「Memory」に関連した英語例文の一覧と使い方(983ページ目) - Weblio英語例文検索

Thereby, the number of erase pulses applied excessively to the memory cell becoming verify-pass can be reduced more than conventional one, consequently, the number of memory cells being an object of excessive erasure recovery writing S9 is reduced, and the total of a block blanking time can be shortened.例文帳に追加

これにより、ベリファイパスとなったメモリセルに対して過剰に印加される消去パルス数を従来よりも低減でき、その結果過消去リカバリ書込Ｓ９の対象となるメモリセル数が減り、ブロック消去時間の総計を短くすることができる - 特許庁

Furthermore, a partial image memory 105 is further provided for storing partial images, and the image processing circuit 107 generates the stereoscopic image from a partial image stored in the partial image memory 105 and a partial image deviating the relevant partial image for predetermined pixels.例文帳に追加

また、部分画像を記憶する部分画像用メモリ１０５をさらに備え、画像処理回路１０７は、部分画像用メモリ１０５に記憶された部分画像と、当該部分画像を所定の画素分ずらした部分画像とから立体画像を生成する。 - 特許庁

The submitted data and the edited data are stored in a memory 7 and when set time comes (YES in #3), the printing is started in the printing order set in the printing task based on the latest data stored in the memory 7.例文帳に追加

入稿されたデータ及び編集されたデータはメモリ７に記憶され、設定された時間になると（＃３においてＹＥＳ）、メモリ７に記憶された最新データに基いて印刷タスクにおいて設定されている印刷順序で印刷を開始する（＃４）。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor storage device which includes 1T1R memory cells, each having one transistor and one resistance variable element that allows simplifying a structure so that a fine-sized memory cell is attained, and to provide a method for manufacturing the storage device.例文帳に追加

１つのトランジスタと１つの抵抗変化素子とを用いた１Ｔ１Ｒ型のメモリセルであって、抵抗変化素子の構造を簡素化することにより、微細化できるメモリセルを有する不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Since this identification result is different from contents (increase change) shown by the increase/decrease data K in the nonvolatile memory 17, the output signal level is reversed to a low level, and the increase/decrease data K stored in the nonvolatile memory 17 is erased (S13).例文帳に追加

この識別結果は不揮発性メモリ１７の増減データＫが示す内容（増加変化）とは異なるから出力信号レベルはローレベルに反転されるともに、不揮発性メモリ１７に記憶された増減データＫが消去される（Ｓ１３）。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device in which a characteristic for holding data of a memory cell is not deteriorated by preventing overlap of shifting to a non-activation state and data access by address transition without causing delay of an access time, and to provide its control method.例文帳に追加

アクセス時間の遅れを伴うことなく非活性化状態への移行とアドレス遷移によるデータアクセスとの重なりを防止して、メモリセルのデータ保持特性を悪化させることのない半導体記憶装置とその制御方法を提供すること - 特許庁

After booting, host information is given to the host and when the effect is confirmed, in order to give information on the start of processing to the processor, an interruption signal is generated and released by the access operation of a message performed by way of the special memory area of a dual port memory.例文帳に追加

ブート後はブート情報をホストへ通知し、その旨を確認したならば処理装置へ処理開始の情報を通知するため、デュアルポートメモリの特別なメモリエリアを介して行うメッセージのアクセス動作による割込信号の発生と解除で行う。 - 特許庁

To provide a semiconductor integrated circuit equipped with a flip-flop type memory cell such as an SRAM, which reduces cycle time and power consumption, further suppresses increase in the area thereof while preventing data destruction of a non-selection memory cell during write circle.例文帳に追加

ＳＲＡＭのようなフリップフロップ型メモリセルを備えた半導体集積回路において、書込みサイクル時の非選択メモリセルのデータ破壊を回避しつつ、サイクルタイムを短縮し、かつ消費電力を低減し、さらに、面積増大を抑制できるようにする。 - 特許庁

An input data signal is transmitted to a memory bank performing write-in operation through a wrote-in data path WP, and an output data signal is transmitted to an input/output pin from a memory bank performing read-out operation through a read-out data path RP.例文帳に追加

書込データ経路ＷＰを通じて入力データ信号が書込み動作を実行するメモリバンクに伝送され、読出しデータ経路ＲＰを通じて出力データ信号が読出し動作を実行するメモリバンクから入力／出力ピンに伝送される。 - 特許庁

An application start processing part 450 loads a desired shared module on a memory when it is determined that the shared module is not loaded and generates a desired instance on the memory when it is determined that the instance is not generated.例文帳に追加

アプリケーション起動処理部４５０が、所望の共有モジュールがロードされていないと判断した場合に、当該共有モジュールをメモリ上にロードし、所望のインスタンスが生成されていないと判断した場合に、当該インスタンスをメモリ上に生成する。 - 特許庁

At least information on one unlocking time is stored in a memory 521, and an unlocking control section 523 is automatically unlocked when an unlocking time stored in the memory 521 comes by referring to the present time of a timepiece section 524.例文帳に追加

メモリ５２１に少なくとも一つの開錠する時刻情報を記憶しておき、開錠制御部５２３が時計部５２４の現在時刻を参照して、メモリ５２１に記憶されている開錠時刻となった時に自動に開錠するようにした。 - 特許庁

In the memory device, array power generating circuits each of which supplies an array power voltage Vdds to a corresponding array block and peripheral power generating circuits each of which supplies a peripheral power voltage Vddp to a peripheral circuit are provided at surroundings of respective memory array blocks.例文帳に追加

各メモリアレイブロックの周囲には、対応するメモリアレイブロックへアレイ電源電圧Ｖｄｄｓを供給するアレイ電源発生回路と、周辺回路に周辺電源電圧Ｖｄｄｐを供給する周辺電源発生回路とが配設される。 - 特許庁

The RAM measuring block 13 realizes high-speed RAM monitoring by separating two processing timings of the processing timing between the first block 2 and the shared memory 16 and the processing timing between the shared memory 16 and the RAM measuring device 14.例文帳に追加

ＲＡＭ計測ブロック１３は、第１のブロック２と共有メモリ１６の間の処理タイミングと、共有メモリ１６とＲＡＭ計測装置１４の間の処理タイミングとの２つの処理タイミングを分離することにより、高速なＲＡＭモニタを実現する。 - 特許庁

For saving images in the saving memory, an inquiry is made of each terminal providing images (S12, S14), and according to the response, whether or not to save the received images in the saving memory is determined (S13, S15).例文帳に追加

ここで、保存用メモリに画像を保存する際には、画像の提供元の各端末に対して問い合わせを行い（Ｓ１２、Ｓ１４）、その応答に基づいて受信した画像の上記保存用メモリへの画像の保存の可否を決定する（Ｓ１３、Ｓ１５）。 - 特許庁

A controller 11 performs control for storing thumbnail data generated from the stream data in the first storage area 31a of the buffer memory 10, and make the stream data stored in the second storage area 31b of the buffer memory 10 when stream data are reproduced.例文帳に追加

コントローラ１１は、ストリームデータの再生時に、バッファメモリ１０の第１の記憶領域３１ａに該ストリームデータから生成されたサムネールデータを格納させ、バッファメモリ１０の第２の記憶領域３１ｂに該ストリームデータを格納させるよう制御する。 - 特許庁

To generate a memory test pattern by VHDL description with respect to its method, device and program simply if a data sheet and a memory test sequence are prepared, without any knowledge of a very high speed integrated hardware description language (VHDL) and skill of circuit designing.例文帳に追加

本発明はメモリテストパターン合成方法，装置及びプログラムに関し，ＶＨＤＬの知識や回路設計スキルがなくても，メモリのデータシートやメモリテストシーケンスを用意すれば簡単にＶＨＤＬ記述のメモリテストパターンを作成できることを目的とする。 - 特許庁

The following control is performed in the image forming apparatus provided with a registration/management memory 30 for storing the management/registration information and a printer 15 for printing management/registration information stored in the memory 30 on sheets of recording paper.例文帳に追加

管理・登録情報を蓄積する登録・管理用メモリ３０と、この登録・管理用メモリ３０に蓄積されている管理・登録情報を記録紙に印字するプリンタ１５とを備えた画像形成装置において、次のような制御を行う。 - 特許庁

To obtain a magnetic thin film memory employing a magnetoresistive effect element 41 as a memory element in which erroneous writing or incomplete writing due to saturation magnetization of a magnetic film or variation of coercive force incident to variation working temperature dependent significantly on the environment is reduced.例文帳に追加

磁気抵抗効果素子４１をメモリ素子として用いた磁気薄膜メモリ装置において、環境により使用温度が大きく異なり、温度変化に伴う磁性膜の飽和磁化や保磁力の変化による誤書き込みや書き込み不良などの低減。 - 特許庁

When the SID signal indicates it own telephone number, the facsimile machine conducts no memory reception for the information received in the ring-type multiple address reception mode, but when the SID signal indicates a telephone number different from its own telephone number, the facsimile machine conducts memory reception.例文帳に追加

ここで、ＳＩＤ信号が自機電話番号を示すときには、リング型同報受信モードにより受信する情報に対してメモリ受信を行わなず、ＳＩＤ信号が自機電話番号と異なる電話番号を示すときには、メモリ受信を行う。 - 特許庁

Further, a memory for storing received picture information is provided, and it is desirable to be able to select an optional page among pieces of picture information stored in the memory to print the selected page and to print the selected page and succeeding pages in the both sides mode.例文帳に追加

さらに、受信した画情報を記憶するメモリを設け、そのメモリに記憶した画情報から任意の頁を選択してその頁を印刷させたり、選択した頁以降の頁を両面モードで印刷させたりできるようにするとよい。 - 特許庁

When receiving a full depression operation signal from a release switch SW2b, the microcomputer 101 starts photographing and makes the sound data stored in the sound primary memory 151 correspond to photographed image data and records them into a memory card 119.例文帳に追加

マイクロコンピュータ１０１は、レリーズスイッチＳＷ２ｂから全押し操作信号が入力されると撮影を開始させ、音声一次メモリ１５１に記憶された音声データと、撮影された画像データとを関連づけてメモリカード１１９にそれぞれ記録する。 - 特許庁

To provide a device and a method for displaying an image displaying an interlace signal on an image display device without a frame memory and displaying with picture quality equal to the time when the frame memory is used answering to a high frequency interface signal.例文帳に追加

インターレース信号をフレームメモリなしで画像表示装置に表示できるとともに、高周波ののインターレース信号に対応し、フレームメモリを用いたときと同等の画質で表示できる画像示装置および画像表示方法を提供する。 - 特許庁

To reduce throughput within a processor in processing of a memory access instruction such as a vector load instruction which can access a plurality of element data stored at an address interval designated by instruction by one instruction by use of a compression memory access request.例文帳に追加

命令で指定したアドレス間隔で記憶された複数の要素データを１命令でアクセスできるベクトルロード命令のようなメモリアクセス命令を、圧縮メモリアクセスリクエストを用いて処理する場合のプロセッサ内での処理量を削減すること。 - 特許庁

At purchase of the mobile phone, a user loads the memory card to the mobile phone and the user selects data required for or congenial to the user on a display picture by each item of the data group and writes selected data to the built-in memory of the mobile phone.例文帳に追加

ユーザは携帯電話機の購入時に、メモリカードを携帯電話機に装着し、ユーザが必要とする又はユーザの好みに合うデータをデータ群の各項目ごとにユーザが表示画面で選択し、選択データを携帯電話機の内蔵メモリに書き込む。 - 特許庁

The control part updates stored information of the memory, executes true or false determination for specific partial information within the information stored in the memory, and causes the protection mechanism part to prohibit charge or discharge when an error is detected in the true or false determination.例文帳に追加

制御部は、メモリの記憶情報を更新し、メモリに記憶された情報の内の特定の一部の情報について正誤判定を行い、その正誤判定で誤りが検出された際に保護機構部で充電又は放電を禁止させる。 - 特許庁

Thereafter, when a password is input from a user through an operation part 3, a value of a data register and a program stored in a flash ROM 2b of the external memory 1 are transmitted to the PLC, and data stored in an internal memory of the PLC are rewritten.例文帳に追加

その後、操作部３を介してユーザからパスワードが入力されると、外部メモリ１のフラッシュＲＯＭ２ｂに記憶されているプログラム及びデータレジスタの値をＰＬＣに送信して、ＰＬＣの内部メモリに記憶されているデータを書き換える。 - 特許庁

Prior to making a memory independently provided on the outside of a camera store image data photographed using an image pickup element from a camera memory 101a, it is determined whether or not a private image or data having a high confidentiality is added to the image data.例文帳に追加

撮像素子を用いて撮像した画像データをカメラメモリ１０１ａからカメラ外部に別途設けられたメモリに記憶させるのに先立って、画像データにプライベート画像又は機密性が高いことを示すデータが付加されているか否かを判定する。 - 特許庁

This memory is a non-volatile memory having first and second source/drain area SD1, SD2 on the surface of a semiconductor substrate, and a non-conductive trap gate TG and a conductive floating gate CG on a channel area between SD1 and SD2 through an insulating film.例文帳に追加

半導体基板の表面に、第１及び第２のソース・ドレイン領域ＳＤ１，ＳＤ２と、その間のチャネル領域上に、絶縁膜を介して非導電性のトラップゲートＴＧと導電性のフローティングゲートＣＧとを有する不揮発性メモリである。 - 特許庁

The horizontal linearity correction circuit is characterized in that a line memory stores a received video signal, an interpolation factor generated from the polynomial function is used to read the video signal from the line memory so as to correct horizontal linearity.例文帳に追加

入力される映像信号をラインメモリに映像信号をを書き込み、多項式関数から発生した補間係数を用いて、映像信号をラインメモリから読み出すことにより、水平リニアリティ補正を行うことを特徴とした水平リニアリティ補正回路。 - 特許庁

If it determines that the timing of receiving the memory clear signal does not coincide with the timing of starting the power source, the memory clear signal is nullified.例文帳に追加

そして、払出制御部において、メモリクリア信号を受信した場合に、メモリクリア信号の受信タイミングが電源立ち上げ時であるかどうか判断し、メモリクリア信号の受信タイミングが電源立ち上げ時でないと判断したとき、当該メモリクリア信号を無効とする。 - 特許庁

In addition, the image data itself are compressed and encoded by the compression/encoding means 113, the compressed and encoded image data and encoded feature data are recorded in an image data memory 115 by a memory control means 114.例文帳に追加

また、画像データ自体は圧縮／符号化手段１１３で圧縮および符号化され、この圧縮および符号化された画像データと、前記符号化された特徴データとは、メモリー制御手段１１４により画像データメモリー１１５に記録される。 - 特許庁

When a full-depression operation signal is input from a release switch SW2b, the microcomputer 101 starts photographing, associated with the voice data stored in the voice primary memory 151 are made to associate with photographed image data, and records respective pieces of data into a memory card 119.例文帳に追加

マイクロコンピュータ１０１は、レリーズスイッチＳＷ２ｂから全押し操作信号が入力されると撮影を開始させ、音声一次メモリ１５１に記憶された音声データと、撮影された画像データとを関連づけてメモリカード１１９にそれぞれ記録する。 - 特許庁

A routing address generating part 5 exclusively ORs one bit of a routing address as one part of the memory access address and one bit except the routing address of the memory access address for very vector element as a new routing address in place of one bit of the routing address.例文帳に追加

ルーティングアドレス生成部５は、各ベクトル要素毎に、メモリアクセスアドレスの一部であるルーティングアドレスの１ビットとメモリアクセスアドレスのルーティングアドレス以外の１ビットとの排他的論理和をとり、ルーティングアドレスの１ビットと置き換えて新たなルーティングアドレスとする。 - 特許庁

The image forming apparatus accepts the selection of job to the data in the USB memory connected to the apparatus, and as for the last job in the selected jobs, executes after detecting that the connected USB memory is removed.例文帳に追加

画像形成装置に接続されたＵＳＢメモリ内のデータに対するジョブの選択を受け付け、選択されたジョブのうち最後に残ったジョブについては、当該接続されたＵＳＢメモリが取り外されたことを検知したあとに実行する画像形成装置。 - 特許庁

A server 2 has: a main memory 22 storing basic data indicative of low quality and difference data for each quality for each content; and a sub-memory 23 storing a quality constitution table where each quality is correlated with constitution data constituting the quality.例文帳に追加

サーバ装置２は、コンテンツごとに、低品質を表す基本データと各品質間の差分データとを記憶するメインメモリ２２と、各品質と該品質を構成する構成データとが対応づけられた品質構成テーブルを記憶するサブメモリ２３とを有する。 - 特許庁

The device has one or more slots 27 to insert the flash memory modules into a casing 10 and a processing circuit 28 to transfer the data among the flash memory modules and the large capacity digital storage device 20 is included in the casing 10.例文帳に追加

装置は筐体１０にフラシュメモリーモジュールを挿入するための一つ以上のスロット２７を持ち、筐体１０の中には、フラシュメモリーモジュールと大容量デジタル貯蔵装置２０の間でデータ転送を行う処理回路２８が含まれている。 - 特許庁

An internal impedance value in an initial state of each pre-measured battery cell at a stage of a manufacturing process is stored in the memory, and the internal impedance newly obtained during charging is stored for update in the memory every time charge/discharge is repeated.例文帳に追加

メモリには予め製造工程の段階で測定された各電池セルの初期状態における内部インピーダンスの値が記憶されており、充放電が繰り返される毎に、充電時に得た新たな内部インピーダンスをメモリに記憶して更新する。 - 特許庁

The interface circuit 4 performs an access operation at prescribed access timing which is prescribed in the memory 3, the first CPU 1 and the second CPU 2 perform access operations at timing equal to or faster than double of the prescribed access timing which is prescribed in the memory 3.例文帳に追加

インターフェース回路４は、メモリ３で規定されている規定アクセスタイミングでアクセス動作を行い、第１のＣＰＵ１および第２のＣＰＵ２は、メモリ３で規定されている規定アクセスタイミングの２倍以上のタイミングでアクセス動作を行う。 - 特許庁

This memory card holder 1 has a spread type notebook shape having panels 2 and 3 connected by a hinge part 4 and is provided with a holder part 9 having a recessed part for storing a liquid crystal display 5, a determination key 6, a cursor key 7, and a memory card 8.例文帳に追加

メモリカードホルダ１は、パネル２と３とがヒンジ部４によって結合された見開き式のブック型形状を有しており、液晶表示装置５、決定キー６、カーソルキー７、メモリカード８を収納するための凹部をなすホルダ部９を備えている。 - 特許庁

A memory for storing an output port required for respective route information pieces of a layer 2 and a layer 3 is shared by the layer 2 and the layer 3, and the output port is stored in an output port table 150A shared by L2 and L3 to save the memory.例文帳に追加

レイヤ２とレイヤ３のそれぞれの経路情報に必要であった出力ポートを格納するメモリを、レイヤ２とレイヤ３で共通とし、出力ポートをＬ２Ｌ３共通出力ポートテーブル１５０Ａに格納し、メモリの削減を行う。 - 特許庁

The card reader 2-1 is provided with a CPU 3 for integrally controlling the entire operation thereof, and a memory 4 and a nonvolatile memory 5 connected to the CPU store the sound emitting data corresponding thereto in the main POS device 1.例文帳に追加

カードリーダー２−１には、その全体動作を複合的に制御するためのＣＰＵ３が設けられ、このＣＰＵ３に接続されたメモリ４と不揮発性メモリ５は、それぞれに対応付けられた放音データをＰＯＳ主装置１に格納するものである。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a ferroelectric memory which reduces a thermal load for restoring the characteristics of a ferroelectric capacitor, and to provide the manufacturing method of a semiconductor device and the ferroelectric memory as well as the semiconductor device employing the manufacturing methods.例文帳に追加

強誘電体キャパシタの特性を回復するための熱負荷を低減することができる強誘電体メモリの製造方法、半導体装置の製造方法、及びこの製造方法を用いた強誘電体メモリ、半導体装置を提供する。 - 特許庁

Methods and apparatuses for comparing a first security domain of a first memory page of a physical device to a second security domain of a second memory page of the physical device, with a plurality of security domains being stored in one or more registers of a processor of the physical device are included.例文帳に追加

物理デバイスの第一のメモリページの第一のセキュリティドメインから該物理デバイスの第二のメモリページの第二のセキュリティドメインを、物理デバイスのプロセッサの一以上のレジスタに保存される複数のセキュリティドメインと比較する方法および装置を含む。 - 特許庁

The actuator is constituted of the shape memory alloy in which a shape storage is performed in a prescribed size and an energizing means which performs the loading of external force to the shape memory alloy to change the size, and the position of the member to be driven is controlled by using this.例文帳に追加

所定寸法に形状記憶された形状記憶合金と、形状記憶合金に対して外力を負荷して寸法を変化させる付勢手段と、でアクチュエータを構成し、これを使用して被駆動部材の位置を制御する制御装置。 - 特許庁

The same video image signal is simultaneously recorded as a moving image file in a memory card 128 by a memory card recording and reproducing part 124 with a second compression system for every one cut from the start of one recording to the stop of recording in the tape recording and reproducing part 105.例文帳に追加

テープ記録再生部１０５における１回の記録開始から記録停止までの１カット毎に、同じ映像信号をメモリカード記録再生部１２４によってメモリカード１２８に第２の圧縮方式にて同時に動画ファイルとして記録する。 - 特許庁