「MASK LESS」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

The printed mask is derived from the composition comprised of at least one compound including at least one alkaline-hydrolyzable group, at least one compound including at least one ethylene oxide group and at least one ultraviolet irradiation blocking agent, and the printed mask is removable using an alkaline solution in about 30 seconds or less.例文帳に追加

少なくとも１つのアルカリ加水分解性基を含む少なくとも１つの化合物と、少なくとも１つのエチレンオキシド基を含む少なくとも１つの化合物と、少なくとも１つの紫外線照射阻止剤とを含む組成物に由来するプリントマスクであって、アルカリ性溶液を用いて約３０秒以内に除去可能である、プリントマスク。 - 特許庁

The printing plate original includes a photosensitive layer, a barrier layer formed on the photosensitive layer, and a mask forming layer formed on the barrier layer and removable by irradiation with an IR laser beam, wherein in the binders included in the barrier layer and in the mask forming layer, not less than 50 mass% of each binder is the same kind of binder.例文帳に追加

本発明の印刷版用原版は、感光層と、該感光層の上に設けられたバリヤ層と、該バリヤ層の上に設けられ、赤外線レーザーを照射することにより除去可能なマスク形成層と、を有し、該バリヤ層および該マスク形成層に含まれるバインダーのうちの、それぞれ５０質量％以上が互いに同種のバインダーであることを特徴とする。 - 特許庁

In the area of a semiconductor device manufacturing mask 200 except for a real pattern 202, a square dummy pattern 204, for example, having one side of 0.25 μm or less is inserted and the pattern density is made uniform, and an etching processing can be performed without changing conditions for every semiconductor device manufacturing mask and the global step of a post-CMP interlayer insulation film is not increased.例文帳に追加

半導体製造用マスク２００内の実パターン２０２以外の領域に，例えば一辺が０．２５μｍ以下の正方形のダミーパターン２０４を挿入し，パターン密度を均一化して，半導体製造用マスク毎に条件を変えることなくエッチング処理を行えるとともに，ＣＭＰ後の層間絶縁膜のグローバル段差を増大させないようにする。 - 特許庁

To provide a screen printing press which, even in the case of printing of a fine pattern, can effectively transfer cream solder filling openings in a mask to an electronic circuit board and, further, is less likely to cause bleeding of the cream solder component on the electronic circuit board.例文帳に追加

微細パターンの印刷であっても、マスクの開口部に充填されたクリームはんだを効果的に電子回路基板に転写でき、しかも、クリームはんだ成分の電子回路基板へのにじみ出しが少ない装置が要望されている。 - 特許庁

To provide a highly functional mask, which has a low production cost, and is excellent in fit to a curved surface of a face when applied and less occupying when not applied, and capable of surely blocking viruses and preventing them from invading a human body.例文帳に追加

安価に製造可能でありながら、着用時の顔の曲面へのフィット性と不着用時の省スペース性とを備えた、ウイルスを確実に遮断して人体への侵入を防止することができる高機能なマスクを提供する。 - 特許庁

In the crystal orientation characteristics of a metal measured by X-ray diffraction of the metal mask, the ratio of the peak intensity of a surface (220) to the sum of the peak intensities of a surface (111), a surface (200) and a surface (220), is 0.05 to less than 0.4.例文帳に追加

メタルマスクのＸ線回折により測定したメタルの結晶の配向性において、（１１１）面、（２００）面及び（２２０）面ピーク強度の合計に対する（２２０）面のピーク強度比が０．０５以上、０．４未満になるようにする。 - 特許庁

On a mask 33 for exposure, openings 33A, 33B, etc., are arrayed at intervals (x) less than the resolution limit of the resist and a 1st band-pass filter 34A and a 2nd band-pass filter 34B are fitted alternately in the openings 33A, 33B, etc.例文帳に追加

露光用マスク３３に複数の開口３３Ａ、３３Ｂ…をレジストの解像限界以下のピッチｘで配列し、各開口３３Ａ、３３Ｂ…に第一バンドパスフィルタ３４Ａと第二バンドパスフィルタ３４Ｂとを交互に取り付ける。 - 特許庁

To provide a bow mask which can suppress an increasing in weight of a hull structure while decreasing an increasing in resistance in wave by adding to a bow end a structure having almost less amount of displacement that is separate from the hull.例文帳に追加

船体とは別のほとんど排水量を持たない構造物を船首端に付加することにより、波浪中抵抗増加を低減しつつ船体構造重量の増加を抑えることを可能とする船首マスクを提供すること。 - 特許庁

The gray tone mask is exposed by an exposure device having a light source including a g-line, an h-line and an i-line, and the semi-translucent film is set so that a change of transmittance is 1.5% or less in an exposure wavelength region from the i-line to the g-line.例文帳に追加

該グレートーンマスクはｇ線、ｈ線、ｉ線を含む光源を持つ露光装置によって露光されるもので、半透光膜はｉ線からｇ線までの露光波長領域において透過率変化が1.5％以下である。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive resin composition that has high resolution performance and has a good balance between DOF (Depth Of Focus) and MEEF (Mask Error Enhancement Factor) in forming a fine pattern of 90 nm or less, and is suitably used also for a liquid immersion exposure process.例文帳に追加

９０ｎｍ以下の微細パターン形成において、解像性能に優れるだけでなく、ＤＯＦとＭＥＥＦのバランスに優れ、液浸露光プロセスにも好適に利用されうる感放射線性樹脂組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of forming a mask pattern that can reduce the number of processes, can prevent melting of a first resist film in depositing a second resist film, and can form fine openings having a size equal to or less than the resolution of an exposure device.例文帳に追加

工程数を削減でき、第２のレジスト膜を成膜する際の第１のレジスト膜の溶解を防止できるとともに、露光装置の解像度以下の微細な開口部を形成できるマスクパターンの形成方法を提供する。 - 特許庁

By repeating such procedure, the total energy of each plane can be lowered, and the distribution of allowable recording pixels can be arranged to be well dispersed with less low-frequency components, in the mask overlapping of each plane.例文帳に追加

このような処理を繰り返すことによって各プレーン全体の総エネルギーを下げることができ、各プレーンのマスクの重なりにおいて記録許容画素分布が、低周波数成分が少なく良好に分散された配置となる。 - 特許庁

To provide a color picture tube providing good visibility, suffering less degradation of color purity due to doming while having a shadow mask made of a material inexpensive and good in moldability, and allowing use of a cabinet for a conventional color picture tube.例文帳に追加

良好な視認性を有し、安価で成形性の良好な材料からなるシャドウマスクを備えながら、ドーミングによる色純度の劣化が少なく、従来のカラー受像管用のキャビネットを使用することができるカラー受像管を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a patterned magnetic recording medium which has a good pattern shape using a thin etching mask, and can efficiently deactivate the magnetism of a pattern recess while suppressing magnetic deterioration of a pattern projection with less pattern irregularity.例文帳に追加

薄いエッチングマスク厚での加工ながらも加工後のパターン形状がよく、少ないパターン凹凸でパターン凸部の磁性劣化を抑えつつ、効率的にパターン凹部の磁性を失活させることが可能なパターンド磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method and device for manufacturing a fiber grating having less variance in optical characteristics, by keeping a certain distance between an optical fiber and a phase mask at the time of manufacture of the fiber grating.例文帳に追加

ファイバグレーティング製造時に、光ファイバと位相マスクとの距離を一定とすることによって、光学特性のばらつきの小さいファイバグレーティングを製造することが可能なファイバグレーティング製造方法及びファイバグレーティング製造装置を提供する。 - 特許庁

To provide a focusing unit of a camera for positioning a wafer and a mask on a semiconductor manufacturing apparatus that perform the optimum focus adjustment through less-frequency photography without being influenced by lighting luminance to the wafer and wafer to be photographed and the differences of an optical system.例文帳に追加

撮影対象であるウエハやマスクの照明輝度や光学系の差に影響されず、少ない撮影回数で最適な焦点調整を行う、半導体製造装置のウエハとマスクの位置合わせ用カメラの焦点調整装置を提供する。 - 特許庁

When a semiconductor chip is sealed with a resin, the heat- resistant pressure-sensitive adhesive tape is used to mask a terminal area by applying it to the area, and the tape is provided with a heat-resistant layer having an oxygen permeability of 50 cm3/m2.24 h.atm or less and an adherent layer.例文帳に追加

半導体チップを樹脂封止する際に端子部をマスキングするために貼着して使用される耐熱性粘着テープであって、酸素透過度５０ｃｍ^3 ／ｍ^2 ・２４ｈ・ａｔｍ以下の耐熱性層と粘着性層とを備える。 - 特許庁

The resist pattern forming method includes steps of applying a chemically amplified resist composition on a base 1 to form a resist film 2 and selectively exposing the resist film 2 through a photo mask 5 a plurality of times, wherein a total of transmissivity of a light-shielding part of the photo mask 5 used for each of selective exposures is 0 to less than 12%.例文帳に追加

支持体１上に、化学増幅型レジスト組成物を塗布してレジスト膜２を形成し、当該レジスト膜２に対して、フォトマスク５を介して選択的露光を複数回行うレジストパターン形成方法であって、前記選択的露光毎に用いられるフォトマスク５の遮光部の透過率の総和を０〜１２％未満とすることを特徴とするレジストパターン形成方法。 - 特許庁

The camera 1 for paintings and calligraphy detects the number of edges included in an image resulting from eliminating the image of the mask area from the image of the original 4 and discriminates whether or not the resulting image includes an image of the cross mark when discriminating that the number of detected edges is less than a prescribed value.例文帳に追加

書画カメラ１は、原稿４の画像からマスク領域を除外した画像に含まれるエッジの数を検出し、検出したエッジの数が一定値未満であると判定すると、画像中に十字の画像が含まれているか否かを判別する。 - 特許庁

To provide a method for producing a mask blank, to which a high-level quality about defects is required, by reducing the number of high oxide defects in a size of 60 nm or more and less than 150 nm, the defect containing more oxygen than in the surrounding area in a thin film for patterning.例文帳に追加

パターン形成用薄膜中のその周囲よりも多く酸素を含有する６０ｎｍ以上１５０ｎｍ未満の大きさの高酸化物欠陥数を低減させ、高いレベルの欠陥品質を要求されるマスクブランクの製造方法を提供する。 - 特許庁

The center position of the light transmitted through the frequency cut filter and the diffraction mask is shifted from the center of the defect detection region in the plate as an object by a distance from one third or more to a half or less of a viewing field of the imager.例文帳に追加

そして、前記周波数カットフィルタ及び回折マスクを透過した光の中心位置が、対象とする板状体の欠陥検出部位の中心から前記撮像装置の視野範囲の１／３以上１／２以下に相当する距離ずらすことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a sensor-less motor drive circuit without any burden such as an increase in the number of externally installed parts or an increase in the area of an IC chip and producing a noise mask signal automatically following variations in rotational speed, by using a motor rotation signal and a simple counter.例文帳に追加

モータの回転信号と簡易なカウンタを用いて、外付け部品の増加やＩＣのチップ面積の増大などの負担なく、且つ回転数変化に自動的に追従するノイズマスク信号を発生することができる、センサレスモータ駆動回路を提供すること。 - 特許庁

An opening 2A of the screen mask 2 is formed in a substantially polygonal shape, which is formed in such a manner that a diameter of the land 3 on the board 1 exceeds a diameter of an inscribing circle of the substantially polygonal shape and is less than a diameter of a circumscribing circle.例文帳に追加

スクリーンマスク２の開口部２Ａを略多角形形状とし、この略多角形形状を、プリント配線板１上の円形ランド３の直径がこの略多角形形状の内接円の直径を越えかつ外接円の直径未満となるように形成する。 - 特許庁

A phase connecting test means 11 inputs a phase image signal 1, a test area size signal 4 and a phase threshold signal 5, performs a test to decide whether a phase difference is less than its threshold in a test range and outputs a connectable pixel group as a connectable mask image signal 2.例文帳に追加

位相接続テスト手段11は、位相画像信号1とテスト領域大きさ信号4、位相閾値信号5を入力しテスト領域内での位相差が閾値以内であるか否かのテストを実行し接続が可能な画素群を接続可能マスク画像信号2として出力する。 - 特許庁

The above-mentioned problem is solved by configuring an alignment mark formed on a reflective mask with slit structures having a fine line width and a space less than the resolution limit for a wavelength of alignment light of a laser drawing device and reducing intensity of a reflection signal in alignment light irradiation.例文帳に追加

反射型マスクに形成するアライメントマークを、レーザ描画装置のアライメント光の波長に対し、解像限界以下の微細な線幅および間隔を有するスリット状の構造体で構成して、アライメント光照射における反射信号の強度を小さくすることにより、上記課題を解決する。 - 特許庁

The mask blank 1 comprises a light-shielding film 12 and a resist film 14 layered on a light-transmitting substrate 11, wherein the etching rate of the resist film 14 in dry etching using an etching gas containing a chlorine-based gas is 0.5 time or less as the etching rate of the light-shielding film 12 in the same dry etching.例文帳に追加

透光性基板１１上に遮光性膜１２およびレジスト膜１４が積層されたマスクブランクス１において、塩素系ガスを含むエッチングガスを用いたドライエッチングにおけるレジスト膜１３のエッチング速度が、当該ドライエッチングにおける遮光性膜１２のエッチング速度の０．５倍以下である。 - 特許庁

To manufacture a wiring structure that uses an interlayer film of an insulating organic material with less processes, without using an etching mask or etching stopper layer in an interlayer film work, nor affected by a reactive product generated through plasma processing.例文帳に追加

層間膜加工におけるエッチングマスクやエッチングストッパ層を用いることなく、また、プラズマ処理により生成する反応生成物の悪影響を受けることなく、絶縁性を有する有機材料による層間膜を用いた配線構造をより少ない工程で製造できるようにする。 - 特許庁

This method for manufacturing the semiconductor device contains the steps of forming a silicon nitride film (26) having a refractive index of 1.85 or less on a compound semiconductor layer (20) containing Ga by a plasma CVD method, and selectively processing the compound semiconductor layer by using the silicon nitride film as a mask.例文帳に追加

本発明は、Ｇａを含む化合物半導体層（２０）上にプラズマＣＶＤ法により屈折率が１．８５以下の窒化シリコン膜（２６）を形成する工程と、窒化シリコン膜をマスクに用いて化合物半導体層を選択処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

After the conductive film of not less than 1 to 10 μm in film thickness containing aluminum or aluminum alloy is etched to a predetermined film thickness using wet etching, the rest is etched by dry etching to suppress side etching and a decrease in film thickness of a mask.例文帳に追加

膜厚１μｍ以上１０μｍ以下のアルミニウムまたはアルミニウム合金を含む導電膜を、ウェットエッチングを用いて所定の膜厚となるまでエッチングした後、残りをドライエッチングでエッチングすることで、サイドエッチングを抑え、なおかつマスクの膜厚が減少するのを抑える。 - 特許庁

An n-type GaN layer 15, an active layer 16, and a p-type GaN layer 17 are grown on a substrate in order, and after a p-side electrode 18 is formed thereon, these semiconductor layers are etched while the electrode 18 is used as a mask so as to form micro light emitting diodes of 20 μm or less in size.例文帳に追加

基板上にｎ型ＧａＮ層１５、活性層１６およびｐ型ＧａＮ層１７を順次成長させ、その上にｐ側電極１８を形成した後、これをマスクとしてこれらの半導体層をエッチングすることで大きさが２０μｍ以下の微小発光ダイオードを形成する。 - 特許庁

A resist substrate 15, in which a first resist layer 12, a mask layer 13 evaporating by being irradiated with laser beams having strength above a prescribed value and a second resist layer 14 are successively laminated on a substrate 11, is formed and the resist substrate 15 is exposed to laser beams L having intensity at a central part of a spot not less than the prescribed value.例文帳に追加

第一レジスト層１２と、所定値以上の強度のレーザ光が照射されることにより蒸発するマスク層１３と、第二レジスト層１４とを順次基板１１上に積層したレジスト基板１５を形成し、スポット中心部の強度が前記所定値以上であるレーザ光Ｌによりレジスト基板１５を露光する。 - 特許庁

To lessen dispersion in etched dimensions in a base barrier metal layer by completing with one patterning of a resist into an etching mask when an aluminum alloy wiring layer not less than 3 μm in thickness deposited on the base barrier metal layer is patterned as desired in a semiconductor device manufacturing process.例文帳に追加

半導体装置の製造プロセスにおいて、下地バリアメタル層の上に、３μｍ以上の厚さのアルミニウム合金層が積層された積層配線層を所望のパターンに成形するにあたり、エッチングマスクとなるレジストのパターニングを１回で済ませ、下地バリアメタル層のエッチング寸法のばらつきを小さくすること。 - 特許庁

Provided is the method for manufacturing the substrate for the mask blank in which a low thermal expansion glass substrate containing titanium (Ti) oxide is polished using a polishing agent, then treated using an aqueous solution containing hydrofluoric acid, then cleaned using an acidic solution with a pH of 4 or less, and then further cleaned using an alkaline solution.例文帳に追加

チタン（Ｔｉ）の酸化物を含有する低熱膨張ガラス基板を研磨剤により研磨した後、フッ酸を含む水溶液を用いて処理し、次いでｐＨが４以下の酸性溶液を用いて洗浄処理し、更にアルカリ性溶液を用いて洗浄処理することによるマスクブランク用基板の製造方法である。 - 特許庁

As the mask mechanism 5, a phase modulation array having cells of ≥4 micrometers is used, and the phase modulation array together with the laser source 1 emitting the laser beams 6 of high beam quality form narrow, clear lines with a width of less than 2 mm, and can drawn shapes on the materials to be worked 9, 10.例文帳に追加

前記マスク機構５として、４マイクロメートルより大きなセルを有する位相変調アレイが用いられ、該位相変調アレイは良好なビーム品質のレーザ光６を発するレーザ源１と共に２ｍｍより狭い幅の鮮明な線を生成して加工材料９、１０上に型を描くことを可能とする。 - 特許庁

A hydrogenation silizane polymer solution is coated and deposited a coating film (PZT film) on the silicon substrate 30 on which the STI trench 33 is formed, then the PZT film on the mask member is removed, leaving only the part of the PZT film in the trench, so that the PZT film is thinned with the height from the bottom of the STI trench 33 being the order of 600 nm or less.例文帳に追加

ＳＴＩ溝３３が形成されたシリコン基板３０に、過水素化シラザン重合体溶液の塗布膜（ＰＳＺ膜）を堆積し、その後、ＰＳＺ膜を溝中にのみ残置し、マスク部材上のＰＳＺ膜を除去してＳＴＩ溝３３の底部より６００ｎｍ程度以下になるように薄膜化する。 - 特許庁

The exposure mask 1 for transferring a pattern onto a wafer by exposure includes: a pattern formation region 15 where a pattern 16 having a size not smaller than a resolution limit after being transferred onto the wafer, and a sub-pattern formation region 18 where a sub-pattern 19 having a size less than the resolution limit after being transferred onto the wafer, on a substrate 11.例文帳に追加

露光によりウェーハ上にパターンを転写する露光用マスク１において、基板１１上に、ウェーハ上で解像限界以上となるサイズのパターン１６が形成されたパターン形成領域１５と、ウェーハ上で解像限界未満となるサイズのサブパターン１９が形成されたサブパターン形成領域１８とを設ける。 - 特許庁

The mask 1 includes a main body part 2 for covering the object part of the face and a hooking part 3 for hooking the main body part 2 to the body, wherein at least the main body part 2 is formed of an air permeable material, and opacity specified by JIS P 8138 in front and back directions is 40% or less.例文帳に追加

顔面の対象部位を覆う本体部２と、この本体部２を身体に係止するための係止部３とを有するマスク１において、少なくとも本体部２を通気性素材により形成し、かつ表裏方向におけるＪＩＳ Ｐ ８１３８に規定される不透明度を４０％以下にする。 - 特許庁

The reflective mask blank substrate is obtained by polishing the principal surface of a light-transmitting substrate essentially comprising glass to a predetermined surface roughness and then subjecting the substrate to ion beam irradiation while the substrate is placed to allow the ion beam to be incident to the principal surface of the substrate at an incident angle of 20° or more and less than 90° and the substrate is rotated.例文帳に追加

ガラスを主成分とする透光性基板の主表面を所定の表面粗さとなるように研磨した後、イオンビームが透光性基板の主表面に対して入射角度２０度以上９０度未満で入射するように配置し、且つ、透光性基板を回転させながらイオンビーム照射を行い、反射型マスクブランク用基板を得る。 - 特許庁

At least one of optical members constituting an exposure light source system, lighting optical system, photo-mask, and projection optical system comprises a synthetic quartz glass for optical member which has an absorption coefficient at 157 nm wavelength of 0.70 cm-1 or less and an infrared absorption peak of about 3640 cm-1 based on SiOH expansion/shrinkage oscillation.例文帳に追加

露光光源系、照明光学系、フォトマスクおよび投影光学系を構成する光学部材の少なくとも１つが、波長１５７ｎｍにおける吸収係数が０．７０ｃｍ^-1以下であり、かつＳｉＯＨ伸縮振動に基づく赤外吸収ピークを略３６４０ｃｍ^-1に有する光学部材用合成石英ガラスからなる露光装置。 - 特許庁

In ashing by oxygen plasmas for removing a resist which was used for a mask when forming the bottom electrode 19 of a ferroelectric capacitor formed in a semiconductor substrate 1 by using an Ru film, the inside pressure of the chamber 31 of a plasma processing apparatus is kept at 70 Pa or above and the temperature of the semiconductor substrate 1 is kept at 100°C or less.例文帳に追加

半導体基板１に形成された強誘電体キャパシタの下部電極１９をＲｕ膜により形成するに際に、マスクとして用いたレジストを除去するための酸素プラズマによるアッシングで、プラズマ処理装置のチャンバ３１内の圧力は７０Ｐａ以上で、かつ、半導体基板１の温度は１００℃以下に保持する。 - 特許庁

To provide a particle arrangement method when manufacturing an information display panel, capable of precisely performing adjustment of parallelism between an elastic sheet member and a mask surface without any occurrence of failed panel due to failed particle packing even if an elastic sheet member with a thickness of 2 mm or less is used as the elastic sheet member constituting a particle packing component.例文帳に追加

粒子充填部材の構成する弾性シート部材として厚さが２ｍｍ以下の弾性シート部材を用いた場合であっても、弾性シート部材とマスク表面との平行度調整を精確に行うことができ、粒子充填不良による不良パネルの発生のない情報表示用パネル製造時の粒子配置方法を提供する。 - 特許庁

In a plasma-etching method for etching an SiN layer 104 or a silicon oxide layer formed on a substrate to be processed by plasma of processing gas with an ArF photoresist layer 102 as a mask, the processing gas contains at least CF_3I gas, and a high frequency power having a frequency of 13.56 MHz or less is applied to a lower electrode on which the substrate to be processed is mounted.例文帳に追加

被処理基板上に形成されたＳｉＮ層１０４又は酸化シリコン層を、ＡｒＦフォトレジスト層１０２をマスクとして処理ガスのプラズマによりエッチングするプラズマエッチング方法であって、処理ガスは、少なくともＣＦ_3Ｉガスを含み、被処理基板を載置する下部電極に１３．５６ＭＨｚ以下の周波数を有する高周波電力を印加する。 - 特許庁

The mask blank for manufacturing an FPD device includes at least one of a light shielding film, and a semitransmitting film having a function of controlling the transmitted light quantity on a light transmitting substrate, wherein the light shielding film and the semitransmitting film show a square root average roughness Rq of 2.0 nm or less on the film surface.例文帳に追加

透光性基板上に、遮光性膜、及び透過量を調整する機能を有する半透光性膜、のうちのを少なくとも一方を有するＦＰＤデバイスを製造するためのマスクブランクであって、 前記遮光性膜、及び前記半透光性膜は、膜表面の二乗平均平方根粗さＲｑが２．０ｎｍ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

Thus, the number of times of baking is lessened one time less than that in conventional method, and also the thick resistor 22 can be printed, bringing a screen mask closer to the surface of the ceramic substrate 21 than conventional one at printing of the thick resistor 22, the thickness of the thick resistor 22 can be stabilized, and the dispersion of a resistance value is lessened.例文帳に追加

このようにすれば、焼成回数を従来よりも１回少なくできると共に、厚膜抵抗体２２の印刷時にスクリーンマスクを従来よりセラミック基板２１の表面に近付けて厚膜抵抗体２２を印刷することができ、厚膜抵抗体２２の印刷膜厚を安定させることができて、抵抗値のばらつきを少なくすることができる。 - 特許庁

A resist mask is retarded by etching to make the etching of a conductive film, and a sectional shape of gate wiring is a trapezoid having a width which can contact with an upper wiring layer, and the sectional shape of the gate electrode branched from the gate wiring is to be a shape having three internal angles, typically a triangle, to realize a width of gate of 1 μm or less.例文帳に追加

本発明は、レジストマスクをエッチングにより後退させて導電膜のエッチングを行い、ゲート配線の断面形状は上層配線とコンタクト可能な幅を有する台形とし、且つ、ゲート配線から分岐するゲート電極の断面形状を意図的に３つの内角をもつ形状、代表的には三角形状として１μｍ以下のゲート幅を実現する。 - 特許庁