前記本体部および前記突出部が前記ゲート絶縁膜上に接するように前記ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、前記突出部の側壁に露出した前記基板内に形成された接合領域と、を備える。 - 特許庁

In this packaging method, when the objects to be jointed having electrodes are mutually jointed, the electrode of at least one object to be jointed is cleaned by applying energy wave or energetic particles, is maintained under special gas atmosphere for applying non-conductive paste, and is subjected to fluxless junction to the other, while holding a surface where the non- conductive paste is applied.例文帳に追加

電極を備えた被接合物同士を接合するに際し、少なくとも一方の被接合物の電極をエネルギー波もしくはエネルギー粒子を照射することにより洗浄した後、特殊ガス雰囲気下に保ちながら非導電性ペーストを塗布し、非導電性ペースト面を間に他方の被接合物に対しフラックスレスで接合することを特徴とする実装方法。 - 特許庁

In the process for fabricating a photoelectric conversion element, a p-layer constituting the photoelectric conversion element having a pin junction is formed by depositing a first p-layer 7 having a film thickness of 5 nm or less and added with impurities uniformly, and then depositing a second p-layer 8 on the first p-layer 7 by gas decomposition containing no p-type impurity.例文帳に追加

ｐｉｎ接合を有する光電変換素子を構成するｐ層を、５ｎｍ以下の膜厚を有する均一に不純物が添加された第１ｐ層７を成膜し、該第１ｐ層７上にｐ型不純物を含まないガス分解によって第２ｐ層８を成膜することにより形成する光電変換素子の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

This compound sensor includes a UV sensor part including a PN junction area provided within an SOI layer layered on an embedded oxide film on a semiconductor substrate, and an IR sensor part including an N-type low-density diffusion area provided in the SOI layer, and an N-type high-density diffusion area provided within the semiconductor substrate opposedly to the low-density diffusion area.例文帳に追加

半導体基板上の埋め込み酸化膜上に積層されたＳＯＩ層内に設けられたＰＮ接合領域を含むＵＶセンサ部と、前記ＳＯＩ層に設けられたＮ型の低濃度拡散領域及び前記低濃度拡散領域に対向して前記半導体基板内に設けられたＮ型の高濃度拡散領域を含むＩＲセンサ部とを有している。 - 特許庁

The electronic circuit device 10 has a substrate 1, the wiring board 7 which has a wiring pattern 2 patterned in a predetermined shape and having terminals, and a chip capacitor 6 having electrodes 5 provided on both end sides of a body portion 4, and the electrodes 5 area electrically connected to the terminals through conductive junction films 3.例文帳に追加

電子回路装置１０は、基板１と、所定形状にパターニングされ、端子を備える配線パターン２とを有する配線基板７と、本体部４の両端側に設けられた電極５を備えるチップコンデンサ６とを有しており、電極５が導電性を有する接合膜３を介して端子と電気的に接合されることにより、チップコンデンサ６は配線基板７に固定されている。 - 特許庁

A metallic cap 40 is fitted onto a substrate 30, where chip parts are mounted and is soldered to a junction part 33 of the substrate 30 via a through-hole 44, that is punched at a nib part 43 of the metallic cap 40, thus eliminating the need for space for soldering around the nib part 43, and hence further reducing the size and weight of the microchip module.例文帳に追加

チップ部品が搭載された基板３０に金属製キャップ４０を冠着し、この金属製キャップ４０の爪部４３に穿設された貫通孔４４を介して、金属製キャップ４０を基板３０の接合部３３にはんだ付けするので、爪部４３の周囲にはんだ付けのためのスペースを設ける必要がなく、マイクロチップモジュールの一層の小型軽量化を図ることができる。 - 特許庁

To provide a simple matrix driving type display driving device capable of realizing a display device which is superior in response characteristic by quickly charging a junction capacitance or the like of a display element regardless of a driving current set to a relatively small current value and has a satisfactory display image quality and has a low power consumption and to provide a driving control method for the same.例文帳に追加

単純マトリクス駆動方式の表示駆動装置において、比較的小さな電流値に設定された駆動電流であっても、表示素子の接合容量等を迅速に充電して応答特性に優れ、かつ、表示画質が良好な低消費電力の表示装置を実現することができる表示駆動装置及びその駆動制御方法を提供する。 - 特許庁

At least one region 20a out of these solder regions is conducted with a power supply to form a current injection region electrically touching the contact part 17 of the semiconductor laser chip 51 arranged under junction down state, and other solder regions 20b and 20c are brought into grounded or electrically floating state and bonded to a part of the semiconductor laser chip 51 other than the current injection contact part.例文帳に追加

それらの半田領域のうちの少なくとも１つの領域20ａを、電源と導通した上で、ジャンクションダウン状態に配された半導体レーザチップ51のコンタクト部17と電気的に接触した電流注入領域とし、その他の半田領域20ｂ、20ｃを、接地もしくは電気的に浮遊した状態として、半導体レーザチップ51の電流注入用コンタクト部以外の部分と接合させる。 - 特許庁

A plus side thermocouple wire and a minus side thermocouple wire of a thermocouple is arranged linearly, and each abutting portion of the tip of the plus side thermocouple wire and the tip of the thermocouple wire facing each other is bonded by welding to form a temperature measuring junction, and polyimide is coated on the surface of the plus side thermocouple wire and the minus side thermocouple wire, to thereby form this thermocouple for the fuel cell.例文帳に追加

熱電対の＋側熱電対素線と−側熱電対素線を一直線に配置し、向き合った＋側熱電対素線の先端と−側熱電対素線の先端が当接する部分を溶接により接合して測温接点とし、＋側熱電対素線と−側熱電対素線の表面にポリイミドをコーティングした燃料電池用熱電対とした。 - 特許庁

A semiconductor apparatus includes: an n+ type semiconductor substrate 1; an n- type drift region 2 formed on the upper surface of the n+ type semiconductor substrate 1; an anode electrode 3 formed on the upper surface of the n- type drift region 2 and forming a Schottky junction A with the n- type drift region 2; and a cathode electrode 4 electrically connected to the n+ type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ＋型半導体基板１と、ｎ＋型半導体基板１の上面上に設けられたｎ−型ドリフト領域２と、ｎ−型ドリフト領域２の上面上に設けられ、ｎ−型ドリフト領域２とショットキー接合Ａを形成するアノード電極３と、ｎ＋型半導体基板１に電気的に接続されたカソード電極４とを備える。 - 特許庁