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Weblio 辞書 > 英和辞典・和英辞典 > STRESS TESTの意味・解説 > STRESS TESTに関連した英語例文

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STRESS TESTの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 365



例文

To economically produce a pressure hollow barrel body provided with formability as to the conical shape forming operation for the neck part of a cylinder, high resistance to stress corrosion and intergranular corrosion and ductile action at the time of a bursting test under the internal water pressure.例文帳に追加

ボンベ頸部の円錐形成形作業に関する成形性と、応力腐食および粒界腐食に対する高い抵抗と、並びに内部水圧下での破裂試験の際に延性作用とを備えた加圧中空胴体を経済的に製造する。 - 特許庁

To provide a power semiconductor device capable of measuring characteristics of respective semiconductor elements by commonly providing a component and a resin case between modules, and preventing a fault such as a stress or the like in association with an increase in a rated current value and having an easy test and maintenance.例文帳に追加

モジュール間で構成部品や樹脂ケースが共通化され、定格電流値の増大に伴うストレス等の不具合を防止し、各半導体素子個々の特性が測定可能で、テストやメンテナンスが容易な電力用半導体装置を提供する。 - 特許庁

Nondestructive test guarantees about an inner ring 1 and an outer ring 2 that the maximum length of a nonmetallic inclusion existing in a region between a raceway surface and a depth twice a depth τ_st where the maximum shearing stress works is 0.5 mm or less.例文帳に追加

内輪1及び外輪2について、軌道面から最大せん断応力が作用する深さτ_stの2倍の深さまでの間の領域内に存在する非金属介在物の最大長さが0.5mm以下であることを、非破壊検査によって保証した。 - 特許庁

The high-strength steel sheet has alloy components satisfying equation: Ceq (C equivalent)=C+Mn/20+Si/40+4P+2S<0.4 and has a slope dσ/dεof ≥5,000 MPa in a stress-strain diagram in the range where true strain obtained in a tensile test is 3-7%.例文帳に追加

合金成分が、 Ceq(C当量)=C+Mn/20+Si/40+4P+2S<0.4を満たし、かつ、引張り試験で求められた真歪み3〜7%の間における応力歪み線図の傾きdσ/dεが5000MPa以上である高強度鋼板とする。 - 特許庁

例文

The high-strength steel sheet has alloy components satisfying equation: Ceq (C equivalent)=C+Mn/20+Si/40+4P+2S≥0.4 and has a slope dσ/dεof ≥5,000 MPa in a stress-strain diagram in the range where true strain obtained in a tensile test is 3-7%.例文帳に追加

合金成分が、 Ceq(C当量)=C+Mn/20+Si/40+4P+2S≧0.4を満たし、かつ、引張り試験で求められた真歪み3〜7%の間における応力歪み線図の傾きdσ/dεが5000MPa以上である高強度鋼板とする。 - 特許庁


例文

My next question is about the results of a stress test covering European financial institutions that came out last weekend, which implied that seven banks out of the 91 subject banks would face a capital shortfall, a result that markets in countries around the world appear to be reacting positively to. How do you view the results? 例文帳に追加

次に、先週末に欧州の金融機関に対するストレステストの結果が公表されまして、91行中7行が資本不足になると、それを受けて、各国の市場は好感しているようなのですが、大臣として受け止めを。 - 金融庁

Based on the Vce immediately after switching from the thermal stress impressing state to the measuring state, the pellet temperature of the test piece TP immediately after the switching is obtained and from the pellet temperature and the case temperature immediately after the switching, the thermal resistance between the pellet cases is calculated.例文帳に追加

熱ストレス印加状態から測定状態への切換直後のVceに基づいて切換直前のテストピースTPのペレット温度を求め、このペレット温度と切換直前のケース温度とからペレット・ケース間の熱抵抗を算出する。 - 特許庁

This Al-Mg-Si alloy extruded shape material has proof stress of150 N/mm2, and, in an instrumentation Charpy test, the absorbed energy on and after the maximum load point to the absorbed energy till the maximum load point is60%.例文帳に追加

耐力が150N/mm^2以上、かつ計装化シャルピー試験において、最大荷重点までの吸収エネルギーに対して最大荷重点以降の吸収エネルギーが60%以上であるAl−Mg−Si系アルミニウム合金押出形材。 - 特許庁

A power line 7a for feeding a stress voltage in a burn-in test and a GND line 7b for feeding the ground potential are formed on each of dicing regions 5 between semiconductor chips 3, 3 on a semiconductor wafer 1.例文帳に追加

半導体ウエハー1上の半導体チップ3,3間のダイシング領域5に、バーンインテスト時にストレス電圧を供給するための電源ライン7a及び接地電位を供給するためのGNDライン7bがそれぞれ1本ずつ形成されている。 - 特許庁

例文

To provide a test device capable of accurately determining the dynamical property of a discontinuous plane in bedrock reflecting the distortion property of underground cavern bedrock deeply existing as well as constant of normal stress (CNL) and constant of normal displacement (CND).例文帳に追加

垂直応力一定(CNL)、垂直変位一定(CND)のみならず深部に位置する地下空洞岩盤の変形特性を反映した岩盤不連続面の力学的特性を正しく求めることができる試験装置を提供すること。 - 特許庁

例文

More pairs of bit lines are simultaneously connected to a data bus line at the time of a stress test mode than that at the time of a normal write-in mode, and voltage of a H level and a L level are applied to a pair of bit line simultaneously connected from a write-in amplifier connected to the data bus line.例文帳に追加

ストレス試験モードの時に、通常の書き込みモード時より多くのビット線対がデータバス線に同時に接続され、データバス線に接続された書き込みアンプから同時接続されたビット線対にHレベルとLレベル電圧を印加する。 - 特許庁

Since the first ball lands 20a are formed outside four corner parts 38 to which stress is concentrated, occurrence of crack peeling in a solder bonding part with the solder balls at the time of a temperature cycle test is prevented and reduction of the number of pins is suppressed to the minimum.例文帳に追加

第1ボールランド20aが応力の集中する四隅部38外に形成されるので、温度サイクル試験時等に半田ボールとの半田接合部にクラック剥離が発生するのが防止され、ピン数の減少も最小限に抑えられる。 - 特許庁

This system realizes breath-collecting from animal in a condition that enables the animal under test to be in unanesthetized, unrestraint and normal pressure status with stress minimized, as much as possible, by putting the animal into an animal storage container bigger than its body in size, after administering the animal with a ^13C-labeled reactant.例文帳に追加

動物に^13C-標識体を投与した後、動物の体躯より大きな動物収納容器に入れることにより動物を無麻酔、無拘束、常圧の状態におくことを可能とし、ストレスを極力かけない状態での呼気採取を実現した。 - 特許庁

Also, the yield can be improved by testing by using optimum stress applying voltage and discrimination voltage in accordance with internal generation voltage characteristics in a test method of a nonvolatile semiconductor memory in which the gate voltage of a memory cell is generated internally in read-out.例文帳に追加

また、読み出し時にメモリセルのゲート電圧が内部生成される不揮発半導体記憶装置の検査方法においては内部生成電圧特性に応じた最適なストレス印加電圧と判定電圧で検査することで歩留り向上が図れる。 - 特許庁

Since the substrate potential of the semiconductor element 101 is fixed at 0 V by a substrate plate 102, voltage stress is applied between the gate electrode within the semiconductor wafer and the substrate, a burn-in test for the semiconductor element 101 can be conducted.例文帳に追加

半導体素子101の基板電位はサブストレートプレート102により0Vに固定されているため、半導体ウエハー内のゲート電極と基板との間には電圧ストレスがかかるため、半導体素子101にバーンインテストを行うことができる。 - 特許庁

Because the substrate potential of the semiconductor element 101 is fixed at 0 V by a substrate plate 102, voltage stress is applied to between the gate electrode and the substrate of the semiconductor wafer, thereby performing a burn-in test on the semiconductor element 101.例文帳に追加

半導体素子101の基板電位はサブストレートプレート102により0Vに固定されているため、半導体ウエハ内のゲート電極と基板との間には電圧ストレスがかかるため、半導体素子101にバーンインテストを行うことができる。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition excellent in heat resistance, HAST (highly accelerated temperature and humidity stress test) durability and crack resistance after curing while maintaining good storage stability, photosensitivity and alkali developability, and to provide a photosensitive element, a solder resist and a printed wiring board using the composition.例文帳に追加

良好な保存安定性、光感度及びアルカリ現像性を維持しつつ、硬化後の耐熱性、HAST耐性及び耐クラック性に優れる感光性樹脂組成物、並びに、これを用いた感光性エレメント、ソルダーレジスト及びプリント配線版を提供する。 - 特許庁

When a voltage Vst is applied from a word driving circuit 3 to word lines WL, RWL at the time of a burn-in test, it is detected by a voltage detecting circuit VC whether the stress voltage Vst is applied normally to the whole length of each word line WL, RWL.例文帳に追加

バーイン試験時に、ワード線駆動回路3からストレス電圧Vstがワード線WL,RWLに印加されると、電圧検出回路VCにより各ワード線WL,RWLの全長にストレス電圧Vstが正常に印加されたか否かが検出される。 - 特許庁

To provide a polarizer protection film which does not cause cracking even when a deformation stress due to a polarizer is applied, and has excellent durability, to provide a polarizing plate which does not cause cracking after a durability test and has excellent durability and to provide a liquid crystal display device having high durability.例文帳に追加

偏光子による変形応力がかかっても、クラックの発生しない耐久性に優れた偏光子保護フィルム、耐久試験後にクラックの発生しない高い耐久性を有する偏光板及び高い耐久性を有する液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

To provide a tank for storing a low-temperature liquid, which can reduce the number and tensioning force of pieces of vertical prestressing steel of an oil protective barrier in comparison with a conventional type by giving consideration to (including) compressive stress produced by the oil protective barrier due to a leak test by filling water.例文帳に追加

水張試験に起因して防液堤に生じる圧縮応力を考慮(算入)することにより、従来と比較し防液堤の縦方向のPC鋼材の数や緊張力を低減することを可能にした低温液体貯蔵用タンクを提供する。 - 特許庁

To provide a resin composition which exhibits excellent workability, and has small warpage and a sufficient low-stress property, and provide a highly-reliable semiconductor device which prevents peeling even during high-temperature reflow and a temperature cycle test by using the resin composition as die attach material.例文帳に追加

作業性に優れ、反りが小さく十分な低応力性を有する樹脂組成物、該樹脂組成物をダイアタッチ材料として使用することで、高温リフロー、温度サイクル試験を行っても剥離が生じない高信頼性の半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an analysis method feasible by use of a general-purpose computer software and hardware without depending on a simulation test or requiring any expensive investment for analyzing an internal temperature distribution and a stress distribution to an external pressure in a cell structure.例文帳に追加

模擬の試験によらないで、高額な投資を伴うことなく、汎用のコンピュータソフトウエア及びハードウエアの利用によって、実現することが可能な、セル構造体の内部温度分布乃至外部圧力に対する応力分布の解析手段を提供すること。 - 特許庁

The new assessment system affords a method for assessing the effect of a test substance on endoplasmic reticulum stress-derived cell death using as criteria(on) the death and/or morphological or biochemical change induced in undifferentiated cancer cell where the function of a Herp gene on a chromosome is deleted.例文帳に追加

染色体上のHerp遺伝子の機能が欠損している未分化癌細胞に誘起される細胞死および/または形態的あるいは生化学的変化を指標として、被験物質の小胞体ストレス由来細胞死に対する効果を評価する方法。 - 特許庁

In the solar cell lead in which solder plating is coated on the surface of a belt-shaped conductive material 12, the coated solder plating has a rugged part on its surface and a 0.2% proof stress value measured in a tensile test is not more than 90 MPa.例文帳に追加

帯板状導電材12の表面にはんだめっきが被覆された太陽電池用リード線において、前記被覆されたはんだめっきがその表面に凹凸部を有し、かつ、引張試験における0.2%耐力値が90MPa以下としたものである。 - 特許庁

The temperature and stress current of wiring for test on a wafer 10 are individually controlled, by causing the wiring to generate Joule heat by making an electric current generated by superposing an alternating current and a direct current upon another to flow to the wiring, and individually changing the alternating and direct currents.例文帳に追加

ウェハ10上の試験用配線に、交流電流と直流電流とが重畳された電流を流してジュール発熱させ、交流電流及び直流電流を個別に変化させて、配線の温度及びストレス電流を個別に制御する。 - 特許庁

I have heard that, as you know, the Committee of European Banking Supervisors (CEBS) is poised to announce tonight the results of the stress test covering 91 banks, the most prominent of them being major European banks that together hold roughly 65 percent of the financial business in Europe. As far as I know, it will start at 1:00 a.m. on the 24th and I am earnestly hoping that this announcement of the stress test results will work to enhance the level of credibility in banks in Europe, adding more stability to markets. 例文帳に追加

ご存じのように欧州では91行ですね、大体欧州の金融分野の65%をカバーしているというふうにいわれています。そういった大手の銀行を中心とした銀行を対象に欧州銀行監督(当局)委員会(CEBS)が欧州銀行のストレステストの結果を今晩だと聞いております、24日の午前1時より発表する予定であるということは、今ご案内のとおり承知いたしておりますが、ストレステストの結果の公表を通じて欧州の銀行に対する信認が高まり、市場が安定化することを心から期待いたしております。 - 金融庁

To provide a portable oxygen-free sample preserving device capable of preserving a core sample or a test piece in an oxygen-free state in a state of holding underground stress until the time immediately before/after machining in oxygen-free environment while holding a state of being shut out from oxygen in the atmosphere.例文帳に追加

本発明は、無酸素状態のコア試料や供試体を大気中酸素から遮断した状態を保持しつつ、無酸素環境中で加工の直前・直後まで地下応力を保持した状態で保存可能な可搬型の無酸素試料保存装置の提供を目的とする。 - 特許庁

At the time of a gradation selection operation, different potentials IN, INb are inputted in each of the input lines 131, 132, different potentials are outputted from the output lines 142, 141 and at the time of the stress test, the same potential is outputted from both of the output lines 142, 141.例文帳に追加

階調選択動作時には、入力ライン131,132のそれぞれに異なる電位IN,INbが入力され、出力ライン142,141から異なる電位が出力され、ストレステスト時には、出力ライン142,141の両方から同じ電位が出力される。 - 特許庁

This system used for the stress corrosion cracking test for tubes in nuclear power generation is provided with a tube material 310 of a testing object and a heater 340, a tube inside is formed into a sealed space 315 sealed with end plugs 311, 312, and stores a strong alkaline solution 316.例文帳に追加

原子力発電における配管類の応力腐食割れ評価試験に用いるシステムであって、試験対称とする管材310及び加熱装置340を具え、管材内部は端栓311、312により密封された封止空間315とし、強アルカリ応溶液316を収容する。 - 特許庁

A first type of fuse, e.g. a laser actuation fuse, is principally used for repairing a wafer level defect and a second type of fuse, e.g. an electric starting fuse, is used for repairing a defect found after an IC chip is mounted on a module and a stress is applied to the module during burn-in test.例文帳に追加

第1タイプのヒューズ、例えばレーザ起動ヒューズが、主としてウェハ・レベルの欠陥を修復するために使用され、第2タイプのヒューズ、例えば電気起動ヒューズが、モジュール上にICチップを搭載し、バーンイン・テストでモジュールに応力をかけた後に見つかった欠陥を修復するために使用される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which enables a flip chip connection without the need for an underfill resin and the blow-out of a fuse is enabled based on the test result of electrical characteristics in a WLCSP including a stress relief layer, and moreover, the sealing of the upper part of the fuse can flexibley be dealt with.例文帳に追加

アンダーフィルの不要なフリップチップ接続を可能にするとともに、応力緩和層を設けるWLCSPにおいて、電気的特性の検査結果をもとにヒューズの切断を可能にし、このヒューズの上部の封止に柔軟に対応することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solder ball forming method, with which stress to a solder ball connecting part after packaging onto a circuit board can be buffered and a deterioration mode to occur in a temperature cycle test to be performed after packaging of a BGA can be reduced, concerning a BGA package.例文帳に追加

BGAパッケージにおいて、回路基板への実装後にはんだボール接続部に加わる応力を緩衝することができ、BGAを実装した後に行う温度サイクル試験で発生する劣化モードを軽減させることができるはんだボール形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the stress mutually applied to material members and package wirings which constitute the semiconductor device are reduced, when the temperature of the semiconductor device varies, immediately after the contact formation of the package wiring or at thermal shock test.例文帳に追加

パッケージ配線の接続直後や熱衝撃試験時などで半導体装置の温度が変化する際において半導体装置を構成する各部材やパッケージ配線に互いにかかる応力を低減することが可能な半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To enable batch stress applying for all ferroelectric memory capacitors 3, 4 and to realize shortening of a test time in a ferroelectric memory device in which tests of applying positive electric field and negative electric field to ferroelectric memory capacitors 3, 4 alternately are performed.例文帳に追加

強誘電体記憶キャパシタ3,4に正の電界と負の電界とを交互に印加するテストが行われる強誘電体メモリ装置において、全ての強誘電体記憶キャパシタ3,4に対する一括ストレス印加を可能にし、テスト時間の短縮を実現できるようにする。 - 特許庁

The compression load F applied to the material test piece 1 is increased by the compression actuator 9 and the pressure in the chamber 2 is lowered as an increase in this compression load and the vertical stress σn applied to the shearing surface (b) of the material piece 1 vertically is made kept almost constant.例文帳に追加

そして、圧縮用アクチュエータで前記材料試験片に加わる圧縮荷重(F)を増大させるとともに、この圧縮荷重の増大にともなって、チャンバー内の圧力を低下させ、材料試験片の剪断面(b)に垂直に加わる垂直応力(σn)を略一定に維持している。 - 特許庁

Thus, it is made possible to be immune to tensile stress between a laminated piezoelectric element 10, 16 and the supporting plate 14 generated at a moment of landing during a fall test, and the laminated piezoelectric element 10, 16 can be suppressed from being peeled off from the supporting plate 14 when the vibrator falls down.例文帳に追加

これにより、落下試験で着地する瞬間に発生する、積層型圧電素子10、16と支持板14との間の引張応力に耐えることができ、振動体の落下時における積層型圧電素子10、16の支持板14からの剥離を抑制することができる。 - 特許庁

Thus, even if antireflection films are formed using a layer with a low refractive index composed of SiO_2 having high residual stress at the time of film forming, the occurrence of cracks is not arisen in an acceleration test which is kept in a state of high temperature and high moisture for a long time, and therefore it is effective for preventing the occurrence of cracks.例文帳に追加

これにより、成膜する際に残留応力が大きいとされているSiO_2からなる低屈折率層を用いて反射防止膜を形成しても、高温・多湿の状態に長時間おいた加速度試験においてクラックの発生はみられず、クラックの発生の防止に有効である。 - 特許庁

The resin 8 protruding from the semiconductor chip A1 and the semiconductor chip B2 flows out to the region 21 lower than the mounting region and the region 21 for not mounting the semiconductor chip, which can eliminate a connection defect caused by an increase in thermal stress added to the projecting electrode 4 by a thermal shock test.例文帳に追加

半導体チップA1と半導体チップB2からはみだした樹脂8が、搭載領域よりも低い半導体チップを搭載しない領域21上に流出し、熱衝撃試験で突起電極4に加わる熱応力の増大による接続不良を無くすことができる。 - 特許庁

Thus, it is made possible to resist to tensile stress between a laminated piezoelectric element 10, 16 and the supporting plate 14 that is generated at a moment of landing in a fall test, and the stripping of laminated piezoelectric element 10, 16 from the supporting plate 14 during fall of the vibrator is suppressed.例文帳に追加

これにより、落下試験での着地する瞬間に発生する、積層型圧電素子10、16と支持板14との間の引張応力に耐えることができ、振動体の落下時における積層型圧電素子10、16の支持板14からの剥離を抑制することができる。 - 特許庁

A configuration of the whole hose is set so that the elongation (%) of the EVOH layer 12 when a set load pressure is applied becomes below the elongation corresponding to fatigue limit under pulsating tension σu or repeated stress σ in the set fatigue failure repeated number N in a fatigue under pulsating tension test.例文帳に追加

設定負荷圧時におけるEVOH層12の伸び(%)が、片振り引張疲れ限度(σ_U )、又は、該片振り引張疲れ試験における設定疲れ破壊繰り返し数(N)における繰り返し応力(σ)に対応する伸び以下となるように、ホース全体構成を設定する。 - 特許庁

This perpendicular tension type adhesion strength test machine for perpendicularly fixing the stud to the surface of the sample and performing a perpendicular tensile test has a cylindrical collet that receives the stud 1 that is arranged perpendicularly to a sample fixing position of a sample fixing plate 11 and perpendicularly fixed to the surface of the sample 10, clamps it with a constant load, and applies stress perpendicular to the sample 10 to the stud 1.例文帳に追加

試料の表面に垂直にスタッドを固定して垂直引張試験を行う垂直引張型密着強度試験機に於いて、試料固定板11の試料固定位置に垂直に配置されて試料10の表面に垂直に固定したスタッド1を受容すると共に一定加重でクランプし且つスタッド1に対し試料10と垂直な方向の応力を加える筒状のコレットを備える。 - 特許庁

To provide a porous ceramics hollow fiber membrane module capable of relaxing stress to the porous ceramics hollow fiber membrane and a module case by thermal expansion and thermal contraction and therefore, not generating a damage on these members even in a heat impact test in the module charged with the porous ceramics hollow fiber membrane.例文帳に追加

多孔質セラミックス中空糸膜を充填したモジュールにおいて、熱膨張および熱収縮による多孔質セラミックス中空糸膜およびモジュールケースへの応力が緩和され、したがって熱衝撃試験においてもこれらの部材に破損を生じさせない多孔質セラミックス中空糸膜モジュールを提供する。 - 特許庁

To provide a resin composition having the excellent coating operativity and a sufficient low stress property and a highly reliable semiconductor device without generation of exfoliation even in a high temperature reflow treatment and a heat cycle test by use of the resin composition as a semiconductor die attach paste or a heat releasing member bonding material.例文帳に追加

塗布作業性に優れかつ十分な低応力性を有する樹脂組成物および該樹脂組成物を半導体用ダイアタッチペーストまたは放熱部材接着用材料として使用することで、高温リフロー処理、温度サイクル試験でも剥離の生じない高信頼性の半導体装置を提供することである。 - 特許庁

When, for example, a rupture is caused with an inner peripheral part of a covering layer as a starting point, as a result of an endurance test for evaluating the durability of the inner cable of curving along a guide pulley, the design value of the inner cable or the guide pulley is changed so as to reduce maximum stress generated in an inner peripheral part of the covering layer.例文帳に追加

ガイドプーリーに沿って湾曲するインナーケーブルの耐久性を評価する耐久試験を実施した結果、例えば被覆層の内周部を起点に破壊が生じた場合には、被覆層の内周部で生じる最大応力が低下するように、インナーケーブル又はガイドプーリーの設計値を変更する。 - 特許庁

In a dicing film provided with an adhesive layer on at least one surface of a base material film, the base material film has an yield point stress of 8 MPa or larger (measuring method: specified method, measuring temperature: 25°C), and breaking energy in a predetermined breaking energy evaluation test is 30 mJ or larger.例文帳に追加

基材フィルムの少なくとも1の面に粘着層を設けたダイシングフィルムであって、前記基材フィルムが8MPa以上の降伏点応力(測定方法:JISK7161準拠 測定温度:25℃)を有するとともに所定の破断エネルギー評価試験における破断エネルギーが30mJ以上であることを特徴とするダイシングフィルム。 - 特許庁

Further, the data bus line has a global data bus line and plural local data bus lines which can be connected to the above, in the case of such constitution that a pair of bit lines is connected selectively to the local data bus line, at the stress test mode, more data bus lines are connected to the global data bus lines than that of at the normal write-in mode.例文帳に追加

更に、データバス線が、グローバルデータバス線とそれに接続可能な複数のローカルデータバス線とを有し、ビット線対は、ローカルデータバス線に選択的に接続される構成の場合は、前記ストレス試験モード時に、通常の書き込みモード時より多くのローカルデータバス線がグローバルデータバス線に接続される。 - 特許庁

A filament configured from a magnesium alloy comprising, by mass, 0.1-6% Zn and 0.4-4% Ca, with the remainder being Mg and inevitable impurities, wherein, when a creep test is performed on the filament under conditions of 150°C temperature, 75 MPa stress, and 100 hours holding time, the filament has a creep strain of 1.0% or less.例文帳に追加

質量%で、Zn:0.1%〜6%、Ca:0.4%〜4%含有し、残部がMg及び不可避的不純物からなるマグネシウム合金から構成される線状体であり、温度:150℃、応力:75MPa、保持時間:100時間の条件で当該線状体にクリープ試験を行ったとき、この線状体は、クリープひずみが1.0%以下である。 - 特許庁

In the test piece, a slit 4 is provided between a beam 1 and a beam 2, a solid cross section portion 3 is provided for connecting the beam 1 and 2, and a shape of the solid cross section portion 3 is formed so that a stress intensity factor becomes a combination diagram of increase and decrease following crack development.例文帳に追加

本発明に係る試験片は、梁1と梁2との間にスリット4を設ける一方、梁1と梁2とを接続させる中実断面部分3を備えるとともに、中実断面部分3の形状を、き裂進展に伴い応力拡大係数が増加、減少の組合せ線図になるように形成する。 - 特許庁

A potential applied to a plate line side electrode of a ferroelectric capacitor of the memory cell and a potential applied to a bit line are made the same by providing a plate line signal control circuit 28, thereby inputting the same signal to bit lines and plate lines of each memory cell when a semiconductor memory device is set to a stress test mode.例文帳に追加

半導体記憶装置がストレス試験モードに設定されるとき、各メモリセルのビット線とプレート線とに同じ信号を入力するプレート線信号制御回路28を設けることにより、当該メモリセルの強誘電体キャパシタのプレート線側電極にかかる電位とビット線にかかる電位を同一にする。 - 特許庁

例文

To provide a connecting member for a circuit which is used for connection of an electronic component to a circuit board, is capable of relaxing a stress on a circuit connection boundary surface, and shows remarkably enhanced reliability without causing increase of connection resistance and separation of an adhesive agent in the connection part even after a reliability test, and to provide a circuit board showing excellent reliability.例文帳に追加

電子部品と回路基板の接続に用いられ、回路接続界面でのストレスを緩和でき、信頼性試験後においても接続部での接続抵抗の増大や接着剤の剥離がなく、接続信頼性が大幅に向上する回路用接続部材及び接続信頼性に優れる回路板を提供する。 - 特許庁




  
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