「Junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(174ページ目) - Weblio英語例文検索

In the thermopile element, a substrate, a membrane provided on the substrate, a heat sink section formed at the peripheral section of the membrane, a row of thermocouples comprising a plurality of warm and cold junction sections arranged at the membrane and heat sink sections, and the heat-sensitive element in a recess formed on the heat sink section are stored and fixed.例文帳に追加

基板と、該基板に設けたメンブレンと、該メンブレンの周辺部に形成されたヒートシンク部と、前記メンブレンと前記ヒートシンク部に配列された複数の温接点部と冷接点部からなる熱電対列と、前記ヒートシンク部上に形成された凹部内に感熱素子を収納固定した構造とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes a source region 10 and a drain region 11 that adjoin a silicon substrate 1 to form a Schottky junction, and an insulating layer provided to cover both of a portion where an interface of the silicon substrate 1 and the source region 10 is exposed and a portion where an interface of the silicon substrate 1 and the drain region 11 is exposed.例文帳に追加

シリコン基板１と接してショットキー接合を形成するソース領域１０,ドレイン領域１１と、上記シリコン基板１とソース領域１０との境界が露出する部分およびシリコン基板１とドレイン領域１１との境界が露出する部分を被覆するように設けられた絶縁層を備える。 - 特許庁

In the junction box for the automobile which has a power system where fuse upstream wiring and fuse downstream wiring are connected with each other via a fuse, the upstream side of the fuse is composed of individual bus bars, and the downstream side of the fuse is composed of a board and a tab terminal connected to the board.例文帳に追加

ヒューズ上流側配線とヒューズ下流側配線とがヒューズを介して接続された電源体系を有する自動車用ジャンクションボックスにおいて、ヒューズ上流側が個別のバスバーで構成され、ヒューズ下流側が基板と該基板に接続されたタブ端子とによって構成されたことを特徴とする自動車用ジャンクションボックス。 - 特許庁

To provide an MOS transistor having a stable and shallow high concentration junction capable of preventing a high concentration area forming a drain/source area from being put through a contract hole due to the variations in manufacturing, which used to be impossible in an MOS type transistor having a conventional LDD structure.例文帳に追加

本発明は、従来のＬＤＤ構造を有するＭ０Ｓ型トランジスタでは不可能であった、ドレイン・ソース領域を形成する高濃度領域が製造バラツキなどによりコンタクトホールを突き抜けることのなく、安定して浅い高濃度接合を有するＭＯＳ型トランジスタを簡単なプロセスにより提供することを目的とする。 - 特許庁

When a lead wire 16 is joined with solder 23 to a body 17 of the thermoelectric module comprising a plurality of thermoelectric semiconductor chips 22, the solder 23 is melted at a junction between the main body 17 and the lead wire 17 by heat generated from a current passage through the lead wire 16, and then solidified.例文帳に追加

複数の熱電半導体チップ２２を備えた熱電モジュールの本体１７に、半田２３によりリード線１６を接合する際に、該リード線１６に通電を行うことによって生じる熱により半田２３を本体１７とリード線１６との接合部で溶融させた後、該半田２３を固化させる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device wherein a gettering sink which never affects a pn junction and a surface device functional region which are formed in a wafer bulk can be easily forme, and a gettering capability is still effective even after a thinning process in a wafer process and hence the degradation of semiconductor characteristics and a decline in yield can be prevented.例文帳に追加

ウエハバルクに形成されるｐｎ接合や表面デバイス機能領域に影響を与えないゲッタリングシンクを容易に作製でき、ウエハプロセスにおける薄化工程後もゲッタリング能力は有効であって、半導体特性の低下や良品率低下を防止できる半導体装置を提供すること。 - 特許庁

A rotational speed of the motor 2 and a junction temperature of a switching element in the near future after an engine start-up time are continuously estimated, and according to the estimates, if the motor 2 is determined to be in a locked state and require torque limiting after the engine start-up time, the engine 3 is started immediately.例文帳に追加

エンジン始動時間経過後の近未来のモーター２の回転速度とスイッチング素子のジャンクション温度とを常に推定し、これらの推定値に基づいてエンジン始動時間経過後にモーター２がロック状態にあって、且つ、モーター２のトルク制限が必要と判定されると、直ちにエンジン３を始動するようにした。 - 特許庁

To provide a planar type semiconductor device in which a horizontal direction of a depletion layer near a guard ring region is easily broadened, an electric field near a corner of a main junction region is sufficiently alleviated, and a concentration of an avalanche current to the corner is prevented to improve a withstand voltage.例文帳に追加

ガードリング領域近傍における空乏層の水平方向の広がりやすくして、主接合領域の隅部近傍の電界を十分に緩和させ、アバランシェ電流の当該隅部への集中を防止することにより、耐圧を向上させたプレーナ型半導体装置を提供することを目的すること。 - 特許庁

The transistor has: a tunnel junction structure comprising a tunnel barrier 365 made of an insulating nonmagnetic substance, and a source 361 formed of a ferromagnetic material, and a drain 363 formed of a ferromagnetic material, between which the tunnel barrier 365 is disposed; and a gate electrode 371 formed with respect to the tunnel barrier 365.例文帳に追加

絶縁性の非磁性体からなるトンネル障壁３６５と該トンネル障壁３６５を挟み込む強磁性体からなるソース３６１及び強磁性体からなるドレイン３６３とにより形成されるトンネル接合構造と、前記トンネル障壁３６５に対して形成されるゲート電極３７１と、を有するトランジスタ。 - 特許庁

To provide a metal electrode/ceramic junction exhibiting high strength and excellent durability, generating relatively small thermal stress derived from difference of thermal expansion coefficients, and keeping high heat resistance and oxidation resistance over long period of time even when used under high temperature oxidative atmosphere, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

熱膨張係数差に起因する熱応力が相対的に小さく、高い強度及び優れた耐久性を示し、高温酸化雰囲気下で使用した場合であっても、長期間に渡って高い耐熱性、耐酸化性を示す金属電極／セラミックス接合体及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light-emitting device having high reliability and high production efficiency owing to an adhesion layer which improves adhesion between an end face of a resonator and an end face coating film, without requiring control for the thickness of the coating for inhibiting a short circuit of pn junction and light absorption, unlike metal adhesion layers.例文帳に追加

金属の密着層のようにｐｎ接合のショートおよび光の吸収を抑制するための膜厚制御性を必要とせず、かつ共振器端面と端面コート膜の密着性を向上させる密着層により、信頼性、生産効率の高い窒化物半導体発光素子を提供することである。 - 特許庁

By laminating double the encapsulating layer 31 not including additionally embedded oxygen and the second encapsulating layer abundant in oxygen, and encapsulating an MTJ lamination structure, the MTJ junction is insulation separated from the outside without fail, and also the safety of the tunnel resistance value is secured even if subjected to a thermal treatment process in the post stage.例文帳に追加

追加埋込酸素を含まない封入層３１と酸素リッチな第２の封入層とを二重に積層してＭＴＪ積層構造を封じ込めることにより、外部からＭＴＪ接合を確実に絶縁分離できると共に、後工程で熱処理プロセスに曝されてもトンネル抵抗値の安定性が確保される。 - 特許庁

To provide a vacuum valve, which is excellent in shock resistance and carries out assembly work easily, by making the stress of the bellows wave, which adjoins a fixed end and a movable end of the bellows, and the stress of a junction part of the bellows and an end plate small, in the vacuum valve structure using the bellows, which receives shock displacement to an axis direction.例文帳に追加

軸方向に衝撃変位を受けるベローズを用いる真空バルブ構造において、ベローズの固定端と可動端に隣接する蛇腹波の応力及びベローズと端板の接合部の応力を小さくし、耐衝撃性に優れた、かつ組立作業が容易に実施する真空バルブを提供する。 - 特許庁

An ultrasonic transducer 31 built in an ultrasonic probe 11 includes the acoustic matching layer 42 composed of: a three-dimensional structure 51 which is produced using technology obtained by adapting normal temperature junction and in which thin film patterns 52 are laminated; and a base material 50 in which the three-dimensional structure 51 is embedded.例文帳に追加

超音波プローブ１１に内蔵された超音波トランスデューサ３１には、常温接合を応用した技術を用いて作製され、薄膜パターン５２が積層されてなる３次元構造体５１と、３次元構造体５１が埋設される母材５０とからなる音響整合層４２が具備されている。 - 特許庁

To provide a one-pack moisture-curing type urethane-based sealing material composition which suppresses occurrence of popping in a coating film, has excellent adhesion between the coating film and a sealing material surface, and is applicable to vehicle use, to provide a method for filling a vehicle junction portion by using the sealing material composition, and to provide a coated joint structure of a vehicle.例文帳に追加

塗膜のワキ発生を抑制するとともに塗膜とシーリング材表面との密着性に優れた、車輌用途に適用される１液湿気硬化型ウレタン系シーリング材組成物、該シーリング材組成物を用いた車輌接合部位の目止め方法及び車輌の塗装目地構造を提供する。 - 特許庁

Incidence of laser from a semiconductor laser 1 is made to a lens 2 of an exciting light junction lens system and to a laser crystal 12 (Nd:YVO4) which is constituted of two pieces via a coupling mirror 11 and the two same laser crystals 12a and 12b (Nd:YVO4) of which both surfaces are polished at the same time are used as the laser crystal 12.例文帳に追加

半導体レーザ１からのレーザ光を、励起光結合レンズ系のレンズ２とカップリングミラー１１を介して２枚で構成されたレーザ結晶１２（Ｎｄ：ＹＶＯ_４）に入射させレーザ結晶１２は同時に両面研磨された２枚の同じレーザ結晶１２ａ、１２ｂ（Ｎｄ：ＹＶＯ_４）が使用される。 - 特許庁

The collector of Q3 is connected to the junction between the resistor R2 and the capacitor C2, and the emitter of the transistor Q3 is connected to a base winding L3, and the resistor R3 is connected between the base of the transistor Q3 and one end of the base winding L3, and the capacitor C3 is connected to the base and the emitter of the transistor Q3.例文帳に追加

Ｑ３のコレクタが抵抗Ｒ２とコンデンサＣ２の接続点に接続され、トランジスタＱ３のエミッタがベース巻線Ｌ３に接続され、トランジスタＱ３のベースとベース巻線Ｌ３の前記一端との間に抵抗Ｒ３が接続され、トランジスタＱ３のベースとエミッタとの間にコンデンサＣ３が接続されている。 - 特許庁

To provide a wiring structure that the junction between diffusion barrier layers consisting of metal or compound thin layers in contact with an interlayer insulating film layer containing a low-dielectric constant organic matter, as its main component is strong and a peeling or a desorption is never generated at the interface between the interlayer insulating film layer and the diffusion barrier layers, and to provide the manufacturing method of the wiring structure.例文帳に追加

誘電率の低い有機物を主成分とする層間絶縁膜層に接して金属又は化合物の薄層からなる拡散障壁層の相互間の結合が強く、その界面で剥離・脱離が発生することのない配線構造及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The photodetector holding plate 1 is fitted movably to the supports 2a and 2b through the through-holes 1a and 1b, junction members 4 and 5 are filled in openings 31 and 32 formed by the flat part 11 or 12 of the through hole 1a and 1b and the flat part 15 or 16 of the supports 2a and 2b, and fixed.例文帳に追加

光検出器保持板１は、貫通孔１ａ及び１ｂにより支柱２ａ及び２ｂに遊嵌され、貫通孔１ａ及び１ｂの平坦部１１又は１２と、支柱２ａ及び２ｂの平坦部１５又は１６とにより形成される空隙３１又は３２に接合部材４及び５が充填されて固定されている。 - 特許庁

When a junction gear 181 is rotated in the ccw direction, a movable member 20 and a lock member 90 are transferred in the Y2 direction since a friction gear 192 is transferred in the α direction, to be abutted on a first stopper 193, a second gear 173 is locked and a first gear 172 is rotated in the continuous line direction.例文帳に追加

中継ギヤ１８１をｃｃｗ方向に回転させると、フリクションギヤ１９２がα方向に移動し、第１のストッパ１９３に当接して第２のギヤ１７３がロックされて第１のギヤ１７２が実線方向に回転させられるため、可動部材２０とロック部材９０がＹ２方向に移動させられる。 - 特許庁

A right side area on a game board 101 includes: a branching point 150 for sorting game balls to passages, a plurality of passages (a regular passage 151 and a special passage 152) through which game balls coming from the branching point 150 pass; and a junction 330 where the plurality of passages 151 and 152 join.例文帳に追加

遊技盤１０１上の右側領域は、遊技球の進路を振り分ける分岐点１５０と、分岐点１５０から進入した遊技球が通過する複数の通過経路（一般経路１５１および特別経路１５２）と、複数の通過経路１５１，１５２が合流する合流点３３０と、を有する。 - 特許庁

In assembly of the heat transfer tubes 14a and the fins 19a, a cut and raised part is provided in an adherence part of the fin along the heat transfer tube, and by this composition, the fin and the heat transfer tube are in surface contact, assembly can be carried out without damaging a surface agent by an edge of the fin, and coherent junction can be effectively carried out.例文帳に追加

伝熱管１４ａとフィン１９ａを組立てるとき、フィンの伝熱管に沿った密着部に切り起こし部を備えたものであり、この構成によれば、フィンと伝熱管が面接触となりフィンのエッジで表面剤を傷付けることなく組立てることができるとともに、有効に密着接合することができる。 - 特許庁

To solve the problem that high speed operation can not be expected when an EL element has a large junction capacitance and, when a current course is changed, a transistor which controls a driving current becomes a source follower for a switching transistor connected with a power source line and the source voltage of a driving transistor is varied in accordance with characteristics of a switching transistor.例文帳に追加

ＥＬ素子がおおきな接合容量を持つ場合に、高速動作が期待できないこと、及び、電流経路が変換した場合に電源ラインに接続されるスイッチングトランジスタに対し駆動電流を制御するトランジスタがソースフォロワとなり、駆動用トランジスタのソース電圧がスイッチング用トランジスタの特性により変動する。 - 特許庁

To provide a CPP structured magnetoresistance effect head capable of reducing the influence of etching damage in a magnetoresistance effect sensor film junction end part in a device height direction, suppressing the deterioration of withstand voltage between upper and lower shield layers or the fluctuation of a reproduction characteristic caused by shielding, and keeping a reduced electrostatic capacitance.例文帳に追加

CPP構造磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、素子高さ方向の磁気抵抗効果センサ膜ジャンクション端部のエッチングダメージの影響を低減し、また、上部シールド層と下部シールド層の間の絶縁耐圧の劣化や、シールド起因の再生特性の変動を小さく抑え、さらに静電容量を小さく保つ。 - 特許庁

On the other hand, when the circuit 200 is programmed permanently, by giving a signal to the spike enable input structure 257 for closing a transistor 248, a large current is constrained to pass through the transistor 248 and a spike is formed at a junction 248a, and then a short-circuit to a ground voltage 230 is produced.例文帳に追加

一方、回路２００を恒久的にプログラムする場合は、トランジスタ２４８を閉じるスパイクイネーブル入力構造２５７に信号を与えることによって、大きな電流をトランジスタ２４８内に強制的に流し接合部２４８ａにスパイクを形成し、接地電圧２３０への短絡回路を生じさせる。 - 特許庁

The pH electrode in one embodiment is equipped with the silver iodide film 8 is formed on the surface of the silver electrode 2, the silver iodide layer 5 formed so as to cover at least the exposed surface of the silver iodide film 8 and the PVA-SbQ6 formed as a liquid junction so as to cover at least a part of the silver iodide layer 5.例文帳に追加

本発明の一実施形態にかかるｐＨ電極は、銀電極２表面に形成されたヨウ化銀膜８と、少なくともヨウ化銀膜８の露出面を覆うように形成された、ヨウ化銀層５と、ヨウ化銀層５の少なくとも一部を覆うように形成された、液絡としてのＰＶＡ−ＳｂＱ６とを備えている。 - 特許庁

In the junction structure where each connection terminal 7 being formed on a flexible substrate 6 is joined to a rectangular electrode pad 2 being arranged in parallel at a specific interval on a circuit substrate 1 by thermocompression, a resist 4 is provided on both the ends in the longitudinal direction of the electrode pad 2 of the circuit substrate.例文帳に追加

回路基板１上に所定間隔で並列に配列された長方形状の電極パッド２にフレキシブル基板６に形成された各接続端子７をそれぞれ半田５を介して熱圧着により接合する接合構造において、回路基板の電極パッド２の長手方向における両端部上にレジスト部４を設けた。 - 特許庁

When a capacitance of a diode element (inter-terminal capacitance) is smaller than a standard value on the basis of the capacitance measured after forming a pn junction, in an ultraviolet ray emission process executed by eliminating electric charges charged on a substrate after forming a rear side electrode, ultraviolet rays are emitted by suppressing an ultraviolet ray emission energy.例文帳に追加

ＰＮ接合形成後に計測したダイオード素子の容量（端子間容量）値を基にして、その容量値が規格値より小さい場合には、裏面電極の形成後に基板が帯電している電荷を除去するために行う紫外線照射工程において、紫外線照射エネルギーを抑制して照射を行う。 - 特許庁

To provide a membrane for a fuel cell, by which characteristics of the membrane for the fuel cell represented by proton conductivity and mechanical properties are evenly displayed and defects of a joined area are hardly caused at preparing a membrane-electrode junction to be prepared to use for a solid polymer electrolyte fuel cell.例文帳に追加

プロトン伝導性や機械的特性などに代表される燃料電池用膜の特性を均一に発現させるとともに、固体高分子形燃料電池に使用するために調製される膜−電極接合体の調製時において、接合部分の欠陥が生じにくい、燃料電池用膜を提供する。 - 特許庁

To provide a module structure that can restrain reduced reliability of soldering connection due to the problem that soldering fault is caused by soaking of melted solder along a plate-like conductor to be bonded and a solder thickness of a solder junction is made smaller than its design value in performing reflow soldering.例文帳に追加

リフローによってはんだ付けする際には、はんだが溶融し、溶融したはんだが接合する板状導電体に沿って吸い上げられてはんだ付け不良を引き起こし、ハンダ接合部のはんだ厚みが設計値よりも小さくなり、はんだ接続の信頼性が低下することを抑制することのできるモジュール構成を提供する。 - 特許庁

To provide an electrolyte film for a fuel cell with swelling of the film made of a perfluorocarbon polymer electrolyte by water, alcohol such as methanol restrained, and a dimensional stability improved, as well as an electrolyte film/electrode junction, a fuel cell and a manufacturing method of the electrolyte film for the fuel cell.例文帳に追加

パ−フルオロカ−ボン重合体型電解質からなる燃料電池用電解質膜の水やメタノ−ル等のアルコ−ル類による膨潤を抑制し、寸法安定性を改良した燃料電池用電解質膜、電解質膜−電極接合体、燃料電池および燃料電池用電解質膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

This optical component 1 is built up in the configuration that a coreless fiber 4 is connected to at least one end of the optical fiber 2, that the coreless fiber 4 and a welded extension 3 are housed in a case 7, and that the distance from the junction point 5 of the coreless fiber 4 and the the optical fiber 2 to the welded extension 3 is 0-30mm.例文帳に追加

本発明の光部品１は、光ファイバ２の少なくとも１つの端部にコアレスファイバ４が接続され、コアレスファイバ４と融着延伸部３とが同一の筐体７に収容され、コアレスファイバ４と光ファイバ２との接続点５と、融着延伸部３の端部との距離が０〜３０ｍｍである構成とする。 - 特許庁

A moving body 30 is provided with a wheel 31 supported and guided to the wheel support face and opposed to the wheel receiving face, a side guide roller 35 guided by the roller guide face, and route rollers 41 and 42 engaged with and guided by the guide face for the route guide part continued in the another route direction side in the branch junction part.例文帳に追加

移動体３０に、車輪支持面に支持案内されかつ車輪受け面に対向する車輪３１と、ローラガイド面に案内されるサイドガイドローラ３５と、分岐合流部において別経路方向側に連続する経路案内部のガイド面に係合案内される経路用ローラ４１，４２を設けた。 - 特許庁

While the junction gear 181 is rotated in the cw direction, the movable member 20 and the lock member 90 are transferred in the Y1 direction since the friction gear 192 is transferred in the β direction, to be abutted to a second stopper 194, the second gear 173 is locked and the first gear 172 is rotated in the dashed line direction.例文帳に追加

また中継ギヤ１８１をｃｗ方向に回転させると、フリクションギヤ１９２がβ方向に移動し、第２のストッパ１９４に当接して第２のギヤ１７３がロックされて第１のギヤ１７２が破線方向に回転させられるため、可動部材２０とロック部材９０がＹ１方向に移動させられる。 - 特許庁

The junction structure joins a pile 1 and a column 2 having footing beams 3 made of steel joined a column base section, and a rod-shaped metallic material 6 extended in the axial direction of the pile 1 and the column 2 is disposed in concrete 7 constituting the central section of a concrete cross section constituting the pile head section of the pile 1 and the column base section of the column 2.例文帳に追加

杭１と、柱脚部に鋼製基礎梁３が接合された柱２との接合構造であり、杭１の杭頭部を構成するコンクリート断面の中央部および柱２の柱脚部を構成するコンクリート７内に、杭１および柱２の軸方向に延びる棒状金物６を配設する。 - 特許庁

This communication device 1 for the vehicle calculates the information on relative position, relative speed and relative moving direction of the self-vehicle and the other vehicle at a point where the traveling of the self-vehicle may be affected by the other vehicle, such as a junction, and searches the other vehicle to be communicated and connected on the basis of a result of calculation.例文帳に追加

車両用通信装置１は、合流地点など、他車両が自車両の走行に影響を与える可能性がある地点において、自車両と他車両との相対位置、相対速度、及び相対移動方向の情報を算出し、算出結果に基づいて、通信接続すべき他車両を探索する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting device with a high reliability and a high productive efficiency which doesn't need any short of a pn junction like a metallic adhesion layer and any thickness control nature for suppressing a light absorption and is obtained by an adhesion layer for raising an adhesiveness between a resonator end surface and an end surface coat film.例文帳に追加

金属の密着層のようにｐｎ接合のショートおよび光の吸収を抑制するための膜厚制御性を必要とせず、かつ共振器端面と端面コート膜の密着性を向上させる密着層により、信頼性、生産効率の高い窒化物半導体発光素子を提供することである。 - 特許庁

To reduce the thermal stress in the junction between a ceramic susceptor and a supporting member by suppressing the occurrence of cold spots by reducing the quantity of heat escaping from the susceptor to a chamber through the member when an object to be treated is heated by means of the susceptor in a ceramic susceptor supporting structure which is constituted to install the object and attach the susceptor to the chamber.例文帳に追加

被処理物を設置し、加熱するためのセラミックサセプターをチャンバーへと取り付けるための支持構造において、加熱時にセラミックサセプターから支持部材を通してチャンバーへと逃げる熱量をできるだけ少なくし、コールドスポットの発生を抑制し、セラミックサセプターと支持部材との接合部分における熱応力を低減する。 - 特許庁

A solder-plated layer 20 is formed on the surface of the connection terminal of the printed-wiring board 1 in such a configuration, and soldering is made by applying prescribed temperature and press, thus forming a fillet 21 along the shape of each projection and enhancing the junction strength between the insulating base 2 and the connection terminals 3A-3D.例文帳に追加

このような構成のプリント配線板１の接続端子部の表面にはんだめっき層２０を形成し、所定の温度及び押圧力を加えてはんだ付けを施せば、各突出部の形状に沿ったフィレット２１が形成され、絶縁性基材２と接続端子部３Ａ〜３Ｄとの間の接合強度を高めることができる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a multi-junction photoelectric conversion device which restrains current leakage from an intermediate contact layer by dividing the intermediate contact layer without affecting an underlying layer so as to suppress deterioration in power generation efficiency and reduces an ineffective area generating no electric power so as to enhance power generation efficiency.例文帳に追加

下側層に影響せずに中間コンタクト層を分割し、中間コンタクト層からの電流漏れを抑制し、発電効率の低下を抑制できるとともに発電を行わない無効領域を小さくし、発電効率を向上させることができる多接合型光電変換装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

It is designed that the write time is about 10 μs and the leakage current of the junction in writing is approximate 100 ns, therefore, the energy necessary for writing is reduced up to 5 pJ, that is, reduced to 1/100 or less, compared with a writing energy used in implantation of channel hot electron of the customary stacked gate type memory.例文帳に追加

書込み時間はおおよそ１０μｓ、書込み動作時の前記接合の漏洩電流は１００ｎＡ程度に設計できるため、書込みに要するエネルギーは５ｐＪまで低減され、従来のスタックド・ゲート型メモリセルのチャンネルホットエレクトロン注入を用いた書込みのエネルギーに比較して１／１００以下に低減できる。 - 特許庁

In the junction material 4, a first metal joined material 1 and a second metal joined material 2 are joined, wherein the material 2 consists of a material or materials selected from a group composed of nickel, palladium, platinum and aluminum, and a solid solution phase including the constituent element of the second metal joined material and tin exists in the cross-sectional fine structure of a joined layer 3.例文帳に追加

接合体４は、第１金属被接合材１と、ニッケル、パラジウム、白金及びアルミニウムからなる群より選択される材料よりなる第２金属被接合材２とが接合され、接合層３の断面微細構造に、第２金属被接合材構成元素と錫とを含む固溶体相が存在する。 - 特許庁

In the junction filling concrete consisting of the concrete containing cement, a cement admixture, fine aggregate and coarse aggregate, the cement admixture is obtained by compounding silica fume and fly ash classified to the size of ≤20 μm and a compounding ratio of the silica fume and the classified fly ash is (95:5) to (10:90) by mass ratio.例文帳に追加

セメント、セメント混和材、細骨材及び粗骨材を含有したコンクリートからなる接合部充填コンクリートにおいて、前記セメント混和材が、シリカフュームと２０μｍ以下に分級したフライアッシュを配合したものであり、シリカフューム：分級したフライアッシュの配合割合を質量比で９５：５〜１０：９０としたことを特徴とする。 - 特許庁

A PDP 3 and an FPC 2 are close to each other because images of a panel-side mark 3e and a junction object body-side mark 2c are picked up in one imaging visual field by an imaging camera 123, and the extent of the movement, when the FPC is moved toward the PDP for joining them after imaging is made considerably shorter than the conventional extent of movement.例文帳に追加

パネル側マーク３ｅ及び被接合体側マーク２ｃを撮像カメラ１２３にて一つの撮像視野にて撮像することから、ＰＤＰ３とＦＰＣ２とは近接しており、撮像後、接合のため、ＦＰＣをＰＤＰへ移動させるときの移動量は、従来に比べて格段に短縮される。 - 特許庁

In normal operation wherein the surface temperature of a fixing sleeve 18 is ≤180°C, regardless of the temperature of a cold junction, abnormality is not detected; but when the surface temperature of the fixing sleeve 18 rises up to 210 to 232°C, the output voltage of the amplifying circuit 54 exceeds the threshold voltage, so that abnormal temperature detecting operation is carried out.例文帳に追加

冷接点の温度によらず、定着スリーブ１８の表面温度が１８０℃以下の正常動作時には、異常を検出しないが、定着スリーブ１８の表面温度が２１０℃から２３２℃になると、増幅回路５４の出力電圧が閾値電圧を超え、異常温度検出動作が行われる。 - 特許庁