「Secondary electron」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a lithium ion secondary battery improving the electron conductivity of LiMnPO_4, which is a positive electrode active material, and obtaining both high energy density and high safety for the lithium ion secondary battery.例文帳に追加

リチウムイオン二次電池の正極活物質であるＬｉＭｎＰＯ_４の電子伝導性を向上させるとともに、リチウムイオン二次電池としての高エネルギー密度と高い安全性とを両立させる。 - 特許庁

The electrolyte for the lithium secondary battery, and the lithium secondary battery containing the same, includes a nonaqueous organic solvent containing cyclic carbonate and γ-butyrolactone, an ester compound having an electron attracting group, and two or more kinds of salt.例文帳に追加

環状カーボネート及びγ−ブチロラクトンを含む非水性有機溶媒と、電子吸引基を有するエステル化合物と、２つ以上のソルトとを含むリチウム二次電池用電解質及びこれを含むリチウム二次電池に関する。 - 特許庁

Since the secondary electron outgoing opening 63 is apart from an electric field between the ion transport part 5 and the scintillator 71, the secondary electrons reach the scintillator 71 without being dceflected.例文帳に追加

二次電子出射口６３はイオン輸送部５とシンチレータ７１の間の電界から離れているので、二次電子が偏向されることなくシンチレータ７１まで到達する。 - 特許庁

Thus, secondary electrons emitted from the mask 18 due to collision of the ion beam 10 are almost easily adsorbed by the secondary electron adsorbing electrode 22.例文帳に追加

このため、イオンビーム１０の衝突によってマスク１８から放出される２次電子の多くは容易に２次電子吸着用電極２２に吸着されてしまう。 - 特許庁

To effectively observe irregularity of the surface of a sample, by detecting secondary electrons from the sample mounted in a lens magnetic field with a plurality of secondary electron detectors.例文帳に追加

レンズ磁界内に設置された試料からの二次電子を複数の二次電子検出器により検出して試料表面の凹凸を効果的に観察すること。 - 特許庁

A secondary image is acquired 2 based on the set focal point and astigmatism control 1, and the flow, direction and articulation of the secondary electron image are evaluated 4 for the data 3.例文帳に追加

設定した焦点及び非点収差制御値１により二次電子像取得２を行い、そのデータ３に対し、二次電子像の流れと方向及び明瞭度を評価する操作４を行う。 - 特許庁

Since the high-frequency plasma 13 is used instead of an ion beam used conventionally, the amount of secondary electron emission is increased, thereby measuring the secondary electrons with high sensitivity.例文帳に追加

従来用いられていたイオンビームに代えて高周波プラズマ１３を使用するので、２次電子の放出量が多くなり、２次電子を高感度に測定できる。 - 特許庁

The secondary electron generating layer is arranged on the cathode structure, and furthermore secondary electrons are generated and made to collide with the fluorescent layer to improve light emitting efficiency.例文帳に追加

二次電子生成層はカソード構造上に配設され、さらなる二次電子を生成して蛍光層に衝突させて発光効率を向上させることができる。 - 特許庁

Then, based on the detected quantity of the secondary electrons detected by the secondary-electron detecting sensor, irradiation control of the ion beam is carried out, and at the same time, ion injection into the semiconductor board by ion beam is carried out.例文帳に追加

また、２次電子検出センサで検出した２次電子の検出量に基づいてイオンビームの照射制御を行ないながら半導体基板へのイオンビームによるイオン注入を行なう。 - 特許庁

The secondary electrons are detected by respective detectors of a secondary-electron detector array 2, and they are guided to a photomultiplier 11 via the window 16 of a vacuum chamber 15.例文帳に追加

２次電子は、２次電子検出器アレイ１２の各検出器で検出され、ライトガイド１３により、真空チャンバー１５の窓１６を介して光電子増倍管１１に導かれる。 - 特許庁

An incidence of primary electrons into the layer 1 generates secondary electrons inside the layer, and they are accelerated by the electric field in the direction of the emission and emitted out of the transmissive secondary electron surface.例文帳に追加

１次電子が入射して２次電子放出層１内部に２次電子が生成されると、２次電子放出層１内部に形成されている電界によって２次電子は出射面方向に加速され、透過型２次電子面の外部に放出される。 - 特許庁

(In the formula, Ai1 shows the minimum energy at which a secondary electron emission coefficient of the structure supporter becomes 1, and As shows an initial emission energy of secondary electrons emitted from the structure supporter.).例文帳に追加

θ＝０．３ｔａｎ^-1（１／ｋ）〜２．０ｔａｎ^-1（１／ｋ） ｋ＝（０．５×（Ａ_i1／Ａ_s −１））^0.5 、Ａ_i1は前記構造支持体の二次電子放出係数が１となる最小エネルギー、Ａ_s は前記構造支持体から放出される二次電子の初期放出エネルギー - 特許庁

As a result of this, in the lamp being lit, secondary electrons are emitted, when the electrons collide with the secondary electron emitting film 7c, and the number of electrons in the airtight container 5 is increased.例文帳に追加

これにより、ランプ点灯中においては、電子が二次電子放出膜７ｃに衝突することで二次電子が放出され、気密容器５内の電子数が増加する。 - 特許庁

The secondary electron generation layer is arranged on the cathode structure, and generates more secondary electrons to collide with the fluorescent layer, thereby improving the luminous efficiency.例文帳に追加

二次電子生成層はカソード構造上に配設され、さらなる二次電子を生成して蛍光層に衝突させて発光効率を向上させることができる。 - 特許庁

The first positive electrode active material is preferred to be secondary particles made by assembling a plurality of primary particles of the olivine compound, and preferably consists of secondary particles with an electron conductive substance intervened between primary particles.例文帳に追加

第１の正極活物質は、オリビン化合物の一次粒子を複数集合してなる二次粒子とされることが好ましく、一次粒子間に電子導電性物質が介在した二次粒子からなることがさらに好ましい。 - 特許庁

An ExB 16 for a detection part supplying a field acting on tracks of secondary particles generated from a sample 2, is arranged at the convergence point 24 of the primary electron beam, and only the secondary particles in a specific energy range is guided to a detection part 13.例文帳に追加

一次電子線の収束点２４には，試料２から発生する二次粒子の軌道に作用する場を供給する検出部用ExB１６を設け，特定のエネルギー範囲の二次粒子のみを検出部１３に導く。 - 特許庁

A defect inspection device is provided with a first irradiating means S for irradiating a sample 9 by emitting primary electron beams, mapping optical mechanisms 11 to 13 or imaging secondary electrons emitted from the surface of the sample 9 irradiated with the secondary electron beams, a detector D for detecting the secondary electrons, and an image treatment mechanism 18 for treating signals from the detector D.例文帳に追加

欠陥検査装置は、一次電子線を放出して試料９を照射するための第１の照射手段Ｓと、一次電子線で照射された試料９の表面から放出された二次電子を結像させるための写像光学機構１１〜１３と、二次電子を検出するための検出器Ｄと、検出器Ｄからの信号を処理する画像処理機構１８とを具備する。 - 特許庁

By irradiating ion beam on the semiconductor board, the secondary electrons emitted from the semiconductor board are detected by the secondary-electron detectingsensor, and based on the detected quantity of the secondary electrons, the current density distribution of the ion beam irradiated is measured.例文帳に追加

半導体基板にイオンビームを照射することにより同半導体基板から放出された２次電子を２次電子検出センサで検出し、２次電子の検出量に基づいて照射したイオンビームの電流密度分布を測定する。 - 特許庁

The secondary electrons, having higher energy which are secondarily generated from a wafer 22, are detected with a detector 16 by having the electron beam 39 irradiated once or a several times in a predetermined interval to the surface of the wafer 22, and then generating an amount of secondary electrons larger than the irradiated secondary beam 39.例文帳に追加

ウエハ２２の表面に電子ビーム３９を１回または所定の間隔で複数回照射し、照射した電子ビーム３９よりも多くの二次電子を発生させて、ウエハ２２から二次的に発生するエネルギーの高い二次電子を検出器１６で検出する。 - 特許庁

The electron beam lithography device 100 includes a first measuring instrument 4 which irradiates a mark formed on a substrate 6 with light and detects reflected light of the irradiation light to measures the position of the mark, a second measuring instrument 24 which detects a secondary electron generated from an electron beam irradiating the mark from an electron source through an electrooptical system to measure the position of the mark, and a controller 12.例文帳に追加

電子線描画装置１００は、基板６に形成されたマークに光を照射し、照射された光の反射光を検出して前記マークの位置を計測する第１計測器４と、電子源から電子光学系を介して前記マークに照射された電子線から発生する二次電子を検出して前記マークの位置を計測する第２計測器２４と、制御器１２と、を備える。 - 特許庁

This collector is provided with a collector stage 106 constituted to collect a first portion 116 of electrons from an electron beam 52, and a self-biased element 102 having a secondary electron emissivity 1 or smaller and comprising an electron cumulative element 104 positioned with respect to the collector step 106, so as to receive a second portion 114 of the electrons of the electron beam.例文帳に追加

電子ビーム52の電子の第１の部分116 を収集するように構成されたコレクタ段106 と、１より小さい２次電子放射係数を有し、電子ビームの電子の第２の部分114 を受けるようにコレクタ段106 に関して位置されている電子累積素子104 を有する自己バイアス素子102 とを具備していることを特徴とする。 - 特許庁

Position of an electron source ELS (L1) close to a spacer SPC is shifted from the spacer by ΔPY compensating the shift of electron flux from a phosphor PH caused by deflection of electron flux EB due to electrification of the spacer SPC and emission of secondary electron against arrayed position ELS (L0) in the same pitch PV.例文帳に追加

スペーサＳＰＣに近い電子源ＥＬＳ（Ｌ１）を、その等ピッチＰＶでの配列位置ＥＬＳ（Ｌ０）に対して、スペーサＳＰＣの帯電や２次電子放出による電子束ＥＢの偏向に起因する当該電子束の蛍光体ＰＨからのずれを相殺するΔＰＹだけスペーサＳＰＣから離れた位置に変位させる。 - 特許庁

A lightness adjusting means 110 draws the initial value of a lightness control value, based on the contents of electric control supplied from an LSI tester 101 to a semiconductor element 106 to be tested and image observing conditions drawn from the contents of control supplied from an electron beam system control means 108 to an electron beam system (a electron beam generating source 104 and a secondary electron detector 105).例文帳に追加

明度調整手段１１０は、ＬＳＩテスタ１０１から被試験半導体素子１０６へ供給される電気的制御内容と、電子ビーム系制御手段１０８から電子ビーム系（電子ビーム発生源104、2次電子検出器１０５）への制御内容から導出される像観測条件とに、基づき明度の制御値の初期値を導出する。 - 特許庁

This electron beam device is equipped with a reflected electron detecting means 50 of an integrated double detection type where a reflected electron detecting element 31, which uses a scintillator element or a semiconductor element that has a high detection sensitivity of high energy reflected electrons and a long life, and a secondary electron generating electrode 33, which is advantageous in detect reflected electrons of low energy at high efficiency, are arranged adjacently.例文帳に追加

高エネルギーの反射電子の検出感度が高く、長寿命なシンチレータ素子、あるいは半導体素子を用いた反射電子検出素子３１と低エネルギーの反射電子の高効率検出に有利な二次電子発生電極３３とを隣接して配置した、２検出方式一体型の反射電子検出手段５０を設ける。 - 特許庁

High electron emitting current is obtained by the increase of electron emitting sources which are the secondary carbon nanotubes having fine diameters, and then a uniform field emission characteristic is obtained by the diameter of the primary carbon nanotube formed with a uniform distribution.例文帳に追加

また、微細直径の２次カーボンナノチューブ、すなわち電子放出源の増加によって高い電子放出電流が得られ、均一な分布で形成された１次カーボンナノチューブの直径を通じて均一な電界放出特性が得られる。 - 特許庁

To provide a lithium ion secondary battery which lowers electron resistance on the cathode side to facilitate electron movement in the thickness direction of the cathode and also facilitates the movement of lithium ions in the thickness direction of the cathode, thereby realizing improved utilization of a cathode active material.例文帳に追加

正極において対極側の電子抵抗を低下させて正極の厚さ方向における電子の動きを円滑にすると共に、正極の厚さ方向においてリチウムイオンの動きを円滑にして正極活物質の利用率の向上を実現し得るリチウムイオン二次電池を提供する。 - 特許庁

A secondary electron 18 emitted from a sample 14 surface by irradiation of a primary electron beam 2 is drifted from the sample surface toward an electric field supply electrode 11 by an electric field made by a plurality of electrodes arranged in the sample room.例文帳に追加

一次電子ビーム２の照射によって試料１４表面から放出された二次電子１８は、試料室内に配置された複数の電極の作る電界によって、試料表面から電界供給電極１１に向かってドリフトする。 - 特許庁

The collecting electrode power supply 8 changes the collecting electrode voltage to be applied to the collecting electrode 10 according to the scanning position of the electron beam within an electron beam scanning region 22 and thereby makes uniform the collection efficiency of secondary electrons within the scanning region.例文帳に追加

収集電極電源８は、電子線走査領域２２内において電子線の走査位置に応じて収集電極１０に印加する収集電極電圧を変化させ、これによって、走査領域内における二次電子の収集効率を均一化する。 - 特許庁

The observation condition includes the working distance, vacuum, addition/subtraction of the detection signals from a reflection electron detection element divided into a plurality, the voltage being applied to the bias electrode of a low vacuum secondary electron detector, and the mixing ratio of signals when displaying a mixing image.例文帳に追加

観察条件には、ワーキングディスタンス，真空度，複数に分割された反射電子検出素子の検出信号の加減算操作、低真空二次電子検出器のバイアス電極に印加する電圧、ミキシング画像を表示する際の信号の混合比がある。 - 特許庁

The multi-emitter having a plurality of electron emission sites is kept at a negative potential; and secondary electrons obtained by entering a primary ray into the multi-emitter are expanded and focused to obtain a surface image of the electron emission sites of the multi-emitter.例文帳に追加

複数の電子放出サイトを有するマルチエミッタを負電位に保持し、前記マルチエミッタに対して一次線を入射させて得た２次的な電子を拡大結像させ、前記マルチエミッタの前記電子放出サイトの表面像を得る。 - 特許庁

To increase response speeds of an electric current signal, and improve yield of an ion electric current in a gas amplifying method ion electric current detection type SEM in which a secondary electron image can be obtained even in a low vacuum condition by utilizing an electron avalanche by a residual gas in a sample room.例文帳に追加

試料室内の残留ガスによる電子なだれを利用することで、低真空条件でも二次電子像を取得できるガス増幅式イオン電流検出型SEMにおいて、電流信号の応答速度の高速化およびイオン電流の収量の向上を図る。 - 特許庁

To further improve response speed by shortening a drift hour of ions, to raise efficiency in gas amplification caused by an electron avalanche, to improve the efficiency of ion detection, and to improve the image quality of a low-vaccum secondary electron image.例文帳に追加

本発明が解決しようとする問題は、イオンのドリフト時間の短縮による更なる応答速度の向上、電子なだれによるガス増幅の高効率化とイオン検出効率の向上、および低真空二次電子像の像質改善である。 - 特許庁

After internationally charging electric charge at early stages on a sample surface such as a photograph mask, the scanning electron microscope image, is set as the base which obtains the image based on a signal of a secondary electron produced by scanning with a primary electronic beam on the charged sample surface.例文帳に追加

フォトマスクのような試料表面に初期に意図的に電荷を帯電させた後で、帯電された試料表面を１次電子ビームでスキャンして生じる２次電子の信号を基とする画像を得る走査電子顕微鏡画像による。 - 特許庁

In reviewing the defects, by irradiating the primary electron beam on the testpiece in such a state that the deflection amount of the electrostatic deflector 12 is reduced than the detection time of defects, and by forming the secondary electron microscopic picture of the defect candidate of the testpiece 19, the three-dimensional SEM image is obtained.例文帳に追加

欠陥レビュー時には、静電偏向器１２の偏向量を欠陥検出時より低下させた状態で１次電子線を試料に照射して試料１９の欠陥欠陥候補の２次電子画像を形成することにより立体的なＳＥＭ像が得られる。 - 特許庁

In the partition part 23, a primary target 26 for entering an electron beam 15 from an electron gun 14 to emit a continuous X-ray 28 is arranged, and a secondary target 27 for entering the continuous X-ray 28 emitted from the primary target 26 to emit the characteristic X-ray 29 is arranged.例文帳に追加

区画部23内には、電子銃14から電子ビーム15が入射して連続Ｘ線28を放出する１次ターゲット26を設け、１次ターゲット26から放出された連続Ｘ線28が入射して特性Ｘ線29を放出する２次ターゲット27を設ける。 - 特許庁

When each luminance signal transmitted from a pair of reflection electron detectors is respectively set as L and R and a luminance signal transmitted from a secondary electron detector as S, an adjusted value Lc of L and an adjusted value Rc of R are respectively calculated by using a primary homogeneous expression of L, R, and S.例文帳に追加

走査型電子顕微鏡装置によると、１対の反射電子検出器からの輝度信号をそれぞれＬ、Ｒ、２次電子検出器からの輝度信号をＳとするとき、それぞれＬ、Ｒ及びＳの１次同次式を用いてＬの調整値Ｌｃ及びＲの調整値Ｒｃを演算する。 - 特許庁

When the number of the detectors 20a-20n is 512 and the signals of one scanning line of the electron beam 1 on a wafer sample 3 are 512 points, 512 points of secondary electron signals are respectively individually detected by the detectors 20a-20n.例文帳に追加

ここで、検出器２０ａ〜２０ｎの数を５１２個とし、一次電子ビーム１のウエハ試料３上の１走査ライン分の信号が５１２ポイントであると、５１２ポイントの２次電子信号がそれぞれ５１２個の２次電子検出器２０ａ〜２０ｎによって別個に検出される。 - 特許庁

An electron beam having 100 eV or more and 1,000 eV or less of irradiation energy is scanned/irradiated to the wafer 18 having the pattern with the high step difference under the semiconductor manufacturing process, the defect is inspected quickly based on an image of a secondary electron generated therein.例文帳に追加

半導体製造工程中の高い段差のあるパターンを持つウエハ１８に１００ｅＶ以上１０００ｅＶ以下の照射エネルギ−の電子線を走査・照射し、発生した２次電子の画像から高速に欠陥検査を行う。 - 特許庁

X-rays, secondary electrons or the like generated from the sample by electron beam irradiation are detected respectively by an X-ray detector 24 and an electron detector 23, and results are stored in a storage part 34 as time series data combined in time series together with elapsed time information and a coordinate position.例文帳に追加

電子線照射により試料から発生したＸ線、二次電子等をそれぞれＸ線検出器２４、電子検出器２３で検出し経過時間情報、座標位置とともに時系列的に組み合わせた時系列データとして記憶部３４に格納する。 - 特許庁

To provide a stereoscopic shape measuring method by a scanning electron microscope (SEM) and its device capable of highly-accurate stereoscopic shape measurement even in the case of a flat surface or a nearly vertical surface, by utilizing tilt angle dependency of a secondary electron image signal quantity.例文帳に追加

ＳＥＭの２次電子画像信号量の傾斜角依存性を利用して平坦な面や垂直に近い面についても高精度な立体形状計測を可能にしたＳＥＭによる立体形状計測方法およびその装置を提供することにある。 - 特許庁

To enable high-speed, stable, and accurate inspection of circuit pattern having insulating materials in a method for inspection by detecting a defect, contamination, residue, or the like appearing on the circuit pattern of a semiconductor-device wafer, by radiating an electron beam onto the wafer and comparing the secondary electron image with a reference image.例文帳に追加

半導体装置等基板上で発生した回路パターンの欠陥、異物、残渣等を電子線をウエハに入射して二次電子像を比較することにより検査する方法において、絶縁材料を有する回路パターンを高速に且つ安定して高精度に検査可能とする。 - 特許庁

To provide an electron beam device in which high precision evaluation of the sample can be made taking into consideration the intensity reduction of the primary electron beam separated from the optical axis and the reduced detection ratio of the secondary electrons emitted from the position of the sample separated from the optical axis.例文帳に追加

光軸から離れる一次電子線の強度減少および光軸から離れた試料の位置から放出された二次電子の検出率低下を考慮し、精度の高い試料評価を行うことのできる電子線装置を提供する。 - 特許庁

The tungsten oxide photocatalyst is obtained by depositing an electron attracting substance on a tungsten oxide particle and has 0.038-0.050 strength ratio (M/WO) (wherein M is secondary ionic strength of the electron attracting substance; WO is that of tungsten oxide) when analyzed by time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS).例文帳に追加

本発明の酸化タングステン光触媒体は、酸化タングステン粒子に電子吸引性物質が担持されてなる酸化タングステン光触媒体であって、飛行時間型二次イオン質量分析（ＴＯＦ−ＳＩＭＳ）により分析したときに、電子吸引性物質の二次イオン強度（Ｍ）と酸化タングステンの二次イオン強度（ＷＯ）との強度比（Ｍ／ＷＯ）が０．０３８〜０．０５０である、ことを特徴とする。 - 特許庁

This can reduce the resistance of a current path by a secondary electron gas 8 generated near a contact surface with the AlGaN layer 4 in the GaN layer 3, and resistance between a drain and a source by the reduction of the resistance of the current path between the respective electrodes 5, 6 and the secondary electron gas 8, thereby making compatible the high breakdown strength and the low on-resistance.例文帳に追加

これにより、ＧａＮ層３におけるＡｌＧａＮ層４との接触面付近に発生する２次元電子ガス８による電流経路の低抵抗化と、各電極５、６と２次元電子ガス８との間の電流経路の低抵抗化によりドレイン・ソース間抵抗を低減でき、高耐圧化と低オン抵抗化を両立できる。 - 特許庁

The secondary electron emission rate measuring instrument is manufactured so that it includes an electrostatic lens 104 for narrowing charged particle rays and a reflection electrode 105 for reflecting unneeded incident electrons, and is installed in a vacuum container, thus providing an inexpensive and compact measuring instrument as compared with the conventional measuring instrument and measuring secondary electron emission rate easily regardless of the type of a charged particle generator.例文帳に追加

二次電子放出率測定器は、荷電粒子線を絞る静電レンズ１０４及び不必要な入射電子を反射させるための反射電極１０５を含むように作製し、且つ、この装置を真空容器内に設置することで、従来の測定装置とは異なり、安価で小型の測定装置が供給できるとともに荷電粒子生成装置の種類に関わらず容易に二次電子放出率を測定することができる。 - 特許庁