「Wa State」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

During the water Wa is in a non-frozen state, the electromagnet 101 and the substance 110a adsorb each other and contacts A, B are closed in a conductive state.例文帳に追加

非凍結時には、電磁石１０１と磁石吸引物１１０ａとが引き合い、接点Ａ，Ｂが閉じられ、導通状態となる。 - 特許庁

Facing the highly volatile situation in East Asia in the seventh century, there emerged a need for "Wa" (ancient Japan, "Wa" was called "Japan" after the establishment of the name of the country by the Emperor Tenmu) to establish a centralized state under the Ritsuryo system. 例文帳に追加

このような７世紀の東アジアの激動を背景として，倭（天武天皇による国号制定以後日本）では中央集権的律令国家建設の必要性が生じた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Since a treatment chamber 30 can be held in a high vacuum state, no carrier gas is supplied to the periphery of a substrate WA so that the periphery of the substrate WA can be kept clean.例文帳に追加

さらに、処理室３０を高真空に保つことができるので、基板ＷＡ周辺にキャリアガスが導入されず基板ＷＡ周辺を清浄に保つことができる。 - 特許庁

In this method, the metal plate segment Wa to be bent which is protruded from the metal plate W is fixed in the state that the segment Wa is protruded from between an upper die 21 and a lower die 22 in a first holding process.例文帳に追加

第１挟み過程で、板材Ｗから突出した曲げるべき板材片Ｗａを上型２１と下型２２との間から突出させた状態で固定する。 - 特許庁

The light emitted from a light source 2 is projected upon the surface Wa to be measured of an object W to be measured so as to scan the surface Wa after the polarized state of the light is adjusted by means of a λ/2-wave plate 14 and the light is deflected by means of a deflecting means 3.例文帳に追加

光源２から出射される光は、λ／２波長板１４で偏光状態が調整され偏向手段３で偏向されて測定対象Ｗの測定面Ｗａを走査するよう照射される。 - 特許庁

The account of Empress Jingu in "Chronicles of Japan" connected the queen of the Wa state in Wei chih and "History of the Later Han Dynasty" directly with Empress Jingu. 例文帳に追加

『日本書紀』神功紀では、魏志と『後漢書』の倭国の女王を直接神功皇后に結び付けている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Then, the flux free wire solder member H in a solid phase state is supplied to the surface Wa which is subjected to surface improvement.例文帳に追加

次いで、表面改質された被着面Ｗａに固相状態のフラックスフリーの線状はんだ部材Ｈを供給する。 - 特許庁

A base 1a provided adjacently to an attachment plate 2 and a holding part 6 for holding a wafer W in the state where one face Wa is exposed are provided.例文帳に追加

貼付板２に隣接して設けられる基台１ａと、一面Ｗａを露出させた状態でウェーハＷの保持を行う保持部６とを設ける。 - 特許庁

In this state, the positioning pin 1 is inserted into the positioning hole Wa formed in the workpiece W to position the workpiece.例文帳に追加

この状態で、位置決めピン１をワークＷの位置決め孔Ｗａに挿入して位置決めを行う。 - 特許庁

Additionally, the worked surface Wa is polished and worked by the working surface Ga under a state causing a flow of pressure fluid in the grinding cavity through the pores and the worked surface Wa is polished and worked by the working surface Ga under a state of causing a flow of negative pressure fluid in the grinding cavity through the pores.例文帳に追加

さらに、気孔を介して研磨空隙内に加圧流体の流れを発生させた状態のもとで被加工面Ｗａを加工面Ｇａにより研磨加工し、気孔を介して研磨空隙内に負圧流体の流れを発生させた状態のもとで被加工面Ｗａを加工面Ｇａにより研磨加工する。 - 特許庁

From then on till the latter half of the seventh century, the name designating the country was still Wakoku or Wa, but in the process of remodeling its state and administrative apparatus on the ritsuryo system (a system of centralized government based on the ritsuryo code) by the Emperor Tenmu, there was growing national awareness about the avoidance of using Wa or Wakoku, so that before and after 701, a pair of Chinese characters, 日本, (meaning of 'the land from the sun-rise) came to be used. 例文帳に追加

その後、7世紀後半に至るまで国号の表記は倭国・倭のままであったが、天武天皇に始まる律令制建設の過程で、倭国・倭という表記を忌避する意識が再び高まり、701年前後に日本という表記が採用されることとなったと考えられている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The machining device includes a pair of holding mechanisms 35 holding the both ends Wa, Wb of the long workpiece W, and a pair of machining mechanisms 36 machining the both ends Wa, Wb of the workpiece W in a held state by the holding mechanisms 35.例文帳に追加

長尺状のワークＷの両端部Ｗａ，Ｗｂを把持するための一対の把持機構３５と、その把持機構３５によって把持された状態のワークＷの両端部Ｗａ，Ｗｂに対して加工を施すための一対の加工機構３６とを備える。 - 特許庁

In this case, every time when the iron core piece Wa is punched from the workpiece W, the iron core piece Wa in the laminated state in the side pressure ring 14 is pushed up to locate an upper surface of the iron core piece Wa1 at the upper end on the same level as the upper surface of the die 13.例文帳に追加

この場合、ワークＷからの鉄心片Ｗａの打ち抜きごとに、側圧リング１４内の積層状態の鉄心片Ｗａを押し上げて、上端の鉄心片Ｗａ１の上面をダイ１３の上面と同一平面上に位置させる。 - 特許庁

A flow of fluid is formed in a grinding cavity formed between a working surface Wa and a worked surface Ga through pores of the grinding wheel while relatively sliding the grinding wheel G and the work W under a state of making the working surface Ga and the worked surface Wa of porous grinding wheel G contact with each other.例文帳に追加

多孔質の砥石Ｇの加工面Ｇａと被加工面Ｗａとを接触させた状態のもとで、砥石Ｇと被加工物Ｗとを相対的に摺動させながら、被加工面Ｗａと加工面Ｇとの間に形成される研磨空隙に、砥石Ｇの気孔を介して流体の流れを形成する。 - 特許庁

When the female connector 20 with the cover 60 in which the drawing out directions of the electric wire group Wa has the same direction is fitted into the vertical row state against the side face of ECU case C, the electric wire group Wa drawn out from the middle stage female connector 20 passes rearward of the upper stage female connector 20.例文帳に追加

電線群Ｗａの導出方向が同じであるカバー６０付きの雌コネクタ２０が、ＥＣＵケースＣの側面に対して縦列状態で嵌合された場合、上段の雌コネクタ２０の後方を中段の雌コネクタ２０から導出された電線群Ｗａが通る。 - 特許庁

A semiconductor manufacturing method comprises at least a first process of holding a substrate W of a wafer-like semiconductor, in a warped state, on which a resin layer R1 is disposed on one surface Wa in such a manner that the whole region of the surface Wa is spherically swollen and a second process of curing the resin layer R1 after performing the first process.例文帳に追加

一面Ｗａに樹脂層Ｒ１が配された、ウエハ状の半導体からなる基板Ｗを、一面Ｗａの全域が球面状に膨出するように、反らせて保持する第一工程と、前記第一工程の後に、樹脂層Ｒ１を硬化させる第二工程と、を少なくとも有する。 - 特許庁

In this case, when the wafer WA has properties to reflect the unexposed light, it is possible to bring the projection optics system 70 into a state substantially the same as the thermal state when exposure is performed.例文帳に追加

この場合、ウェハＷＡが非露光光を反射するものである場合において、投影光学系７０をその露光時の熱的状態と略同じ状態にすることができる。 - 特許庁

After the template 12 and wafer W are brought into contact with each other and while the state is kept as it is, the surface modifying liquid is supplied from a surface modifying liquid supply opening 12 to the surface Wa of the wafer W in the predetermined position through the flow passage 16 from openings 15 to modify the surface Wa of the wafer W.例文帳に追加

このテンプレート１２とウェハＷを密着させた後、この状態のまま、表面改質液供給口１７から流通路１６を介して開口部１５からウェハＷの所定の位置の表面Ｗａに対して表面改質液を供給することで、ウェハＷの表面Ｗａを改質する。 - 特許庁

"Gishiwajinden" (literally, an 'Account of the Wa' in "The History of the Wei Dynasty") from Sangokushi (Annals of the Three Kingdoms) describes state of Wakoku in the third century in detail that Queen Himiko ruled over the Yamatai-Koku kingdom. 例文帳に追加

三国志の『魏志倭人伝』は、3世紀の倭国の状況を詳しく記し、邪馬台国の卑弥呼女王が統治していたことなどを伝えている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An angle α0 of spread for discharge of the horning liquid F spread for discharge in a state widened toward the end from a horning gun 1 arranged opposite to a surface Wa of the metal work W is regulated by an orifice member 2.例文帳に追加

金属製ワークＷの表面Ｗａに対向して配設されたホーニングガン１から先広がり状に吐出するホーニング液Ｆの吐出広がり角α０をオリフィス部材２により規制する。 - 特許庁

During the water Wa in a frozen state, since ice exists between the electromagnet 101 and the element 110a, even if they adsorb each other, the substance 110a is hardly floated up.例文帳に追加

凍結時には、電磁石１０１と磁石吸引物１１０ａとが引き合ったとしても、双方の間に氷が存在するため、磁石吸引物１１０ａは浮き上がることが困難となる。 - 特許庁

Travel route piles 1 where a first holder for holding a first magnet 21 and a second holder for holding the second magnet 22 are integrally formed are continuously buried at intervals under the ground in a state orthogonal to a travel route reference line Wa.例文帳に追加

第１磁石２１を保持する第１ホルダと第２磁石２２を保持する第２ホルダが一体形成された走行経路杭１を走行経路基準線Ｗａと直交する状態で間隔を有して連続的に地中に埋設する。 - 特許庁

The CPU decides whether the absolute value of the detected weight is below a human body detection threshold WA and the state continues longer than an effective detection period T1 (step 103).例文帳に追加

ＣＰＵは、検出荷重の絶対値が人体検出しきい値ＷＡ未満で、その状態が有効検出期間Ｔ１以上継続しているか否かについて判断する（ステップ１０３）。 - 特許庁

The control unit determines that the water Wa in the separator 60 is frozen if the conductive state is not detected after the elapse of a prescribed time after applying the voltages to the electrodes 100a, 100b.例文帳に追加

制御ユニットは、電極に電圧印加後、所定時間経過後においても導通状態が検出されない場合には、気液分離器６０内の水Ｗａは凍結していると判定する。 - 特許庁

If the state that the absolute value of the detected weight is below a human body detection threshold WA continues more than an effective detection period T1, the CPU decides that there is as no crew (step 104).例文帳に追加

検出荷重の絶対値が人体検出しきい値ＷＡ未満である状態が有効検出期間Ｔ１以上継続しているとき、ＣＰＵは乗員なし判定を行う（ステップ１０４）。 - 特許庁

The segment Wa of the metal plate in the holding state with the upper and lower dies 21, 22 is bent by an angle of <90° by moving a bending die 24 in the next first obtuse angle bending process.例文帳に追加

次の第１鈍角曲げ過程で、曲げ型２４を移動させて、上下型２１，２２による挟み込み状態の板材片Ｗａを９０度未満の角度だけ曲げる。 - 特許庁

A reference position setting means 5 is provided in which a side Wa or an angle Wb far from the stocker 35 is set as a reference position A in a state that a plate material W is arranged on a table 32 of the plate processing machine 31.例文帳に追加

素材板材Ｗが板材加工機３１のテーブル３２上に配置された状態で、ストッカ３５から遠い側となる辺Ｗａまたは角Ｗｂを基準位置Ａとして設定した基準位置設定手段５を設ける。 - 特許庁

Amid this, the construction of a new state system, the Ritsuryo system steadily advanced and by the very end of the seventh century, Taiho Ritsuryo (Taiho Code) which defined the new form of government was completed, and in or around 701just before the enforcement of the ritsuryo, Wa or Wakoku was renamed Nippon or Nihon. 例文帳に追加

そうした中で新しい国家体制、すなわち律令制の構築が精力的に進められていき、7世紀最末期には新国家体制を規定する大宝律令の編纂がほぼ完了したが、同律令施行直前の701年前後に国号が倭・倭国から日本へ改められたとされている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the inclined state Ya of the fixing hardware body, an inclined slit width Wa in a thickness direction F1 between a slit wall surface above the fitting slit and a slit wall surface below the fitting slit is larger than the thickness T of the flange part, and the flange part can be inserted into the fitting slit.例文帳に追加

固定金物本体の傾斜状態Ｙａにおいて、前記嵌合スリットの上のスリット壁面と下のスリット壁面との間の厚さ方向Ｆ１の傾斜スリット巾Ｗａは、フランジ部の厚さＴよりも大となり、該嵌合スリット内に前記フランジ部を挿入しうる。 - 特許庁

Since this action brings overhang parts Wa and Wb of the work W into a state to be pushed out from the small diameter part 33 and the large diameter part 34, a polishing pad is prevented from making contact with the surface side of the work W and a step is prevented from occurring to the work W as a result of machining.例文帳に追加

これにより、ワークＷのオーバーハング部Ｗa,Ｗbがそれぞれ小径部３３と大径部３４からせり出した状態となるので、研磨パッドはワークＷの表面側には接触することがなく、ワークＷに段差が加工されることを防止できる。 - 特許庁

A parts feeder is a device which has a pair of rod-like chutes 3 and 3 and supplies a headed part W to the destination of supply in a hung state by hanging the head Wa of the headed part W, arranged between these fellow chutes 3 and 3, to each chute 3.例文帳に追加

部品供給装置は、対をなす略棒状のシュート３・３を有し、これらシュート３・３同士の間に配置した頭付き部品Ｗの頭部Ｗａを各々のシュート３に懸けることにより頭付き部品Ｗを吊り下げ状態で供給先へ供給する装置である。 - 特許庁

The engagement member 4 is devised to be displaced outward in the radial direction rather than a position to be engaged with the tool engagement part Wa in size to be engaged with the engagement hole 3b in a state where the engagement member 4 is made contact with the seat 5b positioned at the extreme outward in the radial direction.例文帳に追加

放射方向最外方に位置する当座５ｂに係合部材４を当接させた状態では、係合部材４が係合穴３ｂに係合する大きさの工具係合部Ｗａに係合する位置よりも放射方向外方に変位されるようにする。 - 特許庁

By utilizing the air-conditioned indoor air as the return air RA, cooled air is becomes working air WA during summer, the cooling capacity in the indirect evaporative cooling unit 4 is improved, and the outside air OA can be supplied, in a state of being cooled to a temperature that is the same as or lower than the indoor temperature.例文帳に追加

還気ＲＡに空気調和された室内の空気を利用することで、夏季は冷やされた空気がワーキングエアＷＡとなり、間接気化冷却ユニット４における冷却能力が向上して、外気ＯＡを室内温度と同等あるいは室内温度以下に冷却して供給することができる。 - 特許庁

This work rest device comprises the shoes 30a and 31a for supporting the machined portions Wa to We of the work W when the outer peripheral surface of the work W is ground while rotating the long work W about the axis L thereof in the state of supporting the work at both ends.例文帳に追加

長尺状のワークＷを両端にて支持した状態でその軸線Ｌを中心に回転させながら、ワークＷの外周面を研削加工する際に、ワークＷの加工部分Ｗａ〜Ｗｅを支持するシュー３０ａ，３１ａを備える。 - 特許庁

In a state that a nozzle 2 attached to the leading end of a cylinder 1a is closely brought into contact with the coating surface Wa of an object W to be coated, a piston 1b is pressed by the push-in flange 30 of an emission mechanism 3 to pressurize a viscous coating material S charged in the cylinder 1a.例文帳に追加

シリンダ１ａの先端に取付けられたノズル２を塗布対象Ｗの塗布面Ｗａと密着させた状態で、吐出機構３の押込みフランジ３０によりピストン１ｂを押圧してシリンダ１ａ内に充填された粘性塗布材Ｓを加圧する。 - 特許庁

In this state, when another robot 24 grips the workpiece W by a grip device, the workpiece W is vertically moved with extremely light force so that a knock hole Wa is completely fitted to the positioning pin 15, while the positioning pin is hardly influenced by the load of the workpiece W.例文帳に追加

この状態で、別のロボット２４が把持装置によってワークＷを把持すると、位置決めピンはワークＷの荷重の影響を殆ど受けることなく、位置決めピン１５にノック穴Ｗａが完全に嵌合するように極めて軽い力でワ−クＷが上下動する。 - 特許庁

Since the bolt group 18 is set, such that one bolt abuts against the adjusting block under a state where the holding surface 16A and the surface Wa to be held of the wafer W becomes parallel for each mounting surface of each table T, the wafer W is carried, while touching the holding surface in parallel.例文帳に追加

ボルト群１８は、保持面１６Ａと各テーブルＴの載置面毎にウエハＷの被保持面Ｗａとが平行となる状態で、何れか一のボルトが調整ブロックに当接するように設定しておくことで、ウエハＷに対して平行に接触してウエハＷを搬送する。 - 特許庁

The widths Wa and Wb of the wirings of the patterns 2' in the individual semiconductor elements are set according to the state of the thickness ta and tb of the conductor thin film and the semiconductor thin film formed on the surface of the wafer 1, thereby forming the densities to the thin films and the like.例文帳に追加

個々の半導体素子における回路パターン２’の配線の幅Ｗ_a を、シリコンウエーハ１の表面に形成された導体薄膜または半導体薄膜２の厚さｔ_a ，ｔ_b や密度等の状態に応じて、設定し形成する。 - 特許庁

When an operating state is unstable, a window setting means 12 sets a small window Wa, with which a read guarantee area is reduced, at an optimal position (p) in the case of reading out the parallel data and when the operating state is stable, a large window Wb, with which the read guarantee area is expanded from the optimal position (p).例文帳に追加

ウィンドウ設定手段１２は、動作状態が不安定状態の時には、パラレルデータを読み出す際の最適位置ｐで、読み出し保証領域を縮小した小ウィンドウＷａを設定し、動作状態が安定状態の時には、最適位置ｐから読み出し保証領域を拡大した大ウィンドウＷｂを設定する。 - 特許庁

When a word is recognized, weighting values Wa and Wx showing the importance of the word and binary values of excitation time values Ta to Tx set corresponding to the importance of the word are computed and when a computed value T reaches plural thresholds Vths, messages of alarms and warnings corresponding to a specific state are generated, so that a communication means transmits the specific state to other places together with additional information.例文帳に追加

言葉が認識された時、言葉の重要度を示す重み付け値Ｗａ〜Ｗｘと言葉の重要度に応じて設定した励起時間値Ｔａ〜Ｔｘの２値を演算し、演算値Ｔが設定した複数の閾値Ｖｔｈに達した時に、特定の状況に応じた複数の警報や警告等のメッセージを発生し、通信手段により他の場所に特定の状況を付加情報と共に伝送する。 - 特許庁

Since the recording states of the track to be traced and the adjacent track of the inner peripheral side and the outer peripheral side of the track to be traced are discriminated and the wobble signal Wa is binarized using a threshold value Th being optimum for combination of the recording state, an auxiliary signal Ad can be demodulated from a binarized wobble signal Wb obtained by binarization.例文帳に追加

トレースを行うトラックとトレースを行うトラックの内周側及び外周側の隣接トラックの記録状態を判別し、その記録状態の組み合わせに最適な閾値Ｔｈを用いてウォブル信号Ｗａの二値化を行うため、二値化によって得られる二値化ウォブル信号Ｗｂから正確に補助情報Ａｄを復調することができる。 - 特許庁

This wire harness Wa is provided with a sub harness Hs bundling a plurality of wires Hw, and two connectors 10A, 10B fitted at the terminal end of the sub harness Hs in an aligned state with a trunk harness (an object for fitting), and the two connectors 10A, 10B are coupled by a hinge (a coupling means) 19.例文帳に追加

ワイヤーハーネスＷａは、複数の電線Ｈｗを束ねたサブハーネスＨｓと、サブハーネスＨｓの端末部に取り付けられるとともに基幹ハーネスＨｍ（取付け対象物）に対して互いに並べた状態で取り付けられる２つのコネクタ１０Ａ，１０Ｂとを備えており、２つのコネクタ１０Ａ，１０Ｂはヒンジ１９（連結手段）によって連結されている。 - 特許庁

A concave/convex height at the point to be measured of the surface Wa of the measuring object and its optical reflection coefficient are measured by an optical measurement, by a scanning type confocal optical system 2, and the substance and the presence state of the substance are measured, by referring to a classification data map 31 from the measured concave/convex height and optical reflection coefficient.例文帳に追加

走査型共焦点光学系２による光学測定により測定対象表面Ｗａの被測定点における凹凸高さとその光反射率を測定し、その測定した凹凸高さと光反射率に基づき分類データマップ３１を参照して物質と物質の存在状態を特定する。 - 特許庁