「Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(989ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent a phenomenon that an overvoltage is applied to a memory terminal before an overvoltage detection terminal because droplets spread from the high voltage terminal to the memory terminal when the droplets (ink etc) adhere to the high voltage terminal.例文帳に追加

高電圧端子に液滴（インクなど）が付着したときに、高電圧端子からメモリー用端子の方に液滴が広がってしまうために過電圧検出端子よりも先にメモリー用端子に過電圧が印加されてしまう現象を防止する。 - 特許庁

To provide a disk array device capable of effectively using a cache at the time of operating data resident on a cache memory by flexibly controlling the residence of data on the cache memory, and a cache control method for the disk array device.例文帳に追加

キャッシュメモリ上のデータの常駐化を、フレキシブルに制御することにより、キャッシュメモリ上にデータを常駐化させて運用する際のキャッシュの有効利用を図ることのできるディスクアレイ装置およびディスクアレイ装置のキャッシュ制御方法を提供する。 - 特許庁

A sense amplifier 120 amplifies a voltage difference of the data line before and after the electric resistance of the selected memory cell changes with a polarity in response to the stored data level to permit execution of data reading by having only to access the selected memory cell.例文帳に追加

バイアス磁界の印加によって、選択メモリセルの電気抵抗が記憶データレベルに応じた極性で変化する前後のデータ線電圧差をセンスアンプ１２０で増幅することによって、選択メモリセルへのアクセスのみでデータ読出が実行される。 - 特許庁

In periods TT1 to TT3 within a period tCKE in which a clock enable signal CKE is active, the supply of a control clock SD_CLK from the memory controller 1 to a synchronous semiconductor memory device 12 can be stopped.例文帳に追加

クロックイネーブル信号ＣＫＥがアクティブ状態である期間ｔＣＫＥのうち、期間ＴＴ１、ＴＴ２、ＴＴ３において、メモリ制御装置１から同期型半導体記憶装置１２への制御クロックＳＤ＿ＣＬＫの供給を停止することができる。 - 特許庁

The stall monitoring device includes: a BMC 11 for managing a processor 103, a memory 105 and an I/O 107 which configure the computer system 100 except their power sources; and a power source controller 13 for managing the power sources of the processor 103, the memory 105 and the I/O 107.例文帳に追加

コンピュータシステム１００を構成するプロセッサ１０３、メモリ１０５及びＩ／Ｏ１０７の電源以外を管理するＢＭＣ１１と、プロセッサ１０３、メモリ１０５及びＩ／Ｏ１０７の電源を管理する電源コントローラ１３とを備える。 - 特許庁

The memory cells are cross coupled, and each output includes a pair of inverters connected to a path that leads to each of the bit lines and a power switch installed in the path from the power supply potential to the ground potential via each inverter, and column lines arranged corresponding to the columns of the memory cells and selectively activated depending on the results of selecting the column.例文帳に追加

メモリセルは、クロスカップル接続され、各々の出力がビットラインの各々に至る経路に接続される一対のインバータと、各々のインバータを介して、電源電位から接地電位に至る経路に設けられる電源スイッチと、を含む。 - 特許庁

To properly manage a reservation period until a reserved memory is supplied to a pattern variation when an advance-notice performance on the reserved memory of a non-preferential side is carried out in a pinball game machine in which the pattern variation is carried out with preference to either of the reserved memories in two special pattern display devices.例文帳に追加

２つの特別図柄表示装置の何れか一方の保留記憶を優先して図柄変動を行う弾球遊技機で、非優先側の保留記憶に関する予告演出を行うにあたり、その保留記憶が図柄変 - 特許庁

At the same time, if the multifunction peripheral 4 runs short of memory during various information processing (image processing, scanner processing, facsimile processing and the like), information that cannot be stored in the insufficient memory is transmitted to the printer buffer 3 for temporary storage, and returned to the multifunction peripheral 4 afterwards.例文帳に追加

それとともに、複合機４での各種情報処理（画像処理、スキャナ処理、ＦＡＸ処理等）においてメモリ不足が発生したら、記憶しきれない情報をプリンタバッファ３に送信して一時記憶させて、その後に複合機４に返信する。 - 特許庁

A CPU 5 of the processing part 17 sets a voltage at which the command of a user program is executed and a voltage at which the instruction of write-in to the memory is executed in different ranges, and controls write-in to the non-volatile memory 11 according to a power supply voltage.例文帳に追加

処理部１７のＣＰＵ５がユーザプログラムの命令を実行する電圧と、メモリへの書き込みの命令を実行する電圧とを異なる範囲に設定し、電源電圧に応じて、不揮発性メモリ１１への書き込みを制御する。 - 特許庁

Two reading units 117 and 133 read both sides of a document and read dust on a reading surface, and a memory control unit 11b writes read document reading image data and dust detection image data in a memory 11c.例文帳に追加

２つの読取り部１１７，１３３によって原稿の両面の読み取りと読み取り面におけるゴミ読み取りとを行い、読み取った原稿読取画像データとゴミ検出用画像データとをメモリ制御部１１ｂによってメモリ１１ｃへ書き込む。 - 特許庁

The frequency of page-in to a work memory is stored/recorded for every virtual page ID, and when any page fault occurs, the virtual page ID of information to be paged out from the work memory is determined according to the information of the page-in frequency.例文帳に追加

本発明においては、ワークメモリにページインされる頻度を仮想ページＩＤ毎に保持／記録し、ページフォルトが発生した際に、当該ページイン頻度の情報に応じてワークメモリ上からページアウトすべき情報の仮想ページＩＤを決定する。 - 特許庁

When the picture data are not included in the input encoded data, a picture duplication part 105 generates a duplicated picture obtained by duplicating reference picture data, and stores the duplicated picture in a frame memory different from a frame memory with the reference picture stored therein.例文帳に追加

ピクチャ複製部１０５は、入力符号化データにピクチャデータが含まれない場合に、参照ピクチャデータを複製した複製ピクチャを生成し、参照ピクチャデータを格納しているフレームメモリとは異なるフレームメモリに複製ピクチャを格納する。 - 特許庁

The null value may be set under program control, may be predetermined as a fixed value (e.g. zero), or may be set under hardware control, such as corresponding to memory addresses of a page identified by a memory management unit as non-accessible.例文帳に追加

ヌル値は、プログラム制御下に設定されてもよく、固定値（例えばゼロ）としてあらかじめ定められてもよく、またはメモリ管理ユニットによって、アクセス不可能として識別されるページのメモリアドレスに対応する等の、ハードウェア制御下に設定されてもよい。 - 特許庁

A mobile terminal 1 includes: a nonvolatile memory; a data protection means for preserving data to be protected in the nonvolatile memory when a specified condition is satisfied; a program storage means for storing the application program; and an execution means for executing the application program.例文帳に追加

携帯端末１は、不揮発性メモリと、規定条件成立時に不揮発メモリに保護すべきデータを保存するデータ保護手段と、アプリケーションプログラムを記憶するプログラム記憶手段と、アプリケーションプログラムを実行する実行手段とを備えている。 - 特許庁

Data processing apparatuses (1, 4) execute replacement of high order side bits of pixel data so that change of the high order side bits between the respective pieces of data in input image data becomes less when data is written in a memory (2) in response to memory access.例文帳に追加

データ処理装置（１、４）は、メモリアクセスに応答してメモリ（２）にデータを書き込むとき、入力された画像データ内の各画素データ間における上位側ビットの変化が少なくなるように画素データの上位側ビットの置き換えを実行する。 - 特許庁

In the case where an inputted moving image signal is stored in a memory and moving image signals stored in the memory a predetermined time before the reception of a recording starting instruction are to be recorded on a connected recording medium, processing is performed as follows.例文帳に追加

入力された動画信号をメモリに記憶し、記録開始の指示を受け付けた場合に、記録開始の指示の所定時間前以降にメモリに記憶された動画信号を接続された記録媒体に記録する際に、次のように処理する。 - 特許庁

The network player stores content data being received in a buffer memory and measures a data transfer rate of the content data being received based on increase/decrease in the amount of data stored in the buffer memory (S4) and until a predetermined time is elapsed (S5:NO), this measurement is repeated.例文帳に追加

ネットワークプレーヤは、受信中のコンテンツデータをバッファメモリに記憶し、バッファメモリに記憶されるデータ量の増減に基づいて受信中のコンテンツデータのデータ転送速度を計測し（Ｓ４）、所定時間が経過するまで（Ｓ５でＮＯ）、この計測を繰り返す。 - 特許庁

An FFT arithmetic unit includes a plurality of memory banks 31-1 to 31-4 which can concurrently write or concurrently read a plurality of data items to or from a designated address in a form of overwriting, an FFT arithmetic circuit 20, and an FFT memory control circuit 40.例文帳に追加

ＦＦＴ演算装置は、指定されたアドレスに複数のデータを上書きの形で同時に書き込み又は同時に読み出せる複数個のメモリバンク３１−１〜３１−４と、ＦＦＴ演算回路２０と、ＦＦＴメモリ制御回路４０とを備えている。 - 特許庁

The storage device includes: a memory 13 for temporarily storing data; a magnetic recording medium 16; an external interface 11 for acquiring a command to instruct access to the magnetic recording medium 16 and the memory 13 from the outside; and a processor 19 for executing the command.例文帳に追加

ストレージ装置は、データを一時的に格納するメモリ１３と、磁気記録媒体１６と、外部からメモリ１３と磁気記録媒体１６へのアクセスを指示するコマンドを取得する外部インターフェイス１１と、コマンドを実行するプロセッサ１９とで構成される。 - 特許庁

A first deterioration detecting circuit detects deterioration of the characteristic of the real memory cell when the number of erasing pulses impressed until the time the data of the real memory cell are erased is equal to or smaller than a preset first reference frequency, and outputs a first detection signal.例文帳に追加

第１劣化検出回路は、リアルメモリセルのデータが消去されるまでに印加された消去パルスの数が予め設定された第１基準回数以下のときに、リアルメモリセルの特性の劣化を検出し、第１検出信号を出力する。 - 特許庁

When writing the writing data of the plurality of pages in the memory 16, the control parts 12 and 14 convert the writing data of the plurality of pages into multiple values separately for each page, and writes them in the plurality of mutually different unused pages of the memory 16 one page by one page.例文帳に追加

複数ページ分の書込みデータをメモリ１６に書き込む場合、制御部１２，１４は、当該複数ページ分の書込みデータを、ページ毎に別々に多値化し、メモリ１６の互いに異なる未使用の複数のページに１ページずつ書き込む。 - 特許庁

In the SRAM memory cell constituted by using SOI or FD-SOI transistors having BOX layers, the threshold voltage of the transistor is controlled to increase the current by controlling a well potential under the box layers of a driving transistor so that stable operation of the memory cells are attainable.例文帳に追加

BOX層を有するSOIまたはFD-SOIトランジスタを用いて構成されたSRAMメモリセルにおいて、駆動トランジスタのBOX層下のウエル電位を制御することでトランジスタのしきい値電圧を制御して電流を増加させて、メモリセルの安定動作を可能とする。 - 特許庁

When a wireless memory card 200 is registered in a server 400, a public key Ke404 for encrypting key data is stored in a memory 403 while a secret key Kd54 for decrypting the key data encrypted by the public key Ke404 is stored in a BIOS-ROM 17.例文帳に追加

サーバ４００に無線メモリカード２００を登録する際に、鍵データを暗号化する公開鍵Ｋｅ４０４をメモリ４０３に、公開鍵Ｋｅ４０４で暗号化された鍵データを復号化する秘密鍵Ｋｄ５４をＢＩＯＳ−ＲＯＭ１７に記憶する。 - 特許庁

The ONO film 7 formed in the lower portion of the memory gate 8 terminates in the lower portion of the silicon oxide film 9, and prevents a low-breakdown withstanding voltage area from being formed within the silicon oxide film 12 near the end section of the memory gate 8 during deposition of the silicon oxide film 12.例文帳に追加

メモリゲート８の下部に形成されたＯＮＯ膜７は、酸化シリコン膜９の下部で終端し、酸化シリコン膜１２の堆積時にメモリゲート８の端部近傍の酸化シリコン膜１２中に低破壊耐圧領域が生じるのを防いでいる。 - 特許庁

Moreover, it includes further a memory 304 which stores the added image data, and the image processor 305b stores the added image data in the memory 304 before up dating the added image data.例文帳に追加

また、前記加算画像データを記憶する記憶手段３０４、をさらに備え、前記画像処理手段３０５ｂは、前記加算画像データを更新する前に現在の前記加算画像データを前記記憶手段３０４に記憶させる、ことを特徴とする。 - 特許庁

A protocol for use, a frame length, additional information to a payload, and rate information are input, and a frame pattern based on these information is set and stored in a frame pattern memory 4a, and information about a frame generation method is set and stored in a frame control memory 4b.例文帳に追加

使用プロトコルとフレーム長、ペイロードへの付加情報、レート情報を入力し、これらの情報に基づくフレームパターンをフレームパターンメモリ４ａに設定記憶し、フレーム発生方法に関する情報をフレーム制御メモリ４ｂに設定記憶する。 - 特許庁

Then, the MRI apparatus 100 refers to the memory part 14 about the channel after the change when the change of channel selection is accepted, corrects the image using the NMR signal data memorized in the memory part 14, and displays the corrected image.例文帳に追加

そして、ＭＲＩ装置１００は、チャネル選択の変更が受け付けられると、変更後のチャネルについて記憶部１４を参照し、記憶部１４に記憶されたＮＭＲ信号データを用いて画像を補正し、補正された画像を表示する。 - 特許庁

The hybrid device 1 is equipped with: an instruction executing part 12 writing data obtained from a host device into the flash memory 14; and a drive control part 15 writing data recorded in the flash memory 14 by the instruction executing part 12 into the optical disk in a short period of time.例文帳に追加

そして、ホスト装置から取得したデータをフラッシュメモリ１４に書き込む命令実行部１２と、命令実行部１２によってフラッシュメモリ１４に記録されたデータを短時間のうちに光ディスクに書き込むドライブ制御部１５とを備えている。 - 特許庁

The sense circuits sense and verify the data written into the memory cells while the bit lines are charged to high potential, and set the bit lines, connected with the memory cells determined as defective from the verification result, to high potential during a verification period.例文帳に追加

複数のセンス回路は、ビット線を高電位に充電した状態でメモリセルに書き込まれたデータをセンスしてベリファイを行い、ベリファイ結果が不良と判定したメモリセルが接続されているビット線を、ベリファイ期間中に高電位に設定する。 - 特許庁

By receiving a drive mode switching command from the image data transmission device 1, an image output mode is switched to a control program rewrite mode, and then the control program temporarily stored in the first memory means 24 is stored in the second memory means 27.例文帳に追加

また、画像データ伝送装置１から駆動モード切換指示を受信することで、画像出力モードから制御プログラム書換モードに移行し、第１記憶手段２４に一旦記憶されている制御プログラムを第２記憶手段２７に書換える。 - 特許庁

When a release button 20 is pressed at the time of photographing an object, a memory writer 36 prepares an image file (present file) by correlating photographed image data obtained from a CCD 34 with the data about the photographing location obtained from a GPS instrument 35 and records the file on a memory card 21.例文帳に追加

撮影時にレリーズボタン２０が押圧されると、メモリライタ３６は、ＣＣＤ３４から得られる撮影画像データとＧＰＳ装置３５から得られる撮影位置データを関連づけ、画像ファイル（現在ファイル）を作成してメモリーカード２１に記録する。 - 特許庁

A copy machine 1 which makes copies reads a color manuscript (S10), and if the read manuscript is a new manuscript not stored in a memory unit 2, the created color image data is stored in the memory unit 2 attaching a discriminating code (S20).例文帳に追加

コピー元の複写機１においてカラー原稿を読取り（Ｓ１０）、読取った原稿が、記憶装置２に記憶されていない新規の原稿である場合、生成したカラーの画像データに識別コードを対応付けて、記憶装置２に格納する（Ｓ２０）。 - 特許庁

The magnification filter section 6 processes the image data stored in the image memory section 7, sequentially transfers the data to line buffers 10, 11, 12, and a subtractive color processing section 13 replaces the received data with a color stored in the color pallet data memory section 9 to conduct subtractive color processing.例文帳に追加

画像メモリ部７に格納された画像データは、変倍・フィルタ部６で処理されラインバッファ１０、１１、１２に順次転送され、減色処理部１３において、カラーパレットデータメモリ部９中に格納された色に置換して減色処理する。 - 特許庁

A word line keeper circuit 13 added so as to reduce power consumption during stand-by by executing power supply separation between the memory cell array part 10 of SRAM Macro and a peripheral circuit part, is formed by commonly using a dummy element in the dummy element area 14 of the memory cell array part.例文帳に追加

SRAM Macroのメモリセルアレイ部１０と周辺回路部との電源分離を実施して待機時の消費電力を削減するために付加するワード線キーパー回路１３を、メモリセルアレイ部のダミー素子領域１４のダミー素子を共用して形成する。 - 特許庁

Then, the number of pixels while defects continuously continue is counted, a count number when continuity ends is retained in the memory, and the previous start position and the count number are retained as image information of the defects and are written in a memory for performing transfer to a terminal PC.例文帳に追加

次に、欠点が連続して続く間の画素数をカウントし、連続性が途切れた時点のカウント数をメモリに保持し、先の開始位置と、このカウント数を欠点の画像情報として保持し、端末ＰＣへ転送するためのメモリに書き込む。 - 特許庁

A monitoring camera 2 includes: a write-time detection part 171 which detects a write time required for writing data to a memory card 30; and a storage performance inspection part 172 which inspects storage performance of the memory card 30 on the basis of the detected write time.例文帳に追加

監視カメラ２は、メモリカード３０へのデータの書き込みに要する書込時間を検出する書込時間検出部１７１と、検出された書込時間に基づいてメモリカード３０の記憶性能を検査する記憶性能検査部１７２とを備える。 - 特許庁

Meanwhile, a read path voltage Vread' smaller than a read path voltage Vread which is used at a normal read operation is applied to the control gates of non-selected memory cells Mn+1 and Mn-1 adjacent to the selected memory cell Mn.例文帳に追加

一方、選択メモリセルＭｎに隣接する非選択メモリセルＭｎ＋１、Ｍｎ−１の制御ゲートには、通常の読み出し動作で用いられる読み出しパス電圧Ｖｒｅａｄよりも小さい読み出しパス電圧Ｖｒｅａｄ’が印加される。 - 特許庁

Before data of a selected memory cell is detected, the control part generates the reference voltage based on the current flowing in one bit line out of a plurality of bit lines connected to a plurality of memory cells in a half-selected state detected by the sense amplifier.例文帳に追加

制御部は、選択されたメモリセルのデータを検出する前に、センスアンプにより検出された半選択状態とされた複数のメモリセルに接続された複数のビット線のうち１つのビット線に流れる電流に基づき基準電圧を生成する。 - 特許庁

A sealing material 30 comprises a laminated body including a sliding layer 31 which comes into slide contact with a developing roller, an elastic layer 33 having elasticity, and a shape memory layer 32 which can memory the shape in the desirably curved state.例文帳に追加

シール材３０は、現像ローラに摺接する摺接層３１と、弾性を有する弾性層３３と、所望の形状に湾曲させた状態でその形状を保つことが可能な形状記憶層３２とを備えた積層体によって構成される。 - 特許庁

In particular, the resistance element TDR1 and the nonvolatile memory NVM1 are mutually electrically connected, and the resistance element TDR1 is changed between a conductive state or nonconductive state depending on the ON state or OFF state of the nonvolatile memory NVM1.例文帳に追加

特に、抵抗素子ＴＤＲ１と不揮発性メモリＮＶＭ１とは互いに電気的に接続され、不揮発性メモリＮＶＭ１のオン状態またはオフ状態により、抵抗素子ＴＤＲ１の導通状態または非導通状態が切り替わる。 - 特許庁

When a failure occurs in an HDD 31, an information recording and reproducing device 1 selects a nonvolatile memory 23 for recording instead of the HDD 31, and records information input from an external camera 11 on the nonvolatile memory 23.例文帳に追加

情報記録再生装置１は、ＨＤＤ３１に異常が発生すると、ＨＤＤ３１による記録動作から不揮発性メモリ２３による記録動作に切換えて、外部のカメラ１１などから入力される情報を不揮発性メモリ２３に記録する。 - 特許庁

To provide a DMA controller that carries out DAM transfer wherein an address is written into a DMA register of a DMA controller specifying a memory location within a memory device at which either the parameters for a transfer of a block of data are provided or the status of the transfer of a block of data is to be written by the DMA controller.例文帳に追加

データブロックの転送パラメータが与えられるか、データブロックの転送状態が書き込まれる記憶装置内のメモリ位置を指定するアドレスが、ＤＭＡレジスタに書き込まれるＤＭＡ転送を実行するＤＭＡコントローラを提供する。 - 特許庁

At this time, the mantissa in the Little Endian form is stored in a 1st memory word between word borders 430 and 432 and the exponent and sign are stored in a 2nd memory word between word borders 432 and 434.例文帳に追加

エンディアン制御ビットの第２状態に応じて、浮動小数点数は、仮数が完全に第１メモリワードに含まれ、符号および指数が完全に第２メモリワードに含まれるよう、リトル・エンディアン形式で第１および第２の連続するメモリワードに記憶される。 - 特許庁

The S/P converting part 103 converts the transmitting signal from a serial data format to a parallel data format, reads a re-sending signal twice out of a memory in first re-sending and reads the re-sending signal four times from the memory in second re-sending.例文帳に追加

Ｓ／Ｐ変換部１０３は、送信信号をシリアルデータ形式からパラレルデータ形式に変換するとともに、１回目の再送の時には再送信号をメモリより２回読み出し、２回目の再送の時には再送信号をメモリより４回読み出す。 - 特許庁

This semiconductor device 1 is provided with a CPU 2 for selectively adopting a first state in which an instruction is read from the first region of a memory 3 so as to be executed and a second state in which an instruction is read from the second region of the memory so as to be executed.例文帳に追加

半導体装置（１）は、メモリ（３）の第１領域から命令を読み込んで実行可能な第１状態と前記メモリの第２領域から命令を読み込んで実行可能な第２状態とを選択的に採り得るＣＰＵ（２）を有する。 - 特許庁