「Junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(178ページ目) - Weblio英語例文検索

To bring the junction of a micropump for supplying an operating fluid with an inspection chip to a close contact state not only to minimize the necessary amount of a sample but also to enhance analytical precision in the micro-synthetic analyzing system constituted so as to incorporate the inspection chip, in which a specimen and a reagent are preliminarily housed, in an inspection device to automatically detect necessary data.例文帳に追加

検体と試薬とが予め収容された検査チップを、検査装置内に組み込んで必要な情報を自動的に検出するようにしたマイクロ総合分析システムにおいて、作動用の流体を供給するマイクロポンプとチップ側との接続部を密着させ、試料必要量の最小量化を図り、かつ解析精度を高めることを目的とする。 - 特許庁

To provide a laminated organic solar battery bringing out the maximum performance of an organic solar battery unit cell by highly efficient power generation in tandem manner, balanced recoupling of electron and positive hole due to ohmic junction between the organic solar battery unit cells with an intermediate layer, and sustaining high open voltage of the organic solar battery unit cell.例文帳に追加

タンデム化による高発電効率化、中間層による有機太陽電池単セル同士のオーミックな接合による電子と正孔をバランス良い再結合、有機太陽電池単セルの高い開放電圧の維持等を達成して、有機太陽電池単セルの性能を最大限に引き出すことができる積層型有機太陽電池を提供する。 - 特許庁

This hydrogen sensor for detecting a hydrogen amount, based on the transmission level of light, is provided with a substrate having an n-type semiconductor layer on its surface, and a metal layer provided on the n-type semiconductor layer to form a Schottky junction with the n-type semiconductor, and for absorbing hydrogen to vary the light transmittance.例文帳に追加

本発明の水素センサは、光の透過量により水素量を検出する水素センサであり、表面にｎ型半導体層を有する基板と、該ｎ型半導体層の上に設けられ、前記ｎ型半導体層とショットキ接合を形成し、水素を吸収することにより光の透過率が変化する金属からなる金属層と備えている。 - 特許庁

A control suspension/resumption instruction part 15 decides the possibility/impossibility of the cooperation travel control when the road attribute information (such as a junction of three roads) having possibility that the cooperation travel control becomes impossible is acquired, instructs the cooperation travel controller 21 about suspension of the control when it is impossible, and notifies a driver of this effect by an alarm device 222.例文帳に追加

また、制御中断・再開指示部１５は、協調走行制御が不可となる可能性がある道路属性情報（三差路など）が取得されたときには、協調走行制御の可・不可を判定し、不可であったときには、協調走行制御装置２１に対して制御の中断を指示し、警報装置２２２によりその旨をドライバに通知する。 - 特許庁

To prevent current leak from a junction interface between a P-layer and an N-layer which are exposed in a side wall of a trench or a vertical hole when electrochemically etching a semiconductor board from a trench, or a vertical hole part formed in a wafer with an N-type epitaxial layer on a P-type semiconductor board in a manufacturing method of a semiconductor pressure sensor.例文帳に追加

半導体圧力センサの製造方法において、Ｐ型半導体基板上にＮ型エピタキシャル層を有するウエハに形成されたトレンチもしくは垂直穴部分から半導体基板を電気化学エッチングする際に、トレンチもしくは垂直穴の側壁に露出するＰ層とＮ層との接合界面からの電流リークを防止する。 - 特許庁

For this reason, a depletion layer formed in the junction of a P type well layer 102 and a P+ type semiconductor region 103a, and the fourth region 118 can be extended in the direction of the photoelectric transfer section 307, so that the parasitic capacitance can be reduced, electric potential fluctuation by signal charges can be magnified, and the output conversion efficiency can be enhanced.例文帳に追加

このため、Ｐ型ウエル層１０２及びＰ+型半導体領域１０３ａと、第４領域１１８との接合部に形成される空乏層を光電変換部３０７の方向に延ばすことができるため、寄生容量を低減することができ、信号電荷による電位変動を大きくすることができ、出力変換効率を向上させることができる。 - 特許庁

To provide a thermoelectric element module, which suppresses deterioration of a power generation output and a power generation efficiency while being constituted not to destroy any junction according to a difference of thermal expansion between a thermoelectric material chip and an electrode and can be easily processed and manufactured without using any wax material or any adhesive for bonding the electrode at an elevated temperature side and the thermoelectric material chip.例文帳に追加

熱電材料チップ及び電極間の熱膨張の差によって接合部が破壊しないような構成でありながら、発電出力及び発電効率の低下を抑え、高温となる側の電極と熱電材料チップとの接合にロウ材又は接着剤を用いないで加工及び製造が容易にできるような熱電素子モジュールを提供する。 - 特許庁

The process for acquiring the backside layout data includes a process for detecting the light-emitting position of emission light 6 by a detector 7, which is generated by passing a forward current into a light-emitting device 5 that has a pn junction provided in the semiconductor chip, and a process for superposing the light-emitting position and the surface side layout data of the semiconductor chip.例文帳に追加

また、裏面側レイアウトデータを得る工程は、半導体チップ内に設けられたｐｎ接合を有する発光素子５に順方向電流を流すことによって生じる発光光６の発光位置を検出器７によって検出する工程と、発光位置と半導体チップの表面側レイアウトデータとを重ね合わせる工程とを有する。 - 特許庁

The push-up pin 3 with a temperature measuring function used for semiconductor devices having a temperature measuring function at its tip provided with a thermocouple 4 is manufactured by setting a measuring junction 2 of a thermocouple 4 coated with a ceramics plate 1 having a thickness of 2.5 mm or less and a heat conductivity of 20 W/mxK or more on the tip of the push-up pin 3.例文帳に追加

厚さ２．５ｍｍ以下で熱伝導率２０Ｗ／ｍ・Ｋ以上のセラミックス板１により被覆された熱電対４の測温接点２を突き上げピン３の頭部に設置することにより、頭部が熱電対４による温度測定機能を具備した半導体製造装置に使用される温度測定機能付突き上げピン３を製造する。 - 特許庁

Base boards 25 are arranged with gaps between one another so that a plurality of electric circuit boards 25 are laminated, and base boards 33 are arranged with gaps so that a junction block 31 opposes the base boards 25 positioned at the downstream end in the insertion direction of an electric connection member 23 in the base boards 25 thus arranged.例文帳に追加

複数の電気回路基板２１が積層されるようにそれらのベースボード２５がそれぞれ間隔をあけて並べられると共にこのように並べられたベースボード２５のうち電気接続部材２３の挿通方向下流端側に位置するベースボード２５にジャンクションブロック３１が対向するようにベースボード３３が間隔をあけて並べられる。 - 特許庁

To provide a magnetoresistance RAM (MRAM) of a simple structure by forming a cell array by forming a cell having a simple structure and a small cell size by storing two or more data, by coupling an MTJ (Magnetic Tunnel Junction) between a word line and a P-N diode and further coupling a plurality of cells in a NAND type between a bit line and a cell plate.例文帳に追加

ワードラインとＰ−Ｎダイオードとの間にＭＴＪ（ＭａｇｎｅｔｉｃＴｕｎｎｅｌ Ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を結合して２つ以上のデータを記憶させ、構造が簡単でセルサイズが小さいセルを具現し、さらに、ビットラインとセルプレートとの間に複数個のセルをＮＡＮＤ型に連結してセルアレイを具現することにより、簡単な構造の磁気抵抗ラム（ＭＲＡＭ）を具現する。 - 特許庁

At least one out of the lines between an AC power input terminal IN and an output terminal OUT to high voltage equipment is set to parallel branch lines (a) and (b), and an externally mounted device is composed by connecting the series connection body between diodes da and db and P-N junction elements ta and tb to both branch circuits, thus facilitating the utilization by a general user.例文帳に追加

交流電力入力端子ＩＮと電磁機器への出力端子ＯＵＴとの間のラインの少なくとも１本のラインを、並列分岐ラインａ、ｂとし、両分岐回路にダイオードｄａ、ｄｂとＰＮ接合素子ｔａ、ｔｂとの直列接続体を接続してなる外付け装置を構成して、一般ユーザー段階での利用を容易化した。 - 特許庁

The jig 20 for assemblying/disassemblying the attachment is mounted on the outside wall of the precise substrate container capable of containing one or a plurality of precise substrates; and has a main body 21 which can be held, and a channel 22 engaging with the junction of the attachment is formed at the end of the main body 21.例文帳に追加

精密基板を１又は複数枚収納可能な精密基板収納容器の外壁に取り付けられる付属部品の取り付け取り外し用の冶具２０であって、前記付属部品の取り付け取り外し用の冶具２０は、把持可能な本体部２１を有し、前記本体部２１の一端には、前記付属部品の係止部と係合する溝部２２が形成されている。 - 特許庁

The pinned printed wiring board in this invention is in a simple structure adopting a PGA type wherein a plurality of metallic pins for outer connecting terminals are junctioned on the underside 1a also reinforcing plate 5 with a plurality of stepped through holes 4 corresponding to the metallic pins 3 formed thereon is junctioned with the junction face 1a of the metallic pins 3 by bonding process.例文帳に追加

本発明のピン付きプリント配線板は、プリント配線板１の下面１ａに外部接続端子用の金属ピン３が複数接合され、金属ピンの接合面１ａにはさらに、金属ピン３に対応する複数の段付き貫通孔４が形成された補強板５が接着により接合され、ＰＧＡタイプを採用した簡単な構造となっている。 - 特許庁

The build-up multilayer wiring board 7 comprises a low-temperature baked ceramic substrate 1; and a build-up layer 2 that has a structure in which a conductive layer 4 and a resin insulating layer 21 are laminated alternately, and is formed on at least one of a chip-packaging surface 18 and a ball grid junction surface 19 of the low-temperature baked ceramic substrate 1.例文帳に追加

ビルドアップ多層配線基板７は、低温焼成セラミック基板１と、導体層４及び樹脂絶縁層２１を交互に積層した構造を有し、低温焼成セラミック基板１のチップ実装面１８及びボールグリッド接合面１９のうちの少なくともいずれかの表面上に形成されたビルドアップ層２とを備える。 - 特許庁

To provide a crimp terminal and a flat cable with the crimp terminal capable of preventing a flat conductor from bending at a junction of the flat conductor provided in the flat cable and a conductor crimp part of closed barrel type provided in the crimp terminal, and easily inserting the flat conductor into the conductor crimp part.例文帳に追加

平形ケーブルが備える平形導体と、圧着端子が備えるクローズドバレルタイプの導体圧着部との接合部において、平形導体が屈曲するのを防止することができると共に、導体圧着部の内側への平形導体の挿入を容易にすることができる圧着端子および圧着端子付き平形ケーブルを提供すること。 - 特許庁

In a method of manufacturing the casing 22, the resonant elements 23 are attached to a frame body 24 or a lid 25, the creamy solders 28 are applied to the positions of the junction sections, and then heating is performed to obtain the casing.例文帳に追加

そして、この筐体２２の製造方法は、枠体２４もしくは蓋２５のいずれかへ共振素子２３を装着するとともに、接合部の位置へクリーム状のはんだ２８を塗布し、その後に加熱して筐体を得るものであり、接合部においてはんだ２８は共振素子２３の内周面と前記筐体内面とが交差する位置の近傍へ塗布されるものである。 - 特許庁

In a semiconductor hetero junction corresponding to the N channel and the P channel, a difference in height ϕB of a Schottky barrier formed between a source and drain formed of metal or intermetallic compound and a semiconductor layer used for each channel of a semiconductor is used for enabling selectively injecting the carriers into each channel.例文帳に追加

本発明はｎチャネル及びｐチャネルに相当する半導体へテロ接合において、金属もしくは金属間化合物で形成されたソース及びドレインと前記半導体の各チャネルに用いた半導体層との間に形成されるショットキー障壁の高さφ_Bの違いを用いて各チャネルに選択的にキャリア注入をできるようにする。 - 特許庁

To suppress deterioration of junction strength of a radiant tube 1 by optimizing an attaching structure to a holding part 6 of the radiant tube 1 in a radiant tube burner provided with the ceramics made radiant tube 1 exposed in a furnace and formed with a combustion chamber in an interior, and the holding part 6 fixed to a furnace wall and holding the radiant tube 1.例文帳に追加

本発明は、炉内に露出され内部に燃焼室が形成されたセラミックス製のラジアントチューブ１と、炉壁に固定されラジアントチューブ１を保持する保持部６とを備えたラジアントチューブバーナにおいて、ラジアントチューブ１の保持部６への取付構造を適切なものとして、ラジアントチューブ１の接合強度の低下を抑制することを目的とする。 - 特許庁

To obtain a Schottky barrier diode with a high breakdown voltage and a large current where a leakage current in an opposite direction is reduced by forming a second conductivity type first surface layer with large depth and mutual interval and a second conductivity type second surface layer with small depth and mutual interval on the main surface of a first conductivity type SiC semiconductor substrate for forming Schottky junction.例文帳に追加

ショットキ接合を形成する第１導電型のＳｉＣ半導体基板の主表面に、深さおよび相互間の間隔の大きい第２導電型の第１表面層と、深さおよび相互間の間隔の小さい第２導電型の第２表面層を形成して、逆方向漏れ電流を低減した高耐圧、大電流のショットキーバリアダイオードを得る。 - 特許庁

Furthermore, when acquiring noise data, the MOS transistor T8 is turned on to allow the MOS transistor T9 to carry out the resetting, and thereafter, controlling the signal ϕVPS resets the logarithmic transform MOS transistor T1, in response to the threshold voltage and provides an output independently of the incident light to the P-N junction photodiode PD.例文帳に追加

また、ノイズデータ取得時に、ＭＯＳトランジスタＴ８をオンにし、ＭＯＳトランジスタＴ９によるリセットを行った後、ＭＯＳトランジスタＴ８をオフにし、信号φＶＰＳを制御することによって対数変換用ＭＯＳトランジスタＴ１を閾値電圧に応じてリセットし、その後ＰＮ接合フォトダイオードＰＤへの入射光に関係しない出力を行う。 - 特許庁

The electrical energy generator includes a plurality of nanowires made of a semiconductor material having piezoelectric characteristics; a semiconductor layer which is formed at one end of the nanowires and forms a p-n junction with the nanowires; and a contact layer which is in contact with the other end of the nanowires and made of a material having metal-insulator transition (MIT) characteristics.例文帳に追加

圧電特性を有する半導体物質からなる複数のナノワイヤと、該ナノワイヤの一端に形成される層であり、ナノワイヤとｐ−ｎ接合を形成する半導体層と、ナノワイヤの他端に接する層であり、金属−絶縁体転移（ＭＩＴ）特性を有する物質からなるコンタクト層と、を含む電気エネルギー発生装置である。 - 特許庁

In the ferrule for the optical terminator which has a clad formed outside an optical fiber core through-hole where an optical fiber core is formed, a transparent resin having a refractive index equal to that of the optical fiber core is heaped up convexly on an end surface for connection junction to be charged in the optical fiber through-hole halfway or wholly from the end surface.例文帳に追加

光ファイバコアが形成される光ファイバコア貫通孔の外側にクラッドが形成された光終端器用フェルールであって、光ファイバコアと同等の屈折率を有する透明樹脂がコネクタ接合用の端面上に凸状に盛られ、当該端面から前記光ファイバ貫通孔の途中または全部に充填されている。 - 特許庁

In a reflow soldering course, soldered portions which connect the terminals 4 and electrodes 2 to each other are formed by melting the solder of the solder paste 7 by heating and, at the same time, the junction reliability can be improved, because the thermosetting flux of the solder paste 7 is fluidized and intrudes into the space S, and the component 1 is reinforced with a resin thermoset thereafter.例文帳に追加

リフロー過程においては、加熱により半田ペースト７の半田を溶融させて端子４と電極２とを連結する半田接合部を形成するとともに、半田ペースト７の熱硬化型フラックスが流動化して隙間Ｓに進入し、その後熱硬化した樹脂によって電子部品１を補強して、接合信頼性を向上させることができる。 - 特許庁

The electrooptical apparatus comprises N pieces of image signal lines to which N pieces of serial-parallel converted image signals are supplied via external circuit connecting terminals, and two or more branch wiring which include junction wiring formed in the direction of crossing N pieces of the image signal lines and are connected to the respective corresponding lines of N pieces of the image signal lines.例文帳に追加

電気光学装置は、Ｎ個のシリアル−パラレル変換された画像信号が外部回路接続端子を介して供給されるＮ本の画像信号線と、Ｎ本の画像信号線の配線方向に交差して形成される中継用配線を含む、Ｎ本の画像信号線のうち対応する一本に夫々接続される複数の分岐配線とを備える。 - 特許庁

The heat characteristic estimation device of the present invention has: means for measuring an ambient temperature around the semiconductor device in a state in which the semiconductor device is operated by using power consumption with which the junction temperature of the semiconductor device is the limit temperature; and means for estimating the heat characteristic of the semiconductor device by using the measured temperature.例文帳に追加

そして、本発明の熱特性推定装置は、半導体装置のジャンクション温度が制限温度となる消費電力で半導体装置を動作させた状態で半導体装置の周囲の雰囲気温度を測定する手段と、測定した温度を利用して、半導体装置の熱特性を推定する手段とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The solar battery manufacturing method includes a process for forming pn-junction by heating after applying a phosphoric acid aqueous solution to the main surface of a p-type crystal silicon substrate, and is characterized by forming a silicon nitride thin film on the main surface of the p-type crystal silicon substrate before being applied with the phosphoric acid aqueous solution.例文帳に追加

ｐ型結晶シリコン基板の主面上にリン酸水溶液を塗布した後に加熱することによりｐｎ接合を形成する工程を備え、前記リン酸水溶液を塗布する前に、前記ｐ型結晶シリコン基板の主面上に薄い窒化シリコン膜を形成することを特徴とする太陽電池の製造方法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

In the method for fabricating a magnetic tunnel junction element, when an alumina film is formed as a tunnel barrier film on a ferromagnetic layer 16 of Ni-Fe alloy, or the like, an aluminum film 18 is formed by sputtering on the ferromagnetic layer 16 and then oxidized while coating it with an alumina film by reactive sputtering.例文帳に追加

例えば磁気トンネル接合素子の製法において、Ｎｉ−Ｆｅ合金等の強磁性層１６の上にトンネルバリア膜としてのアルミナ膜を形成する場合、強磁性層１６の上にスパッタ法によりアルミニウム膜１８を形成した後反応性スパッタ法によりアルミニウム膜１８の上にアルミナ膜を被着しつつアルミニウム膜１８を酸化する。 - 特許庁

In the optical isolator wherein the optical isolator element comprising at least two polarizers 3 and 4 and a Faraday rotator 5 arranged between the polarizers 3 and 4 is joined to a holder through a junction material, and the holder comprises a holding tool 1 for joining the polarizers and a holding tool 2 for joining the Faraday rotator.例文帳に追加

少なくとも２枚の偏光子３、４と、偏光子３、４間に配置されるファラデー回転子５とからなる光アイソレータ素子が接合材を介して保持具に接合されている光アイソレータにおいて、上記保治具は、上記偏光子を接合する保治具１と、上記ファラデー回転子を接合する保治具２とから構成されている。 - 特許庁

Thus, water intrusion through the junction interface between the heat sink 15 and the retaining frame 16 can be prevented while ensuring the exposed area of the heat sink 15, and even when the seal member 26 is formed of a material ejecting an electrical conduction impeding component, the intrusion of the electrical conduction impeding component into the case can be prevented.例文帳に追加

これにより、ヒートシンク１５の露出面積を確保したまま、ヒートシンク１５と保持枠１６との接合界面から水が浸入することを防止すると共に、仮にシール部材２６が導電性阻害成分を放出する材料で形成されている場合でも、その導電性阻害成分がケース内に侵入することを防止する。 - 特許庁

The multi-port junction device 10 combines the received RF signal and the local oscillating signal to generate three output signals by using power detectors PD, the IQ calculator 30 calculates the I component and Q component in compliance with the output signals of the power detectors as well as parameters α and β generated by the parameter calculator 40 to compensate IQ imbalances.例文帳に追加

マルチポートジャンクションデバイス１０は、受信したＲＦ信号とローカル発振信号を合成し、電力検波器ＰＤによって３つの出力信号を生成し、ＩＱ演算器３０は電力検波器の出力信号及びパラメータ演算器４０で生成されたパラメータαとβに応じて、Ｉ成分及びＱ成分を演算し、ＩＱインバランスを補正する。 - 特許庁

The ternary content addressable memory cell 1 is provided with a first magnetic tunnel junction 2 being formed from a storage layer 23, a sense layer 21 having a magnetization direction adjustable relative to the magnetization of the storage layer, an insulating layer 22 between the storage layer and the sense layer, a sense line 3 coupled with the storage layer, a first field line 4 and second field line 5.例文帳に追加

三値連想メモリセル１は、ストレージ層２３から形成されている第１磁気トンネル接合２、ストレージ層の磁化に対して調整可能な磁化方向を有するセンス層２１、及び、ストレージ層とセンス層との間の絶縁層２２を有し、ストレージ層に接続されているセンス線３を有し、第１フィールド線４及び第２フィールド線５を有する。 - 特許庁

This mesa-type semiconductor device has a thermal oxide film 16, that protects a pn junction surface, an n-type silicon layer 13, a p-type Si film 12 that is laminated and formed on the n-type silicon layer, and a p-type SiGe film 11 that is laminated and formed on the p-type Si film.例文帳に追加

ｐｎ接合面を保護するための熱酸化膜16を有するメサ型の半導体素子であって、ｎ型シリコン層13と、このｎ型シリコン層上に積層形成されたｐ型Ｓｉ膜12と、このｐ型Ｓｉ膜の上に積層形成されたｐ型ＳｉＧｅ膜11とを具備し、ｐ型ＳｉＧｅ膜11はｐ型Ｓｉ膜12によってｎ型シリコン層13から隔てられている。 - 特許庁

In a multi-junction solar battery having laminated solar battery cells having a plurality of different optical absorption spectra, the solar battery cells are formed on transparent substrates having through-holes opened to their both surfaces, and the interiors of the through-holes in the transparent substrates and the surfaces not having the solar battery cells, are covered with transparent conductive films.例文帳に追加

複数の光吸収スペクトルの異なる太陽電池セルを積層した多接合型太陽電池において、太陽電池セルは、両面に開口する貫通孔を有する透明基板上に形成され、透明基板の貫通孔内部及び太陽電池セルの形成されていない側の面が、透明導電膜で被覆されていることを特徴とする。 - 特許庁

The solar battery is provided with an insulation substrate where semispherical projections are arranged on a surface, a first electrode layer that is formed on the insulation substrate surface, a semiconductor layer with a pn junction being formed on the first electrode layer, and a second electrode layer that is made of a light-transmission material being formed on the semiconductor layer surface.例文帳に追加

表面に半球状の突起を配列してなる絶縁性基板と、前記絶縁性基板表面に形成された第１の電極層と、前記第１の電極層上に形成されたｐｎ接合を有する半導体層と、前記半導体層表面に形成された透光性材料からなる第２の電極層とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a semiconductor device constituted so that a SOG (spin on glass) film is used in an element isolation region, and the degradation of junction leak characteristics due to formation of dislocation in an active region is suppressed when forming a transistor employing a LDD (Lightly doped drain), and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

素子分離領域にＳＯＧ（ｓｐｉｎ ｏｎ ｇｌａｓｓ）膜を用いる構成で、ＬＤＤ（ｌｉｇｈｔｌｙ ｄｏｐｅｄ ｄｒａｉｎ）構造を採用するトランジスタを形成する場合に、活性領域に転位が形成されて接合リーク特性が悪化するのを抑制することができる構成の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Consequently, the solder bridges, etc., between the adjacent Cu patterns 2 and 4 can be prevented, because, even when excessive solder moves on the patterns 2 and 4 when a pressure is applied to the junction between the wiring boards 1 and 3 by means of a thermocompression bonding tool 9, the gap becomes the relieving space of the excessive solder.例文帳に追加

このため、フレキシブル配線基板１とリジッド配線基板３との接続箇所に熱圧着ツール９によって圧力が加えられたとき、余剰はんだがＣｕパターン２，４上に沿って移動しても、この間隙がその余剰はんだの逃げスペースとなるので、隣接するＣｕパターン間においてはんだブリッジ等が発生することを防止できる。 - 特許庁

In a semiconductor device using an insulation substrate on which conductor patterns 11 and 12 are junction-formed on either side of a rectangular ceramic substrate 10, the thickness (t1, t2) of the conductor pattern are made to be thicker than the thickness (t3) of the ceramic substrate and solder bonding is performed between a conductor pattern 11 of a front surface and heat generating parts mounted thereon.例文帳に追加

方形状のセラミック基板１０の両面に導体パターン１１，１２を接合形成してなる絶縁基板を用いた半導体装置において、前記導体パターンの厚さ（ｔ１、ｔ２）を前記セラミック基板の板厚（ｔ３）より厚くし、おもて面側の導体パターン１１とここにマウントした発熱部品との間をはんだ接合する。 - 特許庁

A lead pattern 23 that is electrically connected to the electrode of the LED chip 10 via the bonding wire 14 and is extended to the edge is formed on the surface of an insulating member 22 for composing the packaging substrate 20, and a junction section 23c having a through hole 23d for joining a lead wire 110 to the extended edge of the lead wire 23 by solder is provided.例文帳に追加

実装基板２０を構成する絶縁部材２２の表面には、ボンディングワイヤ１４を介してＬＥＤチップ１０の電極と電気的に接続されるとともに端部まで延長されたリードパターン２３が形成され、リードパターン２３の延長された端部にリード線１１０を半田接合するためのスルーホール２３ｄを有した接合部２３ｃが設けられる。 - 特許庁

A fixing device comprises a plurality of fixing units 20 and 21, a bypass Pb for bypassing one of the plurality of fixing units, and a tandem path Pt passing the fixing unit 21 bypassed by the bypass Pb, and conveying times of both conveying paths Pb and Pt from a branch point Sp to a junction point Mp are made approximately equal to each other.例文帳に追加

複数の定着器２０、２１と、それら複数の定着器２０、２１のうち、いずれかの定着器を迂回するバイパスＰｂと、該バイパスＰｂが迂回する定着器２１を経由するタンデムパス２０とから成る定着装置について、分岐点Ｓｐから合流点Ｍｐまでの両搬送路Ｐｂ、Ｐｔの搬送時間を略等しくする。 - 特許庁

The sensor part of the infrared detection device of thermal-type forms the micro air bridge structure 11 on the SOI substrate 27 by the ICP dry etching process, the semiconductor diode part 18 comprising a plurality of p-n junction diodes in its active region 12 is formed, and the metal reflecting film 15 and the infrared-absorbing layer 14 are provided there, in this order.例文帳に追加

熱型赤外線検出装置のセンサ部は、ＳＯＩ基板２７上にＩＣＰドライエッチングプロセスによってマイクロエアブリッジ構造体１１を形成し、その活性領域１２に複数のｐｎ接合ダイオードからなる半導体ダイオード部１８を形成し、その上面に金属反射膜１５および赤外線吸収層１４を順に設ける。 - 特許庁

A storage section 10 is provided with a semiconductor recording medium, and a wiring board to which the semiconductor recording medium is packaged; a lead wire 13 jointed to the wiring board by a junction section, to output data stored in the semiconductor recording medium; and a storage case 14 in a rectangular parallelepiped shape for storing the semiconductor recording medium and the wiring board.例文帳に追加

記憶部１０は、半導体記録媒体と、半導体記録媒体が実装される配線基板と、半導体記録媒体に記憶されているデータを出力するために配線基板に接合部で接合されているリード線１３と、半導体記録媒体及び配線基板を収容する直方体状の収容ケース１４とを備える。 - 特許庁

To provide with a relatively simple process a semiconductor device that ensures airtightness of a semiconductor chip, avoids the adhesion of a resin to an element formation surface, and avoids the increase in manufacturing cost, and its manufacturing method in a junction reinforcement method that can be applied to the semiconductor device for handling a high-frequency signal ranging from a microwave band to a millimeter wave band.例文帳に追加

マイクロ波帯からミリ波帯までの高周波信号を取り扱う半導体装置に適用することができる接合部補強方法であって、半導体チップの気密性が確保され、素子形成面への樹脂の付着を回避でき、かつ比較的簡単な工程で製造コストの上昇を回避できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To manufacture a photovoltaic power element having excellent characteristics by preventing the characteristics from being deteriorated due to the mixing of doping gases or the like into a substantially intrinsic i-type semiconductor layer, even if a transparent conductive layer wherein a high texture degree is included but adsorptive sites increase is used, when manufacturing the photovoltaic power element including a pin junction.例文帳に追加

ｐｉｎ接合を有する光起電力素子の製造に際し、高いテクスチャー度を有するが吸着サイトが増加している透明導電層を使用した場合においても、ドーピングガス等が実質的に真性なｉ型半導体層に混入して特性が低下するのを防止して良好な特性を有する光起電力素子を製造できるようにする。 - 特許庁

To obtain a highly reliable DRAM hybrid semiconductor device in which a good metal silicide layer capable of suppressing junction leak and channel leak of a transistor is formed on a lightly doped diffusion layer of the source-drain region at a DRAM part, and wiring resistance and contact resistance are reduced by increasing the area of the metal silicide layer.例文帳に追加

ＤＲＡＭ部において、接合リークおよびトランジスタのチャネルリークを抑制できる、良好な金属シリサイド層をソース・ドレイン領域の低濃度拡散層上に形成すると共に、この金属シリサイド層の面積を増大させて、配線抵抗の低減およびコンタクト抵抗の低減を図り、高速で信頼性の高いＤＲＡＭ混載半導体装置を得る。 - 特許庁