「MASK LESS」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

To form a mask for organic molecule vapor deposition of a ceramic material of less thermal deformation.例文帳に追加

有機分子蒸着用マスクを熱変形の少ないセラミック材にて形成する。 - 特許庁

To properly form a marker less liable to cause dust generation on a mask blank glass substrate.例文帳に追加

マスクブランク用ガラス基板に対し、発塵の原因となりにくいマーカを適切に形成する。 - 特許庁

One advantage is that the mask 202 is or at least is less inclined to be lifted off the face as mask pressure is increased.例文帳に追加

１つの利点は、マスク２０２がマスク圧力が増加するにつれて顔から持ち上がって傾斜しないか、殆んど傾斜しない点にある。 - 特許庁

To provide a mask blank that prevents disappearance of a resist pattern and also prevent a pattern defect upon producing a transfer mask by a semiconductor design rule (for a DRAM with hp half pitch of 65 nm or less), and also to provide a mask.例文帳に追加

半導体デザインルール（ＤＲＡＭ ｈｐ６５ｎｍ以下）の転写用マスクを作製する際、レジストパターンの消失を防止し、パターン欠陥を防止できるマスクブランク、及びマスクを提供する。 - 特許庁

To provide a system and a method which improves an efficiency of a mask-less lithography system, and improves a throughput of the system.例文帳に追加

マスクレス・リソグラフィシステムの効率を高め、スループットを高めるシステム及び方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mask blank and a method for manufacturing a transfer mask, and a mask blank and a transfer mask which are capable of improving light resistance of a thin film against exposure light having a wavelength of 200 nm or less and significantly improving a mask lifetime.例文帳に追加

波長２００ｎｍ以下の露光光に対する薄膜の耐光性の向上、マスク寿命の改善を顕著に図ることができるマスクブランクの製造方法及び転写用マスクの製造方法、並びにマスクブランク及び転写用マスクを提供する。 - 特許庁

To provide a mask blank having a multilayered film which is less damaged when wet-etched and can easily be etched, and a gradation mask.例文帳に追加

ウェットエッチングした場合に、膜へのダメージが少なく、かつ、容易にエッチング可能な多層膜を有するマスクブランクおよび階調マスクを提供する。 - 特許庁

To provide an aligner, which can align easily and can cause less damages to the mask, even when the transmissivity of a mask is low.例文帳に追加

マスクの透過率が低い場合であっても、容易に位置合わせを行うことができ、かつマスクの破損の生じにくい位置合わせ装置を提供する。 - 特許庁

To provide a stencil mask assuring excellent heat radiating characteristic with less influence of crystal defect and also assuring processing characteristic and moreover provide a method for manufacturing the same stencil mask.例文帳に追加

放熱性が良く、結晶欠陥の影響が少なく、加工特性に優れたステンシルマスク及びステンシルマスク製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for forming an ion implantation mask, having steep side faces whose patterns, are less likely to be tapered.例文帳に追加

急峻な側面を有し、パターンが細り難い、イオン注入マスクの形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a lithography apparatus for semiconductor processing for generating a mask-less pattern using a MDI process technique.例文帳に追加

ＭＤＩプロセス技法を使用してマスクレス・パターン生成用の半導体処理リソグラフィ装置を提供する。 - 特許庁

A size of the resist mask 3 is made until less than an exposure wavelength by regulating an exposure value.例文帳に追加

レジストマスク３のサイズは露光量を調節することによって露光波長以下まで小さくする。 - 特許庁

The mask holder 21 for absorbing and holding an outer circumference region of the mask on which a device pattern is formed comprises at least not less than two holding parts 22 capable of absorbing and independently moving the mask.例文帳に追加

デバイスパターンが形成されたマスクの外周領域を吸着保持するマスクホルダ２１において、マスクを吸着しつつ独立移動可能な、少なくとも２つ以上の保持部２２を有する。 - 特許庁

At this time, the cross-section height (h) is made to be not less than 19% and not more than 27% of the thickness (t) of the shadow mask.例文帳に追加

このとき、その断面高さｈを、シャドウマスクの板厚ｔの１９％以上２７％以下とした。 - 特許庁

To provide a system which can change a pattern more quickly and at less cost compared with a mask base system.例文帳に追加

マスク・ベース・システムに比べてパターンがより迅速にかつより少ないコストで変更できるシステムを提供すること。 - 特許庁

This double patterning system provides a means for forming a hard mask feature with a feature interval less than a minimum interval with which the hard mask can be printed according to a single exposure, by of a single hard mask etching process.例文帳に追加

この二重パターニングシステムは、単一露光に基づいてハードマスクにプリント可能な最小間隔よりも小さいフィーチャ間隔で、１回のハードマスクエッチング工程においてハードマスクフィーチャを形成する手段を提供する。 - 特許庁

A remote control signal is received, and if the pulse interval is less than a predetermined threshold, the unit 2 controls the mask unit 23 to mask a change in the electric signal.例文帳に追加

リモコン信号を受信し、パルス間隔があらかじめ定められた閾値未満であれば、ＩｒＤＡ信号受信部２は電気信号の変化を、マスク部２３を制御してマスクする。 - 特許庁

To provide a method for producing a photomask blank capable of improving light resistance of a transfer mask against exposure light at a wavelength of 200 nm or less and improving a lifetime of a transfer mask.例文帳に追加

波長２００ｎｍ以下の露光光に対する耐光性を向上させ、転写マスクの寿命を改善できるフォトマスクブランクの製造方法を提供する。 - 特許庁

The inkjet mask forming ink for sandblasting contains not less than 5 mass% of alkali-soluble curing resin with a weight-average molecular weight of not less than 10,000 to less than 50,000 , as a solid content.例文帳に追加

重量平均分子量が１００００以上、５００００未満のアルカリ可溶性硬化型樹脂を固形分として５質量％以上含有することを特徴とするサンドブラスト用インクジェットマスク形成インク。 - 特許庁

The metal mask itself does not distort and deform even when the thermal expansion coefficient between a surface hardening film and the metal mask 1 comprised of the stainless steel material is different because the surface hardening film comprised of a nitride material with a 1/10 or less thickness of the metal mask is formed on the surface of the metal mask 1.例文帳に追加

また、メタルマスク１表面に、メタルマスクの厚さの１／１０以下の窒化物材料からなる表面硬化膜を形成するので、表面硬化膜とステンレス系材料からなるメタルマスク１との熱膨張係数が異なってもメタルマスク自身が歪み、変形することがない。 - 特許庁

To provide a mask blank and a mask, wherein linearity is suppressed to 10 nm or less by suppressing a difference (actual dimensional difference) between a design dimension of the line width of a transfer pattern on a transfer mask and a dimension of the line width of a transfer pattern formed on a substrate.例文帳に追加

転写用マスクの転写パターン線幅の設計寸法と、基板上に形成された転写パターン線幅寸法との差（実寸法差）を抑え、Linearityを１０ｎｍ以下に抑えることが可能なマスクブランク及びマスクを提供する。 - 特許庁

To provide an oxidation treatment method for preferentially forming black rust which does not contain red rust and is a stable oxidized film having a less tendency to dislodging on a shadow mask in manufacturing of the shadow mask.例文帳に追加

シャドウマスクの製造において、赤錆を含まず、脱落しにくい安定な酸化膜である黒錆を優先的にシャドウマスクに形成する酸化処理方法を提供すること。 - 特許庁

The height of selected points on the surface of a mask is measured, and the number of measurement errors in this measurement is obtained, and when the number of measurement errors is less than a predetermined value, an approximated curved surface for the mask surface is generated.例文帳に追加

マスク表面の高さを測定し、この測定で生じた測定エラーの数を求め、測定エラーの数が所定値より少ない場合にはマスク表面の近似曲面を作成する。 - 特許庁

To provide a mask inspection device allowing an optical image with less distortion to be acquired by reducing vibration in an upper part of an objective lens unit.例文帳に追加

対物レンズユニットの上部の振動を低減し、歪みの少ない光学画像を取得可能なマスク検査装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for designing a new phase shift mask with less dimensional change in a pattern even in a random logic pattern.例文帳に追加

ランダムロジックパターンにおいてもパターンの寸法変動が少ない新たな位相シフトマスクの設計方法を実現できるようにする。 - 特許庁

The surface of the mask 16 is polished by mechanical abrasion (lapping) so that the height of a projection 15 is set to 1 μm or less, for example.例文帳に追加

機械研磨（ラッピング）によって、突起部１５の高さが例えば１μｍ以下となるように、マスク１６の表面を研磨する。 - 特許庁

To draw a plurality of circuit patterns without using a mask and with a less number of charged particle beams and with a high dimensional controllability.例文帳に追加

マスクを用いることなく、少ない荷電粒子ビーム数で高い寸法制御性をもって複数の回路パターンを描画する。 - 特許庁

Further, a low frequency component in an arrangement pattern of record permitting pixels obtained by the logical multiplication of the mask pattern C1 and the mask pattern M1 is made to be less than a high frequency component.例文帳に追加

更に、マスクパターンＣ１とマスクパターンＭ１との論理積によって得られる記録許容画素の配列パターンにおける低周波数成分が高周波数成分よりも少なくなるようにする。 - 特許庁

NEW MIXED-VOLTAGE CMOS TREATMENT FOR HIGH-RELIABILITY HIGH-PERFORMANCE CORE TRANSISTOR AND I/O TRANSISTOR THROUGH LESS MASK STEPS例文帳に追加

より少ないマスク・ステップによる高信頼性高性能のコア・トランジスタおよびＩ／Ｏトランジスタのための新規な混合電圧ＣＭＯＳ処理 - 特許庁

The etching mask film 5 comprises a material having the content of chromium of 45 at% or more and the content of oxygen of 30 at% or less.例文帳に追加

エッチングマスク膜５は、クロムの含有量が４５原子%以上であり、かつ酸素の含有量が３０原子％以下の材料からなる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a mask blank and a mask, wherein the linearity is suppressed to 10 nm or less by suppressing a difference (real dimensional difference) between a design dimension of a line width of a transfer pattern on a transfer mask and a dimension of a line width of a transfer pattern formed on a substrate.例文帳に追加

転写用マスクの転写パターン線幅の設計寸法と、基板上に形成された転写パターン線幅寸法との差（実寸法差）を抑え、Ｌｉｎｅａｒｉｔｙを１０ｎｍ以下に抑えることが可能なマスクブランク及びマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a mask the wearing position of which is hardly shifted, which has excellent perspiration absorbency, superior texture, and less load on the skin, and which can be used repeatedly.例文帳に追加

着用位置がずれにくく、吸汗性に優れ、肌触りも良好で皮膚への負荷が少なく、繰り返し使用も可能なマスクを提供する。 - 特許庁

The difference between the maximum thickness and the minimum thickness of the solder mask 40 is 10 μm or less, making each 500 mm a unit length for measurement.例文帳に追加

ソルダーマスク４０は、毎５００ｍｍを一つの長さの測量単位とした場合、最大厚さと最小厚さの差が１０μｍ以下である。 - 特許庁

Therefore, while maintaining strong phase shift effects as features of a conventional crome-less phase shift mask, pattern falling can be suppressed.例文帳に追加

したがって、従来のクロムレス位相シフトマスクの特徴である強い位相シフト効果を維持しつつ、パターン倒れを抑制することが可能となる。 - 特許庁

To provide a resist composition that can give a resist pattern having an excellent exposure margin and a mask error factor and less generation of defects.例文帳に追加

優れた露光マージン及びマスクエラーファクターを有し、且つ欠陥の発生が少ないレジストパターンを得ることができるレジスト組成物を提供する。 - 特許庁

The light impermeable section is circular when the mask 3 is seen from the top, and is arranged with a specified interval (normally, 100 nm or less).例文帳に追加

光を透過させない部分は、マスク３を上から見た状態では円形になっており、所定の間隔（通常100nm以下）で配置されている。 - 特許庁

In a photomask 100 used in a semiconductor manufacturing process, a first mask pattern 106 transferred to a resist pattern and a second mask pattern 108 of a resolution limit or less for suppressing the light proximity effect are provided.例文帳に追加

半導体製造工程に用いられる露光用１００において、レジストパタンに転写される第１マスクパタン１０６と光近接効果を抑制するための、解像限界以下の第２マスクパタン１０８を設ける。 - 特許庁

The plurality of folded portions 5 comprise first folded portions 6 having the same length as the lateral directional length of the mask body 2 and second folded portions 7 having a length of half or less length of the lateral directional length of the mask body 2.例文帳に追加

複数の折畳部５は、マスク本体２の横方向長さと同一の長さを有する第１折畳部６と、マスク本体２の横方向長さの半分以下の長さを有する第２折畳部７とからなる。 - 特許庁

A sidewall layer is formed over the etched first mask and the sidewall layer defines a plurality of spaces with widths that are less than the widths of the spaces defined by the etched first mask.例文帳に追加

前記エッチングされた第１のマスク上に側壁レイヤが形成され、前記側壁レイヤは、前記エッチングされた第１のマスクによって定義される前記スペースの前記幅よりも小さい幅を有する複数のスペースを定義する。 - 特許庁

When it is judged that recording is carried out by the monochrome mode, mutually different mask patterns such as mask patterns of a mutually exclusive relationship or mask patterns having an AND result with low frequency components arranged less than high frequency components are set to a plurality of achromatic color inks.例文帳に追加

モノクロモードで記録を行うと判断された場合には、複数の無彩色インクに対し、互いに排他の関係にあるマスクパターンや、論理積の結果が高周波成分よりも低周波成分が少ない状態で配列しているマスクパターンなど、互いに異なるマスクパターンを設定する。 - 特許庁

At the time of forming a growth mask on a substrate, and selectively growing a nitride system group III-V compound semiconductor on the substrate by using the growth mask, a stripe-shaped multi-layer film at least whose mostsurface is made of nitride, and whose width is 4.8 μm or less is used as the growth mask.例文帳に追加

基板上に成長マスクを形成し、この成長マスクを用いて基板上に窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体を選択成長させる場合に、成長マスクとして、少なくとも最表面が窒化物からなり、かつ、幅が４．８μｍ以下のストライプ形状の多層膜を用いる。 - 特許庁

To provide a color picture tube with a less deformable shadow mask having good color purity, avoiding the dislocation of the opening hole of the shadow mask from a phosphor screen, resulting in lower color purity, because the large and flattened shadow mask inferior in mechanical strength near the short axis of the shadow mask, in particular, is liable to deformation.例文帳に追加

大形で平坦化されたシャドウマスクでは、特にシャドウマスクの短軸上付近の機械的強度が弱く変形するために、シャドウマスクの開孔と蛍光体スクリーン間にずれが生じ、このために色純度の低下をきたしていたが、このようなシャドウマスクの変形を抑制し、色純度を良好にしたカラー受像管を提供する。 - 特許庁

According to the manufacturing method, without using an expensive patterning device and an etching device, less expensive and precise shadow mask is available.例文帳に追加

本発明によるシャドウマスクの製造方法によれば、高価なパタニング装置やエッチング装置を使用しなくても、安値で精密なシャドウマスクを生産できる。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device using a hard mask that can be formed in a simple manner and that is less likely to cause charge-up.例文帳に追加

本発明は、簡便に形成できて、チャージアップしにくいハードマスクを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Since the brightness and the coloring of the original image before replacement are maintained in the mask image, an image with less sense of congruity as the entire image can be obtained even when protection is applied to the original image.例文帳に追加

マスク画像に置換前の原画像の明るさと色合いが保存されるため、保護を加えた後も、画面全体として違和感の画像が得られる。 - 特許庁