「Junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(172ページ目) - Weblio英語例文検索

A down pipe 9 having a junction 11 is liftably fitted to a house unit 1 constituting a unit house 4 in advance, the down pipe 9 is lifted upward after the erecting work of the house unit 1, then the down pipe 9 is connected to an eaves gutter 5, or the down pipes 9 are connected together.例文帳に追加

ユニット住宅４を構成する住宅ユニット１に、接合部１１を有する竪樋９を予め持ち上げ可能に取付けておき、住宅ユニット１の建て方作業を行った後に、竪樋９を上へ押上げることにより、竪樋９と軒樋５との間または竪樋９どうしを接合するようにしている。 - 特許庁

By using the high-resolution photosensitive polyimide for an insulating film for the upper and the lower electrodes of the superconducting tunnel junction element, forming via holes in the insulating layer is accomplished only by a lithography process, and as compared to the insulating film formation using a vacuum process based on prior arts, a high cost is reduced and the process steps are greatly simplified.例文帳に追加

高解像感光性ポリイミドを超伝導トンネル接合素子の上部及び下部電極の絶縁膜として用いることにより、絶縁層へのビアホール加工がリソグラフィ工程のみで達成され、従来の真空プロセスを用いる絶縁膜形成に比べて、多大なコストが軽減され、大幅に工程を簡略化できる。 - 特許庁

The housing comprises an upper portion 16 inclined relative to a plane perpendicular to the optical axis Δ of the lens, a lower portion 34, 48, 52 more inclined than the upper portion and a zone of junction B' between the upper and the lower portions, playing the role of a stop for the deformable refractive interface.例文帳に追加

ハウジングは、レンズの光軸Δに直角をなす平面に対して傾斜する上側部分１６、上側部分よりもさらに傾斜する下側部分３４、４８、５２、および上側部分と下側部分との間に変形可能な屈折境界面のための障害物の役割を果たす接合ゾーンＢ’を備える。 - 特許庁

A main electrode 2 is joined to an insulating part 4 by a ceramic/metal junction, an joined face U1 has a water-tight and smooth surface, an adhesive or the like is not used although used in the prior art, a micro irregularity is not formed on the ceramic-metal joined face U1, and the sanitary electrode rod 1 is thereby provided.例文帳に追加

主電極２と絶縁部４の間がセラミックス／金属接合により接合されて該接合面Ｕ１が水密かつ平滑な表面を有してなるので、従来のように、接着剤等を使用しないので、また金属とセラミックスの接合面Ｕ１に微小な凹凸も形成されないので、衛生的な電極棒１が得られる。 - 特許庁

And, electrons existing primarily in the quantum dots 61a to 61c move between the quantum dots 61a to 61c and the quantum dots 51a to 51c through a tunnel junction in response to a voltage applied from pads 12, 13 to a gate electrode 9, and distribute in the quantum dots 51a to 51c and/or the quantum dots 61a to 61c.例文帳に追加

そして、量子ドット６１ａ〜６１ｃ中に元来的に存在する電子は、パッド１２，１３からゲート電極９に印加される電圧に応じて、トンネル接合を介して量子ドット６１ａ〜６１ｃと量子ドット５１ａ〜５１ｃとの間を移動し、量子ドット５１ａ〜５１ｃおよび／または量子ドット６１ａ〜６１ｃ中に分布する。 - 特許庁

The submount 9 is formed 200-400 μm thick using a material having a thermal expansion coefficient of 3.5-6.0×10^-6/°C, and the semiconductor lasers LD1-7 are bonded to the submount 9 with its junction down by dividing an AuSn eutectic point solder and a metallization layer into a plurality of parts in the bonding face.例文帳に追加

またサブマウント９は熱膨張係数が３．５〜６．０×１０^−６／℃である材料を用いて２００〜４００μｍの厚さに形成し、このサブマウント９に対して半導体レーザーＬＤ１〜７は、両者の接着面内でＡｕＳｎ共晶点半田およびメタライズ層を複数に分割して、ジャンクションダウン構造で分割接着する。 - 特許庁

To provide a membrane-electrode junction having an electrolyte membrane excellent in proton conductivity and mechanical strength, well adhering to a catalyst electrode layer, in which, oxygen at an air electrode side and fuel at a fuel electrode side move easily, and also to provide a manufacturing method of the same, and a direct type fuel cell using the same.例文帳に追加

プロトン伝導性に優れ機械強度を併せ持ち、触媒電極層との密着性がよく、かつ空気極側での酸素移動および燃料極側での燃料移動を容易にした電解質膜を有する膜電極接合体およびその製造方法ならびにそれを用いたダイレクト型燃料電池を提供すること。 - 特許庁

A 1-bit shift register is formed by pn junction photo diodes Pa11-Pamn, Pb11-Pbmn, Pc11-Pcmn, and Pd11-Pdmn as pixels arranged as a matrix and 4 unit transfer stages Vsaij, Vsbij, Vscij and Vsdij, and the solid- state image pickup device consists of the 1-bit shift register and vertical shift registers VS1-VSm.例文帳に追加

マトリクス状に配された画素となるｐｎ接合フォトダイオードＰａ11〜Ｐａmn，Ｐｂ11〜Ｐｂmn，Ｐｃ11〜Ｐｃmn，Ｐｄ11〜Ｐｄmnと、４つの単位転送段ＶＳａij，ＶＳｂij，ＶＳｃij，ＶＳｄijによって１ビットのシフトレジスタを形成するとともに埋込チャネルＣＣＤで構成された垂直シフトレジスタＶＳ1〜ＶＳmとから構成される。 - 特許庁

A plurality of correction values is stored in response to storage conditions of the substrate estimated preliminarily, the storage condition of the substrate is determined in the temperature measuring instrument when used, the correction value corresponding to the determined storage condition is read out, and the temperature detected by the thermosensitive element is corrected therewith to compensate a cold junction.例文帳に追加

予め想定される基板の収納状態に応じた複数の補正値を格納しておき、使用時における温度測定機器の基板の収納状態を判別し、判別した収納状態に応じた補正値を読み出して感温素子で検出される温度を補正して冷接点補償を行うようにしている。 - 特許庁

To solve a conventional problem that the reduced thickness of a second insulation film on an inner wall of a mesa groove abutting against a PNJC at a PN junction may cause a deteriorated withstand voltage and a leakage current by using an inexpensive material, to provide a mesa type semiconductor device with a high withstand voltage and high reliability, and to establish a manufacturing method thereof.例文帳に追加

ＰＮ接合部ＰＮＪＣに当たるメサ溝内壁１１の第２の絶縁膜１０の厚みが薄くなり耐圧の劣化やリーク電流が発生するという従来の問題を安価な材料を使用することにより解決し、高耐圧、高信頼性のメサ型半導体装置及びその製造方法の確立を図る。 - 特許庁

A thermoelectric transducer 1 is provided with a first substrate 11 having an electrode 12, a second substrate 25 which has the other electrode 26 and is arranged in face to face with the first electrode, and a p-type and an n-type thermoelectric conductors 17, 18 which are clamped between both substrates 11, 25 and subjected to pn junction via both electrodes.例文帳に追加

電極１２を有する第１基板１１と、他の電極２６を有して第１基板と対向して設けられた第２基板２５と、両基板１１，２５間に挟設され両電極を介してＰＮ接合されたＰ型及びＮ型の熱電導体１７，１８とを備える熱電変換素子１を前提とする。 - 特許庁

The annular part 100a has three copper foil exposure portions 104 wherein one flexible film 102 is cut out in a regulated part of the hole 103 in one end side, and has two exposure portions 104a for junction wherein one flexible film 102 and a copper foil pattern 101 are cut out in both sides thereof.例文帳に追加

さらに、環状部１００ａは、一端側における孔１０３の規定部において一方の可撓性フィルム１０２が切り欠かれた３カ所の銅箔露出部１０４を有し、それらの両側において一方の可撓性フィルム１０２及び銅箔パターン１０１が切り欠かれた２カ所の接合用の露出部１０４ａを有する。 - 特許庁

In this liquid junction member D provided to be insertion- penetrated through a wall body for forming a support tube 2, a plurality of capillaries 6, 6, etc., are bundled inside a substantially cylindrical stem tube 5, and the stem tube 5 is formed of a material of which the expansion coefficient is substantially the same as that of support tube 2.例文帳に追加

支持管２を形成する壁体を挿通するように設けられる比較電極１の液絡部材Ｄであって、ほぼ筒状のステム管５内に複数本のキャピラリー６，６…を収束してなり、前記ステム管５は、その膨張係数が前記支持管２の材料の膨張係数とほぼ同じである材料から形成されている。 - 特許庁

To provide a method of fixing and holding a three-layer MEA film at the time of jointing an electrode junction to a membrane of a solid polymer fuel cell, in which the prevention of wrinkles due to thermal expansion of each membrane and position slippage during transfer, and the reduction of treatment time or the like is achieved, and a jointing method.例文帳に追加

各膜の熱膨張によるしわの発生防止、搬送中の位置ずれ防止、処理時間の短縮等を実現できる固体高分子型燃料電池用の膜に電極接合体を接合させる際の３層のＭＴＡ膜を固定保持する方法および接合方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The electric junction box 1 comprises: the case body 9 made of synthetic resin wherein the flange portions 25 of grommets 3 are attached in an opening 7 for wire harness insertion formed in the peripheral wall 5 by cutting; and a cover 11 made of synthetic resin to be attached so that the cover caps the upper end 5a of the peripheral wall of the case body 9.例文帳に追加

電気接続箱１は、周壁５に切欠き形成されたワイヤハーネス挿通用の開口部７にグロメット３のフランジ部２５が装着される合成樹脂製のケース本体９と、該ケース本体９の周壁上端５ａに被さるように装着される合成樹脂製のカバー１１とを備える。 - 特許庁

The adhesive agent does not flow out of the junction face of the key sheet and the key top since an excessive adhesive agent flows into the groove even if the quantity of the adhesive agent is too large, thus, the key sheet with the resin key top having good an appearance of an adhered face, a good operation feeling can be provided.例文帳に追加

接着剤の塗布量が多少多くても余分な接着剤が溜め溝に流れ込むため、接着剤が樹脂キートップとキーシートとの接合面からはみ出すことがなく、樹脂キートップとキーシートとの接着性に優れると共に、接着面の見た目に優れ、操作感の良い樹脂キートップ付キーシートとすることができる。 - 特許庁

The elastic wheel 10 has first springs 22a and 22b and capable of elongating and shrinking at least in the X-axis direction and second springs 24a and 24b provided between the junction member 14 and the hub member 14 and capable of elongating and shrinking at least in the Y-axis direction.例文帳に追加

また、弾性車輪１０は、外輪部材１２と中継部材１４との間に設けられ、少なくともＸ軸方向に伸縮可能な第１ばね２２ａ、２２ｂと、中継部材１４とハブ部材１６との間に設けられ、少なくともＹ軸方向に伸縮可能な第２ばね２４ａ、２４ｂとを有する。 - 特許庁

An indication is attached to each terminal 11 disposed in a junction terminal board 10 for connection of wires 12 extending from a plurality of electric parts to show the name of an electric part to be connected to each of the wires 12, and hence wires can be correctly connected and even unskilled workers can perform a wiring work.例文帳に追加

複数の電装部品から延びる各配線１２を接続する中継端子盤１０に設けられる各端子１１に、接続すべき電装部品の部品名の表示が付されているので、配線の接続間違いを起こすことがなく、高い電気知識を持たない人であっても、容易に配線することができる。 - 特許庁

A grommet 13, through which wiring harnesses W1, W2 and W3 extended respectively from a plurality of electrical component blocks housed in an electric junction box, are drawn out has a 1st grommet section 31 of which a bottom part 31b consists and a 2nd grommet 32, on which a ceiling part 32b covering the bottom part 31b is formed.例文帳に追加

電気接続箱の内部に収容される複数の電装品ブロックからそれぞれ伸びるワイヤハーネスＷ１，Ｗ２，Ｗ３を外部に導出するグロメット１３は底部３１ｂを形成する第１グロメット片３１、同底部３１ｂを覆う天井部３２ｂの形成された第２グロメット３２を備えて構成される。 - 特許庁

A switching drive circuit for supplying a current to the light-emitting diode 4 comprises a switching element block 7 comprising a switching element and a junction FET; and a control circuit block comprising a control circuit that includes a protective circuit for controlling the current of the switching element with respect to variations in the allowable forward current caused by a temperature change of the light-emitting diode.例文帳に追加

発光ダイオードに電流を供給するスイッチング駆動回路は、スイッチング素子と接合型ＦＥＴからなるスイッチング素子ブロックと、発光ダイオードの温度変化による許容順方向電流の変動に対してスイッチング素子の電流を制御する保護回路を含む制御回路からなる制御回路ブロックを備える。 - 特許庁

The pulse radar device comprises a transmission circuit 4 connected to a transmission line 1, a reception circuit 5 connected to a transmission line 2, the antenna 6 sharing of the transmission and reception connected to a transmission line 3 which is connected a junction part a between the transmission line 1 and the transmission line 2, a delay device 7 mounted on the transmission line 3.例文帳に追加

このパルスレーダ装置は、伝送線路１に接続された送信回路４と、伝送線路２を接続された受信回路５と、伝送線路１と伝送線路２との接続部位ａに接続された伝送線路３に接続された送受信共用のアンテナ６と、伝送線路３上に設けられた遅延器７とを有する。 - 特許庁

The under surface of a belt-like part 22a of a film 22 of the flexible wiring board 11 is provided with junction wiring 61 and 62 for the power sources for connecting the power source lines adjacent to each other (45 and 45 as well as 46 and 47) among the power source lines 45, 46 and 47 disposed for the respective semiconductor chip mounting regions 21.例文帳に追加

フレキシブル配線基板１１のフィルム２２の帯状部２２ａの下面には、各半導体チップ搭載領域２１に対して設けられた電源線４５、４６、４７のうち相隣接するもの同士（４５と４５および４６と４７）を接続する電源用中継配線６１、６２が設けられている。 - 特許庁

In the optical components, a dielectric multi-layer film filter 22 is joined to between collimator lenses 21, 21, the first optical fiber holding members 23 and the second optical fiber holding member are joined to the collimator lenses 21, 21, and an adhesive layer does not exist in the vicinity of a light transmission path in junction surfaces between the collimator lenses 21 and the optical fiber holding members.例文帳に追加

コリメータレンズ２１、２１の間に、誘電体多層膜フィルタ２２が接合され、コリメータレンズ２１、２１に第１の光ファイバ保持部材２３および第２の光ファイバ保持部材が接合され、コリメータレンズ２１と光ファイバ保持部材の接合面において、光の伝送路近傍には、接着剤層が存在しない光部品。 - 特許庁

In the optical module with the semiconductor light-emitting device 8, an optical fiber 6 transmitting light radiated from the light-emitting element and the semiconductor photodetector 9 which receives light radiated by the light-emitting device, constitution in which the junction capacitance of the photodetector 9 is set in 0.64 pF or less is adopted.例文帳に追加

半導体発光素子８と、この半導体発光素子が放射する光を伝送する光ファイバ６と、半導体発光素子が放射する光を受ける半導体受光素子９と、を有する光モジュールであって、半導体受光素子９の接合容量が０．６４ｐＦ以下である構成を採る。 - 特許庁

Irregularities are formed on the Schottky junction surface of the epitaxial layer, the lower surface of the anode electrode has an irregular shape along the irregularities, and the separation embedded layer is isolated from a lower projection 4a in the irregular shape of the lower surface of the anode electrode for positioning at the lower portion and is isolated from the guard ring.例文帳に追加

エピタキシャル層のショットキー接合表面には凹凸が形成されて、アノード電極の下面がその凹凸に沿った凹凸形状を有し、離間埋め込み層は、アノード電極の下面の凹凸形状における可能凸部４ａから離間してその下方に位置するとともに、ガードリングと離間している。 - 特許庁

A solid-state image pick up device 10 for charge accumulation is structured by arranging a pn-junction type sensor PD and pixels 11 including at least transfer transistor 13, and by floating the gate of the transfer transistor 13 under the bias condition that the gate of the transfer transistor 13 immediately before charge accumulation is cut off.例文帳に追加

ｐｎ接合型のセンサ部ＰＤと、少なくとも転送用トランジスタ１３を含む画素１１が配列されて成り、電荷蓄積の直前の転送用トランジスタ１３のゲートがカットオフされたバイアス状態で、転送用トランジスタ１３のゲートをフローティング状態にして電荷蓄積を行う固体撮像装置１０を構成する。 - 特許庁

The cap member 14 is attached to the junction 24 of the tube body 11, and then the crest part 35 and the trough part 36 are engaged to the trough part 29 and the crest part 28 of the tube body 11 in the upper and lower direction of attachment, and so the cap member 14 does not turn together with the female type medical appliance.例文帳に追加

キャップ部材１４を混注管本体１１の分岐部２４に装着すると、その装着方向たる上下方向において、キャップ部材１４の山部３５と谷部３６が、混注管本体１１の谷部２９と山部２８に嵌まるので、キャップ部材１４が雄型の医療器具と一緒になって共廻りすることがない。 - 特許庁

To provide a material for solid solution semiconductor light emitting element for manufacturing a light emitting element which emits light in an ultraviolet visible wavelength region, is variable in wavelength and operates near room temperature, especially the light emitting element having a lattice matching double hetero-junction structure, a quantum well structure, and a quantum dot structure; and to provide the light emitting element.例文帳に追加

本発明は、紫外可視波長領域で発光し、波長可変で室温付近で動作する発光素子、特に格子整合型ダブルヘテロ接合構造、量子井戸構造および量子ドット構造の発光素子を製作可能な固溶半導体発光素子用材料および発光素子を提供する。 - 特許庁

A p-type base region 12 is provided with a base electrode connection part 24 made of an n^+-type region, and moreover a Zener voltage controlled diffusion region 25 made of a p^+-type region is provided in the circumference of the base electrode connection part 24 in such a manner as to form p-n junction and cause Zener breakdown at the desired voltage.例文帳に追加

ｐ形のベース領域１２にｎ^+形領域からなるベース電極接続部２４が設けられ、さらにベース電極接続部２４の周囲に、ｐｎ接合を形成し所望の電圧でツェナー降伏するように、ｐ^+形領域からなるツェナー電圧コントロール拡散領域２５が設けられている。 - 特許庁

On the other surface of the base substrate 3, a first ground 5 is disposed on a part facing the parallel plane antenna 1, a second ground 6 is disposed on a part facing the first high frequency circuit 4, and a ground junction 13 for connecting the first and the second grounds is disposed intersecting a part of the loop antenna 2.例文帳に追加

ベース基板３の他方表面には、平行平板アンテナ１と対向する部分に第１のグランド５と第１の高周波回路４の対向する部分へ第２のグランド６が設けられ、また第１のグランド、第２のグランドを接続するグランド結合部１３がループアンテナ２の一部と交差するように設けられている。 - 特許庁

To provide a method by which the constitution of a connected electric junction box can be simplified and the size of the box can be reduced, and then, branched wiring sections can be formed efficiently in reduced spaces and a wire harness can be made for general use so that the harness can be used between systems of different cars or standards.例文帳に追加

接続される電気接続箱の構成の簡略化・小型化を可能にするとともに、省スペースで効率的な分岐配線部を形成することができ、かつ車種や規格の異なるシステム間でも使用できるようにワイヤーハーネスを汎用化できる、ワイヤーハーネスの回路形成方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a package structure of an electronic component, wherein humidity hardly enters with passage of time under high temperature and high humidity and hardly causes deterioration of electrical characteristics in the package structure of an electronic component, whose inside is sealed by making s plurality of package materials of which at least one is formed of ceramics jointed via a junction material.例文帳に追加

少なくとも一方がセラミックスよりなる複数のパッケージ材が接合材を介して接合されて内部が封止されている電子部品のパッケージ構造において、高温・高湿下における経時による湿分の侵入が生じ難く、電気的特性の劣化が生じ難い電子部品のパッケージ構造を得る。 - 特許庁

In the GaN group semiconductor device with a current breaker, a hetero electric field junction transistor 10A and a polymer switch 10B which are GaN group semiconductor materials are formed on the same substrate and the polymer switch 10B having a recovery function is connected to the hetero electric field effect transistor 10A in series.例文帳に追加

同一基板上に、ＧａＮ系半導体材料をヘテロ電界接合トランジスタ１０Ａとポリマスイッチ１０Ｂとが形成されており、回復機能を有するポリマスイッチ１０Ｂが、ヘテロ電界効果トランジスタ１０Ａと直列に接続されていることを特徴とする、電流遮断器付きＧａＮ系半導体装置。 - 特許庁

The junction body of the electrolyte film for the fuel cell and the electrode is composed of a hydrogen ion conductive polymer electrolyte film, a pair of catalyst layers pinching the electrolyte film, and a gas diffusion layer, with the catalyst layer open to at least one face with a vacant hole part of a hole diameter larger than that of a gas channel.例文帳に追加

燃料電池用電解質膜・電極接合体は、水素イオン伝導性高分子電解質膜、ならびに前記電解質膜を挟む一対の触媒層およびガス拡散層からなる電極より構成され、前記触媒層が少なくとも一方の面にのみ開口し、孔径がガスチャネルよりも大きな空孔部を有する。 - 特許庁

When at least a part of a first member 103 is removed by irradiating a junction of at least a photovoltaic layer 102 and the first member 103 with an energy beam, the bonded body is irradiated with an energy beam 106 under a state where the photovoltaic layer 102 is in thermal contact with a conductive substrate 101.例文帳に追加

少なくとも光起電力層１０２と第一部材１０３とからなる接合体にエネルギービームを照射することによって、第一部材１０３の少なくとも一部を除去する際に、光起電力層１０２が導電性基体１０１に熱的に接した状態でエネルギービーム１０６を照射する。 - 特許庁

To secure a bump junction property when bump-joining both chips compatibly to secure a shape of a hollow part, in a manufacturing method for an angular sensor device of connecting the sensor chip having a movable part on one face electrically to the circuit chip, via a bump, and comprising the movable part protected by the hollow part of an adhesive film.例文帳に追加

一面に可動部を有するセンサチップと回路チップとをバンプを介して電気的に接続するとともに、可動部を接着フィルムの中空部で保護してなる角速度センサ装置の製造方法において、両チップのバンプ接合時におけるバンプ接合性の確保と中空部の形状確保とを両立する。 - 特許庁

To provide a reliable wiring board having lead pins by joining the lead pins without allowing any void to remain in a conduction agent for enhancing the junction strength of the lead pins when joining the lead pins to an electrode pad, and preventing the lead pins from being inclined or positions of the lead pins from deviating when reheating the wiring board to which the lead pins are joined.例文帳に追加

リードピンを電極パッドに接合する際に、導電剤中にボイドを残さずにリードピンを接合し、リードピンの接合強度を高めるとともに、リードピンを接合した配線基板を再加熱した際に、リードピンが傾いたり、位置ずれしたりすることを防止し、信頼性の高いリードピン付き配線基板として提供する。 - 特許庁

At the connection of the secondary battery pack which is not capable of being equipped with a resistor for identification, the FET 10 for switching charge voltage is turned off, and the detected charge voltage appearing at the junction between the resistors 11a and 11b for potential division becomes equal to the charge voltage, and accordingly the control of two kinds of charge voltages becomes possible.例文帳に追加

接続コネクタ１に識別用抵抗を備えない第２電池パックの接続時には充電電圧切替用ＦＥＴ１０はオフとなり、分圧用抵抗１１ａと１１ｂとの接続点に現れる検出充電電圧が充電電圧と等しくなり、したがって、２種類の充電電圧制御を可能にする。 - 特許庁

An ultrasonic transducer 31, which is built in an ultrasound probe 11, comprises a backing material 40 consisting of a three-dimensional structure 51, which is produced using technique by making use of ordinary temperature junction technique and is laminated with a thin film pattern 52, and the base material 50 under which the three-dimensional structure 51 is laid.例文帳に追加

超音波プローブ１１に内蔵された超音波トランスデューサ３１には、常温接合技術を応用した技術を用いて作製され、薄膜パターン５２が積層されてなる３次元構造体５１と、３次元構造体５１が埋設される母材５０とからなるバッキング材４０が具備されている。 - 特許庁

The air conditioning mechanism 40 is furnished with a hot air duct 44 to supply the hot air to the inside of the storage box 10, a cold air duct 46 to supply the cold air and a junction box 42 to decide the hot air and the cold air to be supplied to the inside of the storage box 10 in correspondence with wind force of the supplied hot air and cold air.例文帳に追加

空調機構４０は、収納箱１０内に温風を供給する温風ダクト４４と、冷風を供給する冷風ダクト４６と、供給された温風と冷風の風力に応じて、収納箱１０内に供給する温風又は冷風を決めるジャンクションボックス４２とを備えている。 - 特許庁

To provide a field effect transistor which can adjust a threshold of a gate voltage for switching an energization state between a source electrode and a drain electrode to a predetermined value while generating a secondary electron gas layer on a first semiconductor layer by the hetero-junction of a first semiconductor layer and a second semiconductor layer.例文帳に追加

第１半導体層と第２半導体層とのヘテロ接合により第１半導体層に二次電子ガス層を生じさせつつ、ソース電極とドレイン電極との間の通電状態を切り換えるためのゲート電圧のしきい値を所定の値に調整することができる電界効果トランジスタを提供する。 - 特許庁

The solar cell comprises at least a semiconductor substrate having a pn junction formed, a finger electrode formed in a comb shape on at least one surface of the semiconductor substrate, and the bus bar electrode connected to the finger electrode, wherein the bus bar electrode has a pattern having an opening portion in the electrode.例文帳に追加

少なくとも、ＰＮ接合が形成された半導体基板と、半導体基板の少なくとも片面上に櫛歯状に形成されたフィンガー電極と、フィンガー電極に接続するバスバー電極を具備する太陽電池であって、バスバー電極がその電極内に開口部があるパターンを有するものである太陽電池。 - 特許庁

The rectifying function regarding to the movement of an excited state or exciton is obtained by utilizing a fact that the movement of the excited state or exciton from one molecule or molecular organism to another joined molecule or molecular organism proceeds asymmetrically by taking a spacial asymmetry at the junction as a dominant factor.例文帳に追加

１つの分子または分子組織体から、結合している別の分子または分子組織体への励起状態または励起子の移動が、接合点での空間的非対称性を要因として非対称的に進行することを利用して、励起状態または励起子の移動に関する整流機能を得る。 - 特許庁

An undoped AlGaN layer 13 is formed on a buffer layer composed of a GaN series material formed on a semiconductor substrate, and a drain electrode 15 and a source electrode 16 forming ohmic junction with the undoped AlGaN layer 13 are formed separately from each other on the undoped AlGaN layer 13.例文帳に追加

半導体基板上に形成されたＧａＮ系の材料からなるバッファ層上にアンドープＡｌＧａＮ層１３が形成され、このアンドープＡｌＧａＮ層１３上に、アンドープＡｌＧａＮ層１３とオーミック接合されたドレイン電極１５及びソース電極１６が、互いに離間して形成されている。 - 特許庁

The contact areas of the glass fiber-reinforced polypropylene and the elastomer can be increased while the increase of a mold cost is controlled and without doing core back work, so that the junction strength between the polypropylene and the elastomer can be increased without causing the increase of the production cost of a panel 400.例文帳に追加

したがって、型費の上昇を抑制しつつ、かつ、コアバック作業をすることなく、ガラス繊維強化ポリプロピレンとエラストマーとの接触面積を増大させることができるので、パネル４００の製造原価上昇を招くことなく、ガラス繊維強化ポリプロピレンとエラストマーとの接合強度を増大させることができる。 - 特許庁