「MASK LESS」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an exposure mask, which includes a plurality of mask portions for forming wiring lines, the mask portions arranged parallel to one another and each having a width equal to or less than the minimum line width dimension determined by the resolution of an exposure apparatus, and which can give a wiring pattern made of a resist material having the same height while preventing the pattern from partially thinning.例文帳に追加

露光装置の解像度によって定まる最小配線幅寸法以下に形成された配線形成用マスク部分が複数平行に形成されているレジスト材料からなる配線パターンを部分的に細くならないように同一の高さに形成することができる露光用マスクを提供する。 - 特許庁

In the process (a), a distance from an arbitrary point in each unit mask to the end of the unit mask is set in a scattering distance or less at a time when specified ions are implanted to the silicon carbide by the specified implanting energy, and the implanting mask is formed so as to have a plurality of regions having different sizes and spaces in layouts in the unit masks.例文帳に追加

工程（ａ）では、単位マスク内の任意の点から単位マスクの端までの距離を、所定の注入エネルギーで所定のイオンを炭化珪素に注入した場合の散乱距離以下とし、単位マスクの寸法と配置間隔が異なる複数の領域を持つように注入マスクを形成する。 - 特許庁

The relative concentration of hydrogen becomes 0.4 or higher against relative concentration 2.0 at the mask end if the width of opening part is 2 μm, to cause etching, however no etching occurs because relative concentration of hydrogen is less than 0.4 against relative concentration of 0.5 and 1.0 at the mask end.例文帳に追加

開口部幅が２μｍのときはマスク端での相対濃度が２．０に水素の相対濃度が０．４以上になりエッチングが生じ、マスク端での相対濃度が０．５、１．０に対して水素の相対濃度が０．４未満になりエッチングが生じない。 - 特許庁

A shadow mask whose thickness is 500 μm or smaller and three times or less the minimum width of a mask portion and which is mounted on a frame having a plurality of opening portions existing therein is used for patterning at least one of a luminous layer and a second electrode.例文帳に追加

厚さが５００μｍ以下で、かつ、マスク部分の幅の最小寸法の３倍以下であり、複数個の開口部が存在するフレームに取り付けられたシャドーマスクを用いて発光層もしくは第二電極の少なくとも一方をパターニングする。 - 特許庁

When the variation count Cnv is less than or equal to the threshold value Th (S104:No), the mask image data value at the polar coordinate position of the setting target is set to a bottom value (S108).例文帳に追加

変動カウントＣｎｖが閾値Ｔｈ以下であれば（Ｓ１０４：Ｎｏ）、設定対象の極座標位置のマスク画像データ値を最低値に設定する（Ｓ１０８）。 - 特許庁

To provide a photomask unit in which a photomask substrate and a pellicle frame are simply joined, a pellicle is easily exchanged and generation of outgas and contamination on the mask substrate are less.例文帳に追加

ホトマスク基板とペリクルフレームの接合に際して簡易かつペリクルの交換が容易で、かつ、アウトガスの発生及びマスク基板の汚染の少ないホトマスクユニットを提供する。 - 特許庁

Also, a display control part 14 displays the optimal answer pattern among not less than two answer pattern to be derived from the constructed data base, and mask-displays the residual answer pattern.例文帳に追加

また、表示制御部１４は、構築されたデータベースから導出される２以上の回答パターンのうち、最適な回答パターンを表示し、残る回答パターンをマスク表示する。 - 特許庁

To provide a mask for vapor deposition by which an exact vapor deposition pattern can be formed and a structure less likely to generate bending by its own weight can be obtained.例文帳に追加

正確な蒸着パターンを形成することができ、しかも自重によって撓みが発生しづらい構造を得ることが可能な蒸着用マスクを提供すること。 - 特許庁

To provide a method for making an etching groove for optical fiber setting and an etching groove for an optical waveguide of an optical coupler with less error of mask alignment.例文帳に追加

光結合器の光ファイバ装着用エッチング溝と光導波路用のエッチング溝とをマスクアライメントによる誤差を少なく製造する方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of fabricating a TFT array substrate, wherein transmissive common lines are fabricated with less mask processes to simplify the fabricating process and further to reduce fabricating cost.例文帳に追加

透光性共用線がより少ないマスクプロセスで製造され、製造プロセスを簡単化し、更に製造コストを減少させるＴＦＴアレイ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of plasma-etching which is free from a difference in dense and sparse shapes which comes out between dense and sparse regions of a mask pattern in processing a device at spacing of 100 nm or less.例文帳に追加

スペース幅が１００ｎｍ以下になるデバイスの加工で、マスクパターンの疎密領域間の疎密形状差が発生しないプラズマエッチング方法を提供する。 - 特許庁

However, for an error at a position regarded as problematic (because of line width less than required width) on a mask or a substrate at the corner part, the design device determines that the error is a true error.例文帳に追加

一方、設計装置は、コーナー部において、マスク上又は基板上において問題となる（線幅が規定未満となる）箇所のエラーは、真性エラーと判定する。 - 特許庁

To efficiently and precisely form a magnetization pattern less in defect in a short time on a magnetic recording medium without damaging the medium and a mask and to provide a magnetic recording medium and a magnetic recording device which are capable of high density recording in a short time and at low costs.例文帳に追加

効率よく精度よく、しかも媒体やマスクを傷つけることなく欠陥発生の少ない磁化パターンを、短時間で磁気記録媒体に形成する。 - 特許庁

To provide a pellicle which ensures less adhesive residue left by peeling of part of a mask adhesive of the pellicle and transfer to a surface of a photomask when the pellicle is peeled from the photomask.例文帳に追加

フォトマスクからペリクルを剥離した際に、ペリクルのマスク接着剤の一部が剥離し、フォトマスクの表面に転写して残留する糊残りが少ないペリクルを提供する。 - 特許庁

When etching quantity is less, the silicon pillar becomes columnar along the shape of the hard mask, but the (100) face appears and becomes prismatic in a lower part as etching quantity increases.例文帳に追加

エッチング量が少ない場合、シリコンピラーはハードマスクの形状に沿って円柱状になるが、エッチング量が多くなるにつれて下部に（１００）面が出現し角柱状になる。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive composition having high resolving power when a bracelet illumination lamp is used, having a broad defocus latitude, less liable to produce a side lobe in pattern formation using a halftone phase shift mask and less liable to generate particles in storage with age.例文帳に追加

輪帯照明を用いた際に高解像力であり、デフォーカスラチチュードが広く、ハーフトーン位相シフトマスクを用いてパターン形成した際にサイドローブが発生し難く、且つ経時保存時にパーティクルが発生し難いポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

If the width of opening part is 1.5 μm, the relative concentration of hydrogen becomes 0.4 or higher against relative concentration of 1.0 and 2.0 at the mask end, to cause etching, but no etching occurs when the relative concentration of hydrogen becomes less than 0.4 against relative concentration of 0.5 at the mask end.例文帳に追加

開口部幅が１．５μｍのときはマスク端での相対濃度が１．０と２．０に対して水素の相対濃度が０．４以上になりエッチングが生じ、マスク端での相対濃度が０．５に対して水素の相対濃度が０．４未満になりエッチングが生じない。 - 特許庁

To provide a substrate for an electronic device having a high flatness of less than 0.25 μm corresponding to a design rule of an advanced semiconductor integrated circuit, and also to provide a mask blank, a mask, a new polishing apparatus for reliably obtaining the substrate, a polishing method and a production method.例文帳に追加

次世代の半導体集積回路のデザインルールに対応した０．２５μｍ以内の高平坦度を有する電子デバイス用基板、マスクブランク、およびマスクおよびその基板を確実に得るための新規の研磨装置、研磨方法および製造方法を提供する。 - 特許庁

The flow solder jig for soldering a surface mounting component and a discrete component while mounting is provided with a mask portion for inserting a chip component, a pocket portion for inserting the discrete component, and a wall portion having a thickness of 0.5 mm or less and isolating the pocket portion and the mask.例文帳に追加

表面実装部品とディスクリート部品を搭載して半田付けを行なうフローソルダー治具において、チップ部品が挿入されるマスク部と、前記ディスクリート部品が挿入されるポケット部と、該ポケット部と前記マスクを隔絶する厚さ０．５mm以下の壁部とを設けた。 - 特許庁

Prior to a pattern boring process by dry etching, a stencil mask substrate 1 on a region 13 of a fine pattern is etched away along the depth to make the substrate film thickness less than that of a region 12, and then even a stencil mask substrate having various pattern sizes can be processed to precise size in the mask surface.例文帳に追加

ドライエッチングによるパターン開口工程に先立って、微細パターンの領域１３上のステンシルマスク基板１をエッチングによりエッチング深さ方向に除去し、基板膜厚を他の領域１２に対し薄膜化することにより、種々のパターン寸法が混在するステンスルマスク基板においてもマスク面内の寸法を精度よく加工することができる。 - 特許庁

To obtain a combination type metal mask printing plate with less deformation in shape of an opening due to a tension, even in the case the plate has a thin-line opening, without sacrificing the transferability of a printing paste.例文帳に追加

印刷ペーストの転写性を犠牲にすることなく、細線状開口部を有する場合においても張力による開口部形状の変形が少ないコンビネーション版を得る。 - 特許庁

To provide a transfer mask improved in the light resistance of a translucent film or a light-shielding film containing a transition metal and silicon against exposure light at a wavelength of 200 nm or less.例文帳に追加

遷移金属及びケイ素を含む光半透過膜や遮光膜における波長２００ｎｍ以下の露光光に対する耐光性を向上させた転写用マスクを提供する。 - 特許庁

A first mask is produced, in which a pixel whose digital image data shows a prescribed threshold or more is a highlight pixel and the digital image data classifies the pixel of less than the threshold as a shadow pixel.例文帳に追加

デジタル画像データが所定の閾値以上を示す画素をハイライト画素として、デジタル画像データが上記閾値未満の画素をシャドウ画素として分類した第１マスクを作成する。 - 特許庁

Part of the halftone defect 2 in the binary mask to which the FIB-CVD light shielding film 8 is made less attachable by implantation of gallium of focused ion beams 1 is shaved up to a glass substrate by gas assisted etching.例文帳に追加

まず集束イオンビーム1のガリウムの注入によってFIB-CVD遮光膜8がつきにくくなったバイナリマスクのハーフトーン欠陥2の一部分をガス支援エッチングでガラス基板まで削り込む。 - 特許庁

The shadow mask 7 is formed of a material, containing iron not less than 95% and a nearly-oblong perforated part 71, where multiple electron beam passing holes are arranged and formed in the longitudinal and lateral directions.例文帳に追加

シャドウマスク７は鉄を９５％以上含む材料からなり、多数の電子ビーム通過孔が縦横方向に配列形成されたほぼ矩形状の有孔部７１を備える。 - 特許庁

To provide the electrolytic device and electrolytic method by which even a single plate-shaped aperture mask is excellently cleaned by electrolysis with less man-hour for working.例文帳に追加

単板形態のアパチャーマスクに対しても、作業工数を要することなく電解処理による良好な洗浄が可能な電解処理装置および電解処理方法を提供する。 - 特許庁

It is required a respiratory protective equipment wearer to do a fitting test periodically and confirm the leak rate less than 2% (assigned protection factor 50 or higher) by a mask fitting tester例文帳に追加

装着者がこれらの呼吸用保護具を装着し、定期的にマスクフィッティングテスターにより漏れ率測定で２％未満（防護係数50以上）であることを確認することが必要 - 厚生労働省

To form a pattern of arbitrary size including a size less than resolution in an arbitrary shape through exposure using one mask realizing phase shift effect.例文帳に追加

位相シフト効果を実現する１枚のマスクを用いた露光によって、解像度程度以下の寸法を含む任意の寸法のパターンを任意の形状について形成できるようにする。 - 特許庁

To provide a positive type photosensitive composition having a wide defocus latitude when orbicular illumination is used and less liable to generate a side lobe in pattern formation using a halftone phase shifting mask and to provide a positive type photosensitive composition having the above characteristics and less liable to generate particles in storage with age.例文帳に追加

輪帯照明を用いた際にデフォーカスラチチュードが広く、ハーフトーン位相シフトマスクを用いてパターン形成した際にサイドローブが発生し難いポジ型感光性組成物、また、加えて経時保存時にパーティクルが発生し難いポジ型感光性組成物を提供する。 - 特許庁

Before deciding the deviation, a mask processing part 13 decides whether the yaw angle of its own vehicle and a lateral position to a traveling lane exceed respective prescribed thresholds or not, and when either one or both of them are the thresholds or less, performs mask processing and does not perform deviation decision.例文帳に追加

この逸脱判定を行う前に、マスク処理部１３では、自車のヨー角と走行レーンに対する横位置が所定のしきい値を超えているか否かを判断し、いずれか一方または両方がしきい値以下である場合には、マスク処理を行い、逸脱判定を行わない。 - 特許庁

Thus, when a gap G is generated between the insulator mask 17 and the cap layer 15 in the neighborhood of a border 1d, the lower part 17e close to the cap layer 15 is expanded more, and the upper part 17f distant from the cap layer 15 is expanded less in the insulator mask 17 in the gap G part.例文帳に追加

これで、境界１ｄ近傍で、絶縁体マスク１７とキャップ層１５との間にギャップＧを生じさせると、このギャップＧ部分の絶縁体マスク１７において、キャップ層１５に近い下部１７ｅは多く膨張し、キャップ層１５から遠い上部１７ｆは少なく膨張する。 - 特許庁

In dry etching for forming a pattern involving isolated pattern regions and dense pattern regions on a substrate having conductive members formed thereon using a hard mask, the thickness of the hard mask is set so that the pattern size of the dry etched hard mask minus the size of a pattern formed on a resist film is less than a specified (allowable) value at the isolated pattern regions and the dense pattern regions.例文帳に追加

導電部材が形成された基板上に、孤立パターンと密集パターンを含むパターンをハードマスクによりドライエッチングする場合に、ハードマスクの厚さを、レジスト膜に形成したパターン寸法からハードマスクをドライエッチングした後のハードマスクのパターン寸法を差し引いた値が、前記孤立パターン領域と前記密集パターン領域とで所定の値（許容値）以下となるような膜厚とする。 - 特許庁

At the time of plasma-etching a film of hard-to-etch material formed on a substrate using a mask formed on the film, the film is etched using a mask having a sidewall angling at less than 90° relative to the surface of the substrate so that the etched film has a taper angle relative to the surface of the substrate not smaller than the taper angle of the mask.例文帳に追加

基板上に形成された難エッチング材の膜とその上に形成したマスクを用いて、前記膜をプラズマを用いてエッチングする際に、前記マスクの側壁が前記基板の表面に対する角度が９０度未満のマスクを用いてエッチングし、それによりエッチング後の上記膜の前記基板の表面に対するテーパー角度を上記マスクのテーパー角度以上とする。 - 特許庁

To provide a method of forming a fine pattern of a semiconductor device capable of forming a fine pattern having a line thickness of 60 nm or less by preventing the deformation when patterning a hard mask.例文帳に追加

ハードマスクをパターニングする際の変形を防止することにより、線幅が６０ｎｍ以下の微細パターンを形成することができる半導体素子の微細パターンの形成方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a pattern formation method capable of plotting a photosensitive material for an ultraviolet ray in a pattern with high throughput by a mask-less direct plotting exposure device having an irradiating light source being an h-line in a main wavelength.例文帳に追加

主波長がｈ線である照射光源を持つマスクレス直接描画露光装置で紫外線用の感光性材料を高スループットにパターン描画可能なパターン形成方法を提供する。 - 特許庁

A graphic pattern to be included in a divided region 72 is transferred to a resist layer 74 via a mask 73 by using a pattern transfer method of an optical contact-less system to form a latent image 75b of the graphic pattern.例文帳に追加

光学的非接触方式のパタン転写方法を用いて、分割領域７２に含まれる図形パタンをマスク７３を介してレジスト層７４に転写し、図形パタンの潜像７５ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a producing method of a cast block for producing an Fe-Ni base alloy material, for a shadow mask or the like, which can reduce the cost while keeping the uneven etching grade to be the conventional degree or not less than this degree.例文帳に追加

エッチングむら品位を従来程度またまそれ以上に維持したままコスト低減可能なシャドウマスク用等のＦｅ−Ｎｉ系合金材料製造用鋳塊の製造方法の提供。 - 特許庁

An etching mask film 3 is formed on an upper surface of the light-shielding film 2 and is made of a material containing a transition metal, silicon, and at least one of nitrogen and oxygen, and the content ratio of the transition metal to a total of the transition metal and the silicon in the etching mask film 3 is less than 9%.例文帳に追加

遮光膜２の上面には、遷移金属及びケイ素に、さらに窒素及び酸素のうち少なくとも一方の元素を含む材料で形成されるエッチングマスク膜３が設けられ、該エッチングマスク膜３中の遷移金属とケイ素との間における遷移金属の含有比率が９％未満である。 - 特許庁

A channel protective film 25 is just-etched with a resist mask 26 as a mask before being overetched, so that the film thickness of a semiconductor layer 24 under the channel protective film 25 is about 500 Å, while the semiconductor layer 24 in other region is half-etched to allow its film thickness to be about 300 Å or less.例文帳に追加

レジストマスク２６をマスクとしてチャネル保護膜２５をジャストエッチングした後に、オーバーエッチングを行うことにより、チャネル保護膜２５下の半導体層２４の膜厚が５００Å程度であるのに対し、それ以外の領域における半導体層２４をハーフエッチングしてその膜厚が３００Å程度以下となるようにする。 - 特許庁

Further, the extraction part may set the brightness of the region, wherein the brightness of the corresponding region on the mask image is less than reference brightness, as the brightness of the region concerned of the image and set the brightness of a region wherein the brightness of the corresponding region on the mask image exceeds the reference brightness as predetermined brightness exceeding the reference brightness.例文帳に追加

また、上記抽出部は、マスク画像上の対応領域の輝度が基準輝度以下の領域を画像の当該領域の輝度とし、当該マスク画像上の対応領域の輝度が当該基準輝度を超える領域を当該基準輝度を超える予め定められた輝度として抽出画像を生成してもよい。 - 特許庁

There is provided a method for manufacturing a charged particle beam mask for etching an Si substrate 11 by conducting an inspection of a foreign matter on the surface (etching surface) at an Si substrate 11 side, before etching the Si substrate 11, with an average surface roughness at the Si substrate 11 side of a charged particle beam mask manufacturing substrate 10 set at 5nm or less.例文帳に追加

荷電粒子線マスク製造用基板１０のＳｉ基板１１側（エッチング面）の平均表面粗さを５ｎｍ以下とし、Ｓｉ基板１１をエッチングする前に、Ｓｉ基板１１側（エッチング面）表面の異物検査をして、Ｓｉ基板１１をエッチングする荷電粒子線マスクの製造方法である。 - 特許庁

A mask unit 107 masks the data from the data storage FF 101 and outputs the data to a multiplier when the absolute value of the tap coefficient is less than the threshold and the mask unit 107 outputs the data from the data storage FF 101 to the multiplier 103 as they are when the absolute value of the tap coefficient is the threshold or larger.例文帳に追加

マスク器１０７では、タップ係数の絶対値がしきい値よりも大きな場合には、データ格納用ＦＦ１０１からのデータがマスクされて乗算器に出力され、タップ係数の絶対値がしきい値以上の場合には、データ格納用ＦＦ１０１からのデータがそのまま乗算器１０３に出力される。 - 特許庁

This flaw extraction device for extracting the welding flaw from the image of an inspection target containing a welded place includes a mask image forming part for smoothing the histogram at every brightness of the image to form a mask image and an extraction part for extracting the region wherein the brightness of the corresponding region on the mask image is less than reference brightness from the image to form an extracted image.例文帳に追加

溶接箇所を含む被検査物の画像から溶接欠陥を抽出する欠陥抽出装置であって、画像の輝度毎のヒストグラムを平滑化してマスク画像を生成するマスク画像生成部と、マスク画像上の対応領域の輝度が基準輝度以下である領域を画像から抽出して抽出画像を生成する抽出部とを備える欠陥抽出装置が提供される。 - 特許庁

To provide a method of etching an organic insulating film which can form a vertically worked shape with less bowing and can form a little shoulder dropping of a hard mask, and to provide a method of manufacturing a semiconductor device using the same.例文帳に追加

ボーイングが少ない垂直加工形状を形成しうるとともにハードマスクの肩落ちが少ない有機系絶縁膜のエッチング方法及びこのエッチング方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a substrate for a mask blank by which the end profile in the edge part of a substrate can be controlled to several tens nanometers (about 20 to 30 nm) or less of fluctuation with desired flatness by an easy method.例文帳に追加

簡便な方法で、所望の平坦度で、且つ基板の周縁部の端部形状を数十ｎｍ（２０〜３０ｎｍ程度）以下に制御することが可能なマスクブランクス用基板の製造方法を提供する。 - 特許庁