「Junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(170ページ目) - Weblio英語例文検索

This battery terminal 31 to be wound and mounted on a battery post 39 comprises a pair of ringed parts 32, 33, in which post-insertion holes 47, 51 are formed on respective substrates 44, 45, and a pair of junction plates 36, 37, to which a terminal 41 arranged at the end of a wire 40 is connected and fixed.例文帳に追加

バッテリーポスト３９に巻着するバッテリーターミナル３１は、各基板４４、４５にポスト挿入穴４７、５１を形成した一対の環状部３２、３３と、電線４０の端末に設けられる端子４１が接続固定される一対の接合板３６、３７とを備えて構成される。 - 特許庁

The electrical junction box 10 includes an upper cover 12, a case body 11 and a lower cover 13, wherein a cover member 30 is attached on the outer surface side oppositely to a portion where the upper cover 12 and the case body 11 are fit and/or the lower cover 13 and the case body 11 are fit.例文帳に追加

電気接続箱１０は、アッパーカバー１２と、ケース本体１１と、ロアカバー１３とからなり、アッパーカバー１２とケース本体１１、あるいは／およびロアカバー１３とケース本体１１との嵌合部分に対向して外面側にカバー部材３０が取り付けられることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a membrane electrode junction body and a fuel cell enabling effective use of an expensive noble metal catalyst carried for electrode reaction, and causing no lowering of membrane durability due to application of a high surface pressure by fastening, capable of displaying excellent power generating performance without giving a high surface pressure.例文帳に追加

担持された高価な貴金属触媒の電極反応への有効利用を可能とし、締付けによる高い面圧の付与に起因する膜耐久性の低下がなく、高い面圧を与えることなく良好な発電性能を発揮し得る膜電極接合体及び燃料電池を提供する。 - 特許庁

This lower body structure is constructed so that at least a part of the sub frame 4 is supported on mount portions 5 of rear side frames 2a, 2b at a more backward position than a first cross member 3, and is fitted with a junction panel 7 bridged between the vicinity of an end of the first cross member 3, and the mount portion 5 and the tire pan 1a.例文帳に追加

サブフレーム４の少なくとも一部が、第１クロスメンバ３より後方位置で、リヤサイドフレーム２ａ、２ｂのマウント部５に支持される下部車体構造とし、第１クロスメンバ３の端部近傍とマウント部５とタイヤパン１ａとの間に橋渡されるジャンクションパネル７を設けた。 - 特許庁

This CFT column/beam connecting device is provided with penetration members fixing the projections, which penetrate an end plate 6 fixed to the side wall of the steel pipe column 1 and a beam end section to be connected to the side wall and protrude backward, to integrally strengthen the steel pipe column 1 and the end plate 6 and reduce the bending load of the junction of a beam.例文帳に追加

鋼管柱１の側壁及び側壁に接合する梁端部に固着したエンドプレート６を貫通させ後方へ突出させた突出部を固着し、鋼管柱１及びエンドプレート６を一体強化し、梁の接合部の曲げ荷重を軽減する貫通部材を設けた。 - 特許庁

The blocking insulation film is arranged between the source and drain junctions to prevent the phenomenon of short circuits, which are due to junction extension between the junctions in the bulk region, thereby providing better electrical characteristics of the semiconductor device, such as stabilized threshold voltage and reduced leakage current.例文帳に追加

このように半導体装置のソースとドレーンジャンクションとの間に遮断用絶縁膜が配置されて、ジャンクション拡張によるバルク領域でのジャンクション相互間のショート現象が防止でき、スレショルド電圧の安定性と漏れ電流の減少などの半導体装置の電気的な特性が改善される。 - 特許庁

To provide a temperature measuring device capable of simply exchanging a thermocouple when being damaged, and easily transferring the heat from a temperature measuring spot to a temperature measuring junction, and stabilizing a measured temperature in a short time, and a ceramic heater using the temperature measuring device, and a semiconductor manufacturing device.例文帳に追加

熱電対が破損しても簡単に交換することができ、測温箇所からの熱が測温接点に伝わりやすく、測定温度が安定するまでの時間が短い測温装置、この測温装置を用いたセラミックスヒータ、及び半導体製造装置を提供する。 - 特許庁

Concretely, an n^+-type AlGaN buffer layer 404, an n^+-type AlGaN layer 406, an n-type AlGaN layer 408, and a p-type InGaN layer 410 are sequentially grown on the surface of an n-type conductive SiC substrate 402 to manufacture a pn junction diode.例文帳に追加

具体的には、ｎ型導電性ＳｉＣ基板４０２の表面上にｎ^＋型ＡｌＧａＮバッファ層４０４と、ｎ^＋型ＡｌＧａＮ層４０６と、ｎ型ＡｌＧａＮ層４０８と、ｐ型ＩｎＧａＮ層４１０とを順次成長してｐｎ接合ダイオードを作製する。 - 特許庁

To provide a light-receiving element wherein a p-n junction capacity of the photodiode part of a semiconductor device is reduced as much as possible, to effectively utilize a photoproduction carrier, with suppression of such defects as the formation of void layer.例文帳に追加

半導体装置のホトダイオード部のｐｎ接合容量を極力低減し、光生成キャリアを有効に活用することが可能な受光素子を提供し、空乏層が形成される半導体領域の欠陥発生が抑制された受光素子を提供することを課題とする。 - 特許庁

Therefore, the worker can carry and move the control unit to the defective portion in inspecting a junction failure of piping 30 or a mounting failure of the sensor units 20, and perform inspection work with reference to the detection data displayed on the control unit 50.例文帳に追加

そのため、作業者は、配管３０の接合不良あるいはセンサユニット２０の装着不良等を点検する場合、当該不良箇所へ制御ユニットを携帯して移動し、当該制御ユニット５０に表示された検出データを参照しながら点検作業を行うことがきできる。 - 特許庁

The semiconductor film, which is formed through the manufacturing method of the semiconductor film, is utilized, thus forming the p-type thin-film transistor having excellent characteristics on metal foil, such as glass, Si, and SUS, and a plastic substrate, and embodying a photoelectric element, such as an LED utilizing a pn junction.例文帳に追加

半導体膜の製造方法を通じて形成された半導体膜を利用して、ガラス、Ｓｉ、ＳＵＳなどの金属箔、プラスチック基板上に特性が優秀なｐ型の薄膜トランジスタを形成することができ、ＰＮ接合（ｊｕｎｃｔｉｏｎ）を利用したＬＥＤなどの光電素子を具現することができる。 - 特許庁

The point of junction between the first and second capacitors and the enclosure of the switching power supply are wired to each other, and the enclosure is grounded.例文帳に追加

バッテリ電源に並列のＬＩＳＮに接続の第１、第２のコモンモードコアと、これににつながるノーマルモードコアおよびスイッチング電源と、この電源とノーマルモードコア間に並列の第１、第２のコモンモードコンデンサを備え、この第１、第２のコンデンサ間とスイッチング電源筐体は配線され、また筐体は接地され、各回路のＬ、Ｃが（１）、（２）式を満たす。 - 特許庁

While slurry is supplied to the conductor which is electrically connected through the pn junction, CMP is carried out (S101, 102), slurry and metal chips are removed (S103), an electrolyte is supplied (S104), and while the electrolyte sticks on the surface of a wafer, the wafer is detached from a wafer carrier (S105).例文帳に追加

ｐｎ接合を介して電気的に接続する導電体に対してスラリーを供給しつつＣＭＰ処理を行う（Ｓ１０１，１０２）、スラリー及び研磨屑を除去する（Ｓ１０３）、電解水を供給する（Ｓ１０４）、ウェハの表面に電解水が付着した状態で、ウェハをウェハキャリアから取り外す（Ｓ１０５）。 - 特許庁

The storage battery BAt1 is in charged state, an n-type MOS transistor TN11 is turned on, and the voltage appearing at the junction between the resistor R11 and the resistor R12 is compared with a specified voltage (voltage showing the abnormal voltage) with a comparator CM11, whereby the abnormal voltage of the input terminal is detected.例文帳に追加

蓄電池ＢＡｔ１が充電状態にある場合、ｎ型ＭＯＳトランジスタＴＮ１１がオン状態に制御され、抵抗Ｒ１１と抵抗Ｒ１２との接続点に現れる電圧がコンパレータＣＭ１１で所定電圧（異常電圧を表す電圧）と比較されることにより、入力端子の異常電圧が検知される。 - 特許庁

In the control method of magnetic anisotropy, a heterostructure is prepared on a single crystal ferroelectric layer by epitaxially growing a ferromagnetic layer, and the magnetic anisotropy of the ferromagnetic is changed by a distortion occurring on the junction interface of the ferroelectric layer and the ferromagnetic layer by applying a voltage to the ferroelectric layer.例文帳に追加

単結晶強誘電体層上に、強磁性体層をエピタキシャル成長させたヘテロ構造体を準備し、強誘電体層に電圧を印加して強誘電体層と強磁性体層との接合界面に生じる歪みによって、強磁性体の磁気異方性を変化させる、磁気異方性制御方法。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device with improved device characteristics by extremely easily forming (at least either of) a source/a drain at a shallow junction depth without using ion implantation, and inhibiting the generation of short-channel effect when making fin an element by reducing a gate length in a semiconductor device using a compound semiconductor.例文帳に追加

化合物半導体を用いた半導体装置において、イオン注入を用いることなく極めて容易にソース／ドレイン（の少なくとも一方）を浅い接合深さに形成し、ゲート長を短縮して素子の微細化を図る際にショートチャネル効果の発生を抑止するデバイス特性に優れた半導体装置を実現する。 - 特許庁

The boron phosphide semiconductor light emitting element having the high light emitting intensity of a wide light emitting region is obtained by avoiding the short circuiting flow of the element drive current to a light emitting layer by selectively disposing the boron phosphide semiconductor noncrystal layer which can constitute a pn junction with a high resistance or substrate layer of a pedestal electrode under the pedestal electrode.例文帳に追加

台座電極を高抵抗または下地層とｐｎ接合を構成できるリン化硼素系半導体非晶層を台座電極の下に選択的に配置して、素子駆動電流の発光層への短絡的な流通を回避して、発光領域の広い高発光強度のリン化硼素系半導体発光素子を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having an excellent heat dissipating property and a superior efficiency on a manufacture, also having neither deterioration of a reliability nor generation of a voltage potential in a heat sink because a heating and a partial high temperature are not generated in a junction among a circuit pattern and an electrode and a lead for a semiconductor.例文帳に追加

回路パターン及び半導体の電極とリードとの接合に加熱や局所的な高温を発生させることがないことで、信頼性を劣化させることがなく、また放熱板に電位を生じさせることがないことで、放熱性が良く、更に製造効率の良い半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

After press-fitting or insertion of a rotary shaft 21 and a thrust plate 26 on a level that the deterioration of squareness does not occur, the junction boundary between both is welded from the side of surface.例文帳に追加

回転軸とスラストプレートとの接合境界部、及び、軸受スリーブとカウンタープレートとの接合境界部に逃げ部を設け、この逃げ部内において各々の部材を溶接して一体化することにより、各部材どうしの接合長さ接合長さが比較的短くても十分な接合強度を得ることができるので、モータ自信の耐衝撃性が向上する。 - 特許庁

The thickness of a semiconductor layer which constitutes a spacer layer of the CPP-GMR element is set within such a range of thickness that a first non-magnetic metal layer/semiconductor layer/second non-magnetic metal layer-junction may shows a conduction characteristic between an ohmic conduction characteristic and a semiconductor conduction characteristic.例文帳に追加

ＣＰＰ−ＧＭＲ素子におけるスペーサー層を構成する半導体層の厚さは、当該半導体層と前記第１の非磁性金属層および第２の非磁性金属層との接合関係において、オーミック伝導特性と半導体伝導特性との間の伝導特性を示す遷移領域の膜厚範囲に設定される。 - 特許庁

The lower substrate 2 and the upper substrate 3 have respectively wiring patterns 11A, 11B formed in a junction face side to the resin molding 4, and a plurality of cathode electrodes 120 and anode electrodes 121 connected respectively to the wiring patterns 11A, 11B and provided to be directed toward the other substrate side.例文帳に追加

下側基板２及び上側基板３は、樹脂モールド４との接合面側に形成された配線パターン１１Ａ，１１Ｂと、それら配線パターン１１Ａ，１１Ｂにそれぞれ接続され、他の基板側に向かうように設けられた複数のカソード電極１２０及びアノード電極１２１とをそれぞれ有する。 - 特許庁

With the electrode junction body for the solid polymer fuel cell provided with an anode, a cathode, and an ion exchange membrane arranged between the anode and the cathode, inorganic compound such as an inorganic ion exchanger and an inorganic phosphate with an angle of contact of 10° or lower to water is made included in the anode and/or the cathode.例文帳に追加

アノード及びカソードと、アノードとカソードとの間に配置されるイオン交換膜とを備える固体高分子型燃料電池用膜電極接合体において、アノード及び／又はカソードに、例えば無機イオン交換体、無機リン酸塩等の、水との接触角が１０度以下である無機化合物を含有させる。 - 特許庁

A solid polymer fuel cell 100 uses an MEA 101, obtained by dipping a fuel pole 102, an oxygen pole 108 and a solid polymer electrolyte film 114 in alcohol of dielectric constant of 12 or more and 30 or less, to moisten them and then joint them together so that their junction properties are improved.例文帳に追加

固体高分子型燃料電池１００は、燃料極１０２、酸素極１０８および固体高分子電解質膜１１４を誘電率１２以上３０以下のアルコール中に浸漬して湿潤させてからそれらを接合したＭＥＡ１０１を用いているため、それらの接合性を向上することができる。 - 特許庁

In addition, when the gate potential of the MOSFETs 6 and 7 is not fixed at a source potential and unstable condition occurs while the voltage is applied between them, the voltage can be kept within a range of voltage of VF due to PN junction by one piece of the four-terminal thyristor 11.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ６、７がオフした状態において、出力端子８ａ、８ｂ間に電圧が印加されているとき、ＭＯＳＦＥＴ６、７のゲート電位がソース電位に対して固定されず不安定な状態となるのを、４端子サイリスタ１１の１個分のＰＮ接合によるＶＦの電圧の範囲に抑えることができる。 - 特許庁

Even if cracking takes place at the junction of the Si substrate 2 and the sealing resin 10 on the side face of a semiconductor device 1 and under heating environment, since penetration of cracking to the inside from the dam layer 8 is suppressed, stripping in the sealing resin 10 or the chip is suppressed, and its performance is sustained.例文帳に追加

これにより、たとえ加熱環境下において半導体装置１の側面のＳｉ基板２と封止樹脂１０との接合部分にクラックが生じたとしても、ダム層８より内部へのクラックの進入は抑えられるようになるため、封止樹脂１０やチップ内部の剥離が抑制され、その性能が維持されるようになる。 - 特許庁

In this coater for supplying a liquid mixture of resist and thinner onto a wafer W from a nozzle 86, the nozzle 86 is connected to a liquid mixture feed pipe 88, and the liquid resist and thinner are respectively passed through a junction pipe 75 from the resist feed pipe 97 and thinner feed pipe 98 and supplied.例文帳に追加

レジスト液とシンナとの混合液をウエハＷ上にノズル８６から供給する塗布装置において、ノズル８６は混合液供給管８８に接続され、混合液供給管８８には、レジスト液供給管９７、シンナ供給管９８からそれぞれレジスト液及びシンナが合流管７５を通過して供給されている。 - 特許庁

To provide a multi-junction thin-film silicon solar cell module having high light conversion efficiency, in which current leakage through an intermediate layer having conductivity, light transmissivity and light reflectivity is suppressed and an ineffective area not contributing to electricity generation is prevented from enlarging, and to provide a method of manufacturing the module.例文帳に追加

導電性を有し、光透過性及び光反射性を有する中間層を介した電流リークが抑制され、且つ、発電に寄与しない無効面積の拡大が抑制された高い光変換効率を有する多接合薄膜シリコン太陽電池のモジュール及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a forming method of a flip-chip type light-emitting diode where in the junction between an electrode of an LED chip and a lead electrode of a package is stabilized while thickness as a light-emitting diode is reduced for significantly improved mass-production efficiency as well as lower production cost.例文帳に追加

ＬＥＤチップの電極とパッケージのリード電極部分との接合部分をより安定させると共に発光ダイオードとしてのさらなる薄型化を実現し、また量産効率を大幅に向上させ、生産コストダウンも実現することが出来るフリップチップ型発光ダイオードの形成方法を提供することである。 - 特許庁

Provided are compositions, methods for the treatment and prevention of IgE-mediated allergic disorders comprising an immunogenic amount of at least one antigenic peptide derived from the CH3 domain or junction of CH3/CH4 domain of an IgE molecule and methods for the evaluation of IgE-mediated allergies in dogs.例文帳に追加

本発明は、ＩｇＥ分子のＣＨ３ドメイン又はＣＨ３／ＣＨ４ドメイン連結部から誘導される少なくとも１つの抗原性ペプチドの免疫原量を含んでなる、ＩｇＥ介在性アレルギー障害の治療及び方法の組成物、方法、及びイヌにおけるＩｇＥ介在性アレルギーの評価方法を提供する。 - 特許庁

An N-type diamond semiconductor crystal layer 4, doped with sulfur which serves as donor atoms, is formed through a CVD method on a P-type diamond semiconductor crystal 2 which is formed of high-pressure synthetic diamond doped with boron or natural IIb diamond to form a P-N junction 6.例文帳に追加

ホウ素ドープした高圧合成ダイヤモンド又は天然のＩＩｂ型ダイヤモンドから形成されたｐ型ダイヤモンド半導体結晶２上に、例えばプラズマＣＶＤ法によってドナー原子となるイオウをドープしたｎ型ダイヤモンド半導体結晶層４を成長させてｐｎ接合６を形成したものである。 - 特許庁

To provide a new innerspring assembly, especially for use in a mattress and in which the degree of freedom or mobility of springs is incorporated well to attain the "floating" or flexibility of springs at its end portions while providing conventional junction between adjacent springs, for example, by use of cross spiral connection.例文帳に追加

例えば、交差螺旋接続の使用により、隣接するスプリングの従来の接合を提供するが、また、スプリングの端部に対してスプリングの「浮動」または可撓性を達成するために、スプリングの自由度または可動度をうまく組み入れた、特にインナースプリングマットレスに使用される、新規のインナースプリングアセンブリ設計を提供すること - 特許庁

The p-type shallow junctions 20 at the ends of the Schottky junction are connected to the p-body region 6 of the MOSFET by a MOS gate so that the p-body region 6 of the MOSFET and the p-type junctions 20 are conductively connected when a negative bias is applied to the gate.例文帳に追加

さらに、ショットキー接合の端部にある浅いｐ型接合２０と、ＭＯＳＦＥＴのｐボディ領域６との間がＭＯＳゲートによって接続され、ゲートに負のバイアスが印加されると、ＭＯＳＦＥＴのｐボディ領域６とショットキー接合の端部のｐ型領域２０とが導電接続されるようにする。 - 特許庁

The electrodes of the semiconductor element are electrically connected with the connected electrodes, the frame member is provided at the space between the semiconductor element and the connected parts and the inside where the frame member is enclosed is made to be a space in the junction structure where the space between the semiconductor element and the connected parts is sealed by the sealing material.例文帳に追加

半導体素子の電極を、被接続部の電極に電気的に接続するとともに、半導体素子と被接続部との間を封止材で封止した構造の半導体素子の接続構造において、半導体素子と被接続部との間に枠部材を設け、該枠部材が囲う内部は空間とする。 - 特許庁

In the nitride semiconductor light emitting diode element 10, a plurality of stripe-shaped trenches T10 are arranged in parallel to each other and formed on a crystal growing face of a sapphire substrate 11, a nitride semiconductor layer N is formed thereon so as to bury the trenches T10, and the nitride semiconductor layer N contains a pn junction which emits a light.例文帳に追加

窒化物半導体発光ダイオード素子１０において、サファイア基板１１の結晶成長面には平行に並んだストライプ状の溝Ｔ１０が複数形成され、その上には溝Ｔ１０を埋めるように窒化物半導体層Ｎが形成され、窒化物半導体層Ｎは発光するｐｎ接合部を含んでいる。 - 特許庁

Thus, the thickness of the gate insulating film 8 in the memory cell part is set to be larger than the thickness of the gate insulating film 9 in the peripheral circuit part, so that concentration of a p-type impurity region 4a in the memory cell part is lowered to reduce the junction leakage current.例文帳に追加

このようにメモリセル部内におけるゲート絶縁膜８の厚みを周辺回路部内におけるゲート絶縁膜９の厚みよりも大きく設定することにより、メモリセル部内におけるｐ型不純物領域４ａの濃度を低くすることが可能となり、接合リーク電流を低減することが可能となる。 - 特許庁

An area Anw2 into which n type impurities are introduced and an area Apw2 into which p type impurities are introduced are formed across a border area Ad having a specified interval, so the impurity density of the junction part of a diode is less than when those areas are formed adjacently.例文帳に追加

ｎ型の不純物が導入された領域Ａｎｗ２とｐ型の不純物が導入された領域Ａｐｗ２とが所定の間隔の境界領域Ａｄを空けて形成されるので、これらの領域が隣接して形成される場合に比べてダイオードの接合部における不純物濃度が低下する。 - 特許庁

To enable a barrier layer to be formed from a boron phosphide semiconductor layer whose front surface is flat enough for realizing a flat pn junction interface in a boron phosphide semiconductor light emitting device equipped with a barrier layer formed of the boron phosphide semiconductor layer and a light emitting layer formed of a I-II nitride semiconductor layer.例文帳に追加

リン化硼素系半導体層からなる障壁層とＩＩＩ族窒化物半導体層からなる発光層とを具備したリン化硼素系半導体発光素子において、平坦なｐｎ接合界面を顕現するに充分な表面の平坦性に優れるリン化硼素系半導体層から障壁層を形成する。 - 特許庁

In the method for preparing a silver halide photographic emulsion in which ≥70% of the total projected area is occupied by flat platy silver iodochlorobromide grains each having epitaxial junction on at least one peak and (111) faces as principal surfaces, epitaxial joining is carried out in the presence of an imidazole compound.例文帳に追加

全投影面積の７０％以上が少なくとも一つの頂点部にエピタキシャル接合を有する（１１１）面を主表面とする沃塩臭化銀平板粒子乳剤の製造方法において、イミダゾール化合物の存在下でエピタキシャル接合を行うことを特徴とするハロゲン化銀写真乳剤の製造方法。 - 特許庁

In this process of removing the protruded part, against the fused protrusion part formed at least at either side of the inner side or the outer side of the junction part 101, by carrying out removing work by means of a shearing work or cutting work for a plurality of times against the same part, at least one part of this fused protrusion part is removed.例文帳に追加

この突起部除去工程は、接合部１０１の内側及び外側の少なくともいずれかの側に形成された溶融突起部に対し、せん断加工又は切削加工による除去加工を、同一箇所に対して複数回行うことによりその溶融突起部の少なくとも一部を除去するようにする。 - 特許庁

The transport paths from sheet feed trays 8-11 and a hand feed part 33 are all converged upstream of the junction roller couple 16n, and it is possible to sense a jam etc. with a sheet fed by any of the sheet feed trays only by the use of one reflection type sensor which is expensive, and also cost-down can be accomplished.例文帳に追加

また各給紙トレイ８〜１１、手差し給紙部３３からの搬送経路を中継ローラ対１６ｎの上流ですべて合流させ、高価な反射型センサを１個用いるだけですべて給紙トレイから給紙される用紙のジャム等の検出を可能として、さらに低コスト化を図れるようにする。 - 特許庁

To provide a liquid crystal panel in which a junction between a spacer and a substrate is never destroyed by temperature variation and further a significant variation of a distance between the substrates (a cell gap) caused by external pressure is avoided and the occurrence of interference fringes, variation of color tone and variation of driving voltage characteristics are avoided and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

温度変化によってスペーサと基板との接合が破壊されることなく、且つ、外圧に対する基板間隔（セルギャップ）の大きな変動が回避され、干渉縞の発生、色調のばらつき及び駆動電圧特性のばらつきが回避できる液晶パネル及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an electrode terminal junction ceramic member for semiconductor manufacturing device, such as a wafer-holding body or shower head which is reduced in thickness by using a metallized layer of a high-melting point metal as a heater wiring, an electrode for electrostatic chuck, etc., and in which an electrode terminal is junctioned directly to the metallized layer, without having to use a brazing material solder.例文帳に追加

ヒーター配線や静電チャック用電極などとして高融点金属メタライズ層を用いて厚みを薄くし、その高融点金属メタライズ層にロウ材や半田を用いずに電極端子を直接接合した、ウェハ保持体やシャワーヘッドのような半導体製造装置用の電極端子接合セラミックス部材を提供する。 - 特許庁

This manufacturing method of the cable harness has a process for splicing the core wires of the wires constituting the wire group M to the core wires of the wire constituting the wire group B; and a process for sealing a plurality of the core wire junction parts obtained by splicing the core wires with the resin by insert molding.例文帳に追加

また、このケーブルハーネスの製造方法は、幹線側の電線群Ｍを構成する電線の芯線と支線側の電線群Ｂを構成する電線の芯線とをスプライス接合する工程と、この芯線のスプライス接合により得られた複数の芯線接合部をインサートモールドにより樹脂封止する工程とを有する。 - 特許庁

To secure the junction property between conductor patterns in each via hole, when connecting a multilayer board where pluralities of layers where the conductor pattern is formed are laminated and at the same time the via hole for extracting the conductor pattern of each layer is formed, and a flexible board where the conductor pattern is formed on one surface side.例文帳に追加

導体パターンが形成された複数の層が積層されるとともに各層の導体パターン引き出し用のビアホールが形成されてなる多層基板と、一面側に導体パターンが形成されたフレキシブル基板とを接続するにあたって、各ビアホールにおける導体パターン同士の接合性を確保する。 - 特許庁

An altered region 20 is formed by irradiation with laser light La focused on a condensing point F on a predetermined position between the reverse surface 3b and the p-type semiconductor regions 7 to be inside a depletion layer 19 spreading from the pn junction 11 between the semiconductor substrate 3 and p-type semiconductor region 7.例文帳に追加

改質領域２０は、裏面３ｂとｐ型半導体領域７との間の所定位置に集光点Ｆを合わせてレーザ光Ｌａを照射することによって形成されており、半導体基板３とｐ型半導体領域７とのｐｎ接合１１から広がる空乏層１９の内部に形成されている。 - 特許庁