「Junction」に関連した英語例文の一覧と使い方(176ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a catalyst layer-electrolyte membrane stack which is excellent in mechanical strength despite a thin electrolyte membrane, in which adhesion between catalyst layer and electrolyte membrane is improved, and has high proton conductivity under a non-humidified state, and a membrane-electrode junction body and a fuel cell using the stack, and a manufacturing method of the stack.例文帳に追加

電解質膜が薄膜でありながら機械強度に優れ、触媒層と電解質膜との密着性が向上し、無加湿状態で高いプロトン伝導性を有する触媒層−電解質膜積層体、及びそれを用いた膜電極接合体と燃料電池、並びにその製造方法を提供する。 - 特許庁

The magnetic memory element 10 comprises a first magnetic layer 1 having a fixed magnetization direction, a second magnetic layer 2 having a variable magnetization direction and functioning as a memory carrier, both magnetic layers 1, 2 layered via a non-magnetic conductive layer 4, and a third magnetic layer 3 having a fixed magnetization direction which forms a magnetic tunnel junction with the second magnetic layer.例文帳に追加

磁化の向きが固定された第１の磁性層１と、磁化の向きが可変で記憶担体となる第２の磁性層２とが、非磁性導体層４を挟んで積層され、第２の磁性層と磁化の向きが固定された第３の磁性層３とが磁気トンネル接合を形成して成る磁気記憶素子１０を構成する。 - 特許庁

The heat dissipation member 1 has: the heat sink 5 that can be placed on the electronic component P packaged on the printed wiring board PWB; and a frame 3 that is a member to be soldered to the printed wiring board PWB and holds the heat sink 5 at a holding position (see (a) in the selected figure) separated from the electronic component P in solder junction.例文帳に追加

放熱部材１は、プリント配線板ＰＷＢ上に実装された電子部品Ｐに装着可能なヒートシンク５と、プリント配線板ＰＷＢにはんだ接合される部材であり、はんだ接合の際には、ヒートシンク５を電子部品Ｐから離れた保持位置（選択図中（ａ）参照）に保持するフレーム３とを備えている。 - 特許庁

It is preferable to connect a switching means 16 for switching, by at least one control signal between a light receiving state such that a photoelectromotive force is generated in a direction in which the P-N junction is biased when light is received and a light emitting state that a forward voltage is applied to the light emitting diode 14 to emit light.例文帳に追加

そして、少なくとも一つの制御信号によって、光を受光した場合にＰＮ接合をバイアスする向きに光起電力を生じさせる受光状態と、発光ダイオード１４に対して順方向電圧を加え発光させる発光状態とに切り替える切り替え手段１６を接続するのが好ましい。 - 特許庁

In the junction box for the automobile which has a power system where fuse upstream wiring and fuse downstream wiring are connected with each other via a fuse, the upstream side of the fuse is composed of individual bus bars, and the downstream side of the fuse is composed of a die-cut circuit and a tab terminal.例文帳に追加

ヒューズ上流側配線とヒューズ下流側配線とがヒューズを介して接続された電源体系を有する自動車用ジャンクションボックスにおいて、ヒューズ上流側が個別のバスバーで構成され、ヒューズ下流側が打ち抜き回路とタブ端子とで構成されたことを特徴とする自動車用ジャンクションボックス。 - 特許庁

To provide a bidirectional high breakdown voltage planar semiconductor device having a high avalanche resistance in which forward breakdown voltage is stabilized with higher reliability, a new reverse breakdown voltage structure is contrived, and occurrence of breakdown due to field concentration is prevented in the junction termination structure in both forward and reverse directions when a voltage is applied.例文帳に追加

順方向耐圧をよりいっそう高信頼性に安定させ、逆方向耐圧構造を新たに工夫し、順逆方向共に、電圧印加時に、接合終端構造内での電界集中によるブレークダウンが発生せず、共に高アバランシェ耐量を有する双方向高耐圧プレーナ型半導体装置の提供。 - 特許庁

At least a part of the envelope 2 is covered with a shading material 300 to prevent the light having passed through the envelope 2 from entering into a junction part between a negative electrode base of the field emission type negative electrode 10 formed of a P-type semiconductor, and a negative electrode jointed to the negative electrode base.例文帳に追加

外囲器２を通過した光が電界放出型陰極１０のＰ型半導体からなる陰極ベースとＮ型半導体からなり、陰極ベースに接合された陰極電極との接合部に入射しないように、外囲器２の少なくとも一部が遮光性の材料３００で覆われている。 - 特許庁

The semiconductor device includes a source region 10 in contact with a silicon substrate 1 for forming a Schottky junction, a drain region 11, and an insulation layer provided to coat an area where a border between the silicon substrate 1 and the source region 10 is exposed and an area where a border between the silicon substrate 1 and the drain region 11 is exposed.例文帳に追加

シリコン基板１と接してショットキー接合を形成するソース領域１０,ドレイン領域１１と、上記シリコン基板１とソース領域１０との境界が露出する部分およびシリコン基板１とドレイン領域１１との境界が露出する部分を被覆するように設けられた絶縁層を備える。 - 特許庁

To effectively carry out coherent junction of a lot of laminated tabular fins and flat heat transfer tubes of a fin and tube type heat exchanger composed of the lot of tabular fins laminated in parallel with each other at a certain pitch, and the flat heat transfer tubes inserted at a substantially right angle into the fins at a predetermined pitch.例文帳に追加

一定のピッチで平行に多数積層される平板状のフィンと、所定のピッチでフィンに略直角に挿入される偏平状の伝熱管から構成されるフィンアンドチューブ式の熱交換器の多数積層される平板状のフィンと偏平状の伝熱管を有効に密着接合すること。 - 特許庁

A thermoelectric element 1 is equipped with P-type elements 3 formed of P-type thermoelectric semiconductor material, N-type elements 4 formed of N-type thermoelectric semiconductor material, and boards 2B and 2A provided with metal electrodes 5 which are capable of forming PN junction pairs by joining pairs of the dissimilar elements 3 and 4 together.例文帳に追加

Ｐ型熱電半導体材料からなるＰ型エレメント３と、Ｎ型熱電半導体材料からなるＮ型エレメント４と、これらＰ型及びＮ型の異種エレメント３、４を一対ずつ接合してＰＮ接合対を形成可能な金属電極５を有する基板２Ｂ、２Ａを備えた熱電素子１である。 - 特許庁

This reference electrode is formed on a reference electrode support tube 21 itself for storing reference electrode internal liquid 24 and an internal electrode 23 for reference provided in the reference electrode internal liquid 24, and is equipped with a plurality of liquid junction holes 2X for diffusing the reference electrode internal liquid 24 to the external sample.例文帳に追加

参照電極内部液２４及びその参照電極内部液２４中に設けられた参照用内部電極２３を収容する参照電極支持管２１自体に形成して成り且つ前記参照電極内部液２４を外部のサンプルに対して拡散させる複数の液絡孔２Ｘを具備して成るようにした。 - 特許庁

A non-contact recognition type IC chip 11 electrically connects a fine antenna 12 and is sealed into a flexible plastic film 13 in a state including the antenna 12, the film 13 is cut off to a plane shape of suitable size and the opposite side film surface 15 of the antenna 12 is used for a junction surface.例文帳に追加

非接触認識型ＩＣチップ１１が、微小アンテナ１２を電気的に接続し、そのアンテナ１２も含めてフレキシブル・プラスチック・フィルム１３の中に封じ込められ、そして、そのフレキシブル・プラスチック・フィルム１３が、適当な大きさの平面形状に裁断されてそのアンテナ１２の反対側フィルム面１５を接合面に用いる。 - 特許庁

A first layer 16 is formed by segregating specific atoms with high concentration on the junction interface of the NiGe layer 15 and the Ge substrate 2, and a second layer 17 is formed by segregating the same atoms as those of the first layer 16 with high concentration on the interface of the gate electrode 13 and a gate insulating film 12.例文帳に追加

ＮｉＧｅ層１５とＧｅ基板２との接合界面には、所定の原子が高濃度に偏析して形成されてなる第１の層１６が形成され、ゲート電極１３とゲート絶縁膜１２との界面には、第１の層１６と同じ原子が高濃度に偏析して形成されてなる第２の層１７が形成されている。 - 特許庁

To obtain a protein having Junctophilin activity needed for constructing a junction membrane complex in a muscle cell of skeletal muscle, or the like, or a cell of neuron, or the like; a gene encoding the protein; a method for diagnosing diseases associated with the expression or activation of a protein having Junctophilin activity by using the gene; and the like.例文帳に追加

骨格筋等の筋細胞やニューロンなどの細胞において接合膜複合体を構成するのに必要であるジャンクトフィリン活性を有するタンパク質、それをコードする遺伝子及びそれらを利用したジャンクトフィリン活性を有するタンパク質の発現又は活性と関連する疾病の診断方法等を提供すること。 - 特許庁

Because of employment of insert molding, the ornament pad can be fabricated readily at low cost, and since the ornament member 2 and the pad member 1 are molded from the same kind of thermoplastic resin, a junction layer 5 where they are compatible with each other is formed at their boundary whereby even during airbag actuation, scattering of the ornament member from the pad member is avoided for safety.例文帳に追加

インサート成形を採用しているので簡単に安価に製造することができ、装飾部材２とパッド部材１が同種の熱可塑性樹脂で成形されているので境面に両者が相溶した接合層５が形成され、エアバッグ作動時においても装飾部材がパッド部材から飛散することなく安全である。 - 特許庁

The switching element having an organic conductor of a heterocycle contained compound, a cation radical salt, or an anion radical salt; a metal electrode of a gold, a titanium platinum, a silver, a tin or the like; and a junction interface of the organic conductor and the metal electrode, can operate at a voltage of not more than 30 V and has values of resistance of not less than 10 times.例文帳に追加

ヘテロ環含有化合物、カチオンラジカル塩、またはアニオンラジカル塩である有機導体と、金、チタン白金、銀、錫等の金属電極と、前記有機導体と前記金属電極との接合界面とを有し、かつ、電圧が３０Ｖ以下で動作可能で、抵抗値変化が１０倍以上のスイッチング素子。 - 特許庁

The electric junction box includes a power source line 16p connected to a plurality of IPS 13a-13e to connect modules 3a-3e connected at one end to a predetermined load circuit, and a plurality of connectors 15a-15e of the same shape formed in the same array with a common signal line 16s and a common ground line 16g.例文帳に追加

所定の負荷回路が一端に接続されるモジュール３ａ〜３ｅを接続するための、複数のＩＰＳ１３ａ〜１３ｅにそれぞれ接続される電源線１６ｐと、共通信号線１６ｓと、共通グランド線１６ｇと、が同配列に形成された同形状の複数のコネクタ部１５ａ〜１５ｅを有する。 - 特許庁

The lead wire 10 comprises an external power supply wire 3, extended in the outside of the end frame 6, two brush lead wires 2, extended in the inside of the end frame 6 and connected respectively to the two brushes 5 and a junction metal fitting 4, which is provided between the external power supply wire 3 and the brush lead wires 2 to connect the wires 2 and 3 to each other.例文帳に追加

リード線１０は、エンドフレーム６の外部に延在する外部電源線３と、エンドフレーム６の内部に延在し二つのブラシ５にそれぞれ接続されている二本のブラシリード線２と、外部電源線３とブラシリード線２との間に介在し両者２，３を接続する中継金具４とからなる。 - 特許庁

This developing device making a periphery sealing material, being composed of an elastic layer imparting the elastic force for pressing a rubbing layer toward the developer carrier, so as to perform the junction of the rubbing layer and the elastic layer, and the fixation of the elastic layer to another member by double-sided adhesive tapes 32 and 34 provided with base material.例文帳に追加

周面シール材が、現像剤担持体と摺擦する摺擦層と、摺擦層を現像剤担持体へ押圧するための弾性力を付与する弾性層とからなり、摺擦層と弾性層との接合及び弾性層の他部材への固定をベース材を有する両面テープ（３２）、（３４）で行うようにしたものである。 - 特許庁

A surface silicon layer and a buried oxide film are removed, an opening is formed so that a supporting substrate can be exposed, the supporting substrate in the opening is provided with low concentration diffuse layers whose conductive types are opposite and identical to that of the supporting board, and a pn junction diode is formed in the low concentration diffuse layers so that a semiconductor device can be constituted.例文帳に追加

表面シリコン層と埋込酸化膜を除去し開口部を設けることで、支持基板を露出させ、開口部内の支持基板に支持基板と逆導電型と同導電型の低濃度拡散層を設け、低濃度拡散層内にＰＮ接合ダイオードを形成することを特徴とする半導体装置を使用する。 - 特許庁

To prevent a breakdown of a junction part between a bump electrode for a semiconductor chip and an electrode land for a substrate owing to the heat cycle thereof, in a face-down mounting in which the bump electrode composed of a metal is formed to an electrode for the chip and the electrode land for the substrate and the bump electrode for the chip are joined by a method such as a soldering.例文帳に追加

半導体チップの電極に金属の突起電極を形成し、基板の電極ランドと半導体チップの突起電極とを半田付け等の方法によって接合するようにしたフェイスダウン実装において、半導体チップの突起電極と基板の電極ランドとの接合部の熱サイクルによる破壊を防止する。 - 特許庁

A welding device 200 therefor is provided with a hood 245 surrounding the circumference of a junction part between the main fitting 50 and the tip fitting 30, that is, circumferences of contact surfaces (a tip surface 57 and a facing surface 37) of both of them, and outside surfaces of the tip part 59 of the main fitting 50 and a base part 32 of the tip fitting 30.例文帳に追加

そのための溶接装置２００には、主体金具５０と先端金具３０との接合部分の周囲、すなわち、両者の当接面（先端面５７および対向面３７）、および主体金具５０の先端部５９や先端金具３０の基部３２の外表面の周囲を囲うフード２４５が設けられている。 - 特許庁

The voltage corresponding to the high frequency voltage generated in the terminal 50a of the inductor 50 is applied to a junction 10a via the other terminal 50b, and a charge/discharge current flows to the capacitors 11 and 12 via the commercial power source Vs, according to this voltage, and the input current on the side of the commercial power source Vs turns into an intermittent current of high frequency.例文帳に追加

インダクタ50の端子50ａに発生する高周波電圧に対応する電圧が他方の端子50ｂを介して接続点10ａに印加され、この電圧に応じて、商用電源Vsを介してコンデンサ11，12に充放電電流が流れ、商用電源Vs側の入力電流が高周波の断続電流となる。 - 特許庁

In this manner, the transmission lines 22 and 23 are provided at both the sides of the pair 21 of antiparallel diodes for adjusting the electric length of the tip opening stub 24, thus cancelling the junction capacity of the diode composing the pair 21 of antiparallel diodes, and hence improving frequency conversion and output characteristics in the even harmonic mixer.例文帳に追加

このように、アンチパラレルダイオードペア２１の両側に伝送線路２２,２３を設けて先端開放スタブ２４の電気長を調整することによって、アンチパラレルダイオードペア２１を構成するダイオードの接合容量がキャンセルされ、偶高調波ミキサの周波数変換特性および出力特性が向上する。 - 特許庁

In the liquid sealing resin composition with which the junction and sealing of a flip-chip package can be executed simultaneously, the viscosity behavior of this composition is 1 Pa.s less at 170°C in dynamic viscoelasticity measurement, when the temperature is increased at a fixed rate from the room temperature.例文帳に追加

本発明は、フリップチップパッケージの接合と封止を同時に行うことができる液状封止樹脂組成物において、定率で室温から温度を上げたときの該液状封止樹脂組成物の動的粘弾性測定における粘度挙動が、１７０℃で１Ｐａ・ｓ以下である液状封止樹脂組成物である。 - 特許庁

A low oxygen baking stage for executing baking, under the condition having a lower oxygen partial pressure than the oxygen partial pressure in the atmosphere is provided in baking the green laminate structure, chemical reaction performance between the external electrode and a ferrite layer contacting it is improved by reduction reaction of the metal oxide, to obtain the external electrode in a firm junction state.例文帳に追加

生の積層構造物を焼成するとき、大気中の酸素分圧に比べて酸素分圧の低い条件で焼成を実施する低酸素焼成ステージを設けておき、金属酸化物の還元反応により外部電極とそれに接するフェライト層との間での化学反応性を向上させ、強固な接合状態にある外部電極を得るようにする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an electronic device using a tubular inorganic matter showing a single electronic tunnel electrical conductivity, which can show the single electronic tunnel electrical conductivity by forming a number of fine tunnel junctions in a tubular inorganic matter, can control even the fine tunnel junction amount properly, and is industrially extremely effective.例文帳に追加

チューブ状無機物質に微小なトンネル接合を多数形成し、単一電子トンネル電気伝導性を示すことが可能となり、かつ当該微少なトンネル接合量も適正に制御することができる、工業的に極めて有用な、単一電子トンネル電気伝導性を示すチューブ状無機物質を用いた電子デバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

The junction (in this case, a semiconductor device) 10 comprises a metal electrode 40, a semiconductor element 32 having a coefficient of linear expansion smaller than that of the metal electrode 40, and a solder layer 38 which is interposed between the metal electrode 40 and the semiconductor element 32 to mechanically and electrically connect the metal electrode 40 and the semiconductor element 32.例文帳に追加

本発明に係る接合体（この場合は半導体装置）１０は、金属電極４０と、金属電極４０よりも線膨張係数が小さい半導体素子３２と、金属電極４０と半導体素子３２の間にあって金属電極４０と半導体素子３２を機械的電気的に接続している半田層３８とを有する。 - 特許庁

This spring member 45 cross-links a pair of metal pieces for wiring 31, 32 adjoining each other in an elastic deformation condition, and at least one junction 45a of junctions 45a with the pair of metal pieces for wiring 31, 32 is joined with the metal piece for wiring 31 by thermosensitive solder which melts at a prescribed temperature.例文帳に追加

このバネ部材４５は、互いに近接する一対の配線用金属片３１，３２を弾性変形状態で架橋していると共に、その一対の配線用金属片３１，３２との接合部４５ａの少なくとも一方の接合部４５ａが、所定温度で溶解する温度半田によって配線用金属片３１に接合されている。 - 特許庁

A power semiconductor element is provided with first and second conductivity type semiconductor regions 1 and 3 provided in a substrate, where part of a P-N junction 2 formed between the regions 1 and 3 is sharpened and the radius of curvature of these sharpened parts is 0.5 μm or smaller.例文帳に追加

基板に設けられた第１導電型半導体領域１と、第２導電型半導体領域３とを備え、第１導電型半導体領域１と第２導電型半導体領域３との間に形成されるＰＮ接合２の一部が先鋭化されており、この先鋭化された部分の曲率半径が０．５μｍ以下である電力用素子を提供する。 - 特許庁

To provide a polymer electrolyte solution for forming an electrode having high durability and useful for forming an electrode of a solid polymer electrode type fuel cell, to provide a polymer electrolyte film and an electrolyte for a fuel cell manufactured by using the polymer electrolyte solution, and to provide an electrode junction body and a fuel cell manufactured by using the electrode.例文帳に追加

耐久性が高い電極を作製し得る、固体高分子電解質型燃料電池の電極作製に有用な高分子電解質溶液、該高分子電解質溶液を用いて作製した高分子電解質膜、燃料電池用電極、該電極を用いて作製した電極接合体、及び燃料電池を提供すること。 - 特許庁

In the hetero-junction field effect transistor element 100, a distance between an intersection A 110 of primary gate wiring 105 and secondary wiring 106 and an intersection B 116 of a gate electrode 102a as one end in a plurality of gate electrodes 102 and the primary gate wiring 105 is set at 10 μm or less.例文帳に追加

ヘテロ接合型電界効果トランジスタ素子１００において、第１次ゲート配線１０５と第２次ゲート配線１０６の交点Ａ：１１０と、複数のゲート電極１０２において一方の端をなすゲート電極１０２aと第１次ゲート配線１０５との交点Ｂ：１１６の間の距離は１０μｍ以下となるよう配置されている。 - 特許庁

A first metal layer 51 formed on one main surface of a compound semiconductor crystal layer 2 and a second metal layer 53 formed on one main surface of a conductive substrate 6 are junctioned through a silver-based junction layer 52 obtained by reduction processing of silver oxide particle dispersed in a liquid-like or paste-like substance.例文帳に追加

化合物半導体結晶層２の一方の主表面に形成された第１金属層５１と、導電性基板６の一方の主表面に形成された第２金属層５３とを、液状またはペースト状の物質中に分散された酸化銀粒子を還元処理することにより得られる銀系接合層５２を介して接合する。 - 特許庁

The minute measuring samples 106 are arranged on electrodes 107, a medium 105 is arranged over a plurality of measuring samples 106, a liquid junction section of a reference electrode 109 is brought into contact with the medium 105, and the potential between the single reference electrode 109 and each electrode 107 via the medium 105 is measured using an electrometer 108.例文帳に追加

微量の測定試料１０６を電極１０７上に配置し，複数の測定試料１０６にまたがって媒体１０５を配置し，参照電極１０９の液絡部を媒体１０５に接触させ，電位計１０８を用いて，前記媒体１０５を介した単一の参照電極１０９と各電極１０７間の電位を測定する。 - 特許庁

After a mesh material 28 extended along a joint space 26 defined between the upper surface of the top of a column of a precast reinforced concrete member 10 and the lower surface of a junction part block 14 of a precast reinforced concrete member is arranged in the joint space 26, the curable filler is filled and cured in the joint space 26.例文帳に追加

プレキャスト鉄筋コンクリート柱部材１０の柱頭の上面と、プレキャスト鉄筋コンクリート柱梁接合部ブロック１４の下面との間に画成される目地空間２６内に、この目地空間２６に沿って延展するメッシュ材２８を配設した後に、この目地空間２６内に硬化性充填材を充填して硬化させるようにした。 - 特許庁

Only for the situation that specified caution points, e.g. sharp curves and crossings exist in possible directions, in which a car may run into a junction but no running guidance may be given, i.e., along a road, the report is made for warning against caution points every approach to the caution point.例文帳に追加

目的地経路が設定されていない場合には、分岐点においていずれの方向にも走行する可能性があるが、走行案内がされないと予想される方向、つまり「道なり」の方向に所定の警戒地点（例えば急カーブや踏切）が存在する状況に限り、その警戒地点に近接する毎に、その警戒地点に対する注意喚起のための報知を行う。 - 特許庁

A metal layer 18 for sealing and a metal layer 19 for electrical connection are formed on a surface insulating film 16 by etching back a part formed at a region E3 for junction in a multilayer insulating film, comprising a surface insulating film 16 and a multilayer structure section 41 formed at the side of the main surface of an SOI semiconductor substrate 10.例文帳に追加

半導体基板であるＳＯＩ基板１０の主表面側に形成された表面絶縁膜１６と多層構造部４１とからなる多層絶縁膜のうち接合用領域部Ｅ３に形成されている部位をエッチバックし、表面絶縁膜１６上に封止用金属層１８および電気接続用金属層１９を形成する。 - 特許庁

To be concrete, the solar battery cell is manufactured by forming a gallium-doped region 49 in the single crystal silicon substrate 41 formed by working a boron-doped single crystal silicon crystal pulled up by the CZ method by diffusing gallium in the substrate 41 from the first main surface side of the substrate 41 and forming a p-n junction section 48 in the region 49.例文帳に追加

具体的には、ＣＺ法によりボロンを添加したシリコン単結晶を引き上げ、該シリコン単結晶を加工したシリコン単結晶基板４１に第一主表面側からガリウムを拡散してガリウム添加領域４９を形成し、そのガリウム添加領域４９にｐ−ｎ接合部４８を形成して太陽電池セルとなす。 - 特許庁

To provide a terahertz band electromagnetic wave oscillating apparatus for actual use to generate an intensified and continuous monochrome and coherent electromagnetic wave particularly in the 1-5 THz frequency bands using the intrinsic multilayered Josephson-junction utilizing a high-level anisotropic BSCCO single crystal layer as a high-temperature superconducting material.例文帳に追加

高温超伝導体である高度に層状化された異方性ＢＳＣＣＯ単結晶を利用した本来的に存在する多重積層された固有ジョセフソン接合を用いて、特に１乃至５ＴＨｚ周波数帯域の単色的でありコヒーレントの強力且つ連続的な電磁波を生成する実用的なＴＨｚ帯域電磁波発振装置を提供する。 - 特許庁

The method relates to forming an electrode member 51 of a thin layer used to constitute an electrode of a film electrode junction body for fuel cell, and forms an electrode member by supplying conductive particles 62 and resin-dispersed liquid 63 onto a substrate 61 via systems 111 and 112 independent of each other.例文帳に追加

燃料電池用膜電極接合体の電極を構成するために用いられる薄層の電極用部材５１を形成する方法であって、別個独立した系統１１１と１１２を介してそれぞれが供給される導電性粒子６２と樹脂分散液６３とを基材６１上に供給することによって、電極用部材を形成する。 - 特許庁

In the fuel cell comprising a membrane-electrode junction in which a pair of diffusion electrodes 110 including a electrode catalyst layer 111 and a gas diffusion layer 112 are placed on both sides of the electrolyte membrane 100, a protection sheet 150 is prepared so that it is brought into contact with the electrolyte membrane 100 and the gas diffusion electrode 110.例文帳に追加

電解質膜１００の両側に、電極触媒層１１１およびガス拡散層１１２を含む一対のガス拡散電極１１０が配置されてなる膜電極接合体を有する燃料電池において、 前記電解質膜１００および前記ガス拡散電極１１０に接するように保護シート１５０が設けられた燃料電池である。 - 特許庁

The device has a semiconductor chip wherein a plurality of electrodes are formed on a major surface, a mounting substrate wherein a plurality of connection pads electrically connected to respective electrodes of the semiconductor chip via conductors are formed on an facing major surface, and an electrically insulating junction film joining the mounting substrate and the semiconductor chip.例文帳に追加

主面に複数の電極が形成された半導体チップと、この半導体チップの各電極に導電体を介して電気的に接続された複数の接続パッドが対向主面に形成された実装基板と、この実装基板と前記半導体チップとを接合する電気的絶縁性を有する接合用被膜とを備える。 - 特許庁

To prevent concentration of an electric field at a corner, thinning of a gate oxide film and deterioration of a transistor characteristics by shaping the corner at the upper end of a trench into a round form, and to restrain a junction leak current to the low level and prevent generation of crystal defects during the manufacturing steps by restraining the stress caused by oxidation of the inner wall of the trench.例文帳に追加

トレンチ上端のコーナー部の形状を丸め形状にすることで、コーナー部での電界集中やゲート酸化膜の薄膜化を防止し、トランジスタ特性の劣化を防止し、またトレンチ内壁の酸化処理によるストレスを抑制することで、製造工程中に結晶欠陥等を発生せず、接合リーク電流を低く抑えられる。 - 特許庁

To provide a high-voltage transistor whose source/drain diffusion region can become a double diffusion drain junction structure, without forming a space oxide film by using a silicon nitride film as a protection film at impurity implantation, and for which the source/drain diffusion region of a more stabilized double diffusion structure can be formed by a one-time pattern process and an ion implantation process.例文帳に追加

高電圧用トランジスタの製造方法においてシリコン窒化膜を不純物注入時に防護膜とすることによってスペース酸化膜を形成しなくてもソース／ドレイン拡散領域を二重拡散ドレインジャンクション構造とし一度のパターン工程及びイオン注入工程により安定した二重拡散構造のソース／ドレイン拡散領域を形成する。 - 特許庁

A contact hole 107 is made, and a silicon film 108 and a barrier metal 109 are deposited in order, or, a barrier metal 208 and a silicon film 209 are deposited in order, thereafter, the silicide is formed by heat treatment, thereby, silicon is supplied from the silicon film to inhibit the silicide layer from growing downward, the junction leakage is then prevented.例文帳に追加

コンタクト孔（１０７）を開口し、シリコン薄膜（１０８）およびバリアメタル（１０９）を順次堆積させた後、あるいはバリアメタル（２０８）およびシリコン薄膜（２０９）を順次堆積させた後、熱処理を行ってシリサイドを形成することにより、薄膜シリコンからシリコンを供給してシリサイド層の下方への成長を抑制し、接合リークを防止する。 - 特許庁