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XINを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 60



例文

Han Dynasty and Xin Dynasty 例文帳に追加

漢・新代 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Wang Mang (later emperor of the Xin Dynasty) 例文帳に追加

王莽(後の新皇帝) - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The oxide mixed material containing NiO-cerium consists of NiO and Ce_1-x-yLn_xIn_yO_2-δ (wherein, Ln is a rare earth element having the valency of 3, 0.01≤x≤0.3 and 0.025≤y≤0.075).例文帳に追加

NiOとCe_1-x-yLn_xIn_yO_2-δ(Lnは3価の稀土類元素、0.01≦x≦0.3、0.025≦y≦0.075)と、から構成されたNiO-セリウム含有酸化物の混合材料を提供する。 - 特許庁

Omo of Xin and Kobu-tei (Emperor Guangwu) of later Han actively used Shini. 例文帳に追加

新の王莽も後漢の光武帝も盛んに讖緯を利用している。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

例文

The first and second nucleation layers are composed of Al_xIn_yGa_(1-x-y) N.例文帳に追加

第1と第2の核生成層は、Al_xIn_yGa_(1-x-y)Nよりなる。 - 特許庁


例文

The new year's day is called in Chinese 'chun-jie' (spring festival', 'guo-nian' (passing of a year), and 'nong-li-xin-nian' (the new year's day of the agricultural calendar) in mainland China, and is called 'teto' in Vietnamese in Vietnam. 例文帳に追加

中国では「春節」、「過年」、「農暦新年」といい、ベトナムでは「テト」といわれる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A supreme example is the definition based on the Oshiki Kyosho theory described in the Santo-reki calendar (astronomical system), which was proposed by Liu Xin in the end of Former Han Dynasty (China). 例文帳に追加

その最たるものが前漢末、劉キンの三統暦にある黄鍾秬黍説である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Hence they operate at a high speed even with the signal IN or XIN being at a low voltage level.例文帳に追加

従って、信号IN又はXINが低電圧レベルであっても、高速に動作する。 - 特許庁

The nitride-based compound semiconductor is expressed by formula: Al_xIn_yGa_1-x-yN(where, 0≤x+y≤1).例文帳に追加

窒化物系化合物半導体は、AlxInyGa1−x−yN(0≦x+y≦1)で表される。 - 特許庁

例文

The grip 5 is located on the line extending from the center axis Xin of the tube at the suction side.例文帳に追加

握り部5は吸込側管部中心軸Xinの延長線上に位置される。 - 特許庁

例文

A semiconductor device is a group-III nitride semiconductor heterojunction field effect transistor, having a heterojunction formed on a channel layer 2 of Al_xIn_yGa_1-x-yN (0≤x<1, 0≤y<1) as an electron supply layer 3 of Al_zGa_1-zN (Al composition z satisfies 0≤z≤1).例文帳に追加

半導体装置は、Al_xIn_yGa_1-x-yN(0≦x<1, 0≦y<1)のチャネル層2上に、Al_zGa_1-zN(Al組成zは0≦z≦1)の電子供給層3から成るヘテロ接合を形成したIII族窒化物半導体ヘテロ接合電界効果型トランジスタである。 - 特許庁

A lattice mismatching coefficient of an n-type Al_xIn_zP current block layer 50 for an n-type GaAs substrate 41 is set to the uniform value of -0.10% within the n-type Al_xIn_zP current block layer 50.例文帳に追加

n型GaAs基板41に対するn型Al_xIn_zP電流ブロック層50の格子不整合率を、n型Al_xIn_zP電流ブロック層50内で一様に−0.10%とする。 - 特許庁

At the end of former Han, Ryu Kin (Liu Xin) attempted to assign Kobun-kei as a gakkan (teacher), and this led to a dispute with the Kinbun-kei school. 例文帳に追加

前漢末、劉キンが古文経を学官に立てようとして、今文経学との学派争いを引き起こしている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the era of Hei-tei (Emperor Ping) (Han), "Chunqiu Zuoshi Zhuan" (Master Zuo's Commentary to the Spring and Autumns), "Girai" (Yili), "Mao shi" (Classic Poetry, Book of Odes), and "Shosho" (Classic of History) were assigned as gakkan, and in the Shin-cho (Xin Dynasty), "Rites of Zhou." 例文帳に追加

平帝(漢)の時には『春秋左氏伝』『儀礼』『毛詩』『尚書』が、新朝では『周礼』が学官に立てられた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

This opinion was supported for a long time and the Emperor Qian-long of the Qing Dynasty also acknowledged this opinion and, therefore, objections broke out after the Xin-hai Revolution. 例文帳に追加

この説は長く支持され、清の乾隆帝もこれを認めたため、反論は辛亥革命後に噴出した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In contrast, it is also said that Tarobe YOSHIDA, a person living in Hatano Village purchased seeds of cha from xin-le in Jiang-zhou Province in China and sowed them in a land of about 70 [a]. 例文帳に追加

もっとも、波多野村の住人、吉田太郎兵衛が江州の信楽からチャの実を買い入れ、約70aに蒔いたともいわれている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

It is said that Ieyasu respected such persons as Gaozu (Liu Bang), Choryo, Han Xin, Tai Gong Wang, Buno, Shuko, Yoritomo MINAMOTO, and Takauji ASHIKAGA. 例文帳に追加

家康は、高祖、張良、韓信、太公望、文王、周公、源頼朝、足利尊氏、などの人物を尊敬していたと伝えられている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Originally the term 'Retsuden' (列伝 in kanji) seemed to have been used for the history (den, in kanji) of titled liege (rekko, 列侯 in kanji) and called so (The retsuden of Han Xin, Lu Buwei and so on.) 例文帳に追加

元々は列侯(爵位を持った家臣)の伝と言う意味でこの名前を付けたのではないかと思われる(韓信・呂不韋など)。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

refers to Xiao He, Zhang Liang, and Han Xin, the three who made the greatest achievements of the meritorious retainers who served Gaozu (first emperor) of the Former Han Dynasty, Liu Bang. 例文帳に追加

前漢の高祖劉邦に仕えた功臣のうち、特に功績の大きかった3人、蕭何・張良・韓信を指す。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Even when Wang Mang usurped the throne and founded the Xin Dynasty, there was no big impact on kanin, and kanin kept being provided until the Later Han Dynasty was overthrown in 220. 例文帳に追加

途中、王莽の簒奪による新の建国があったがその際も大きな影響を受けず、官印の支給は220年の後漢滅亡まで続くことになる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The p-type semiconductor region is formed with an Al_xIn_yGa_zN (x+y+z=1, x≥0, y≥0, and z≥0) layer 26.例文帳に追加

p型半導体領域は、Al_xIn_yGa_zN(x+y+z=1,x≧0,y≧0,z≧0)層26から形成されている。 - 特許庁

When the signal IN or XIN rises up, the threshold voltages of the signal inputting n-type transistors 1, 2 drop due to the substrate bias effect.例文帳に追加

信号IN又はXINの立上り変化時には、信号入力用のN型トランジスタ1、2の各閾値電圧が基板バイアス効果により下がる。 - 特許庁

Guide layers 15, 17 are each composed of InGaN, and clad layers 14, 18 are each composed of Al_xIn_yGa_1-x-yN (0<x<1, 0<y<1, 0<x+y<1).例文帳に追加

ガイド層15,17はInGaNからなり、クラッド層14,18は、Al_xIn_yGa_1−x−yN(0<x<1,0<y<1,0<x+y<1)からなる。 - 特許庁

The center axis Xh in a longitudinal direction of the grip 5 crosses at right angles with the line extending from the center axis Xin of the tube at the suction side.例文帳に追加

握り部5の長手方向中心軸Xhは吸込側管部中心軸Xinの延長線に略直角に交わる。 - 特許庁

The gate circuit 17c keeps at "0" a signal outputted to the input end Xin of a multiplier 11 in the signal processing part 6.例文帳に追加

ゲート回路17cは信号処理部6内の乗算器11の入力端Xinに出力される信号を「0」に保つ。 - 特許庁

The recording layer 14 is constituted of Sn_xIn_yGa_zSb_w (wherein 3≤x≤7, 0≤y≤7, 6.8≤w/z≤8.8).例文帳に追加

記録層14がSn_xIn_yGa_zSb_w(但し、3≦x≦7、0≦y≦7、6.8≦w/z≦8.8)により構成される。 - 特許庁

To provide an oxide semiconductor containing Ga_xIn_yZn_z oxide and a new material, and to provide a thin film transistor whose property is improved by adding the Ga_xIn_yZn_z oxide and the new material as the channels of the thin film transistor, and its manufacturing method.例文帳に追加

Ga_xIn_yZn_z酸化物及び新たな物質を含む酸化物半導体及び薄膜トランジスタのチャンネルとしてGa_xIn_yZn_z酸化物及び新たな物質を付加して、その特性を向上させた酸化物半導体を含む薄膜トランジスタとその製造方法を提供する。 - 特許庁

The oscillation circuit 1 includes: the piezoelectric vibrator XO, a resistive element R1 and an excitation circuit 10 juxtaposed to one another between an input node XIN and an output node XOUT; a capacitor C1 arranged between the input node XIN and a grounding node GND; and a capacitor C2 arranged between the output node XOUT and the grounding node GND.例文帳に追加

発振回路1は、入力ノードXINと出力ノードXOUTとの間に互いに並列に設けられた圧電振動子XO、抵抗素子R1、および励振回路10と、入力ノードXINと接地ノードGNDとの間に設けられたコンデンサC1と、出力ノードXOUTと接地ノードGNDとの間に設けられたコンデンサC2とを含む。 - 特許庁

According to a newspaper report in China, it was found that, when dust is scattered, infectious diseases, cardiovascular diseases, cardiac infarction, hypertension, and cerebral strokes increased (according to an article on May 28, 2002 of "Xin Sheng net"). 例文帳に追加

中国の新聞の報道によれば、砂塵の飛散時には肺の感染症・心臓血管の疾病・心筋梗塞・高血圧・脳卒中などの増加が見られるという(『新生網』2002年5月28日付記事による)。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Zhu Xi read the word 'qin', meaning 'being affectionate,' as 'xin,' meaning 'new,' and interpreted 'xinmin' as 'renovating the people', meaning that a man of virtue, who has discoverd his own virtue, spread it to others and renewed them. 例文帳に追加

まず朱子は「親」を「新」と読み替え、「民を新たにす」(自分自身の明徳を明らかにした君子が、他者にまでそれを及ぼし革新する)という風に解した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

"De Yu Jian" and the 'Lun Si De' chapter of Liang Qichao's important work "Xin Min Shuo", written during this period, show the influence of Tetsujiro INOUE's "Nihon Yomei-gakuha no Tetsugaku". 例文帳に追加

また同時期書かれた梁の『徳育鑑』や「論私徳」(代表作『新民説』の一節)には、井上哲次郎の『日本陽明学派之哲学』の影響が見られる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In November 1274, the ships departed from Gappo in the Korean peninsula (now Masan) with 30,000 people on board, including non-soldiers, led by Xin Dou, Kim Bang-gyeong and others, consisting of people of Mongol, Han, Jurchen, and Goryeo. 例文帳に追加

日本の文永11年・元の至元11年10月(1274年11月)に、忻都、金方慶らに率いられ、モンゴル人・漢人・女真人・高麗人など非戦闘員を含む3万人を乗せた船が朝鮮の月浦(合浦。現在の馬山)を出発した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Nihon Den of "Genshi," in the article of January 1281, says that Kublai, before sending the expedition army, summoned his commanders such as Arakan, Wen-hu FAN, Dou XIN, and Da-gu HONG, to Dadu and gave them an imperial order. 例文帳に追加

『元史』日本伝 至元十八年正月条によると、クビライは遠征に先立って大都に遠征軍の指揮官である阿剌罕、范文虎、忻都、洪茶丘らを召集し勅を下している。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Aisho was originally derived from the part of the philosophy of Onmyo gogyo (Yin-Yang Wu-Xin), which explained that when the attributes of all things influence each other in a good way, they become stronger; when they balance out the good qualities in each other, on the other hand, this invites bad situations. 例文帳に追加

相性の、元々の意味は陰陽五行思想の一端で、全ての事物が持つ属性が、相互に良い意味で影響しあってより強まるか、逆に相互の良い部分を相殺しあって悪い状態を招くかといったものである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The input timing signal (XIN) is used as an input signal and a corresponding output signal (XOUT) with locked phase is generated by a phase locked loop (7).例文帳に追加

フェーズロックドループ(7)はこの入力タイミング信号(X_IN)を入力信号として使用し、位相のロックされた対応する出力信号(X_OUT )を発生する。 - 特許庁

Consequently, even if the complementary signals IN, XIN using the low voltage source VDD as the voltage source are further set lower, the N type transistors N1, N2 surely operate and the level shift operation is performed as expected.例文帳に追加

従って、低電圧源VDDを電圧源とする相補信号IN、XINが一層に低く設定される場合であっても、前記N型トランジスタN1、N2は確実に動作して、レベルシフト動作は所期通り行われる。 - 特許庁

The oxide semiconductor contains the Ga_xIn_yZn_z oxide, and at least one material selected from groups consisting of a 4A-group material, oxide of the 4A-group material and a rare earth material.例文帳に追加

酸化物半導体であって、Ga_xIn_yZn_z酸化物に、4A族物質、4A族物質の酸化物、及び希土類物質からなる群より選択される少なくとも1つの物質が含まれる。 - 特許庁

A buffer layer made of AlN, a channel layer made of GaN and a barrier layer made of Al_xIn_yGa_zN(x+y+z=1) are epitaxially formed on the base substrate.例文帳に追加

該下地基板の上に、AlNからなるバッファ層と、GaNからなるチャネル層と、Al_xIn_yGa_zN(x+y+z=1)からなる障壁層とをエピタキシャル形成する。 - 特許庁

A common density correction table 32 makes an input density correction value correspond with a plurality of screening conditions commonly so that each dot position Xin in the main scanning direction is corrected for the corrected input density Cin'.例文帳に追加

また、共通濃度補正テーブル32は、補正済入力濃度Cin’それぞれに対し、主走査方向のドット位置Xinごとに補正するように、複数のスクリーニング条件に共通な入力濃度の補正値を対応付けている。 - 特許庁

The semiconductor element has the polarization junction formed of an In_aGa_1-aN channel layer 9, an Al_xIn_yGa_1-x-yN barrier layer 10, and an In_bGa_1-bN cap layer 11 (0≤a, b, c<0.02).例文帳に追加

In_aGa_1−aNチャネル層9、Al_xIn_yGa_1−x−yNバリア層10、およびIn_bGa_1−bNキャップ層11により分極接合を形成する(0≦a、b、c<0.02)。 - 特許庁

In the semiconductor light emitting element, a composite laminated buffer layer 12, formed by alternately laminating a plurality of Al_xIn_yGa_1-x-yN first layers 12a and a plurality of Al_aIn_bGa_i-a-bN second layers 12b upon another, is provided on a low-resistance silicon substrate 11.例文帳に追加

低抵抗のシリコンから成る基板11の上にAl_xIn_xGa_1-x-yNから成る第1の層12aとAl_aIn_bGa_i-a-bNから成る第2の層12bとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層12を設ける。 - 特許庁

The projecting direction Vh of the grip 5 is directed inward the surface including center axis Xin of the tube at the suction side and the center axis Xout of the tube at the discharge side.例文帳に追加

握り部5の突出方向Vhは吸込側管部中心軸Xinおよび吐出側管部中心軸Xoutを含む面内に向けられる。 - 特許庁

A potential stabilization circuit 50 is also provided for connecting the input terminal Xin of the signal path and the output side of the inverter 22 through a resistance element 52.例文帳に追加

そして、前記信号路の入力端子Xinとインバータ22の出力側とを抵抗素子52を介して接続する電位安定化回路50が設けられている。 - 特許庁

Furthermore, a dynamic flip-flop 31 is used to synchronize the output of the signal selection circuit 30 with an input clock XIN and the output is used for a frequency division signal.例文帳に追加

また、信号選択回路30の出力をさらにダイナミック型フリップフロップ31で入力クロックXINで同期させ、分周信号として出力する。 - 特許庁

An example of the deletion of Chinese books can be illustrated by the reference to FUJIWARA no Tsunekiyo who, upon coming under suspicion from Yoriyoshi, likened his situation to that of the meritorious retainers (Han Xin, Peng Yue and Ying Bu) who were fell under the suspicion of Gaozu (Liu Bang) of Han and were killed by him, but this portion is not contained in "Konjaku." 例文帳に追加

漢籍の削除にかんしては、たとえば藤原経清が、頼義からの疑いが向けられた際、自分の置かれた立場を漢の高祖(劉邦)に疑われて殺された功臣(韓信・彭越・英布)にたとえる場面があるが、この部分が『今昔』にはない。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the Former Han Dynasty, the post was initially used to fill emergency needs, with important government officials very often named as the ad hoc chief of the army to quell riots and wars such as the Xiongno invasion, starting with Han Xin in the Chu-Han Contention period. 例文帳に追加

前漢では当初非常置の職であったようで、楚漢戦争期の韓信以降は、匈奴が侵攻して来た際や反乱鎮圧に際してといった非常時に、臨時に政府要人が軍の総帥として任命されることが多かったようである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The records on Bang-gyeong KIM in "Koraishi" include descriptions that seem to be part of the military meeting held on that night after returning to their position, saying that the following conversation was held between the head of the Goryeo army Bang-gyeong KIM and commander-in-chief of the expeditionary force Dou XIN. 例文帳に追加

『高麗史』金方慶伝によると、この夜に自陣に帰還した後の軍議と思われる部分が載っており、高麗軍の主将である金方慶と派遣軍総司令官である忽敦との間で、以下のようなやり取りがあったことが述べられている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

An input signal IN or an inverted input signal XIN is applied to gate electrodes of signal inputting n-type transistors 1, 2 and also given to their substrate through substrate biasing p-type transistors 5, 6.例文帳に追加

入力信号IN又は反転入力信号XINがゲート電極に入力される信号入力用のN型トランジスタ1、2において、その基板にも基板バイアス用のP型トランジスタ5、6を介して前記信号IN又はXINを与える。 - 特許庁

The semiconductor element has a structure in which a nitride semiconductor layer including a light-emitting layer is formed on a substrate, wherein the nitride semiconductor layer consists of only the AlInN mixed crystal represented by Al_xIn_(1-x)N(0<x<1).例文帳に追加

基板上に発光層を含む窒化物半導体層が形成されてなる半導体素子であって、前記窒化物半導体層が、Al_xIn_(1−x)N(0<x<1)で表されるAlInN混晶のみからなることを特徴とする半導体素子とする。 - 特許庁

例文

(B) A semiconductor film including, from the growth substrate side, a first conductivity type first semiconductor layer, an active layer, and a second conductivity type second semiconductor layer respectively constituted of Al_xIn_yGa_zN (0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤ z≤1, x+y+z=1) on the growth substrate is formed.例文帳に追加

(b)成長基板上に、成長基板側から、各々Al_xIn_yGa_zN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)で構成される、第1導電型の第1半導体層、活性層、第2導電型の第2半導体層を含む半導体膜を形成する。 - 特許庁

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