「Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(987ページ目) - Weblio英語例文検索

Write data in 16-bit by two blocks are generated corresponding to the 8-bit luminance data Y by 2 blocks and the 8-bit color difference data Cb, Cr by 1 block (B, C) and fed sequentially to a frame memory from a buffer memory section in the unit of blocks.例文帳に追加

２ブロック分の８ビットの輝度データＹ、１ブロック分の８ビットの色差データＣｂ，Ｃｒに対応して、２ブロック分の１６ビットの書き込みデータを生成し（図３Ｂ，Ｃ）、バッファメモリ部よりフレームメモリにブロック単位で順次供給して書き込みをする。 - 特許庁

A selector 504 sets the combination of the group of memories 505 and the memory control units 501-504, and image data subjected to parallel/serial conversion by the memory control units 501-504 are subjected to various image processing according to modes by an image editing processor 506.例文帳に追加

セレクタ５０４はメモリ群５０５とメモリコントロール部５０１〜５０４の組み合わせを設定し、メモリコントロール部５０１〜５０４でパラレル／シリアル変換された画像データは画像編集処理部５０６でモードに従って各種画像処理が実施される。 - 特許庁

The both CPU modules copy an own station 2 port memory data into a mating station 2 port memory data in the mating station CPU module, monitor a RUN signal, a master signal and a master request signal in the mating station, and switch the master/slave by handshaking with the respective controlled signals.例文帳に追加

両ＣＰＵモジュールは、自局２ポートメモリデータを相手局ＣＰＵモジュールの相手局２ポートメモリデータにコピーし、相手局のＲＵＮ信号・マスタ信号・マスタリクエスト信号を監視し、各信号を制御したハンドシェイクでマスタ・スレーブ切り替えを行う。 - 特許庁

When a writing request is transmitted from an internal memory 211 having an internal bus of n-bits, a bus use is permitted by a bus arbitration part 107, but conversion into a m-bit width (m>n) is required when DMA-transferred by a memory reading control part 208.例文帳に追加

ｎビットの内部バスを持つ内部メモリ２１１からの書き込み要求であった場合、バス調停部１０７でバス使用許可が与えられるが、メモリ読み出し制御部２０８がＤＭＡ転送する際にｍ（ｍ＞ｎ）ビット幅への変換が必要となる。 - 特許庁

A light position data rewrite means 108 is controlled and the light position data stored in the light position data memory means 105 are rewritten, based on a signal obtained from a comparison means 102, a rewriting timing generation means 107 and the light position data memory means 105.例文帳に追加

比較手段102と書換タイミング生成手段107と点灯位置データ記憶手段105より得られる信号をもとに、点灯位置データ書換手段108を制御し、点灯位置データ記憶手段105に記憶されている点灯位置データを書き換える。 - 特許庁

Temperature is monitored by a Seebeck element 25 disposed right beneath the non-volatile memory 22 for feedback control, and while keeping temperature at a high level by applying voltage on a Peltier element disposed close to the non-volatile memory 22, a gate oxide film 22e is formed thick.例文帳に追加

一方、不揮発性メモリ２２直下に配置したゼーベック素子２５で温度を監視しフィードバック制御して、不揮発性メモリ２２近傍に配置したペルチェ素子に電圧を印加して、温度を高温に保持しつつ、ゲート酸化膜２２ｅを厚く形成する。 - 特許庁

With the application of the bias magnetic field, a data-line voltage difference between before and after the change of electric resistance of the selection memory cell by polarity according to a stored data level is amplified by a sense amplifier, and thus data reading is performed by only accessing the selection memory cell.例文帳に追加

バイアス磁界の印加によって、選択メモリセルの電気抵抗が記憶データレベルに応じた極性で変化する前後のデータ線電圧差をセンスアンプで増幅することによって、選択メモリセルへのアクセスのみでデータ読出が実行される。 - 特許庁

The second unit memory chip shares a semiconductor substrate with the first unit memory chip, responds to the second chip selection signal, the command signal, the address signal and the clock signal, and inputs the (N+1)th through the (2N)th data internally or outputs them externally.例文帳に追加

第２単位メモリチップは、第１単位メモリチップと半導体基板を共有し、第２チップ選択信号とコマンド信号とアドレス信号とクロック信号に応答して第Ｎ＋１乃至第２Ｎデータを内部に入力するか外部に出力する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device capable of carrying out a parallel test which compares outputs of a plurality of data output lines in a short period of time, in the semiconductor memory device in which the data output lines such as MIO lines are commonly used by a plurality of BANKs.例文帳に追加

複数のＢＡＮＫでＭＩＯ線等のデータ出力線を共通化した半導体記憶装置において複数のデータ出力線の出力を比較するパラレルテストを短時間で行うことができる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁

In a request source device 10, a particular read request unit 13 includes a prescribed address of a memory 27 in a request destination device 20 at a write address, and generates a write packet for read request including an address of the memory 27 in a payload as a read address.例文帳に追加

要求元デバイス１０では、特殊読出要求部１３は、要求先デバイス２０のメモリ２７の所定のアドレスを書込みアドレス部分に含み、かつペイロード部分にメモリ２７のアドレスを読出しアドレスとして含む読出要求用ライトパケットを生成する。 - 特許庁

For instance, the fuse box 11 and the memory macros 21, 22, 23 are subjected to daisy chain by data lines 31 and transfer clock lines 32, and transfer data such as the address information are supplied to each of the memory macros 21, 22, 23 from the external fuse box 11.例文帳に追加

たとえば、ヒューズボックス１１およびメモリマクロ２１，２２，２３を、データ線３１と転送クロック線３２とによってデイジーチェーン接続し、アドレス情報などの転送用データは外部のヒューズボックス１１より各メモリマクロ２１，２２，２３に供給する。 - 特許庁

After that, if the internal temperature of the battery chamber 6 becomes lower than the deforming temperature, the shape memory of the shape memory spring 19 disappears, and one end of the tension spring 21 pulls the peripheral surface of the roller 18 to rotate the tension roller 18 clockwise in the figure.例文帳に追加

その後、電池室６の内部温度が変形温度を下回ると、形状記憶スプリング１９の形状記憶がなくなるため、引張スプリング２１の一端は、ローラー１８の外周面を引っ張りローラー１８を図中時計方向に回転させる。 - 特許庁

When the capacity value Ma is less than the imagined capacity Mo, a buffer memory B24 having a shortage capacity Mb (=Mo-Ma) is set in a memory 23 provided in the host device 2, and the two buffer memories A and B are integrated to be managed in a unified manner.例文帳に追加

容量値Ｍａが想定容量Ｍｏ未満のとき、ホスト装置２が有するメモリ２３内に不足分の容量Ｍｂ（＝Ｍｏ−Ｍａ）を持つバッファメモリＢ２４を設定し、２つのバッファメモリＡ，Ｂを統合して一元的に管理する。 - 特許庁

The count value is compared with a threshold set in a packet counter (S206) and when the count value exceeds the threshold (S206:YES), counting the number of times of responding is stopped (S207), and a memory controller sets the operating mode of the memory to a self-refresh mode (S208).例文帳に追加

このカウント値とパケットカウンタに設定された閾値とを比較し（Ｓ２０６）、カウント値が閾値を超過しているとき（Ｓ２０６、ＹＥＳ）、応答回数の計測を中止し（Ｓ２０７）、メモリコントローラがメモリの動作モードをセルフリフレッシュモードに設定する（Ｓ２０８）。 - 特許庁

If the witch SW0 is turned off and any of the memory cells is connected to the output line Lout that is virtually grounded, the electric charge stored in the memory cell moves to the capacitor Cs without being affected by the parasitic capacitance Cp.例文帳に追加

スイッチＳＷ０をオフ状態にして、仮想接地状態にある出力ラインＬｏｕｔに、いずれかのメモリセルを接続させると、当該メモリセルに蓄積された電荷は、寄生容量Ｃｐの影響を受けることなく、コンデンサＣｓに移動する。 - 特許庁

As the attachment of the USB memory 51 is confirmed, photographed image data photographed by the photographing part 10 are stored together with failure information data constituted of prescribed state information showing an operating state by the USB memory 51 by taking the confirmation of the attachment as a trigger.例文帳に追加

ＵＳＢメモリ５１の装着を確認したら、それをトリガとして、撮影部１０により撮影した撮影画像のデータを、動作状態を示す所定の状態情報からなる障害情報のデータと共にＵＳＢメモリ５１に保存させる。 - 特許庁

In the case of hot plug exchange, data stored on the cache or buffer being an exchange object member are temporarily saved on a main memory and after the exchange object member is exchanged, the data saved on the main memory are written back to the cache or the buffer being the exchange object member.例文帳に追加

ホットプラグ交換時に、交換対象部材のキャッシュあるいはバッファに格納されているデータを、一時的にメインメモリに退避し、交換対象部材の交換後、メインメモリに退避したデータを交換対象部材のキャッシュあるいはバッファに書き戻す。 - 特許庁

In programmable cells 110 to 115 belonging to a first area 119, configuration information 130 is stored in a volatile memory, and in programmable cells 120 to 122 belonging to a second area 119, configuration information 130 is stored in a nonvolatile memory.例文帳に追加

第１の領域１１９に属するプログラマブルセル１１０〜１１５ではコンフィギュレーション情報１３０を揮発性メモリに格納し、第２の領域１１９に属するプログラマブルセル１２０〜１２２ではコンフィギュレーション情報１３０を不揮発性メモリに格納する。 - 特許庁

By turning on a buffer gate 9, an emulation function based on an application system connected to a CPU core 19, emulation memory 47 and connector 51 and a debugging support function based on a break condition detecting part 13 and a trace memory 31 are executed.例文帳に追加

バッファゲート９をＯＮにすることにより、ＣＰＵコア１９とエミュレーションメモリ４７と接続コネクタ５１に接続された応用システムによるエミュレーション機能、およぶブレーク条件検出部１３とトレースメモリ３１によるデバッグ支援機能を行う。 - 特許庁

The control signals 21 to 25 are switched by the switching circuit 27 in a signal order according to the terminal arrangement order of the memory terminals 21a to 27a of the memory chips CC2, and then allocated to control terminals P21 to P27.例文帳に追加

また制御用信号２１乃至２５は、切替回路２７によってメモリチップＣＣ２のメモリ端子２１ａ乃至２７ａの端子配列順序に応じた信号順序で切り替えられた上で、制御端子Ｐ２１乃至Ｐ２７に割り当てられる。 - 特許庁

This application method of the shape memory permanent constitutes its characteristic feature capable of reducing time of application and hair damage by simultaneously applying oxidative effect and a heating effect on hair softened by a reduction effect and capable of easily applying the shape memory permanent.例文帳に追加

還元作用によって軟化した毛髪への酸化作用と加熱効果を同時に施術することによって施術時間短縮と加熱による毛髪損傷を軽減でき、手軽に形状記憶パーマを施術できる方法を特徴とする。 - 特許庁

When the book binding layout mode and the reduction layout mode are designated in a step S601, an image of an original is read, stored sequentially in an image memory, while being subjected to reduction layout, and number of images M stored in the image memory is counted at the same time (S602).例文帳に追加

Ｓ６０１で製本レイアウトモード、かつ縮小レイウトモードが指定されていると、原稿画像を読み込み、画像メモリに縮小レイアウトしながら順番に記憶し、同時に、画像メモリに格納した画像枚数Ｍをカウントする（Ｓ６０２）。 - 特許庁

To provide a storage device and a backup method for the storage device in which the service life of storage regions in a nonvolatile memory is prolonged by surely storing data in the nonvolatile memory between the detection of the off state of a power source and the actual off state of the power source.例文帳に追加

電源のオフを検知してから実際に電源がオフするまでの間に確実にデータを不揮発性メモリのに記憶させ、不揮発性メモリの記憶領域の寿命を長くした記憶装置、及び記憶装置のバックアップ方法を提供する。 - 特許庁

Power is supplied to an inversion layer interconnection 15 at the end portion 19 and the central portion 20 of the memory mat, and an interconnection 14 formed in parallel with a word line WL (control electrode 6) is employed for power supply at the central portion 20 of the memory mat.例文帳に追加

反転層配線１５へはメモリマットの端部１９とメモリマットの中央部２０において給電されており、メモリマットの中央部２０での給電はワード線ＷＬ（制御電極６）と並行して形成された配線１４が用いられる。 - 特許庁

To suppress increment of chip area and rise of a manufacturing cost by suppressing increment of occupancy area of data lines for read-out, even when memory cells simultaneously read out are increased when a semiconductor memory such as page read-out substance coping with dual work, or the like is realized.例文帳に追加

デュアルワーク対応のページ読み出し品などの半導体メモリを実現する際に同時に読み出すメモリセルが増えた場合でも、読み出し用データ線の占有面積の増加を抑制し、チップ面積の増加、製造コストの高騰を抑制する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile memory capable of reducing a load in a process of a controller or an exchange between a flash memory and the controller, achieving a simplification of the controller and an improvement of the performance, and further materializing a new function which has not been achieved up to this time.例文帳に追加

コントローラの処理の負荷やフラッシュメモリとコントローラ間のやり取りを低減でき、コントローラの簡略化や性能の向上を実現でき、さらに、今まで得なし得なかった新しい機能を実現することが可能な不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁

Also data arrangement is performed based on the order of transmission by using a memory 104, and additional information generated by a sub-code generator 105 is written in the memory 104 simultaneously, thus the additional information can be superimposed on video data, and transmitted.例文帳に追加

さらにメモリ１０４を用いて、伝送順番にしたがってデータ配置をおこなうと同時に、サブコード発生器１０５により生成した付加情報をメモリ１０４に書き込むことにより、映像データに付加情報を重畳して伝送する。 - 特許庁

The storage area of the nonvolatile memory 133 is divided into a plurality of writing areas 201, 202, 203 corresponding to a plurality of groups with a plurality of classified data items, and is managed thereby, as to the writing frequency-limited nonvolatile memory 133.例文帳に追加

書込回数に制限のある不揮発性メモリ１３３について、複数のデータ項目を分類した複数のグループに対応して不揮発性メモリ１３３の記憶領域を複数の書込領域２０１，２０２，２０３に分割して管理する。 - 特許庁

To provide an image processor and a method therefor, and a display device using the same, which are able to evade occurrence of field tearing (memory passing) even when an input/output image is read/written from/in single image memory.例文帳に追加

単一の画像メモリに対して入出力画像の読み出し、および書き込みを行う場合であっても、フィールドティアリング（メモリ追い越し）の発生を回避できる画像処理装置およびその方法、並びにそれを用いた表示装置を提供する。 - 特許庁

This system has the revolver 23 which has a plurality of mounting sections to be mounted with the objective lenses 22 and a memory means (a non-volatile memory in a controller 12), which is capable of storing the lens information relating to each of the objective lenses more than the number of the mounting sections.例文帳に追加

対物レンズ２２が取り付けられる取付部を複数有するレボルバ２３と、取付部の数より多くの対物レンズ各々に関わるレンズ情報を記憶可能な記憶手段(コントローラ１２内の不揮発性メモリ)とを備えている。 - 特許庁

In this process, the hologram memory 1 is irradiated with first reference light from a second light source to reproduce all the recorded multi-hologram and the hologram memory 2 to be a copy is irradiated with the above multi-hologram and second reference light from a third light source 5.例文帳に追加

この時、ホログラムメモリ２に第二光源から第一参照光を照射して、記録されている多重ホログラムを一括再生し、コピーとなるホログラムメモリ２に上記多重ホログラムと第三光源５から第二参照光とを照射する。 - 特許庁

To attach a nonvolatile memory that conforms to T13 to a storage medium controller for controlling data read/write between a host and a storage medium through a volatile memory without causing an increase in the number of pins and an increase in size.例文帳に追加

揮発性メモリを介してホストと記憶媒体との間でのデータのリード／ライトを制御する記憶媒体コントローラに対し、Ｔ１３に準拠する不揮発性メモリを、ピン数の増加やサイズの増大を伴うことなく、付設することを課題とする。 - 特許庁

Read-out of data is performed accurately by generating reference voltage based on detection voltage from a dummy memory cell in which data '1' is recorded by which output voltage is not changed when read-out operation of data is performed, in a ferroelectric memory.例文帳に追加

強誘電体メモリにおいて、データの読み出し動作を行ったときに出力電圧に変化が起こらないデータ“１”の記録されたダミーメモリセルからの検知電圧を基に基準電圧を発生させることにより、データの読み出しを正確に行う。 - 特許庁

This memory control circuit comprises a controller 1A for controlling a RAM 13 of power source voltage 2.5 V standard (SSTL 2 standard) and a nonvolatile memory 14 of power supply voltage 3.3 V standard (LVTTL standard) through a control bus 10 and data buses 11 and 12.例文帳に追加

メモリ制御回路は、電源電圧２．５Ｖ規格（ＳＳＴＬ２規格）のＲＡＭ１３と、電源電圧３．３Ｖ規格（ＬＶＴＴＬ規格）の不揮発性メモリ１４とを、制御バス１０およびデータ・バス１１，１２を介して制御するコントローラ１Ａを有する。 - 特許庁

To provide a variable resistive device and a nonvolatile memory device having a phase change film of low power consumption which is capable of high-speed resistance change and is excellent in the preservation stability of an amorphous phase, and a semiconductor memory utilizing them.例文帳に追加

低消費電力で、高速抵抗変化が可能であり、かつアモルファス相の保存安定性が良好である相変化膜を有する可変抵抗素子および不揮発性メモリ素子およびこれらを利用した半導体メモリを提供すること。 - 特許庁

The line memory device 100 includes a line memory macro 101 which uses serial/parallel conversion, a shift register 111 which has its capacity equal to the bit width of the data to be converted into the parallel data, a selector 109 and a control block 110 which controls the register 111 and selector 109.例文帳に追加

ラインメモリ装置１００は、シリアルパラレル変換を用いたラインメモリマクロ１０１、パラレル変換するデータのビット幅と同じ容量のシフトレジスタ１１１、セレクタ１０９、シフトレジスタ１１１とセレクタ１０９を制御する制御ブロック１１０とを備える。 - 特許庁

According to this, even if the external memory is leaked, the executable period of software loading using the external memory can be limited within the expiration date, and a trouble, such as unauthorized execution of software loading by a third person can be prevented, as much as possible.例文帳に追加

これにより、外部メモリが流出した場合でも、この外部メモリを用いたソフトロードが実行可能な期間を、上記有効期間内に制限することができ、第三者が不正にソフトロードを実行する不都合を極力防止することができる。 - 特許庁

When data write is instructed in the state the SIM card 17 is inserted into the portable telephone terminal 10, the write protection ID stored in the second memory 15 is added to the data and the ID-added data are stored in a first memory 14.例文帳に追加

携帯電話端末１０にＳＩＭカード１７が挿入されている状態でデータの書き込みを指示された際には、その時点で第２メモリ１５に格納されている書込用保護ＩＤを付加した上で第１メモリ１４にデータを格納する。 - 特許庁

To provide a semiconductor storage device having a memory cell array performing injection of source side channel hot electrons by which data can be written in plural memory transistors or can be read out from the transistors in parallel, and increasing operation speed of a program including verifying can be realized.例文帳に追加

複数のメモリトランジスタを並列に書き込むまたは読み出すことができ、ベリファイを含むプログラムの高速化を実現できるソースサイド・チャネルホットエレクトロン注入を行うメモリセルアレイを有する半導体記憶装置およびその駆動方法を提供する。 - 特許庁

An extraction matching means 90 successively reads a plurality of extraction pattern files memorized in a extraction pattern memory section 108, and successively compares this with extraction object documents read out from an extraction object document memory section 102.例文帳に追加

抽出マッチング手段９０は、抽出パターン記憶部１０８に記憶されている複数の抽出パターンファイルを順次読み出して、これと、抽出対象文書記憶部１０２から読み出した抽出対象文書とを順次マッチングする。 - 特許庁

The unit injector 1 comprises a shape memory element 14, an injection pump 2 pressurizing fuel in a boosting chamber 9 after receiving the shrinkage of the shape memory element 14, and an injection valve 1 which injects fuel when pressurized fuel is supplied.例文帳に追加

ユニットインジェクタ１は、形状記憶素子１４と、形状記憶素子１４の収縮を受けて昇圧室９内の燃料を加圧する噴射ポンプ部２と、加圧された燃料が供給されると燃料を噴射する噴射弁部１とを備える。 - 特許庁

This shape memory alloy heating system by electromagnetic induction has a transmitting part composed of an oscillator circuit, an amplifier circuit and a transmitting coil, a receiving part composed of a receiving coil and a resonance synchronization circuit, and a shape memory alloy element connected thereto as a load.例文帳に追加

発振回路、増幅回路及び発信コイルからなる発信部と、受信コイル及び共振同調回路からなる受信部、又これに接続された形状記憶合金素子を負荷とする電磁誘導による形状記憶合金加熱システムを作る。 - 特許庁

To control access to each memory area of an IC chip relating to a non-contact IC function, and to properly acquire information relating to the propriety of access to each memory area in a mobile communication terminal having a non-contact IC function.例文帳に追加

非接触ＩＣ機能を有する移動通信端末において、非接触ＩＣ機能に係るＩＣチップのメモリエリア毎にアクセスを制御すると共に当該メモリエリア毎のアクセス可否に関する情報の取得が適切に行われることを可能にする。 - 特許庁

The HDD recorder further has an EPG memory for storing EPG data and a composition unit which puts the CM data recorded in the second recording area together with the EPG data read out of the EPG memory when an EPG screen call key is operated.例文帳に追加

ＨＤＤレコーダは、さらに、ＥＰＧデータを記憶するＥＰＧメモリと、ＥＰＧ画面呼び出しキー操作時に上記ＥＰＧメモリから読み出したＥＰＧデータに第２の記録領域に記録されているＣＭデータを合成する合成部とを備えている。 - 特許庁

A selection frame to select the page image is also displayed on the list image, and after the selection frame is arbitrarily moved by the operation of a user, the selection frame is again stored in the empty memory of the image memory 3 to display the page image.例文帳に追加

一覧画像にはページ画像を選択するための選択枠も表示され、ユーザの操作により選択枠が任意に移動された後、その選択枠が示すページ画像が再び画像メモリ３の空きメモリに格納され、そのページ画像は表示される。 - 特許庁