「STRESS TEST」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a socket for an electric test of a semiconductor device capable of reducing bending stress in a plate spring type contact, and of satisfying a requirement of high contact force exceeding 300 gf per contact pin.例文帳に追加

板バネ方式のコンタクトにおいて曲げ応力を軽減でき、コンタクト１ピンあたり３００ｇｆを超える高い接触力の要求を満足できる半導体装置の電気テスト用ソケットを提供すること。 - 特許庁

To provide an SCC imparting device to a small diameter nozzle of a test object, capable of supplying effectively and stably a load for imparting a stress corrosion cracking (SCC), capable of simplifying structure, and capable of reducing a cost.例文帳に追加

荷重を効果的且つ安定的にＳＣＣ付与用に供給することができるとともに構造の簡素化及びコストの低減が図れる小口径ノズル試験体へのＳＣＣ付与装置を提供する。 - 特許庁

Also, at the time of an operation test before shipping, the number of write and erase pulses and an optimum value of drain voltage and source voltage in a range in which over-stress is not given to a memory cell are measured.例文帳に追加

また、工場出荷前の動作試験時に、書き込みまたは消去パルス数の測定と、メモリセルに過剰ストレスを与えない範囲でのドレイン電圧やソース電圧の最適値の測定と、を行う。 - 特許庁

To provide a subject control method capable of holding the vertical stress applied to the shearing surface of a material test piece vertically to an almost constant state and a material testing device.例文帳に追加

材料試験片の剪断面に垂直に加わる垂直応力を略一定な状態に保つことができる材料試験装置における制御方法および材料試験装置を提供する。 - 特許庁

Electrodes 12, which are used exclusively for applying electrical stress, are connected with the respective electrodes which are used for burn-in test out of the electrodes 11 by using rewirings 13 and led out to a central region side of the chip.例文帳に追加

電気的ストレス印加専用電極１２は、電極１１のうちバーンイン試験に利用される各電極に再配線１３を用いて結線され、チップの中央領域側に導出されている。 - 特許庁

To apply appropriate stress to a whole semiconductor integrated circuit including a memory circuit also at a test of reliability such as burn-in in a semiconductor integrated circuit incorporating a memory circuit.例文帳に追加

メモリ回路を内蔵する半導体集積回路において、バーンイン等の信頼性テスト時にメモリ回路まで含めた半導体集積回路全体に適切なストレス印加を行うことが困難である。 - 特許庁

The ratio (r value=ΔD/(ΔD+ΔEl)) obtained from the elongation ΔEl in a tube axis direction when performing tension test by the load of 80% of tensile break stress and the shrinking percentage ΔD is ≥0.28.例文帳に追加

引張破断応力の８０％の荷重で引張試験したときの管軸方向の伸びΔＥｌと外径の縮み率ΔＤより求めた比（ｒ値＝ΔＤ／（ΔＤ＋ΔＥｌ））は０．２８以上である。 - 特許庁

To make analyzable, simply at a low cost, adhesive strength under a shearing stress by flowing fluid, concerning various cells seeded on a test material of a plate shape, a film shape, a three-dimensional carrier or the like.例文帳に追加

板状、膜状、３次元担体等の試験材料に播種した各種細胞について、流動する液体による剪断応力下での接着強度を簡便に低コストで解析可能とする。 - 特許庁

This optical filter 2 for controlling transmission and blocking of test light comprises the optical fiber 7, and a stress applying section 8 having a plurality of projecting parts 9 arranged along a predetermined direction at a predetermined cycle.例文帳に追加

試験光の遮断および透過を制御可能な光フィルタ２は、光ファイバ７と、所定の周期で、所定の方向に沿って配列した複数の凸部９を有する応力付与部８とを備えている。 - 特許庁

In this creep rupture lifetime prediction method, a rupture lifetime is predicted based on each result of a polymer material creep rupture lifetime test in the atmosphere, a tensile test of an organic liquid saturated swelled polymer material under non-stress action, and a tensile test of a non-treated polymer material, when predicting the creep rupture lifetime of the polymer material dipped in an organic liquid.例文帳に追加

有機液体に浸漬した高分子材料のクリープ破壊寿命を予測するに際し、大気中における高分子材料クリープ破壊寿命試験と、無応力作用下における有機液体飽和膨潤高分子材料での引張り試験と、無処理高分子材料での引張り試験の結果をもとに破壊寿命を予測する、クリープ破壊寿命予測方法。 - 特許庁

The ceramic green sheets, which are formed by molding a slurry containing ceramic powder and organic binder to a sheet form and is 0.1 to 15 MPa in yield stress value observed in a tensile test, are used and ≥2 layers of the green sheets are laminated while the pressure equal to or above the yield stress value of the green sheets is impressed thereto.例文帳に追加

セラミック粉末と、有機バインダとを含有するスラリーをシート状に成形してなるセラミックグリーンシートであって、引っ張り試験において観測される降伏応力値が０．１〜１５ＭＰａのセラミックグリーンシートを用いて、グリーンシートの降伏応力値以上の圧力を印加しながら、２層以上のグリーンシートを積層する。 - 特許庁

In blocking the test light, the plurality of projecting parts 9 are butted on the optical fiber 7 so that the predetermined direction matches with the longitudinal direction of the optical fiber 3, and stress is applied to at least one of the stress applying section 8 and the optical fiber 7, thereby forming long cycle grating to the optical fiber 7.例文帳に追加

上記試験光の遮断の際には、上記所定の方向が光ファイバ３の長手方向と一致するように複数の凸部９を光ファイバ７に当接させて、応力付与部８および光ファイバ７の少なくとも一方に応力を加えることにより、光ファイバ７に対して長周期グレーティングを形成する。 - 特許庁

When the fluid is made to flow along a measured object to measure shearing stress acting on the measured object and a direction thereof by the fluid, two hue values are detected based on an image of the shearing stress liquid crystal for measurement photographed by the two color cameras, and the two hue values are compared with the test value stored in the memory.例文帳に追加

被測定物に沿って流体を流し、流体により被測定物に作用する剪断応力とその方向を測定するには、２つのカラーカメラによって撮影された測定用の剪断応力液晶の画像に基づいて２つの色相値を検出し、メモリに格納された検定値と２つの色相値とを比較する。 - 特許庁

To provide a multilayer ceramics substrate that enhances reliability by preventing the occurrence of cracks, even if thermal stress is applied to a ceramic substrate according to the differences of thermal expansion coefficient among the mounted substrates, in heat cycle test and the like.例文帳に追加

温度サイクル試験等において、実装基板との熱膨張係数の差によりセラミックス基板に熱応力が加わっても、クラックの発生を防止し、信頼性を高めることができる積層セラミックス基板を提供する。 - 特許庁

A reliability test corresponding to thermal stress which the electronic appliance or the like encounters in the market is executed by using a new printed circuit board beforehand and a residual service life corresponding to the using period or the like of the printed circuit board is calculated.例文帳に追加

あらかじめ新品のプリント回路板を使用して、電子機器等が市場において遭遇する熱ストレスに応じた信頼性試験を行い、プリント回路板の使用期間等に応じた余寿命を算出する。 - 特許庁

To restrain variation in sample temperature due to changes in the testing environment, in which a sample is exposed in a cold thermal shock test and variations in heat stress applied to the sample to a minimum.例文帳に追加

冷熱衝撃試験において試料がさらされる試験環境の切り替えに伴う試料温度や試料に付与される熱ストレスのバラツキを最小限に抑制可能な冷熱衝撃試験装置の提供を目的とする。 - 特許庁

In the austenitic stainless steel foil as a stainless steel strip for a spring of JIS Z 4313 SUS301-CPS, a yield point is exhibited in a stress-strain diagram on a tensile test based on JIS Z 2241.例文帳に追加

ＪＩＳ Ｚ ４３１３ ＳＵＳ３０１−ＣＰＳのばね用ステンレス鋼帯であるオーステナイト系ステンレス鋼箔において、ＪＩＳ Ｚ ２２４１に基づいて引張試験をしたときの応力—歪み線図に降伏点を発現させる。 - 特許庁

After a precipitate containing Cr is precipitated in the test piece of low-carbon stainless steel or an Ni-based alloy by heat treatment, stress corrosion cracking is produced under a corrosive environment due to a corrosive liquid.例文帳に追加

低炭素ステンレス鋼やＮｉ基合金の試験片に熱処理によりＣｒを含む析出物を析出させるようにした後、腐食液による腐食環境下で応力腐食割れを発生させるようにする。 - 特許庁

By paying attention that the rupture of an outermost soldering part causes the failure in BGA, a rupture regression line is created based on FEM stress calculation at the site and a chill impact test, and various BGA rupture timing is estimated.例文帳に追加

ＢＧＡの不良原因が最外半田部の破断であることに注目し、該部位のＦＥＭ応力計算及び冷熱衝撃試験を基に破断回帰線を作成し、様々なＢＧＡの破断時期を予測する。 - 特許庁

To provide a means for determining whether the stress as prescribed is exerted or not at the disturbance test for a semiconductor storage device, at a low cost and without increasing the area of a chip.例文帳に追加

半導体記憶装置に対するディスターブ試験の際に規定した通りのストレスが印加されたか否かを判定するための手段を、チップ面積を増大させることなく且つ低コストに設けられるようにする。 - 特許庁

To provide a method for applying to hydrogen embrittlement evaluation of a steel sheet, a conventional hydrogen embrittlement evaluation test method of a bar steel member for determining a hydrogen amount after breaking, by applying plating and loading a stress after charging hydrogen.例文帳に追加

水素チャージ後、めっきして応力を負荷し、破断後の水素量を求める従来の条鋼部材の水素脆化評価試験方法を、薄鋼板の水素脆化の評価に適用するための方法を提供する。 - 特許庁

An arbitrary region of a test piece 2 the same to a metal member constituting an actual machine plant is coated with a metal having a m.p. lower than that of the test piece 2 over an arbitrary range and, after welding heat is applied to the vicinity of the coated region, the coated region is cooled to generate a grain boundary stress corrosion crack within the range of the coated region.例文帳に追加

実機プラントを構成する金属部材と同じ試験体２の任意の部位に、この試験体２よりも低融点の金属を含む塗料を任意の範囲に亘って塗布し、この塗布部５近傍に溶接熱を加えた後、冷却させてその塗布部５範囲内に粒界応力腐食割れＣを発生させる。 - 特許庁

To provide a contact wherein an electric conduction test is surely made and a lead terminal is protected, and operability, durability and test precision are improved and a downsizing of IC socket is made possible while minimizing a pressing load and stress generation, by extremely reducing a wiping phenomenon between a lead terminal and a terminal junction part at the time of pressure contact.例文帳に追加

リード端子と端子接点部との接圧時におけるワイピング現象を極減させることにより、通電検査を確実にするとともにリード端子を保護し、押圧荷重、発生応力を小さくして操作性、耐久性及び検査精度を向上させ、しかもＩＣソケットの小型化が可能なコンタクトを提供すること。 - 特許庁

At the time of a burn-in test or at the time of a stress test, row decode-signals RD0-RD15 are outputted simultaneously from a row decoder section 9 of each block, each word line drive timing control signal generating circuit 17 generates row post decode-signals RPD0-RPD15 to which the row decode signals RD0-RD15 are delayed in order.例文帳に追加

バーンイン試験時又はストレス試験時には、各ブロックのロウデコーダ部９からロウデコード信号ＲＤ０〜ＲＤ１５が同時に出力されるが、各ワード線駆動タイミング制御信号発生回路１７は前記ロウデコード信号ＲＤ０〜ＲＤ１５を順番に遅延したロウポストデコード信号ＲＰＤ０〜ＲＰＤ１５を発生する。 - 特許庁

In this test method, after a surface mounting type chip part 2 is connected and fixed onto a board 6 by lead-free solder 17, bending stress is applied to the soldered part 17 of the chip part 2 to the board 6 by combination of a fixing clamper 9 and a movable clamper 10 of the fixture 8 to be offered for the acceleration test in this state.例文帳に追加

基板６上に表面実装型のチップ部品２を鉛フリーはんだ１７で接続固定した後、基板６に対するチップ部品２のはんだ付け部１７に治具８の固定用クランパ９と可動式クランパ１０との組み合せにより曲げストレスを加え、この状態で加速試験に供するようにした試験方法。 - 特許庁

At the burn-in time, the scan chain 11 is set in the enable state, based on a scan enable signal, and the scan chain 21 is set in the disenable state, based on the scan enable signal and a memory test start signal; and stress is applied simultaneously to the user logic circuit 10 by the scan test, and to the memory 40 by BIST.例文帳に追加

バーンイン時には、スキャンイネーブル信号に基づきスキャンチェーン１１がイネーブルに設定されると共に、スキャンイネーブル信号及びメモリテスト開始信号に基づきスキャンチェーン２１がディスイネーブルに設定され、ユーザロジック回路１０はスキャンテストにより、メモリ４０はＢＩＳＴにより同時にストレス印加される。 - 特許庁

The transistor including the oxide semiconductor film on which the dehydration or dehydrogenation process by heat treatment has been performed and on which the oxygen doping process has been performed in the manufacturing process, has a smaller amount of change in the threshold voltage of the transistor before and after the bias-thermal stress test (BT test), and therefore the transistor has high reliability.例文帳に追加

熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 - 特許庁

The transistor having an oxide semiconductor film treated by dehydration or dehydrogenation treatment by heat treatment, and treated by oxygen doping treatment in steps for manufacturing the same, can reduce the amount of change of a threshold voltage of the transistor even before and after a bias-thermal stress test(BT test), and have high reliability.例文帳に追加

熱処理による脱水化または脱水素化処理を行った酸化物半導体膜を含み、且つ、作製工程において酸素ドープ処理されたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 - 特許庁

The apparatus has a load means 2 for applying a stress or the like to a test piece 5 having a through hole 6, a detecting means 3 for detecting an area of the through hole 6 of the test piece 5, and an operating means 4 for calculating an apparent crack length L from the detected area of the through hole 6.例文帳に追加

この発明の評価装置１は、貫通孔６を形成した試験片５に応力等を加えるための負荷手段２と、前記試験片５の貫通孔６の面積を検知する検知手段３と、検知した貫通孔６の面積から見掛け亀裂長さＬを算出する演算手段４とを有することを特徴とする。 - 特許庁

The transistor having a gate insulating film treated by oxide doping treatment and the oxide semiconductor film treated by dehydration or dehydrogenation treatment by heat treatment, can reduce the amount of change of a threshold voltage of the transistor even before and after a bias-thermal stress test(BT test), and have high reliability.例文帳に追加

酸素ドープ処理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 - 特許庁

A transistor having a gate insulation film on which the oxygen dope processing is performed, and an oxide semiconductor film on which dehydration by heat treatment or dehydrogenation treatment is performed can reduce an amount of change of a threshold voltage of the transistor even before and after a bias-thermal stress test (BT test), and can be highly reliable.例文帳に追加

酸素ドープ処理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 - 特許庁

On the other hand, a relation between a load P and a depth h is determined by an indentor indentation test using each conical indentor, and an indentation load coefficient C and a composite Young's modulus E^* are determined therefrom, and further a representative stress σ_r is determined from the dimensionless relation.例文帳に追加

一方、各円錐圧子を用いた圧子押込み試験により、荷重Ｐと深さｈの関係を求め、これから、押込み荷重係数Ｃおよび複合ヤング率Ｅ^＊を求め、さらに無次元関係から代表応力σ_ｒを求める。 - 特許庁

To provide a test piece and an evaluation method for the adaptability of a ceramic base material to a ceramic glaze by which a stress generating in between the base material and the glaze at burning can be evaluated in consideration of the influence of mutual effect.例文帳に追加

焼成時に発生する陶磁器用素地と陶磁器用釉薬の間の応力を相互効果の影響を加味して評価できる評価用試験体と陶磁器用素地と陶磁器用釉薬の適合度評価方法を提供する。 - 特許庁

In the bending testing device 1, the uniform bending stress can be generated in the whole circuit board 9 by this constitution, while determining selectively the bending direction of the circuit board 9, when performing the bending fatigue test of the circuit board 9.例文帳に追加

これらの構成により、曲げ試験装置１では、回路基板９の曲げ疲労試験を行う際に、回路基板９の曲げ方向を選択的に決定しつつ回路基板９全体に均一な曲げ応力を生じさせることができる。 - 特許庁

A power supply Vcc is supplied to the internal circuit of a semiconductor chip pulsingly from 0 V to a burn-in voltage Vbi, thus giving a current stress to the entire internal circuit and hence performing a burn-in test efficiently.例文帳に追加

半導体チップの内部回路に対してＶｃｃ電源を０Ｖからバーンイン電圧Ｖｂｉまでバルス状に供給することにより、内部回路全体に電流ストレスを与えることにより、効率良くバーンイン試験を行う。 - 特許庁

To provide a means for securing an electric insulation between a specimen and a displacement detector, that is hardly damaged without requiring a large space, so as to easily and accurately carrying out a material test such as for a stress corrosion crack.例文帳に追加

損傷しにく、かつ大きなスペースを必要としない、試験体と変位検出器との間の電気的絶縁を確保する手段を提供し、応力腐食割れ試験等の材料試験を容易かつ精度良く行うこと。 - 特許庁

To obtain a method for generating higher stress in a thin-film material, and an appropriate tool for executing the method in the tool for measuring strength being used for the biaxial tension test of the thin-film material using a one-axis tension tester.例文帳に追加

１軸引張試験機を用いて薄膜材料の２軸引張試験を行うのに用いる強度測定治具において、薄膜材料により高い応力を発生させる方法及びこの方法の実施に好適な治具を提供する。 - 特許庁

To provide a shear tester for a rock-bed discontinuous surface with relative displacement prevented from occurring between upper and lower shear boxes while offset load and stress prevented from concentrating at a shear test piece.例文帳に追加

上側せん断箱と下側せん断箱との相対的な位置のズレを防止すると共に、せん断供試体への偏重荷重及び応力集中を防止することができる岩盤不連続面のせん断試験装置を提供する。 - 特許庁

The transistor including the oxide semiconductor on which the dehydrating or dehydrogenating treatment by the heat treatment has been performed in this manner can reduce the instability of electrical characteristics before and after the light irradiation or bias-thermal stress (BT) test.例文帳に追加

この様な熱処理による脱水化または脱水素化処理を施した酸化物半導体層を有するトランジスタは、光照射やバイアス−熱ストレス試験（ＢＴ）試験前後における電気特性の不安定性を改善することができる。 - 特許庁

To provide a sputtering method with less film cracks generated, which can extend an environmental test life when film-forming a film material having large film stress on a resin material, etc., having low heat resistance.例文帳に追加

耐熱温度の低い樹脂材料などに、膜応力が大きい膜材料を成膜するときに、膜クラックの発生が少なく、環境試験寿命を大幅に長くできるスパッタリング方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

The high strength steel plates inclination dσ/dε of a stress distortion diagram between real distortion 3 to 7% found by a tension test of which is more than 5,000 MPa are welded to each other by friction stirring welding (FSW).例文帳に追加

引張り試験で求められた真歪み３〜７％の間における応力歪み線図の傾きｄσ／ｄεが５０００ＭＰａ以上の高強度鋼板どうしを、摩擦撹拌接合（ＦＳＷ）によって互いに接合する。 - 特許庁

There is provided a water-base paint, the specimen for the elongation test made of which according to JIS A 6909 exhibits an elongation at 20°C of at least 120% and a corresponding tensile stress of at least 10 kgf/cm2 and an elongation at 70°C of at least 200% and a corresponding tensile stress of at least 10 kgf/cm2.例文帳に追加

水性塗料であって、このものを用いてＪＩＳ Ａ６９０９に基づいて作成した伸び試験用試験片の２０℃における伸びが１２０％以上およびそのときの引張応力が１０Ｋｇｆ／ｃｍ^2以上、７０℃における伸びが２００％以上およびそのときの引張応力が１０Ｋｇｆ／ｃｍ^2以上である水性塗料。 - 特許庁

A pump circuit 310 constituting a boosting power source (Vpp) generating circuit is provided with a first pump 311 generating a boosting power source, a second pump 312, and a test circuit 400 controlling stress applied to the first pump 311 and the second pump 312 by a signal Φ2 inputted from a ring oscillator, test signals TM1 and TM2.例文帳に追加

昇圧電源（Ｖｐｐ）発生回路を構成するポンプ回路３１０は、昇圧電源を発生する第１のポンプ３１１，第２のポンプ３１２およびリングオシレータから入力される信号Φ２とテスト信号ＴＭ１とＴＭ２とにより第１のポンプ３１１，第２のポンプ３１２にかかるストレスを制御するテスト回路４００を備える。 - 特許庁

Disclosed is a precipitation hardening type aluminum alloy casting composed of an Al-Si-Mg based alloy, wherein repeated fracture number Nf (time) in a rotary bending fatigue test satisfies Nf>2.5×10^(9-σa/50) in a stress amplitude σa[MPa].例文帳に追加

Ａｌ−Ｓｉ−Ｍｇ系合金からなり、回転曲げ疲労試験における繰り返し破断回数Ｎｆ［回］が、応力振幅σａ［ＭＰａ］において、Ｎｆ＞２．５×１０^（９−σａ／５０）を満たす析出硬化型アルミニウム合金鋳物の提供による。 - 特許庁

To provide a fully on-chip wafer level burn-in test circuit and a method thereof, which enables wafer burn-in to be tested by using an external supply voltage and an external signal (WBI) and generating a voltage for a stress screen within the chip.例文帳に追加

本発明は、外部供給電圧と外部信号（WBI）を利用してストレススクリーン用電圧をチップ内部で発生してウェハバーンインテストを行うことを可能にしたフーリオンチップ・ウェハレベル・バーンインテスト回路及びその方法を提供することである。 - 特許庁