「Secondary electron」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The amplifying electrode layer 12 is disposed between the electron emitting source 5 and the phosphor 6, irradiated with the electrons emitted from the electron emitting source 5, and its secondary-emission coefficient exceeds 1.例文帳に追加

増幅電極層１２は、電子放出源５と蛍光体６との間に配置され電子放出源５から放出された電子が照射され２次電子放出比が１を超えるものである。 - 特許庁

The electron mirror accelerates the electrons to improve the detection efficiency of the electron detector and moreover improves the variation characteristics of the flight time upon collection of the secondary electrons.例文帳に追加

更に、この電子ミラーは、電子を加速し、電子検出器の検出効率を改善し、また二次電子収集の飛行時間のばらつき特性を向上させる。 - 特許庁

By the above mechanism, a processing by using an ion beam, and observation of secondary electron image in optional direction through an electron microscope are made possible without taking out a fine piece of sample from the sample stand.例文帳に追加

このような構成によれば、微小試料片を試料台から取り外すことなく、イオンビームによる加工および任意の方向からの二次電子像および電子顕微鏡観察が可能となる。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING A PLURALITY OF CARBON FIBERS, ELECTRON EMITTING DEVICE USING THE SAME, ELECTRON SOURCE, METHOD FOR MANUFACTURING IMAGE FORMING APPARATUS, AND NEGATIVE ELECTRODE OF SECONDARY BATTERY AND HYDROGEN STORAGE BODY例文帳に追加

複数のカーボンファイバーの製造方法、これを用いた電子放出素子、電子源、画像形成装置の製造方法、及び、２次電池の負極と水素吸蔵体 - 特許庁

The electron beam detecting mechanism 40 detects secondary electrons, generated by irradiating the recording medium with the electron beam or electrons which have been reflected or scattered by the recording medium.例文帳に追加

電子線検出機構４０は、電子線を記録媒体に照射することによって発生する２次電子或いは記録媒体で反射或いは散乱された電子を検出する。 - 特許庁

An organic material containing a carbon comprising conjugate electron cloud where electron attractive radical is coupled is used as a positive electrode active material for a secondary battery.例文帳に追加

電子吸引性基が結合した、共役電子雲を有する炭素を含む有機物質を二次電池用正極活物質として用いることを特徴としている。 - 特許庁

Secondary electron SE, which is generated by the electron extracted from an emitter and colliding with the extraction electrode 5 and flows into a side of the accelerating electrode 6, is repelled by the repeller electrode 10 not to reach a sample.例文帳に追加

エミッタから引き出された電子が引出電極５に衝突して発生し加速電極６側に流れ込む二次電子ＳＥはリペラ電極１０により跳ね返されて試料には到達しない。 - 特許庁

An electromagnetic field for deflecting only a secondary signal electron emitted from a sample is generated in a superimposed manner by using a deflector used for scanning a primary electron beam.例文帳に追加

一次電子線を走査するために用いる偏向器を用い、試料から放出される二次信号電子に対してのみ偏向作用する電磁界を重畳的に発生する。 - 特許庁

To satisfy focusing conditions for a primary electron beam and a secondary electron beam at the same time, facilitate axis-taking of lenses, minimize space charge effect, and decrease memory capacity accumulating images of objects for inspection.例文帳に追加

一次電子線と二次電子線とに同時にレンズの合焦条件を満足させることができ、レンズの軸合わせが容易で、空間電荷効果を最小に制限し、被検査対象の画像を蓄積するメモリ容量を小さくすること - 特許庁

To enable low vacuum secondary electron observation with both excellent picture quality/high resolution and good image quality, considering scattering of an electron in low vacuum.例文帳に追加

低真空における電子の散乱を考慮しより高画質、高分解能と良好な像質を兼ね備えた低真空二次電子観察を可能にすることを目的とする。 - 特許庁

To provide a scanning electron microscope capable of obtaining an image with a superior contrast even if a primary beam current is small and efficiency of a secondary electron emission is small.例文帳に追加

本発明は走査型電子顕微鏡に関し、１次ビーム電流が小さい場合や試料の２次電子放出効率が小さくてもコントラストの良い画像を得ることができる走査型電子顕微鏡を提供することを目的としている。 - 特許庁

An electron multiplication part 5 formed by applying a secondary electron generation material to multiple cavities is arranged between a negative electrode 4 of the FED and the organic electroluminescent emission layer 3.例文帳に追加

ＦＥＤの陰極４と有機エレクトロルミネセンス発光層３との間に、多数の空洞に二次電子発生材料を塗布した電子増倍部５を配設する。 - 特許庁

To provide an electron beam device, capable of maximally utilizing an advantage of using multi-beams by providing a specific signal processing circuit processing a detection signal, after detecting a secondary electron by a detector.例文帳に追加

二次電子を検出器で検出した後、その検出信号を処理する具体的な信号処理回路を提供し、マルチビームを使用する利点を最大限に活用し得る電子線装置を提供する。 - 特許庁

To provide a high-quality long-life plasma display panel by making compatible priming-electron emission characteristics and other characteristics such as sputtering resistance, secondary electron emission characteristics, and wall charge retention.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルにおいて，プライミング電子放出特性と耐スパッタ性や二次電子放出特性，壁電荷保持特性などを両立させ，高画質で長寿命なプラズマディスプレイパネルを提供する - 特許庁

To provide a highly sensitive X-ray detector prevented from generating distortion of a secondary electron image caused by an astigmatism and the like, even when getting close to a sample inside an electron microscope.例文帳に追加

電子顕微鏡内の試料に近接させても非点収差等による２次電子像の歪みを起こさない高感度なＸ線検出器を提供することである。 - 特許庁

When the whole surface of a sample 6 is irradiated with an electron beam 8 injected from an electron gun 7 in a form of shower, secondary electrons 15 are emitted from the whole surface of the sample 6.例文帳に追加

電子銃７からシャワー状に射出された電子線８を試料６の表面全域に照射すると、試料６の表面全域から２次電子１５が放出される。 - 特許庁

To provide an electrode ring and an electron microscope capable of suppressing a variation in electric field distribution around the axial center of a hollow hole serving as a passage path of an electron beam and secondary electrons emitted from a sample.例文帳に追加

電子ビーム及び試料から放出される２次電子の通過経路となる中空孔の軸中心まわりの電界分布のばらつきを抑えることのできる電極リング及び電子顕微鏡を提供すること。 - 特許庁

The electron beam emitted from an electron gun 11 is throttled narrow and scans a sample formed with a film and detects the defect existing inside the film of the sample by detecting the reflected electrons or the secondary electrons emitted from the scanning point.例文帳に追加

電子銃１１から放出された電子線を細く絞り、膜形成された試料上を走査し、走査点から放出された反射電子又は二次電子を検出して試料の膜内部に存在する欠陥を検出する。 - 特許庁

This secondary electron image observation device 10 is provided with an irradiation system 15 having a structure for observing a sample while scanning it with an electron microscope and capable of irradiating the sample with at least either of an ultraviolet ray and an X-ray.例文帳に追加

試料に対して電子顕微鏡を走査しながら観察を行う構成を有し、紫外光、Ｘ線の、少なくともいずれかを照射可能な、照射系１５を具備している二次電子像観察装置１０を提供する。 - 特許庁

Charge is accelerated in the vertical direction to the substrate such as substrate hot electron, secondary collision ionized hot electron, or the like, or a step 1b is made at the surface of the channel formation region 1a.例文帳に追加

基板ホットエレクトロン、２次衝突電離ホットエレクトロンなど基板と垂直方向に電荷を加速させる、あるいは、チャネル形成領域１ａの表面に段差１ｂを形成する。 - 特許庁

An electron beam inspection device deflects secondary electrons accelerated to 10-20 kV synchronously to the two-dimensional scanning of a primary electron beam 1 by means of an auxiliary deflector 21 composed of a high-speed electrostatic deflector.例文帳に追加

高速の静電偏向器である補助偏向器２１によって、１０〜２０ｋＶに加速された２次電子を１００ＭＨｚ以上の応答速度で、一次電子ビーム１の２次元走査に同期して偏向する。 - 特許庁

Information related to a solid geometric shape of the defect D can be obtained even be the single electron beam detector by calculations with the use of a plurality of detection signals of the obtained secondary electron beams.例文帳に追加

そして、得られた二次電子線の複数の検出信号を用いて演算することにより、単一の電子線検出器を用いても、欠陥Ｄの立体的な幾何学的形状に関する情報を取得できる。 - 特許庁

A secondary electron detector, a transmitted electron detector, an energy dispersion type X-ray spectrometer, and an energy loss spectrometer are provided to simultaneously acquire the structure and composition information of the sample.例文帳に追加

前記試料構造および組成情報を同時に取得するため、二次電子検出器、透過電子検出器、エネルギー分散型Ｘ線分光器あるいは電子線エネルギー損失分光器を備えつける。 - 特許庁

This observation sample is used for observing the cross section of the inorganic porous body by using electron microscopy, and the pores of the inorganic porous body are filled with a metal of secondary electron emission rate which is higher than that of the inorganic porous body.例文帳に追加

無機多孔体の断面を電子顕微鏡で観察するための観察試料であって、前記無機多孔体よりも二次電子放出率の高い金属が前記無機多孔体の細孔に充填されていることを特徴とする。 - 特許庁

A secondary electron emitted from a sample 10 by irradiation of an electron beam is deflected by a beam separator 7, and deflected to the vertical direction by an aberration correcting electrostatic deflector 11, and a magnified image is formed on the main face of an auxiliary lens 12.例文帳に追加

電子線の照射により試料１０から放出された２次電子は、ビーム分離器７で偏向され、収差補正静電偏向器１１により垂直方向に偏向され、補助レンズ１２の主面に拡大像を形成する。 - 特許庁

Distribution of reflection electron or secondary electron intensity is processed from a control system of a scan type microscope and an adjacent terminal, and the shape of an area representing the edge vicinity is digitized to calculate a taper gradient from the result.例文帳に追加

走査型顕微鏡の制御系ないし隣接する端末から反射電子ないしは２次電子強度の分布を処理し、エッジ近傍を表わす領域の形状を数値化しそれらの結果からテーパ傾向を算出する。 - 特許庁

Next, the wafer W is irradiated with an electron beam having a charge density ≤6.7×10^-3 C/nm^2, and secondary electrons emitted by irradiation of the electron beam are detected.例文帳に追加

次いで前記ウエハＷに対して電荷密度が６．７×１０^-３Ｃ／ｎｍ^２以下の電子線を照射し、前記電子線の照射により放出された２次電子を検出する。 - 特許庁

Namely, the electron beams are deflected, based on the deviation information removing the frequency component which is low, correlated with the secondary electronic signal of components of the deviation information, thereby correcting the irradiation position of the electron beams on the substrate W.例文帳に追加

すなわち、偏差情報の成分のうちの２次電子信号と相関の低い周波数成分が除去された偏差情報に基づいて電子線を偏向することにより、基板Ｗ上の電子線の照射位置の補正を行う。 - 特許庁

Although the comparison of pattern is usually effected employing a secondary electron image, the profile of pattern is extracted employing a reflective electron image which is said that it is suitable for the observation and inspection of the solid form of the pattern.例文帳に追加

パターン比較は通常２次電子像を用いて行うが、パターンの立体形状の観察及び検査に適すると言われている反射電子像を用いて、パターンの輪郭を抽出する。 - 特許庁

The wafer 18 is irradiated at a high speed with the electron beam while moving the wafer 18, before acquiring the image of the secondary electron, to control a wafer 18 surface at a desired charge voltage.例文帳に追加

二次電子画像取得前にウエハ１８を移動させながら高速に電子線を照射し、ウエハ１８表面を所望の帯電電圧に制御する。 - 特許庁

A certain region of the surface of the wafer is repeatedly scanned with primary electron beam so that secondary electrons generated according to the reaction of the primary electron beam with the surface of the wafer, and discharged to the outside part of the surface of the wafer can be collected.例文帳に追加

ウェーハの表面の一定領域に１次電子のビームを繰り返してスキャンし、１次電子ビームと前記ウェーハの表面との反応で発生するウェーハの表面外部に放出される２次電子を収集する。 - 特許庁

In this kind of observation, before the secondary electron beam image in the observation region is obtained, it is pre-irradiated with the electron beam at least to the region including the observation region so that the electrostatic charge does not occur.例文帳に追加

この様な観察において、観察領域の二次電子ビーム像を得る前に、少なくとも観察領域を含む領域に対して帯電が起こらない様に電子ビームでプリ照射する。 - 特許庁

To enable to obtain an S/N ratio of a secondary electron detecting signal of a desired size, even when a radiation amount of a primary electron beam is reduced in order not to damage electric characteristics of a substrate.例文帳に追加

基盤の電気特性を損なわないために一次電子線の照射量を少なくしても、所望の大きさの二次電子検出信号のＳ／Ｎ比が得られるようにする。 - 特許庁

A distribution of a reflection electron or secondary electron intensity is processed from a control system of a scanning microscope and an adjacent terminal, and a shape of an area expressing the vicinity of an edge is digitalized to calculate a tapering tendency based on a result thereof.例文帳に追加

走査型顕微鏡の制御系ないし隣接する端末から反射電子ないしは２次電子強度の分布を処理し、エッジ近傍を表わす領域の形状を数値化しそれらの結果からテーパ傾向を算出する。 - 特許庁

To make it possible to easily match a rate of enlargement of a secondary electron image and focusing conditions in the case where multi-beams are used in an electron beam system for detecting an image on the surface of a sample.例文帳に追加

試料表面の画像を検出する電子線装置において、マルチビームを用いる場合の二次電子像の拡大率及び合焦条件を容易に合わせることを可能にする。 - 特許庁

To provide a board inspection apparatus by which the magnification chromatic aberration of a secondary electron beam can be suppressed, while the irradiation region of a primary electron beam is being ensured, to provide an inspection system provided with the board inspection apparatus, and to provide a control method for the board inspection apparatus.例文帳に追加

一次電子ビームの照射領域を確保しつつ、二次電子ビームの倍率色収差を抑制することができる基板検査装置およびこれを備えた検査システム並びに基板検査装置の制御方法を提供する。 - 特許庁

To provide a device which automates a means that adjusts the light ness and contrast of a display device, when an acquired secondary electron image is displayed on the display device for improving the efficiency and speed of failure analysis, etc., using an electron beam tester.例文帳に追加

電子ビームテスタを用いた不良解析等を効率化、高速化するため、２次電子像の取得においてディスプレイ装置における明度・コントラストを調整する手段を自動化する装置を提供する。 - 特許庁

A matrix computing part 66 calculates a vector indicating the electron microscope image of the sample by performing matrix computation based on the electron beam irradiation matrix and a vector representing time-series detection signals detected by the secondary electron detector.例文帳に追加

行列演算部６６は、上記電子線照射行列と、上記２次電子検出器において検出された時系列の検出信号を表したベクトルとに基づいて行列演算を行うことによって、試料の電子顕微鏡画像を示すベクトルを算出する。 - 特許庁

To provide a vacuum display device for an electron microscope sample cell capable of more accurately displaying the degree of vacuum in the sample cell than before without giving poor effect on the control of a primary electron beam or a signal for secondary electrons during examination via an electron microscope.例文帳に追加

電子顕微鏡の検鏡時に、一次電子線の制御や二次電子の信号に悪影響を与えることなく、試料室内の真空度を従来よりも正確に表示することのできる電子顕微鏡試料室の真空度表示装置を提供する。 - 特許庁

The electron beam irradiation surface 13a is different in a position in the height direction being an optical axis direction of the electron beam B depending on its in-plane direction, and generates at least either of reflection electrons and secondary electrons by being irradiated with the electron beam B.例文帳に追加

電子ビーム照射面１３ａは、電子ビームＢの光軸方向である高さ方向の位置がその面内位置により異なり、また電子ビームＢを照射されることにより反射電子及び二次電子のうちの少なくとも一方を発生する。 - 特許庁

When scanning the electron beam on a specimen, a lock-in amplifier 13 gets the second order derivative of a secondary electron energy spectrum for each pixel, and an error amplifier 17 sets the value of voltage applied to the electrode of an electron spectrometer 11 by feedback control so that the second order derivative becomes zero.例文帳に追加

試料上で電子線を走査させたとき、ロックインアンプ１３は各画素ごとに２次電子エネルギースペクトルの２次微分量を求め、エラーアンプ１７はその２次微分量が零となるように電子分光器１１の電極に印加する電圧値をフィードバック制御によって設定する。 - 特許庁

On the secondary target 27, a box-shaped electron beam passing hole 30 for passing the electron beam 15 therethrough is formed, and an X-ray passing hole 31 for emitting the characteristic X-ray 29 by regulating it in a sheet beam shape is formed on a plane intersecting with a plane with the electron beam passing hole 30 formed thereon.例文帳に追加

２次ターゲット27には、ボックス形で、電子ビーム15が通過する電子ビーム通過孔30を設け、電子ビーム通過孔30を設けた面に対して交差する面に特性Ｘ線29をシートビーム形状に規制して放出するＸ線通過孔31を設ける。 - 特許庁

The formation of the continuous integral coating is made possible by applying the electron beam curing type resin by a coating applicator 7' on a plurality of the ribbon-like coated optical fibers lined up in parallel and curing the resin by irradiating the resin with the electron beams of the different acceleration voltages by means of the primary and secondary electron beam irradiation devices 9' and 11'.例文帳に追加

また、複数条平行に並べたテープ状光ファイバ心線１２上に、塗布装置７’にて電子線硬化型樹脂を塗布して該樹脂に一次及び二次の電子線照射装置９’及び１１’にて異なる加速電圧の電子線を照射して硬化させ連結一括被覆となすことも出来る。 - 特許庁

In order to obtain the SEM with extra-small size, high sensitivity, and high resolution, an electrostatic lens is used as a principal focusing means, and a drift tube of electron beams is installed inside a column between an electron source and a testpiece, and the secondary electron detector is arranged inside this.例文帳に追加

超小型で高感度かつ高分解能のＳＥＭを得るために静電レンズを主たる収束手段とし、電子源と試料との間でカラム内部に電子線のドリフト管を設け、この中に二次電子検出器をおく構造とする。 - 特許庁

A main control system 34 previously forms the voltage map indicating the quantity of the focal point displacement of the secondary electron beam B2 in a detecting surface of an electron beam detecting unit 30 in response to the quantity of the charge up generated when a sample 4 is irradiated with the primary electron beam B1, and stores this voltage map in a memory device 43.例文帳に追加

主制御系３４は、試料４上に一次電子ビームＢ１を照射した際に生ずるチャージアップ量に応じ、電子ビーム検出器３０の検出面における二次電子ビームＢ２の焦点ずれ量を示す電圧マップを予め作成し記憶装置４３に記憶する。 - 特許庁