「W-In」に関連した英語例文の一覧と使い方(202ページ目) - Weblio英語例文検索

At the step S3-2, in the case of the protective plate made of alumina, a high-frequency bias voltage of 13.56 MHz at an input power 1,000 W is applied for about 1 second, whereas the temperature of the protective plate is maintained to be a predetermined temperature of, for example, about 250°C or lower, to execute the step.例文帳に追加

ステップＳ３−２では、保護板がアルミナ製の場合、投入パワー１０００Ｗで１３．５６ＭＨｚの高周波バイアス電圧を約１秒間程度印加しながら、保護板の温度を例えば２５０℃程度以下の所定温度に維持して実行する。 - 特許庁

A fiber sensor 1 is provided with a detecting part 40 composed of a light projecting element 41 and a light receiving element 45, receives light emitted from the light projecting element 51 by the light receiving element 45, and detects presence/absence of an object W to be detected on the basis of a change in received light quantity.例文帳に追加

ファイバセンサ１は、投光素子４１、受光素子４５からなる検出部４０を備え、投光素子４１から出射された光を受光素子４５で受光し、受光量の変化に基づいて被検出物Ｗの有無について検出する。 - 特許庁

Plural wires (a) for wire harness W are arranged in parallel with each other on the same flat surface, and when pressure-welding the parallel wires (a) with terminals (t) of a connector C for electrical connection, the wires (a) arranged with the same pitch P1 are aligned with a parallel pitch P4 of the connector terminals (t).例文帳に追加

ワイヤーハーネスＷ用の複数の電線ａを一平面上に並列し、その並列電線ａをコネクタＣの端子ｔに一度に圧接接続する際、同一ピッチＰ_1で並列された電線ａをコネクタ端子ｔの並列ピッチＰ_4 に整列変更させる。 - 特許庁

The flash lamp group LG1 at one end of the five flash lamp groups LG1-LG5 is made to emit light and then the adjoining flash lamp groups LG2, LG3, LG4 and LG5 are made to emit light sequentially in order to scan the flash light irradiation region on a semiconductor wafer W which is held at a holding section 7.例文帳に追加

５つのフラッシュランプ群ＬＧ１〜ＬＧ５のうちの一端のフラッシュランプ群ＬＧ１から順次隣接するフラッシュランプ群ＬＧ２，ＬＧ３，ＬＧ４，ＬＧ５を発光させ、保持部７に保持される半導体ウェハーＷ上におけるフラッシュ光照射領域を走査させる。 - 特許庁

The optical fiber holding apparatus comprises a surface in order to hold the optical fiber which is rolled up so as not to overlap with each other, wherein at least the surface is formed of a heat conductive mold which has a thermal conductivity equal to or more than 0.5 W/mK, and which has an Asker C hardness of 20-50.例文帳に追加

互いに重ならないように巻いた状態にされた光ファイバを保持するための表面を有し、少なくとも該表面が、熱伝導率が０．５Ｗ／ｍＫ以上であり、かつアスカーＣ硬度が２０〜５０である熱伝導性成形体からなる。 - 特許庁

The rotating body 51 is formed of a disk 511, mounted in between the wheel W and an attaching face of the wheel hub WH, and a cylinder 512 for extending toward the body frame F from the disk 511 to surround the outer peripheral face of the wheel hub WH.例文帳に追加

回転体５１は、ホイールＷとホイールハブＷＨの取付面との間に装着される円盤部５１１と、円盤部５１１から本体フレームＦに向かって延びてホイールハブＷＨの外周面を包囲する円筒部５１２とから形成されている。 - 特許庁

In the seam welding method, a flange F is seam-welded by using welding equipment X1 equipped with an operation unit 10 to displace a workpiece W having the flange F including a straight area and a corner area and a pair of electrode rings 22 to weld the flange F while holding the flange F.例文帳に追加

本発明は、直線領域とコーナ領域を含むフランジＦを有するワークＷを変位させる操作部１０と、フランジＦを挟持しつつ溶接する電極輪対２２とを備える溶接装置Ｘ１を使用して、フランジＦをシーム溶接する方法である。 - 特許庁

Further, a light-receiving slit plate 18 is fitted in front of a light-receiving part 14, and at the same time, its slit width is adjusted so as to receive the parallel light only emitted from the floodlight part 18 and reflected by the reflector 12, when the transparent object W does not exist.例文帳に追加

また、受光部１４の前面に受光用スリット板１８をが設けると共に、そのスリット幅が、透明物体Ｗがないときに投光部１８から出射されリフレクタ１２で反射した平行光だけを受光できるよう調整してある。 - 特許庁

As the times of uses of the squeegee can be known from the number of the printed works W, when the accumulated counted value reaches a preset value set in advance, the electronic counter 4 rings an alarm buzzer 6 to inform necessity of the exchange of the squeegee to the operator, etc.例文帳に追加

印刷済みワークＷの個数からスキージの使用回数を知ることができるので、電子カウンタ４は累積カウント値が予め設定したプリセット値に達したときに、警報ブザー６を鳴動させてオペレータ等にスキージの交換の必要性を報知する。 - 特許庁

In the manufacturing process of the linear-actuator 8, the movable tracks of each linear bearing 16 are installed loosely to the armature 10, a preload force is given to the movable tracks by using an instrument clamping the armature 10, and the movable tracks are clamped at fixed positions so that the preload force w maintained approximately.例文帳に追加

リニア・アクチュエータの製造プロセスでは、各リニア軸受の可動軌道を電機子に緩やかに装着し、電機子を締め付ける器具を使用して予荷重力を可動軌道に与え、予荷重力がほぼ維持されるよう、可動軌道を所定の位置に締め付ける。 - 特許庁

In the device, an inert gas is introduced into the hollow part from the introducing part of the main body, and ejected onto the surface of the work W from the side of the top end of the rod-shaped electrode 150, and the fusion and working are performed with the arc discharge while the work is fused by the irradiation with the laser beam.例文帳に追加

そして、本体部の導入部から不活性ガスを内空部に流し、棒状電極１５０先端側からワーク面Ｗに噴出させ、レーザ光の照射によりワークを溶融させた状態でアーク放電による溶融、加工を行う。 - 特許庁

The line width W of a character pattern 20 is obtained by line width detecting processing of a line width detecting part 5 and a sub-pattern consisting of the directional components of the character is obtained by sub- pattern extracting processing of a sub-pattern extracting part 7 to be stored respectively in plural memories 8 to 11.例文帳に追加

文字パタン２０の線幅Ｗが線幅検出部５の線幅検出処理により求められ、文字の方向成分で構成されたサブパタンが、サブパタン抽出部７のサブパタン抽出処理で求められてそれぞれ複数のメモリ８〜１１に格納される。 - 特許庁

A precise shearing device is provided with a die 1, a punch 2, and a counter punch 3 to receive a material W from the opposite side of the punch 2, and a projecting part 32 is provided on the counter punch 3 in the vicinity of at least a circumferential edge of a holding surface 31.例文帳に追加

ダイ１と、パンチ２と、このパンチ２に対して材料Ｗを反対側から受けるカウンタパンチ３とを備えた精密せん断加工装置であって、カウンタパンチ３には、保持面３１の少なくとも周縁近傍位置に凸部３２を設けたことを特徴としている。 - 特許庁

A hanger body 3 is fitted with a pair of hook members 51 and 52 for hanging a side sill portion Wa of the workpiece W in a vertically inverted attitude wherein the side sill portion Wa is situated above, and a positioning member 6 pressed against the front edge of a front pillar lower portion Wb.例文帳に追加

ハンガー本体３に、ワークＷを、サイドシル部Ｗａが上方に位置する上下反転した姿勢で、サイドシル部Ｗａにおいて吊持する１対のフック部材５__1 ，５_2 と、フロントピラーロア部Ｗｂの前縁に当接する位置決め部材６とを取付ける。 - 特許庁

The axial flow pump 3 is composed of: a propeller 5 for sucking the water in the vicinity of the water surface W and sending the sucked water into the duct 2; a shaft 6 being a rotary shaft of the propeller 5 and; a motor 7 being a power source for rotating the propeller 5 through the shaft 6.例文帳に追加

軸流ポンプ３は、水面Ｗ近傍の水を吸引してダクト２内へ送出するためのプロペラ５と、プロペラ５の回転軸としてのシャフト６と、シャフト６を介してプロペラ５を回転させる動力源としてのモータ７により構成される。 - 特許庁

In this fly cutting working machine 1, an X-axis direction slide table 12 and a Z-axis direction slide table 13 are superposed one on the other, a work W is disposed thereon, and a tool spindle 15 and an on-board measuring device 21 are mounted on an Y-axis direction slide table 14.例文帳に追加

本発明のフライカット加工機１は，Ｘ軸方向スライドテーブル１２とＺ軸方向スライドテーブル１３とが重ねられた上にワークＷが配置され，Ｙ軸方向スライドテーブル１４に工具スピンドル１５と機上計測装置２１とが取り付けられている。 - 特許庁

The control method and system are intended to reduce a common mode current in a power converter which comprises a rectifier stage 1 connected to a number of input phases R, S, T and an inverter stage 2 connected to a number of output phases U, V, W.例文帳に追加

複数の入力相Ｒ、Ｓ、Ｔに接続された整流器段１と、複数の出力相Ｕ、Ｖ、Ｗに接続されたインバータ段２と、を備える電力変換装置のコモンモード電流を低減するように意図された制御方法およびシステムに関する。 - 特許庁

In a section W where the heating roller 11 passes the induction coil 15, therefore, interlinkage flux at each longitudinal end part of the heating roller can be made substantially similar to that at other parts, thereby uniform and sufficient heating energy can be generated.例文帳に追加

これによって、加熱ローラ１１が誘導コイル１５を通過する区間Ｗにおいて、加熱ローラ１１の長手方向両端部とそれ以外の部分との鎖交磁束をほぼ等しくすることができ、均一で充分な加熱エネルギーを発生することができる。 - 特許庁

The culture vessel 100 functions to culture the biological sample by accommodating it therein, being installed with a water tank 121 for reserving water therein and an evaporation promoting means 125 for evaporating the water W reserved in the tank 121.例文帳に追加

生体試料を内部に収納して培養する培養容器１００であって、培養容器１００内に、水を貯える水槽１２１と、水槽１２１に貯えられた水Ｗを蒸発させる蒸発促進手段１２５と、が備えられている培養容器を提供する。 - 特許庁

After the end of a closing processing, a unit control part receives a switch table and a report of the number in stock from a card R/W control part (S303) and judges the second upper limit when the switch table indicates that the setting of the second upper limit value is valid (S305).例文帳に追加

ユニット制御部は、締め処理終了後に、カードＲ／Ｗ制御部からスイッチテーブルとストック枚数通知を受信して（Ｓ３０３）、スイッチテーブルが第２上限値の設定を有効にする旨を示すときには、第２上限値判定を行う（Ｓ３０５）。 - 特許庁

An arbitrary position on the test piece W placed on a sample tray 90 can be irradiated with irradiating light emitted from irradiation equipment 70 by changing the projected position of the light in the plane of the tray 90 by means of a moving mechanism while the light is projected from the equipment 70.例文帳に追加

照射装置７０により照射光を照射し、移動機構により照射光の照射位置を試料台９０の面内において変更することで、試料台９０に置かれた供試体Ｗ上の任意の位置に光を照射することができる。 - 特許庁

The paper improved in air impermeability and smoothness is produced using a papermaking additive which includes cellulose nanofibers whose aqueous dispersion having a concentration of 2% (w/v) has a Brookfield viscosity (60 rpm, 20°C) of 500-7,000 mPa s, preferably 500-2,000 mPa s.例文帳に追加

濃度２％（ｗ／ｖ）の水分散液のＢ型粘度（６０ｒｐｍ、２０℃）が５００〜７０００ｍＰａ・ｓ、好ましくは２０００ｍＰａ・ｓであるセルロースナノファイバーからなる製紙用添加剤を用いて透気抵抗度及び平滑度が向上した紙を製造する。 - 特許庁

In the method, while a polishing agent slurry is supplied from a slurry supply tube 12 to a wafer W, polishing pad cylinders 14 formed into a cylindrical shape are slid as brought into contact with a wafer edge E to remove a remaining film on the wafer edge.例文帳に追加

本方法は、研磨剤スラリーをスラリー供給管１２からウエハＷに供給しつつ、円柱状に形成された研磨パッド円柱体１４をウエハエッジ部に接触、摺動させることによって、ウエハエッジ部Ｅに残る残膜を除去する方法である。 - 特許庁

The substrate W delivered to the second carrying device 4 is carried to the delivery position in a delivery space S1 above, for example, a first ion plating apparatus 31, and placed on and fixed to a supporting member 53 provided on a first substrate handling device 51.例文帳に追加

第２搬送装置４に渡された基板Ｗは、例えば第１イオンプレーティング装置３１の上方位置である受渡空間Ｓ1中の受渡位置に搬送され、ここで第１基板取扱装置５１に設けた支持部材５３上に載置されて固定される。 - 特許庁

Since the pallet positioned at a machining area 11 is connected to the fluid pressure pipe line of the pallet through a machining area connecting parts 47 and 55 in communication with the fluid pressure supply source, and the fluid pressure is supplied to the workpiece clamping device, the workpiece W is clamped for laser beam machining.例文帳に追加

加工エリア１１に位置しているパレットは、流体圧供給源に連通する加工エリア連結部４７，５５を介してパレットの流体圧配管路に連結されてワーククランプ装置に流体圧が供給されるので、ワークＷのクランプを行ってレーザ加工される。 - 特許庁

An aperture 22A of the nozzle 22 is directed downward and when vibration is imparted to the nozzle 22 from the vibrator 24, the water of the tank 18 falls in the form of the waterdrops W near the wall surface 32 along the approximately perpendicular line.例文帳に追加

ノズル２２は、その開口部２２Ａが下方に向けられており、当該ノズル２２に、バイブレータ２４から振動が付与されると、タンク１８の水がノズル２２から水玉Ｗとなって、壁面３１の近傍を略鉛直線上に沿って落下するようになっている。 - 特許庁

The space between a metallic target T and a substrate W in a reaction chamber 10 is separated into a plasma space S1 and a reaction space S2 by a cored partition board 15, then, the plasma space S1 is fed with sputtering gas, and the reaction space S2 is fed with gaseous fluorine as reaction gas, respectively.例文帳に追加

反応室１０の金属ターゲットＴと基板Ｗの間の空間を有孔仕切板１５によってプラズマ空間Ｓ_1 と反応空間Ｓ_2 に分離し、プラズマ空間Ｓ_1 にスパッタガスを、反応空間Ｓ_2 に反応ガスとしてフッ素ガスをそれぞれ供給する。 - 特許庁

The marking-off tool is provided with a disk part 2 rolling along the wall face W in a state of being laid on a marking-off face T, the scriber 8 mounted so as to penetrate the center of the disk part 2, and an arm 9 freely rotatably supporting the disk part 2.例文帳に追加

罫書き面Ｔ上に載置された状態で壁面Ｗに沿って転動する円盤部２と、この円盤部２の中心を貫通して装着される罫書き針８と、円盤部９を回転自在に支持するアーム９を備えることを特徴としている。 - 特許庁

On the other hand, as an output side terminal line 20, a main power supply terminal P and a main power supply terminal N are arranged in the right end side and the left end side toward the figure of the package PG, respectively, and output terminals U, V and W are arranged between the terminals P and N.例文帳に追加

一方、出力側端子列２０は、パッケージ部ＰＧの図に向かって左端側および右端側に、それぞれ主電源端子Ｐおよび主電源端子Ｎが配設され、両者の間に出力端子Ｕ、ＶおよびＷが配列されている。 - 特許庁

This W/O emulsion type flame retardant hydraulic fluid prepared by dispersing water in a base oil with an emulsifier is characterized by adding a neutral calcium sulfonate having a total base value of 15 to 30 mgKOH/g as the emulsifier.例文帳に追加

基油に乳化剤を用いて水を分散させてなるＷ／Ｏエマルション型難燃性油圧作動油において、前記乳化剤として全塩基価が１５〜３０ｍｇＫＯＨ／ｇの中性カルシウムスルフォネートを添加することからなるＷ／Ｏエマルション型難燃性油圧作動油。 - 特許庁

Further, the ion supplying unit 21 supplies the hydride ions taken out into a treatment chamber 51 using an inert gas as a carrier gas to reduce an oxide film formed on the surface of a metal film on a semiconductor wafer W disposed in the treatment chamber 51.例文帳に追加

また、イオン供給ユニット２１は、取り出した水素化物イオンを、キャリアガスである不活性ガスによって処理室５１内に供給し、処理室５１内に配置された半導体ウエハＷ上の金属膜表面に形成された酸化膜を還元する。 - 特許庁

In a dielectric ceramic composed of a perovskite type crystal as an essential crystalline phase, the perovskite type crystal is a solid solution composed of a multiple oxide of Ba, Sr, W and RE (RE represents rare earth element).例文帳に追加

ペロブスカイト型結晶を主結晶相とする誘電体磁器において、前記ペロブスカイト型結晶が少なくともＢａ、Ｓｒ、Ｍｇ、ＷおよびＲＥ（ＲＥは稀土類元素）の複合酸化物からなる固溶体であることを特徴とする誘電体磁器とする。 - 特許庁

The semisolid drug composition, which is in a state of O/W cream, includes octenidine dihydrochloride, glycerol monostearate, cetyl alcohol, medium chain fatty acid triglycerides (at least 95 wt.% of 8-10C saturated fatty acid), white vaseline and Macrogol 1000 glycerol monostearate.例文帳に追加

オクテニジン二塩酸塩、グリセロールモノステアラート、セチルアルコール、中鎖脂肪酸トリグリセリド（少なくとも９５重量％の飽和脂肪酸（８〜１０個の炭素原子を含む））、白色ワセリン、およびマクロゴール１０００グリセロールモノステアラートを含む、Ｏ／Ｗクリーム状の半固体薬剤組成物。 - 特許庁

In the heat radiating plate made of silicon carbide obtained by processing silicon carbide monocrystal or silicon carbide polycrystal produced by a sublimation recrystallization method, the heat conductivity of the heat radiating plate at an ordinary temperature is 200 to 550 W/mK.例文帳に追加

昇華再結晶法により作製された炭化珪素単結晶又は炭化珪素多結晶から加工してなる放熱板であって、該放熱板の常温での熱伝導率が２００〜５５０Ｗ／ｍＫであることを特徴とする炭化珪素製放熱板である。 - 特許庁

When a waveform data amount of the waveform data FIFO 33 becomes less 128 bytes or less during reproduction by a decoder 36 a W-IRQ signal is generated to write a following waveform data in the FIFO 33 via a first register group 31 from a CPU 10.例文帳に追加

デコーダ３６で再生中に、波形データＦＩＦＯ３３の波形データ量が１２８バイト以下となった際に、Ｗ−ＩＲＱ信号を発生してシステムＣＰＵ１０から続く波形データを第１レジスタ群３１を介して波形データＦＩＦＯ３３に書き込む。 - 特許庁

Further, the APFB molecule, etc. (containing a fragment molecule) containing in the insulating film is selectively desorbed, and the insulating film having relatively large pores is formed on the surface of a wafer W while a siloxane skeleton structure is maintained.例文帳に追加

さらに、アンモニアガスを用いたプラズマ処理により、絶縁膜中に含まれるＡＰＦＢ分子等（フラグメント分子を含む）を選択的に脱離させて、シロキサン骨格構造を維持しながら、比較的大きな空孔を有する絶縁膜をウェハＷ表面に形成する。 - 特許庁

Throughput in the semiconductor manufacturing process is increased and thereby the manufacturing process of a phtoresist pattern is reduced when applying the exposure device with the aforementioned structure and an exposure process to the photoresist pattern formation of the semiconductor substrate W with a step.例文帳に追加

前述した構成要素を有する露光装置及び露光工程を段差が存在する半導体基板Ｗのフォトレジストパターン形成に適用すると、半導体製造工程でのスループットを増加させるとともに、フォトレジストパターンの製造工程を短縮することができる。 - 特許庁

As for the magnetic tape, a magnetic layer 2 is formed directly on a base 1 consisting of one of polyamide, polymide, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate, and the magnetic layer 2 consists of a cobalt-containing maghemite thin film which contains cobalt in 1 to 10 w%.例文帳に追加

ポリアミド、ポリイミド、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレートのいずれかよりなる基体１上に磁性層２が直接形成された構成を有し、磁性層２をコバルトの含有量が１〜１０ｗ％のコバルト含有マグヘマイト薄膜よりなるものとした磁気テープを作製する。 - 特許庁

In a vapor deposition method, by performing a movement control of a slit plate 22 having a slit 22a and an incident angle control of the deposition substance by a rotation angle control of a substance support base 17 at the same time, the deposition angle within the surface of the substrate W is uniformized.例文帳に追加

本発明では、スリット２２ａを有するスリット板２２の移動制御と、基板支持台１７の回転角度制御による蒸着物質の入射角制御とを同時に行うことによって、基板Ｗ面内における蒸着角度の均一化を図る。 - 特許庁

An insulation displacement part 17 for a wire W is composed of a pair of base parts 18 protruding inside from two positions distant from each other in the direction of wire axis at a sidewall 12, and folded blade parts 19 protruding further insides from the base parts 18.例文帳に追加

電線Ｗとの圧接部１７は、側壁１２における電線Ｗの軸線方向に離間した２位置から内側へ突出する一対の基部１８と、この両基部１８からさらに内側へ突出する折返し状の刃部１９とから構成されている。 - 特許庁

In the cooling mechanism used for an electronic equipment or the like, a ceramic heat-radiable solid having an alumina (Al_2O_3) content of ≥95.0 wt.%, a thermal emissivity of 0.93 to 0.98, and a thermal conductivity of 30 to 60 W/m×K is used.例文帳に追加

電子機器等に用いられる冷却機構において、アルミナ(Al_2O_3)の含有量が95.0重量%以上で、0.93〜0.98の熱放射率および30〜60W/m・Kの熱伝導率を有することを特徴とする本発明の陶磁器熱放射性固体物を用いることにより、前記課題が解決される。 - 特許庁

The direction conversion section 153 includes a first mirror 154, a second mirror 155 and a third mirror 156, in which the optical path formed between the wafer W and the imaging section 150 is reflexed by the second mirror 155 and the third mirror 156.例文帳に追加

方向変換部１５３は、第１の反射鏡１５４、第２の反射鏡１５５及び第３の反射鏡１５６を有し、第２の反射鏡１５５及び第３の反射鏡１５６によってウェハＷと撮像部１５０との間で形成される光路が折り返される。 - 特許庁

The engine also comprises a means for detecting a number of revolution N of an engine and a load W, and means for controlling the variable mechanism of the compression ratio for normal combustion in a high rotation region or a high load region based on the detection signals (S1, S7, S8-S11).例文帳に追加

エンジンの回転速度Ｎおよび負荷Ｗを検出する手段と、その検出信号に基づいて高回転域または高負荷域のときに通常燃焼させるべく圧縮比の可変機構を制御する手段（Ｓ１，Ｓ７，Ｓ８〜Ｓ１１）と、を備える。 - 特許庁

This spindle pickup lathe includes: a spindle chuck 6 supporting the workpiece faced down; a tool support means provided in a machining area R to cut the workpiece W supported on the spindle chuck 6; and a spindle moving means 8 for moving the spindle chuck 6 vertically and laterally.例文帳に追加

ワークを下向きに支持する主軸チャック６と、加工領域Ｒに設けられて主軸チャック６に支持されたワークＷに対して切削加工を施す工具支持手段と、主軸チャック６を上下および左右に移動させる主軸移動手段８とを備える。 - 特許庁

A region from an edge of the dent surface 27 on a base end side thereof to the position located outside by the predetermined wall thickness W configures an invisible region R which cannot be seen from the surface side of the base material body 19 by refracting the light L in the curved surface 25.例文帳に追加

後退面２７の基端側の端縁から上記所定の壁厚Ｗ分だけ外側までの領域が、光Ｌが曲面部２５で屈折することにより基材本体部１９の表側から見えなくなる不可視部領域Ｒを構成する。 - 特許庁