「Junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(169ページ目) - Weblio英語例文検索

The photoelectric conversion material has an impurity-diffused region with zinc and/or cadmium diffused formed in the surface layer portion of a semiconductor thin film, comprising a p-type chalcopyrite compound semiconductor containing sulfur and/or selenium, thereby forming a pn junction.例文帳に追加

光電変換材は、硫黄および／またはセレンを含有するｐ型カルコパイライト型化合物半導体よりなる半導体薄膜の表層部分に、亜鉛および／またはカドミウムが拡散された不純物拡散領域が形成されており、これによってｐｎ接合が形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The photocatalyst is constituted of an oxide composite material having hetero junction comprising a p-type oxide semiconductor and a n-type oxide semiconductor, wherein both semiconductors have photocatalytic properties to each other and at least one of the semiconductors exhibits photocatalytic property even in a visible light region.例文帳に追加

この光触媒は、互いに光触媒特性を持ちかつ少なくとも一方が可視光域でも光触媒特性を持つｐ型酸化物半導体とｎ型酸化物半導体から成るヘテロ接合を有する酸化物複合体で構成されることを特徴とする。 - 特許庁

The membrane is excellent in the mechanical strength and the hygroscopicity while having hydrogen ion conductivity and can be reused by voluntarily absorbing water generated from a cathode electrode of a membrane-electrode junction body, so that it is also applicable to a low-temperature non-humidification fuel cell.例文帳に追加

本発明の燃料電池用電解質膜は，水素イオンの伝導度を有しながら，機械的強度及び吸湿性が優れており，膜−電極接合体のカソード電極で生成される水を自主的に吸収して再使用することができるので，低温無加湿型燃料電池にも適用できる。 - 特許庁

To provide a silicon carbide Schottky junction semiconductor device capable of controlling a Schottky barrier height to a desired value, in a range of making a power loss minimum without increasing n-factors while using a Ta electrode as a Schottky electrode, and its manufacturing method.例文帳に追加

ｎ因子を増加させることなく、ショットキー障壁高さを電力損失が最小となる範囲内において所望の値に制御可能な、ショットキー電極としてＴａ電極を用いた炭化珪素ショットキー接合型半導体素子およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The motion vector detection means includes a macro block junction means which forms joint macro blocks resulting from dividing a plurality of macro blocks including repeated images out of macro blocks to be subjected to block matching for each of motion characteristics of repeated images included in respective macro blocks and joining the divided macro blocks.例文帳に追加

動きベクトル検出手段はブロックマッチングの対象とされるマクロブロックのうちの繰り返し画像を含む複数のマクロブロックについて、各マクロブロックに含まれる繰り返し画像の動き特性ごとに分けて接合した接合マクロブロックを形成するマクロブロック接合手段を有する。 - 特許庁

The insulation layer thereon results in a low concentration region of nitrogen where a Josephson junction 4 in a weak electrical coupling condition is formed.例文帳に追加

イオンビームはフオトレジスト膜５でマスキングされた部分はフオトレジスト膜５によって遮断されるが、塗布されていないウインドウ部分ではイオンビームは絶縁層３にまで到達し、その部分の絶縁層は酸素または窒素の低濃度領域となって電気的に弱結合状態にあるジョセフソン接合部４が形成される。 - 特許庁

This invention generally relates to cosmetology and use of saponin or sapogenol for production of a medicinal composition for skin treatment for the purpose to increase the amount of collagen IV in the dermal-epidermal junction, preferably saponin or sapogenol extracted from soybeans or Medicago species plants.例文帳に追加

本発明は、一般に、美容術及び真皮表皮接合部中のコラーゲンＩＶ量増加を目的とする皮膚処置用の医薬組成物の製造におけるサポニン又はサポゲノール、好ましくは大豆若しくはメディカゴ種の植物から抽出したサポニン又はサポゲノールの使用に関する。 - 特許庁

The junction barrier region includes: a first silicon carbide region having a first doping concentration in the drift region of the diode; and a second silicon carbide region disposed between the first silicon carbide region and a Schottky contact of the Schottky diode, in the drift region.例文帳に追加

この接合障壁領域は、ダイオードのドリフト領域内にあって第１のドーピング濃度を有する第１の炭化シリコン領域と、ドリフト領域内にあって、第１の炭化シリコン領域とショットキーダイオードのショットキーコンタクトとの間に配置された第２の炭化シリコン領域とを含む。 - 特許庁

To provide a unit cell for a fuel battery having a structure capable of obtaining excellent battery characteristics at low cost by fixing an electrolyte membrane-electrode junction by uniform contact pressure, and by smoothly supplying a reaction material and discharging a generated product, and to provide a fuel battery using the same.例文帳に追加

電解質膜電極接合体を均一な圧接により固定し、反応物の供給や生成物の排出を円滑に行わせることで、低コストで優れた電池特性が得られる構造を備えた燃料電池用単位セル及びそれを用いた燃料電池を提供する。 - 特許庁

In the signal line 19 for propagating digital signals, intervened is a three-terminal capacitance comprising a depletion type MOS transistor (Dep-Tr11) which is formed in a substrate 12 and is so mounted that a gate capacitance and a junction capacitance may work on the signal line 19.例文帳に追加

デジタル信号を伝搬する信号線１９には、基板１２内に形成され、信号線１９に対してゲート容量及びジャンクション容量が作用するように設けられたディプレション型のＭＯＳトランジスタ（Ｄｅｐ−Ｔｒ１１）で構成される３端子型容量が介在される。 - 特許庁

To provide an image processing apparatus, a CPU for the image processing apparatus, a program for the image processing apparatus, and a computer-readable memory medium which can simply acquire reliable temperature data by carrying out the measurement of the CPU junction temperature under MFP operation, whenever one Job is completed.例文帳に追加

ＭＦＰ動作中のＣＰＵジャンクション温度の測定を一つのＪｏｂが終了する毎に行い、信頼性のある温度データを簡易的に取得することが出来る画像処理装置、画像処理装置用ＣＰＵ、画像処理装置用プログラム、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体を提案する。 - 特許庁

It is practicable to intensify the ability to squeeze the passing fluid through utilization of the flange 54 without thickening the whole wall construction 50, generate the same effect that a junction chamber 57 or pressure buffer space is provided on the way of fluid passing, and enhance the pressure controllability and uniformity.例文帳に追加

可動壁体５０の全体を厚くしなくても鍔部５４を利用して通過流体を絞る能力を強化できるとともに、流体の通過途中に中継室５７や圧力バッファ空間を付加したのと同様の効果が得られて、圧力制御性および均一性も向上する。 - 特許庁

A plurality of fiber end parts 41a for structuring the first fiber bundle 41 and a plurality of fiber end parts 42a for structuring the second fiber bundle 42 are interwound, and filler 44 for joining is mixed between the plurality of fibers to structure the junction part 43.例文帳に追加

第１の繊維束４１を構成する複数の繊維の端部４１ａと、第２の繊維束４２を構成する複数の繊維の端部４２ａと、を互いに絡み合わせ、かつ、複数の繊維間に接合用フィラー４４を混入させることにより、接合部４３を構成する。 - 特許庁

Then, after the metallic junction layers 31 are formed on the second principal surface of the compound semiconductor layer 24 from which the substrate 1 is removed, alloying heat treatment is performed on the layers 31 and, thereafter, an element substrate 7 is stuck to the second principal surface of the compound semiconductor layer 24 through the metallic layer 10.例文帳に追加

成長用基板１が除去された化合物半導体層２４の第二主表面に接合金属層３１を形成した後、合金化熱処理をまず行ない、その後、該化合物半導体層２４の第二主表面に金属層１０を介して素子基板７を貼り合せる。 - 特許庁

By improving the planarity of the boundary between the silicon compound layer 12i and P-type source/drain diffused layer 12g in such a way, the increase in junction leakage current caused by the diffusion of Co atoms in the MOSFET against which the depth reduction of the diffused layer 12g is contrived is controlled.例文帳に追加

こうして、シリコン化合物層１２ｉの、Ｐ型ソース／ドレイン拡散層１２ｇとの界面の平坦性を向上することで、拡散層の深さの低減が図られるＭＯＳＦＥＴでの、Ｃｏ原子の拡散にともなう、接合リーク電流の増大を制御する構成となっている。 - 特許庁

To obtain a high drive current by forming a fine channel and shallow source and drain of nm order size by utilizing a heavily doped silicon layer of a source and drain junction without separate lithographic process as a diffusion source and increasing an effective width of the channel in the same area.例文帳に追加

別途のリソグラフィ工程なしにソース及びドレイン接合部の高不純物濃度のシリコン層を拡散源として利用してｎｍ大きさの微細チャネルと浅いソース及びドレインを形成すること、また同じ面積内でチャネルの実効幅を増加させることによって高い駆動電流を得ること。 - 特許庁

In a junction 4A of the shell, a portion adjacent to one end of the metal plate is folded upward to form a stepped portion (insertion supported portion) 4B, and both sides of a portion adjacent to the other end of the metal plate are cut out and folded back to form a pair of insertion supporting portions 4C.例文帳に追加

シェルの合わせ目４Ａにおいては、金属板の一端部付近を僅かに（金属板の厚み分程度だけ）上方に折曲することによって段差部（被挾持部）４Ｂを形成し、また、金属板の他端板付近の両側を切り出して折り返すことによって一対の挾持部４Ｃを形成する。 - 特許庁

When the battery is overcharged, the voltage thereof rises and gas is generated by heat generation to increase internal pressure, the central attachment part 124 small in adhesion force (junction strength) is separated earlier than the peripheral attachment parts 123, and an isolation state between a first space 125 and a second space 126 is interrupted.例文帳に追加

電池が過充電となり電圧が上昇し発熱によりガスが発生して内圧が増大すると、周縁貼着部１２３より先に貼着力（接合強度）の弱い中央貼着部１２４が剥離し、第１の空間１２５と第２の空間１２６との隔離状態が中断される。 - 特許庁

To provide a connection method for closed section members providing a stable quality by mechanical connection, making the work on the site easier than when welding is used, enabling the work even at a place where the use of fire is restricted, and achieving a beautiful finish because there is no projection such as bolt heads at a junction.例文帳に追加

機械的接合とすることにより、安定した品質が得られ、溶接に比して現場での作業が容易で、火気を使用できない場所でも作業可能であり、接合部位にボルト頭等の突出部が無くて美麗な仕上がりとなる閉断面部材の接合方法を提供する。 - 特許庁

To lessen the high residual stress generated at the junction between a metal and an insulator by relieving the impulsive force by the collision of a stationary electrode and moving electrode exerted on a moving blade and stationary blade when the stationary electrode and the moving electrode are opened and closed in a vacuum shut-off device.例文帳に追加

真空遮断器において固定電極と可動電極の開閉の際、可動ブレード及び固定ブレードに加わる固定電極と可動電極の衝突による衝撃力を緩和し、金属と絶縁物の接合部に発生する大きな残留応力を少なくする。 - 特許庁

The fuel cell 10 includes shallow ribs 71, 81 with low rib heights as a thrust reduction means in a pushing region PA corresponding to the arranged position of a seal material 60 on the rib 70 of a cathode separator 22 and the rib 80 of the anode separator 23 brought into contact with a film electrode junction 21.例文帳に追加

燃料電池１０は、膜電極接合体２１に当接するカソードセパレータ２２のリブ７０およびアノードセパレータ２３のリブ８０上のシール材６０の配置位置に対応する押圧領域ＰＡに、押圧力低減手段としてのリブ高さが低い浅リブ部７１、８１を備えている。 - 特許庁

The junction-type voltage-dependent resistor has a joined structure composed of a semiconductor ceramic (ZnO semiconductor ceramic block) 1a whose main component is ZnO and a metal oxide compound (metal oxide compound block) 2a containing Sr and/or Ba and Mn and/or Co which are joined together.例文帳に追加

ＺｎＯを主成分とする半導体セラミック（ＺｎＯ半導体セラミックブロック）１ａと、Ｓｒ及びＢａのうち少なくとも一方と、Ｍｎ及びＣｏのうち少なくとも一方とを含む金属酸化化合物（金属酸化化合物ブロック）２ａとが接合された構造とする。 - 特許庁

The junction field effect transistor has such a vertical structure that a gate diffusion layer 5 comes into face contact with a channel layer 3 wherein the gate diffusion layer 5 has a spot-like plan view arranged in matrix and the channel layer 3 is formed to surround each gate diffusion layer 5.例文帳に追加

この接合型電界効果トランジスタは、チャネル層３にゲート拡散層５が面接触した縦型構造を有しており、ゲート拡散層５が平面視点状の形状を有し、マトリクス状に設けられ、その各ゲート拡散層５の周囲を取り囲むようにチャネル層３が形成されている。 - 特許庁

The wire-binding apparatus 10 comprises the junction machine section 20 that is a mechanism for joining the wire to the target device 4; a measurement section 50 for measuring the connection state between the target wire 4 and the wire; and a control unit 40 for controlling the operation of the entire apparatus.例文帳に追加

ワイヤボンディング装置１０は、対象デバイス４にワイヤを接合するための機構部分である接合マシン部２０と、対象デバイス４とワイヤとの間の接続状態を測定する測定部５０と、装置全体の動作を制御する制御部４０を含んで構成される。 - 特許庁

An emitter side field plate 15 is embedded into the insulating film 17 to shield a lateral electric field generated in the emitter side of the insulating film 17, thereby releasing an electric field to be generated in a pn junction between an n^- drift region 3a and a p base region 4a.例文帳に追加

トレンチ埋め込み絶縁膜１７内に、エミッタ側フィールドプレート１５を埋め込み、トレンチ埋め込み絶縁膜１７のエミッタ側に生じる横電界を遮蔽することによって、ｎ^-ドリフト領域３ａとｐベース領域４ａとのＰＮ接合で発生する電界を緩和する。 - 特許庁

To provide a semiconductor light-emitting element that prevents cracks or the like in a semiconductor layer generated by a difference in a thermal coefficient of expansion between a semiconductor layer and a support substrate, and prevents contact deterioration on the junction surface between the semiconductor layer and the support substrate, and to provide a manufacturing method of the semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

半導体層と支持基板との間の熱膨張率の違いによって発生する半導体層の亀裂等を防止し、半導体層と支持基板との接合面における接触の悪化が発生しないような半導体発光素子及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that the influence of a diamagnetic field due to magnetic poles at both ends due to the thinning of an element and the magnetization of a memory layer becomes unstable, since the magnetization of a ferromagnetic layer that becomes the memory layer in a magnetic tunnel junction(MTJ) element for improving sensitivity by lamination is in the direction of the inside of a surface.例文帳に追加

従来の積層して高感度化を図った磁気トンネル接合（ＭＴＪ）素子ではメモリ層となる強磁性層の磁化が面内方向であるため、素子の微細化にともない両端部の磁極による反磁界の影響が大きくなり、メモリ層の磁化が不安定になる。 - 特許庁

To guarantee long-term stability of a type of thermo sensor in which elastic strain energy is supported by junction fixation by a soluble material such as solder and in which the elastic strain energy of an elastic body is released and operated by fusion of the soluble material, and improve reliability of operation of a thermo protector using the thermo sensor.例文帳に追加

弾性歪エネルギーをはんだ等の可溶材による接合固定で支持している弾性体の弾性歪エネルギーが可溶体の溶融で解放されて動作するタイプのサーモセンサの長期安定性を保証し、かかるサーモセンサを使用するサーモプロテクタの動作の信頼性の向上を図る。 - 特許庁

That is, since the pn junction interface of a p-type semiconductor crystal layer 103 and the first non p-type layer 104 is raised higher than the other part under a gate electrode G, the thickness of the first non p-type layer 104 is thinner than the other part under the gate electrode G.例文帳に追加

即ち、ｐ型半導体結晶層１０３と第１非ｐ型層１０４とのｐｎ接合界面がゲート電極Ｇの下において他の部位よりも高く盛り上がっているために、第１非ｐ型層１０４の膜厚はゲート電極Ｇの下では他の部位よりも薄くなっている。 - 特許庁

This semiconductor device manufacturing method forms an antireflection film in a division area with a light receiving area 12 in a separation photo diode area 1, and a junction area for a division part 8 outside of the above light receiving area 12 for separating photo diodes and a cathode; and forms a polysilicon film 14 covering the antireflection film.例文帳に追加

分割フォトダイオード領域１の受光領域１２と共に、フォトダイオード間を分割する受光領域１２外の分割部８とカソードとのジャンクション領域を含む分割領域に反射防止膜を形成し、その反射防止膜を覆うようにポリシリコン膜１４を形成する。 - 特許庁

A board junction structure 10 has a first board 11 having a plurality of first electrode terminals 13 provided at intervals, and a second board 12 having a plurality of second electrode terminals 14 provided so that they correspond to the plurality of first electrode terminals 13 in the first board 11.例文帳に追加

基板接合構造１０は、相互に間隔をおいて設けられた複数の第１電極端子１３を有する第１基板１１と、第１基板１１の複数の第１電極端子１３に対応するように設けられた複数の第２電極端子１４を有する第２基板１２と、を備える。 - 特許庁

In a thin-film solar battery containing pin junction in which a non-single crystalline silicon thin film containing a crystal is used as an i- layer, the oxygen atom concentration on the interface between a p-type or an n-type conductive layer on a substrate side and the i-layer is suppressed to be 5×10^20 atoms/cm^3 or below.例文帳に追加

結晶質を含む非単結晶シリコン系薄膜をｉ層として用いたｐｉｎ接合を含む薄膜太陽電池における基板側のｐまたはｎ型導電層とｉ層との界面における酸素原子濃度を５×１０^20ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下に抑制する。 - 特許庁

Using surface protective layers on both a silicon substrate and a glass substrate to which a positive electrode junction technique can be most effectively applied, selective sand blast work to cut exposed parts is conducted to form grooves and recesses so that movable parts, grooves, through holes, etc., are formed in a check valve or a diaphragm.例文帳に追加

陽極接合技術が最も有効に活用できるシリコン基板及びガラス基板の両方に表面保護層を用いて露出部分を切削する選択的サンドブラスト加工を適用して溝や凹みを形成し、逆止弁やダイアフラム等の可動部や溝、貫通孔等を形成する。 - 特許庁

The outermost circumferential p+ type well region 21a in a plurality of p+ type well regions 21 has a region of deeper junction than those located closer to the cell region side than the outermost circumferential p+ type well region 21a.例文帳に追加

複数のｐ^+型ウェル領域２１のうち最外周に位置する最外周ｐ^+型ウェル領域２１ａが、複数のｐ^+型ウェル領域２１のうち該最外周ｐ^+型ウェル領域２１ａよりもセル領域側に位置するものよりも接合深さが深く形成されている領域を有しているようにする。 - 特許庁

A P-type semiconductor layer 30 added a prescribed impurity is provided in a prescribed region of the surface 20a side opposite to the Si substrate 10 of the N^--type Si substrate 20, and a photodiode 1 having a PN junction by the N^--type Si substrate 20 and the P-type semiconductor layer 30 is constituted.例文帳に追加

また、Ｎ^−型Ｓｉ基板２０のＳｉ基板１０とは反対側の面２０ａ側の所定領域に、所定の不純物が添加されたＰ型半導体層３０を設けて、Ｎ^−型Ｓｉ基板２０とＰ型半導体層３０とによるＰＮ接合を有するフォトダイオード１を構成する。 - 特許庁

The terminal component with a plurality of terminals for electrical connection to the outside insertion formed by the resin comprises a moderate concave bent side provided to the bonding junction surface with an alminum wire bonded at the position exposed from the resin in the range of the approximate same area as that of the exposed part.例文帳に追加

複数本の外部との電気的接続用端子を樹脂でインサート成形した端子部品において、アルミワイヤをボンディングするボンディング接合面に対して、樹脂からの露出位置に露出面積と略同一面積の範囲に、接合面に対して、緩やかな凹状の湾曲部を設けた。 - 特許庁

A throttle section 17 adjusts an area or a position of the opening so as to allow the edge of the junction between the element 12 and the sheet 11 to agree with the edge of a contact region between a lower surface of the sheet 11 and the sheet 16a in the exfoliation process of the element 12.例文帳に追加

絞り部１７は、半導体素子１２の剥離過程において、半導体素子１２と粘着シート１１との接合部の縁部が、粘着シート１１の下面と突き上げシート１６ａとの接触領域の縁部とが一致するようにその開口部の面積又は位置を調整する。 - 特許庁

In the photovoltaic device having pin junction using a-SiGe: H where an unbonding hand is terminated by hydrogen for (i) layer, the amount of hydrogen in a film decreases from a P-layer side to an n-layer side in the (i) layer, and at the same time the amount of Ge decreases in linkage.例文帳に追加

この発明は、未結合手を水素により終端したａ−ＳｉＧｅ：Ｈをｉ層に用いたｐｉｎ接合を備えた光起電力装置において、ｉ層でｐ層側からｎ層側へ向かって膜中の水素量が減少するとともにＧｅ量が連動して減少する。 - 特許庁

In this case, the Schottky barrier diode comprising the junction of a diffusion layer used in the formation of the circuit element to a metal wiring layer is used in the latch-up-operation preventing circuit of the parasitic thyristor so that with a smaller area, higher protective effect for the circuit than that of the conventional cases can be obtained.例文帳に追加

そして、回路素子の形成に用いられる拡散層と金属配線層の接合からなるショットキーバリアダイオードを寄生サイリスタラッチアップ動作防止用回路に用い、従来のものよりもより小面積で、より高い保護効果を得ることができるようにしてている。 - 特許庁

To provide an optical fiber cable junction box and a method for detecting a fault in a transmission line using it capable of locally restraining the range influenced by stress and moreover capable of rapidly finding the generating position of the stress when the stress becoming the fault in the transmission line of the optical fiber cable is generated.例文帳に追加

光ファイバケーブルの伝送路内で障害となる応力が発生した場合に、その応力の影響範囲を局地的におさえ、かつ、その応力の発生位置を迅速に発見することができる光ファイバケーブル接続箱及びこれを用いた伝送路障害検知方法を提供する。 - 特許庁

In the diode, a semiconductor substrate and one surface are set to (111) crystal surface, an angle being formed by the horizontal surface of one surface of the semiconductor substrate and a surface where the pn junction between p- and n+-type semiconductor regions is exposed is set to 75 degrees or more and less than 90 degrees.例文帳に追加

半導体基体と一方表面は（１１１）結晶面であって、その半導体基体の一方表面の水平面と、ｐ型半導体領域とｎ^+ 型半導体領域とのｐｎ接合が露出する面とのなす角が、７５度以上，９０度未満であるダイオード。 - 特許庁

To provide, at low costs, a bipolar transistor having the excellent high frequency characteristic by forming a SIC layer having the predetermined retro-grade profile with the simplified process and by reducing a junction capacitance between the base and collector in the method of manufacturing the bipolar transistor including the SIC layer.例文帳に追加

ＳＩＣ層を有するバイポーラトランジスタの製造方法において、簡便な工程により所望のレトログレードプロファイルを有するＳＩＣ層を形成すると共にベース・コレクタ間の接合容量を低減して、高周波特性に優れたバイポーラトランジスタを低コストで提供する。 - 特許庁

An oscillating device is formed of a single-crystal material of a superconducting BSCCO structure including a multilayer laminated intrinsic Josephson-junction and the electromagnetic wave used is radiated in the direction inclined for the specified angle up to the upper direction from the horizontal direction of a rectangular flat surface mesa structure formed on the single-crystal material.例文帳に追加

多重積層型固有ジョセフソン接合を有する超伝導体ＢＳＣＣＯ構造の単結晶体を発振手段とし、前記単結晶の上に形成される矩形平面メサ構造の水平方向から上方に所定角傾いた方向に放射される電磁波を利用する。 - 特許庁

To provide a power supply device to an electric mobile vehicle in which the power supply to a control system is not interrupted even when the mobile vehicle enters and stops in a buffer section immediately before a junction of rails during the rail switching period, the recovery processing for re-starting the travel is easy, and the operational efficiency is not degraded.例文帳に追加

レールの切り替え期間中に、レールの分岐合流点直前のバッファ区間に、自走車が進入して停止しても制御系への給電が遮断されず、走行を再開する為の復帰処理が容易で、運用効率が低下しない電動式自走車への給電装置の提供。 - 特許庁

An intersection DB generating device (116) generates, in accordance with the junction point data (114a) and traveling direction attribute data contained in attribute data (112), an intersection database having one or more combinations of approach points and exit points on which one can proceed at the intersection and stores it on a hard disk (118).例文帳に追加

交差点ＤＢ生成装置（１１６）は、接続点データ（１１４ａ）と、属性データ（１１２）に含まれる進行方向属性データに従い、交差点において進行可能な進入点と退出点の１以上の組み合わせを有する交差点データベースを生成し、ハードディスク（１１８）に格納する。 - 特許庁