「Second source」に関連した英語例文の一覧と使い方(103ページ目) - Weblio英語例文検索

The casing of the optical scanner is composed of two casings: a first casing 14 which holds a light source 1, a coupling lens 2, an aperture 3, a cylindrical lens 4, an optical deflector 5 and a scanning lens 6; and a second casing 15 which holds a bending mirror 7 being a guiding optical element.例文帳に追加

光走査装置の筐体は、光源１、カップリングレンズ２、アパーチャ３、シリンドリカルレンズ４、光偏向器５及び走査レンズ６を保持する第１筐体１４と、導光用光学素子である折り曲げミラー７を保持する第２筐体１５の２筐体から成っている。 - 特許庁

The pressure distributions on the first and second measurement cross-sections are estimated based on the memorized time-series data, and based on the pressure distribution on the two measurement cross-sections, the pressure distribution on the car body surface is estimated by using a source distribution method of fluid dynamics.例文帳に追加

記憶された時系列データに基づき、第１及び第２の測定断面における圧力分布を推定し、２つの測定断面での圧力分布に基づき、流体力学の湧き出し分布法を用いて車体表面の圧力分布を推定する。 - 特許庁

When it is determined in S11 that monochromatic reading is selected (N in S11), the quantity of light from the light source is set to a second quantity of light which is a half of a quantity of light for color reading, for example, by the non-temporal system control means (S13).例文帳に追加

また、Ｓ１１でモノクロ（単色）での読取が選択されたと判断すると（Ｓ１１でのＮ）、非時間系調整手段により光源の光量を例えばカラーでの読取光量の半分の第２の光量に低下するように設定をする（Ｓ１３）。 - 特許庁

The light emission duration time of the light sources in the frame housings is specified to 1/2,000 to 1/5,000 seconds and the intensity of the light sources in so determined as to flicker the light sources 42 to 50 times per second and to prevent the occurrence of flickering by constituting lamps cooperatively with the correction values of the light source duration time.例文帳に追加

フレームハウジング内の光源の発光持続時間は１／２，０００秒〜１／５，０００秒にし、光源の強度は光源持続時間の補正値に連動して、ランプを構成し、１秒に４２〜５０回の光源が点滅して、ちらつきが発生しないようにする。 - 特許庁

The second matching unit 38 in the lower frequency side is formed of a T-type circuit in which a coil 62 is provided in the final output stage and the coil 62 is also operated as a high-cut filter for shielding the radio frequency (13.56 MHz) from the first radio frequency power source 40.例文帳に追加

低周波側の第２の整合器３８は、最終出力段にコイル６２を有するＴ型回路で構成されており、該コイル６２に第１の高周波電源４０からの高周波（１３．５６ＭＨｚ）を遮断するためのハイカットフィルタを兼用させている。 - 特許庁

Thus, an external FET 31 is arranged in the sensor unit 1, the source of the FET 31 is connected to the second terminal 22, the FETs 11, 31 configure a differential amplifier circuit, and the differential amplifier circuit amplifies an output of the sensor element and provides an amplified output.例文帳に追加

これにより、外部のＦＥＴ３１を設け、第２の端子２２にＦＥＴ３１のソースを接続し、ＦＥＴ１１とＦＥＴ３１とにより差動増幅回路を構成し、前記センサ素子の出力を差動増幅回路により増幅させて出力させることができる。 - 特許庁

The ZnO sintered compact that is suited for using as a source material for an ion-plating comprises a first ZnO region and a second ZnO region which have a different average degree of oxidation and a different average particle size from each other.例文帳に追加

イオンプレーティングのソース材料として用いるのに適したＺｎＯ焼結体は、平均酸化度の異なる第１のＺｎＯ領域と第２のＺｎＯ領域とを含み、前記第１のＺｎＯ領域と前記第２のＺｎＯ領域とは平均粒径が異なる。 - 特許庁

In a semiconductor device, a first conductivity source region 301 and a drain region 401, a second conductivity channel region 501, and gate electrode regions 201 and 202 coexist in a plane 101 parallel to the surface of a single crystal semiconductor substrate.例文帳に追加

この半導体装置では、第１導電型のソース領域３０１およびドレイン領域４０１と、第２導電型のチャネル領域５０１と、ゲート電極領域２０１,２０２とが、単結晶半導体基板の表面に平行な面１０１内に並存している。 - 特許庁

The matching circuit 7 is constituted of a first parallel resonance circuit 8 provided between the output side of the power amplifier 6 and a bias power source Vcc, and a second parallel resonance circuit 9 provided between the output side of the power amplifier 6 and a ground.例文帳に追加

そして、整合回路７は、電力増幅器６の出力側とバイアス電源Ｖccとの間に設けられた第１の並列共振回路８と、電力増幅器６の出力側とグランドとの間に設けられた第２の並列共振回路９とによって構成する。 - 特許庁

The compound semiconductor portion 3 has a cutting groove 21, formed in a region between the source electrode 4 and auxiliary electrode 7 that cuts the two-dimensional gas layer 12a to divide the compound semiconductor portion 3 into a first portion 51A and a second portion 51B.例文帳に追加

化合物半導体部３には、ソース電極４と補助電極７との間の領域に２次元電子ガス層１２ａを切断し、化合物半導体部３を第１の部分５１Ａと第２の部分５１Ｂに分断する切断溝２１が形成されている。 - 特許庁

The third MOSFET is an enhancement type P-channel MOSFET with one terminal connected to the current source 10, with the other terminal connected to the fixed voltage terminal, and with the gate connected to a connection point N between the first transistor M1 and the second transistor M2.例文帳に追加

第３ＭＯＳＦＥＴは、その一端が電流源１０と接続され、その他端が固定電圧端子と接続され、かつそのゲートが第１トランジスタＭ１と第２トランジスタＭ２の接続点Ｎ１と接続されたエンハンスメント型のＰチャンネルＭＯＳＦＥＴである。 - 特許庁

On the other hand, when a negative current in a direction opposed to the ON-current flows in the output transistor QN1, the second transistor MN4a supplies a power source voltage supplied to a drain of the output transistor QN1 to the back gate of the first transistor MN2.例文帳に追加

一方、出力トランジスタＱＮ１においてオン電流の逆方向の負電流が流れている場合、第２トランジスタＭＮ４ａは、出力トランジスタＱＮ１のドレインに供給された電源電圧を第１トランジスタＭＮ２のバックゲートに供給する。 - 特許庁

The CPU 21 designates the sound source part 27 to generate musical sound of note higher by one octave than the note based on the operating condition of the key switch when the first sensor value of the first breath sensor 35 is larger than the sensor value of the second breath sensor 36 by a predetermined amount.例文帳に追加

ＣＰＵ２１は、第１のブレスセンサ３５の第１のセンサ値が、第２のブレスセンサ３６のセンサ値と比較して、所定量大きい場合に、キースイッチの操作状態に基づく音高の１オクターブ高い音高の楽音を発生する音源部２７に指示する。 - 特許庁

A nickel silicide layer 114 is formed on the gate electrode in a silicide formation region A and on the source drain diffusion layer, and the first side wall 108 has resistance to an etching material when the second side wall 109 is etched.例文帳に追加

シリサイド形成領域Ａにおけるゲート電極の上部及びソースドレイン拡散層の上部にはニッケルシリサイド層１１４が形成されており、第１のサイドウォール１０８は、第２のサイドウォール１０９をエッチングする際のエッチング材に対して耐性を有している。 - 特許庁

Each pixel circuit includes a drive transistor adjusting current quantity between the first power line and the second source line, a self-light-emission element in which luminance is changed depending on the current quantity, and a storage capacitor storing the data signal while controlling the current quantity.例文帳に追加

各画素回路は、第１の電源線と第２の電源線との間で電流量を調節する駆動トランジスタと、その電流量によって輝度が変化する自発光素子と、データ信号を記憶するとともにその電流量を制御する記憶容量と、を含む。 - 特許庁

This electronic apparatus includes a transformer and a power source that generates first voltage (3.3 V) supplied to a control system electrical component and second voltage (24 V) that is voltage higher than the first voltage and is supplied to a plurality of driving electrical components on the secondary side of the transformer.例文帳に追加

電子機器は、トランスを有し、トランスの２次側において、制御系電装品に供給する第１電圧（３．３Ｖ）と、第１電圧より高い電圧であって複数の駆動電装品に供給する第２電圧（２４Ｖ）とを生成する電源を含む。 - 特許庁

The second substrate 2 includes an arranged TFT 100 composed of a source electrode 5 and a drain electrode 6 formed of, for example, polysilicon, for example, a silicon semiconductor layer 7, a gate dielectric layer 8 formed of an oxide film etc., and a gate electrode 9.例文帳に追加

第２の基板２には、例えばポリシリコンにより形成されるソース電極５とドレイン電極６と例えばシリコン半導体層７と酸化膜などにより形成されるゲート誘電体層８とゲート電極９とにより構成されるＴＦＴ１００を配置する。 - 特許庁

The secondary protection circuit releases the surge current to the power source system via a second node connected between the first node and the semiconductor integrated circuit in response to the trigger signal, whereby the surge voltage can be quickly suppressed near the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

二次保護回路がトリガ信号に応答して、第１ノードと前記半導体集積回路との間に接続された第２ノードを介してサージ電流を電源系統に逃がすことにより、半導体集積回路の近くでサージ電圧を速やかに抑制することができる。 - 特許庁

A gate electrode 21 is provided on the well region 19 between a first conductivity type source region 17 formed of a second group III nitride system semiconductor and a first conductivity type drift region 15 formed of a first group III nitride system semiconductor.例文帳に追加

ゲート電極２１は、第２のIII族窒化物系半導体から成る第１導電型のソース領域１７と第１のIII族窒化物系半導体から成る第１導電型のドリフト領域１５との間に設けられたウエル領域１９上に設けられている。 - 特許庁

This HEMT has an electron travelling layer 3, a continuous growth inhibition layer 5 for selectively covering it, an electron supply layer (second semiconductor layer) 6, a discontinuous growth layer 7, a source electrode 9, a drain electrode 10, and a gate electrode 11.例文帳に追加

本発明に従うHEMTは、電子走行層３と、この上を選択的に覆う連続的成長阻止層５と、電子供給層（第２の半導体層）６と、不連続成長層７と、ソース電極９と、ドレイン電極１０と、ゲート電極１１とを有している。 - 特許庁

By using this coupling conductor, highly reliable mounting at low resistance can be achieved even in the case where a gate pad 35g as a second external lead out electrode is extended and formed between source electrodes 35s included in a first external lead out electrode.例文帳に追加

この連結導体を用いることで、第１の外部取り出し電極を構成するソース電極３５ｓ間に第２の外部取り出し電極としてのゲートパッド３５ｇが伸張して形成されている場合にも、低抵抗で信頼性の高い実装が実現される。 - 特許庁

The thin film transistor 19 comprises a semiconductor film 4 comprising a source and drain region 3 and poly-crystalline silicon, processed by laser annealing method employing Nd:YAG (yttrium-aluminum-garnet) second high harmonics; and an interlayer dielectric 6 for covering the semiconductor film 4.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１９は、ソースおよびドレイン領域３を含み、Ｎｄ：ＹＡＧ（イットリウム−アルミニウム−ガーネット）第２高調波を用いたレーザアニール法により多結晶化されたシリコンを含む半導体膜４と、半導体膜４を覆う層間絶縁膜６とを有する。 - 特許庁

Either the source or the drain of a transistor formed on a silicon substrate 1 is electrically connected to thin polysilicon through embedded polysilicon 13 formed in an opening formed in a first intermediate insulating film 7 and a second intermediate insulating film 9.例文帳に追加

シリコン基板１上に形成されたトランジスタのソースまたはドレインの一方は，第１中間絶縁膜層７および第２中間絶縁膜９の開口部内に形成された埋込ポリシリコン１３を介して，薄いポリシリコン１５と電気的に接続されている。 - 特許庁

The semiconductor apparatus has a gate electrode formed through a gate insulating film, and a second conductive type source area and a drain area, in an area segmented by an element separation insulating film formed in a first conductive type semiconductor layer.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、第１導電型の半導体層に形成された素子分離絶縁膜により区分された領域に、ゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、第２導電型のソース領域及びドレイン領域とを有する。 - 特許庁

Thereby, illumination light is supplied to a first light emitting portion 11 and the second light emitting portion 12 in a simple structure by a single light source unit 15 with the LEDs 17a and 17b mounted on the single mounting wiring board 16.例文帳に追加

これにより、単一の実装配線基板１６上にＬＥＤ１７ａ及び１７ｂが実装された単一の光源ユニット１５によって、簡単な構成で、第１の発光部１１及び第２の発光部１２に対する照明光の供給を実現することができる。 - 特許庁

The driving circuit 100 includes: an electric charge discharging circuit 33 which connects a first terminal 4 supplied with the high negative voltage VGL to a second terminal 2 of a ground voltage GND in response to a drop of a power source voltage VDC; and a test external terminal 6.例文帳に追加

表示装置用駆動回路１００は、電源電圧ＶＤＣの低下に応じて、高圧負電圧ＶＧＬが供給される第１端子４を接地電圧ＧＮＤの第２端子２に接続する電荷放電回路３３と、テスト用外部端子６とを具備する。 - 特許庁

When voltage is applied to an electrode 14 for water treatment, a first relay 30 provided between a cathode 26 in an electric conductivity sensor and a gland, and a second relay 32 provided between an anode 24 in the electric conductivity sensor and a power source 50 are turned off.例文帳に追加

水処理用電極１４に電圧が印加されているときは、導電率センサのカソード２６とグランドとの間に設けられた第１リレー３０、および、その導電率センサのアノード２４と電源５０との間に設けられた第２リレー３２をオフにする。 - 特許庁

To detect the abnormality of a starter power changeover relay in an automatic engine stop and start controller of a vehicle having a first power supply for engine driving used as a power supply source to electric loads and a second power supply for engine stopping.例文帳に追加

電気負荷への電力供給源としてエンジン駆動時用に第一の電源及びエンジン停止時用に第二の電源を備える車両におけるエンジン自動停止始動制御装置において、スタータ電源切替リレーの異常を検出することができるようにする。 - 特許庁

When additional functions are added, an additional function driving substrate 50 mounted with electric parts involved in the additional functions and a second power supply circuit 50a which generates the power for the additional functions from a commercial alternating power source are further added to the electrical equipment unit.例文帳に追加

そして、この電装ユニットでは、付加機能を追加するときに、付加機能に関する電気部品が実装される付加機能駆動基板５０と、付加機能のための電源を商用交流電源から生成する第２電源回路５０ａとがさらに配備される。 - 特許庁

In the superconductive magnet device, the attaching and/or detaching of a first current lead 21 and a second current lead 22 constituting detachable current leads for supplying exciting power source is operated automatically through a driving mechanism 30 employing a piezoelectric ceramic.例文帳に追加

本発明の超電導磁石装置においては、励磁電源供給用の着脱式電流リードを構成する第１電流リード２１と第２電流リード２２との着脱動作が、圧電セラミックを用いた駆動機構３０を介して自動的に行われる。 - 特許庁

The device is provided with: a first storage area built in the device; a first aligner provided between the transfer source storage area and the first storage area; and a second aligner provided between the first storage area and the transfer destination storage area.例文帳に追加

そして、装置に内蔵された一次記憶領域と、上記転送元記憶領域と上記一次記憶領域との間に設けられた第１アライナと、上記一次記憶領域と上記転送先記憶領域との間に設けられた第２アライナを備える。 - 特許庁

A fourth MOSFET and a fifth MOSFET each of the first conductivity type provided on the side of the first voltage cause a constant current of a first constant current source to flow to the current mirror circuit of the second and third MOSFETs through the current mirror circuit.例文帳に追加

第１定電流源の定電流を上記第１電圧側に設けられた第１導電型の第４ＭＯＳＦＥＴと第５ＭＯＳＦＥＴで電流ミラー回路を介して上記第２、第３ＭＯＳＦＥＴの電流ミラー回路に流すようにする。 - 特許庁

A molding mold is used in a molding process, and the first molding member 11 of the transmissible resin material which transmits laser beams as a heating source the second molding member of the non-transmissible resin material which does not transmit the laser beams are molded respectively.例文帳に追加

成形工程で、成形型を用い、加熱源としてのレーザ光に対して透過性のある透過性樹脂材よりなる第１成形部材１１と、該レーザ光に対して透過性のない非透過性樹脂材よりなる第２成形部材とをそれぞれ成形する。 - 特許庁

A pixel electrode PX composed of a transparent conductive film and electrically connected to the source electrode ST of the thin film transistor is formed on a second capacitor insulating film CIN2 formed so as to cover the reflective region RR and the transmissive region TR.例文帳に追加

前記反射領域ＲＲおよび前記透過領域ＴＲを被って形成した第２容量絶縁膜ＣＩＮ２上に、前記薄膜トランジスタのソース電極ＳＴと電気的に接続された透明導電膜からなる画素電極ＰＸを形成する。 - 特許庁

The amplifier also includes a transformer section that transmits the first amplification signal from the first amplification section to the second amplification section and an inductor that supplies an electric power source that drives the first amplifier element to the power supply input terminal of the first amplifier element.例文帳に追加

また、実施形態の増幅器は、第１の増幅部から第２の増幅部へ第１増幅信号を伝送するトランス部と、第１の増幅素子の電源入力端子に該第１の増幅素子を駆動する電源を供給するインダクタとを備えている。 - 特許庁

Therefore, in order to make the light uniform in the overlapping portion of the light inevitably created in consideration of the overlapping region C of the illumination utilizing a first and second diffusion plates 26, 28 can attain prevention of a light source reflection and a uniform illumination without unevenness.例文帳に追加

そこで、照明の重なり領域Ｃを予定した上で、必然的にできる光の重なり部分で光を均一にするために、第１及び第２の拡散板２６，２８を利用して、光源の写り込み防止、ムラの少ない均一な照明を達成させている。 - 特許庁

The second contact piece 111 consists of another band-like spring body 112 arranged between the pair of band spring bodies 102, 102 of the first contact piece 101 with a contact part 113 elastically connected to a power source terminal provided at a tip part and formed nearly in a down-turning shape.例文帳に追加

第２コンタクト片１１１は、電源端子に弾接する接触部１１３が先端部に設けられて略へ字状に形成され、第１コンタクト片１０１の一対の帯状ばね体１０２，１０２の間に配置された別の帯状ばね体１１２からなる。 - 特許庁

The angular position (angle θ) of an object body Ob to the light source part 12 can be detected based upon a result of comparison between light reception intensity of the light reception part 13 in the first illumination operation and light reception intensity of the light reception part 13 in the second illumination operation.例文帳に追加

従って、第１点灯動作時における受光部１３の受光強度と第２点灯動作時における受光部１３の受光強度との比較結果に基づいて光源部１２に対する対象物体Ｏｂの角度位置（角度θ）を検出できる。 - 特許庁

The light source device is also provided with a first reflecting part having a first reflecting surface being a reflecting surface of a concave curved surface shape and having a shape forming a boundary of a space including the light emitting parts in its inside along with a second virtual plane nearly perpendicular to the irradiation direction.例文帳に追加

また、光源装置は、凹型曲面形状の反射面であって、照射方向に略直交する第２の仮想平面と共に発光部を内部に含む空間の境界を形成する形状の第１の反射面を有する第１の反射部を備える。 - 特許庁

A compensation time calculation means 263 calculates a first correction time by subtracting a theoretical light emitting time from the actual inter-light emitting time interval, and calculates a first compensation time for adjusting the beginning time of light emission of a second light source 241b from the first correction time.例文帳に追加

補正時間算出手段２６３は、実質発光間時間から理論発光時間を差し引くことで第１修正時間を算出し、第１修正時間から第２光源２４１ｂの発光開始時を調整するための第１補正時間を算出する。 - 特許庁

The memory cells 11's arranged adjacent each other on a same straight line extending to the second direction are preferably arranged in such a manner that a drain electrode 13, which is a main electrode of either one of the memory cells, is next to a source electrode 12 which is a main electrode of the other memory cell.例文帳に追加

また、第２の方向に延びる同一直線上にあって互いに隣接するメモリセル１１同士は、それぞれの一方の主電極であるドレイン電極１３と、他方の主電極であるソース電極１２とが隣り合うようにするとよい。 - 特許庁

Concerning an area of a part of the second metal layer M2 on the side of a source 31s overlapping the first metal layer M1 with a gate 31g formed thereon is, as shown in a frame 52, smaller in this invention (B in the right figure) than in the conventional art (A in the left figure).例文帳に追加

枠５２に示されるように、ソース３１ｓ側の第２の金属層Ｍ２のうち、ゲート３１ｇを形成している第１の金属層Ｍ１と重なっている部分の面積は、本発明（右図のＢ）の方が従来（左図のＡ）よりも小さくなっている。 - 特許庁

A reflection type LED 12 is adopted as a light source, and light irradiated from a light-emitting element 17 arranged at a first focus F1 of the reflection surface 14 is once converged at a second focus F2, and then, made to enter into a lens portion 33 to be converted into parallel light.例文帳に追加

光源として反射型のＬＥＤ１２を採用し、反射面１４の第１焦点Ｆ１に配設された発光素子１７から放射される光を、第２焦点Ｆ２で一旦集光させた後、レンズ部材３３に入射させて平行光に変換する。 - 特許庁

When the rear end of the specialty paper is passed through the transfer position, a motor, i.e., a driving source of a conveying belt 10 is braked by a brake to reduce a speed to a second conveying speed slower than a first conveying speed before a tip end thereof enters into a fixing device 11.例文帳に追加

特殊紙の後端が前記転写位置を通過すると、その先端が定着装置１１に突入する前に、搬送ベルト１０の駆動源であるモータをブレーキで制動し、第１の搬送速度よりも遅い第２の搬送速度まで減速させる。 - 特許庁

A choke coil L1 and a first transistor Q1 are connected with each other in series between the terminals 2 and 3 of a DC input power source 1, and a second transistor Q2 and a resistor R1 are connected to each other, in series between the base and the input terminal 2 of the first transistor Q1.例文帳に追加

直流入力電源１の端子２，３間にチョークコイルＬ１と第１のトランジスタＱ１が直列に接続され、第１のトランジスタＱ１のベースと入力端子２との間に、第２のトランジスタＱ２と抵抗Ｒ１が直列に接続される。 - 特許庁