Memory Deviceの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 24671件
To provide a semiconductor device that has memory cells made compact even when bit lines and source lines are formed both extending in the same direction, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加
ビット線とソース線の両方を同じ方向に延在するように形成する場合であっても、メモリセルの小型化を実現し得る半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a non-volatile semiconductor memory device wherein leakage current is reduced in an inter-electrode insulation film, especially one having a silicon nitride film at the upper and lower interfaces.例文帳に追加
電極間絶縁膜、特に上下界面にシリコン窒化膜を有する電極間絶縁膜に流れるリーク電流を低減した不揮発性半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁
The controller logic may then efficiently initiate a frame transfer operation for transferring the modified on-screen data from the video memory to a display of a host electronic device.例文帳に追加
コントローラロジックはそれから、ビデオメモリからホスト電子デバイスのディスプレイに修正変更されたオンスクリーンデータを転送するためのフレーム転送動作を効率よく開始することができる。 - 特許庁
In another embodiment, this memory device comprises at least one nano-wire, nano-tube or nano-fiber transistor 4 with a vertically arranged nano-wire, nano-tube or nano-fiber.例文帳に追加
別の形態によると、メモリデバイスは、垂直配置されたナノワイヤまたはナノチューブまたはナノファイバーを有したナノワイヤまたはナノチューブまたはナノファイバートランジスタ4を少なくとも1つ備えている。 - 特許庁
Further, the memory device comprises at least one source electrode and at least one drain electrode which are electrically connected with either side of at least one semiconductor channel layer, respectively.例文帳に追加
少なくとも一層の半導体チャンネル層の両側に電気的にそれぞれ連結された少なくとも一つのソース電極及び少なくとも一つのドレイン電極をさらに備える。 - 特許庁
Then, the mail exchange device 1 displays the image of an animal according to the detail of the mail read from the fitted memory cartridge ID0 and identification information on a television monitor 500.例文帳に追加
そして、メール交換装置1は、装着されたメモリカートリッジID0から読み出されたメールの内容、及び識別情報に応じた動物画像をテレビジョンモニタ500に表示する。 - 特許庁
In a nonvolatile semiconductor memory device 10, an active region 12 having a first width W1 is separated by an element isolation layer 13 formed on a principal surface of a semiconductor substrate 11.例文帳に追加
不揮発性半導体記憶装置10では、第1の幅W1を有する活性領域12が、半導体基板11の主面に形成された素子分離層13で分離されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device containing a ferroelectric capacitor having such a structure as to prevent the diffusion of hydrogen into a ferroelectric film without needing an additional process.例文帳に追加
追加の工程を必要とすることなく強誘電体膜への水素拡散を防止することができる構造の強誘電体キャパシタを備える半導体記憶装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor integrated circuit device having a nonvolatile semiconductor memory capable of quickly charging both of a bit to be programmed strongly and a bit to be programmed weakly.例文帳に追加
強くプログラムしたいビット、及び弱くプログラムしたいビットの双方を高速に充電できる不揮発性半導体メモリを有する半導体集積回路装置を提供すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device provided with a ferroelectric capacitor excellent in a barrier property against the intrusion of hydrogen from all directions including a lateral direction, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
横方向を含む全方向からの水素の侵入に対するバリア性に優れた強誘電体キャパシタを備えた半導体記憶装置及びその製造方法を提供することである。 - 特許庁
Data such as input signals from a control lever, detect signals from a lift arm sensor, output signals to an elevator solenoid, etc., are continuously stored in a memory device during driving.例文帳に追加
運転中にコントロールレバーからの入力信号やリフトアームセンサからの検出信号、或いは昇降ソレノイドへの出力信号等のデータを記憶装置に継続して記憶する。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device in which power consumption during active standby is reduced and internal clocks can be supplied surely to the prescribed circuits.例文帳に追加
アクティブスタンバイ中の低消費電力化を図るとともに、データ読出動作時は、所定の回路に内部クロックを確実に供給することができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
A first control device 6 detects a force which a driver applies on the steering wheel 2 by a torque sensor 18, and compares that with data stored in a memory 50 by a torque comparing means 47.例文帳に追加
第一の制御装置6は、トルクセンサ18で運転者がステアリングホイール2にかけている力を検出し、トルク比較手段47でメモリ50に予め格納されているデータと比較する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a ferroelectric memory device having a barrier film selectively formed around a ferroelectric only and capable of preventing the ferroelectric from being reduced by hydrogen.例文帳に追加
強誘電体が水素」により還元されるのを防ぐことが可能バリア膜を強誘電体周囲のみに選択的に形成する強誘電体メモリ製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide an electronic clock device for minimizing the memory amount of a temperature correction table by storing a temperature correction timing effective for correcting the clocked time.例文帳に追加
計時時刻の補正を行うために有効な温度補正タイミングを記憶することで、温度補正テーブルのメモリ量を最小限のものとできる電子時計装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a non-volatile ferroelectric memory device and its driving circuit in which drive capability of elements can be made the maximum by performing efficiently layout and minimizing chip size.例文帳に追加
レイアウトを効率よくしてチップサイズを最小化し、素子の駆動能力を極大化させることができる不揮発性強誘電体メモリ装置並びにその駆動回路を提供すること。 - 特許庁
The arbitrary selection and display of the plural stored pictures and photographs are made possible by the wall hangable display device for exclusively displaying the pictures and photographs (mainly still pictures) stored in the memory.例文帳に追加
メモリーに記憶された絵や写真(主に静止画)を専用に表示する壁掛け可能な表示装置によって、複数記憶された絵や写真を任意に選択し表示することを可能とする。 - 特許庁
To provide a packet transfer device that can preferentially control communication without restricting the utilizable capacity of a buffer memory at every user and can be simplified in constitution.例文帳に追加
利用者毎に利用可能なバッファメモリ容量を制限することなく通信優先制御を行うことができ、また、装置の簡易化を図れるパケット転送装置を提供すること。 - 特許庁
A nonvolatile memory in the setting device stores issued IP addresses and these IP addresses are compared with the inputted IP address to check whether the input IP address is issued or not.例文帳に追加
設定器の不揮発性メモリには、すでに発行されているIPアドレスが記憶されており、これらのIPアドレスと入力されたIPアドレスとを対比して、発行済みかをチェックする。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory device manufactured by removing a sidewall residue of a ferroelectric capacitor and suppressing characteristic degradation of the ferroelectric capacitor due to hydrogen; and a method of manufacturing the same.例文帳に追加
強誘電体キャパシタの側壁残渣を除去し、かつ、水素による強誘電体キャパシタの特性劣化を抑制する半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
A memory device 127 capable of reading and writing is arranged in a developer cartridge 100 having a developing machine 107 for developing an electrostatic latent image formed on a photoreceptor drum 101 with toner.例文帳に追加
感光体ドラム101上に形成された静電潜像をトナーにより現像する現像機107を有した現像カートリッジ100内に読み書き可能なメモリデバイス127を設ける。 - 特許庁
The semiconductor device is provided with a package substrate 11, each semiconductor chip 12, the memory controller 13 for controlling each semiconductor chip 12, and a power-supply chip 14 having a semiconductor capacitor.例文帳に追加
半導体装置は、パッケージ基板11と、半導体チップ12と、その半導体チップ12を制御するメモリコントローラ13と、半導体キャパシタを有する電源チップ14とを備える。 - 特許庁
Accordingly, the driving ability of the outputting driver can be automatically adjusted in accordance with an external environment of the semiconductor memory device (for example, external resistance, external inductance and external capacitance).例文帳に追加
本発明によると、半導体メモリ装置の外部環境(例えば、外部抵抗、外部インダクタンス、外部キャパシタンスなど)によって出力ドライバの駆動能力を自動調節することができる。 - 特許庁
The nonvolatile semiconductor memory device comprises a bias circuit generating bias voltage for controlling a NMOS transistor connected between a bit line and a page buffer circuit.例文帳に追加
本発明による不揮発性半導体メモリ装置は、ビットラインとページバッファ回路との間に連結されるNMOSトランジスタを制御するためにバイアス電圧を生成するバイアス回路を含む。 - 特許庁
To provide an optical memory head reproducing device which reproduces information of large capacity from an optical recording medium by a vertical resonator surface emitting semiconductor laser and its reproducing method.例文帳に追加
大容量の情報を垂直共振器表面発光半導体レーザにより光記録媒体から再生する光メモリヘッド再生装置及びその再生方法を提供するにある。 - 特許庁
When the semiconductor integrated circuit device 1 is shifted to a boot mode after resetting, a CPU 3 reads a boot program for downloading a control program for a flash memory 2 from a boot ROM 10.例文帳に追加
リセット後、半導体集積回路装置1がブートモードに遷移すると、CPU3がブートROM10からフラッシュメモリ2の制御プログラムをダウンロードするためのブートプログラムを読み出す。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor memory device permitting program verifying readout by a wired-OR system and capable of efficiently blocking data transmission from a page buffer related to a defect.例文帳に追加
ワイヤードオア方式によるプログラム確認読出しが可能であり、欠陷と関連したページバッファーからのデータ伝送を効率よく遮断できる不揮発性半導体メモリ装置を提供する。 - 特許庁
Therefore, a stable memory device can be manufactured by introducing an electron stopping layer and/or by limiting applicable voltage time at the time of the read-out access operation.例文帳に追加
従って、電子阻止層を導入することによって、且つ/又は読み出しアクセス動作時の適用電圧時間を制限することによって、安定なメモリ素子を製造することができる。 - 特許庁
To provide a semiconductor device for enhancing the electrical characteristics of a ferroelectric capacitor in a ferroelectric memory having a ferroelectric film formed by a sol gel method, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
ゾルゲル法で形成した強誘電体膜を有する強電体メモリにおいて、強誘電体キャパシタの電気特性を向上させる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a nonvolatile semiconductor storage device and a memory system, capable of exhibiting the highest performance realizable in the range of reliability requested for each access, while satisfying the reliability.例文帳に追加
アクセス時ごとに要求される信頼性を満たしつつ、その範囲内で実現できる最高の性能を出すことを可能とする不揮発性半導体記憶装置およびメモリシステムを提供する。 - 特許庁
To provide a single transistor electrically erasable programmable memory device capable of being programmed and erased using Fowler-Nordheim tunneling and capable of being operated using low voltages.例文帳に追加
ファウラーノルドハイムトンネリングを用いてプログラミング及び消去でき、更に、低電圧を用いて作動可能な、電気的に消去及びプログラム可能な単一トランジスタのメモリデバイスを提供する。 - 特許庁
The method for forming the phase change memory device includes a step of applying a precursor for phase change material and a reactive radical containing nitrogen on a substrate to form phase change material film.例文帳に追加
本発明の相変化メモリ装置の形成方法は、基板に相変化物質用前駆体及び窒素を含む反応性ラジカルを提供して相変化物質膜を形成するステップを有する。 - 特許庁
To provide a clutch shock torque preventing valve device improving a clutch engaging speed at a low temperature with a less number of components without using an expensive shape memory alloy spring.例文帳に追加
高コストな形状記憶合金スプリングを使用することなく少ない部品点数で低温時のクラッチ係合速度を向上させるクラッチショックトルク防止用のバルブ装置の提供。 - 特許庁
A digital image photographed with a digital camera module in the cellular phone device or a digital image stored in a memory card is converted into analog video signals by a video digital/analog converter.例文帳に追加
携帯電話デバイス内のデジタルカメラモジュールで撮影したデジタル画像またはメモリーカードに保存したデジタル画像を、ビデオデジタル/アナログ変換器によりアナログのビデオ信号に変換する。 - 特許庁
Generally, an inflow of electrons to an organic polymer layer happens at the time later than the time when a hole current occurs within the organic polymer layer after applying potential to a memory device.例文帳に追加
概して、有機高分子層への電子の流入は、メモリ素子に電位を適用してから有機高分子層内で正孔電流が発生する時点よりも遅い時点で起こる。 - 特許庁
Since the generation cycle of a preamble signal of the data strobe latency signal is variable by the operation frequency, reliability of operation of the semiconductor memory device is enhanced.例文帳に追加
したがって、動作周波数によってデータストローブレイテンシ信号のプリアンブル信号の発生サイクルを可変することができるので、半導体メモリ装置の動作信頼性が向上される。 - 特許庁
A wireless device having user-defined configurable modes includes a memory having at least one configuration segment containing configuration information relating to at least one application or mode.例文帳に追加
ユーザ定義設定モードを有する無線デバイスは、少なくとも1つのアプリケーションあるいはモードに関連する設定情報を含む少なくとも1つの設定セグメントを有するメモリを含む。 - 特許庁
This device has a hollow sleeve made of a shape memory alloy, and the sleeve has a curved austenite state as a whole, and presents stress inducing martensite behavior.例文帳に追加
本発明の装置は、形状記憶合金で作られた中空スリーブを有し、該スリーブは全体として湾曲したオーステナイト状態を有し、かつ応力誘起マルテンサイト挙動を呈する。 - 特許庁
To designate a large-extent of detour area and a large number of detour areas without enlarging the capacity of a memory storing additional data for the detour area in a navigation device.例文帳に追加
ナビゲーション装置において、迂回エリアのための付加データを記憶するメモリの容量を大きくしなくても、大きな範囲の迂回エリアおよび多数の迂回エリアの指定を可能とする。 - 特許庁
In a semiconductor test device 100, respective address is referred successively for each row of a fail memory 120, a change point at which fail information is changed is detected, and continuous number data are generated.例文帳に追加
半導体試験装置100は、フェイルメモリ120の各行毎で各アドレスを順々に参照していきフェイル情報が変化する変化点を検出し連続個数データを生成する。 - 特許庁
The semiconductor memory device has: a first bank including a first block and a first writing load circuit; a second bank including a second block and a second writing load circuit; and a bank decoder which selects the first bank and the second bank.例文帳に追加
第1ブロック、第1書き込み負荷回路を含む第1バンクと、第2ブロック、第2書き込み負荷回路を含む第2バンクと、第1バンクと第2バンクを選択するバンクデコーダとを備える。 - 特許庁
To provide a storage device and a digital controller, which can be continuously operated without loss of functions even in the event of a failure in a storage area within a memory.例文帳に追加
メモリ内部の記憶領域に障害が発生した場合でも機能を喪失することなく継続して運転を行うことのできる記憶装置およびディジタル制御装置を提供する。 - 特許庁
To provide a stable read margin in a nonvolatile semiconductor memory device having constitution in which an average current of two reference cells is made a reference current.例文帳に追加
本発明は、2つのリファレンスセルの平均電流をリファレンス電流とする構成の不揮発性半導体記憶装置において、安定した読み出しマージンを提供することを目的とする。 - 特許庁
The data that relate to data stored in a memory area may be received, recorded, displayed, processed or used in any suitable way, for example, to generate commands to the detection device.例文帳に追加
記憶領域に格納されるデータに関連するデータをたとえば任意の適切な方法で受信、記録、表示、処理、または使用して、検知装置に対するコマンドを生成することができる。 - 特許庁
The memory 5 cannot be accessed from a portable telephone device and the IC card 1 is made unusable, so that the illegal use is prevented from being further tried.例文帳に追加
従って、携帯電話装置からメモリ5に対してアクセスすることはできなくなり、該ICカード1は使用不能となってそれ以上不正使用が試みられることは防止される。 - 特許庁
To generate an update screen for a regeneration screen, in a hot-line insertion and extraction device (USB memory) having a plug-and-show function in a wireless presentation system, and to allow transmission to a wireless gate way.例文帳に追加
ワイヤレス・プレゼンテーション・システムにおいてプラグ・アンド・ショー機能を有する活線挿抜装置(USBメモリ)で、再生画面のための更新画面を生成し、ワイヤレスゲートウェイに送信可能とする。 - 特許庁
And by utilizing such a thing as this, a photosensor, an actinometer, a memory device getting the first light as an input and an element which gets the first light as an input and outputs the second light are obtained.例文帳に追加
そしてこのことを利用し、光センサー、光量計、第1の光を入力とするメモリ装置、第1の光を入力とし第2の光を出力する素子、を実現する。 - 特許庁
When a system is activated, an OS program and an application program A are expanded on a memory 20 by an expansion storage part 30 comprising a device driver and are executed by a program execution part 10.例文帳に追加
システムを起動すると、デバイスドライバからなる展開保存部30により、OSプログラムおよびアプリケーションプログラムAがメモリ20上に展開され、プログラム実行部10によって実行される。 - 特許庁
Therefore, as an external signal is received after a terminal state is changed to an optimum state in accordance with process, voltage, and temperature, input/output characteristics of the memory device can be improved.例文帳に追加
よって、工程、電圧及び温度の変化に応じて端子状態を最適状態に変更した後で外部信号を受信するので、メモリ装置の入出力特性が向上されうる。 - 特許庁
This device is provided with a main storage section consisting of plural banks and a sub-storage section functioning as a cache memory, and constituted so that bi-directional data transfer can be performed between the main storage section and the sub-storage section.例文帳に追加
複数のバンクからなる主記憶部とキャッシュメモリとして機能する副記憶部とを有し、主記憶部と副記憶部との間で双方向のデータ転送が可能なように構成される。 - 特許庁
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